CN111293144A - 制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种制造显示装置的方法。根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法包括:制备显示基底,当在平面图中观看时,至少一个孔区域限定在显示基底中;在显示基底上设置第一粘合膜;通过以激光的形式照射第一光来蚀刻显示基底的孔区域;以及剥离第一粘合膜,其中,第一粘合膜透射第一光的至少一部分。

Description

制造显示装置的方法
本申请要求于2018年12月10日提交的第10-2018-0158366号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的示例实施例的一个或更多个方面涉及一种制造显示装置的方法,并且更具体地,涉及制造具有提高的良率的显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性正在增加。响应于此,诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置的各种类型的显示装置正在被使用。
有机发光显示装置使用通过使电子和空穴复合而发光的有机发光元件显示图像,有机发光显示装置具有高响应速度、高亮度和宽视角并且同时以低功耗驱动的优势。
有机发光显示面板包括有机发光元件布置在其中的显示基底以及用于覆盖显示基底的封装基底。
发明内容
本公开提供了一种具有提高的良率的显示装置。
本公开的一些实施例提供了一种制造显示装置的方法,所述方法包括下述步骤:制备显示基底,当在平面图中观看时,至少一个孔区域限定在显示基底中;在显示基底上放置第一粘合膜;通过以激光的形式照射第一光来蚀刻显示基底的孔区域;以及剥离第一粘合膜,其中,第一粘合膜透射第一光的至少一部分。
在一些实施例中,第一粘合膜可以包括:基体层;以及粘合层,设置在基体层下方,其中,粘合层在放置第一粘合膜的步骤中设置在显示基底与基体层之间。
在一些实施例中,在蚀刻显示基底的步骤中,由于蚀刻显示基底,可以在显示基底的与孔区域对应的区域上限定沟槽,并且在沟槽的内部与第一粘合膜之间产生的灰尘可以附着到第一粘合膜的底表面。
在一些实施例中,所述方法还可以包括在显示基底上放置第一粘合膜的步骤之后,将第二光照射到第一粘合膜的与孔区域对应的区域上,其中,由于照射了第二光,粘合层的粘合力增大。
在一些实施例中,粘合层可以包括光引发剂。
在一些实施例中,基体层可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),并且第一光的波长可以为大约310nm或更长。
在一些实施例中,基体层可以包括聚酰亚胺(PI),并且第一光的波长可以为大约475nm或更长。
在一些实施例中,第一粘合膜对第一光的透射率可以为大约70%或更大。
在一些实施例中,所述方法还可以包括在剥离第一粘合膜的步骤之后,去除在孔区域中产生的灰尘。
在一些实施例中,可以通过抽吸单元或鼓风单元去除灰尘。
在一些实施例中,显示基底可以包括:基体基底;电路层,设置在基体基底上并且具有多个薄膜晶体管;以及像素层,设置在电路层上并且具有多个有机发光元件。
在一些实施例中,可以通过第一光蚀刻显示基底的像素层和电路层的与孔区域对应的区域,同时在蚀刻显示基底的步骤期间,显示基底的基体基底保持完整。
在一些实施例中,可以通过第一光蚀刻显示基底的像素层的与孔区域对应的区域,同时在蚀刻显示基底的步骤期间,显示基底的电路层和基体基底保持完整。
在一些实施例中,所述方法还可以包括:制备封装基底;在剥离第一粘合膜的步骤之后,使显示基底和封装基底结合;以及在孔区域中形成模块孔,其中,模块孔穿透显示基底和封装基底。
在一些实施例中,孔区域可以包括中心区域和围绕中心区域的外围区域,并且使显示基底和封装基底结合的步骤可以包括在封装基底的与外围区域叠置的区域上设置密封构件。
在一些实施例中,孔区域可以包括中心区域和围绕中心区域的外围区域,并且形成模块孔的步骤可以包括通过以激光的形式照射第三光来蚀刻显示基底和封装基底的与中心区域对应的区域。
在一些实施例中,所述方法还可以包括:在形成模块孔的步骤之前,在封装基底的顶表面和显示基底的底表面中的至少一个上设置第二粘合膜;以及在形成模块孔的步骤之后剥离第二粘合膜,其中,第三光穿过第二粘合膜。
在本公开的一些实施例中,一种制造显示装置的方法包括下述步骤:制备显示基底和封装基底,至少一个孔区域限定在显示基底和封装基底中的每个中;在显示基底的孔区域中形成沟槽;使显示基底和封装基底结合;以及在显示基底和封装基底中形成模块孔以穿透孔区域,其中,在显示基底中形成沟槽的步骤包括:在显示基底上设置第一粘合膜以与孔区域叠置;通过照射第一光来蚀刻显示基底的孔区域,第一光以激光的形式被提供并且第一光的至少一部分穿过第一粘合膜;以及剥离第一粘合膜。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的示例实施例,本公开的上面和其他的方面和特征将变得更加明显,其中:
图1是根据本公开的一些示例实施例的显示装置的透视图;
图2是图1中所示的显示装置的分解透视图;
图3是图1中所示的显示装置的框图;
图4是图2中所示的像素的等效电路图;
图5是根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的流程图;
图6示出了在模块孔形成之前的显示基底和封装基底;
图7至图14示出了根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的工艺;
图15示出了根据本公开的一些实施例的设置粘合膜的步骤;以及
图16至图18示出了根据本公开的一些实施例的形成模块孔的工艺。
具体实施方式
在下文中,现在将参照附图更详细地描述示例实施例,在附图中,同样的附图标记始终指示同样的元件。然而,本公开可以以各种不同的形式实施,而不应该被解释为局限于仅在此所示的实施例。相反地,这些实施例被提供为示例,使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域的技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此,可以不描述对具有本领域的普通技术的人员来说对于本发明的方面和特征的完全理解不是必要的工艺、元件和技术。除非另有说明,否则同样的附图标记在附图和书面描述中始终表示同样的元件,因此,将不重复它们的描述。在附图中,为了清楚起见,可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
在以下的描述中,出于解释的目的,阐述了许多特定细节以提供各种实施例的透彻的理解。然而,明显的是,在没有这些特定细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下,可以实践各种实施例。在其它情况下,为了避免不必要地使各种实施例模糊,以框图形式示出了已知结构和装置。
在附图中,为了清楚和便于其描述,可以以放大的方式示出多个层和区域的厚度。
还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”及其变型时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是,当区域或元件被称为“在”另一区域或元件“上”、“连接到”或“结合到”另一区域或元件时,它可以直接在另一区域或元件上、直接连接到或直接结合到另一区域或元件,或者可以在其间存在中间区域或元件。相反地,当区域或元件被称为“直接在”另一区域或元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一区域或元件时,在其间不存在中间区域或元件。此外,也将理解的是,当区域或元件被称为“在”两个区域或元件“之间”时,它可以是在两个区域或元件之间的唯一区域或元件,或者也可以存在一个或更多个中间区域或元件。
除非另有定义,否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,除非在本说明书中明确地定义,否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,而不将以理想化或过于形式化的含义来解释。
此外,当描述本发明的实施例时,“可以”的使用指示“本发明的一个或更多个实施例”。如在此所使用的,术语“使用”及其变型可以被考虑为与“利用”及其变型同义。另外,术语“示例性”旨在指示示例或图示。
将理解的是,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此被用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语被用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分,而不脱离本发明的精神和范围。
当可以不同地实施某个实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在此参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施例。如此,将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状变化。因此,在此公开的实施例不应被解释为局限于所具体示出的区域的形状,而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。例如,示出为矩形的注入区域将通常具有倒圆或弯曲特征和/或在它的边缘处的注入浓度的梯度,而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样,通过注入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在说明装置的区域的实际形状,并且不旨在是限制性的。
当诸如“······中的至少一个(种/者)”的表达在一列元件之后时,修饰整列元件而不仅修饰所述列的个别元件。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里所使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项中的任何组合和全部组合。
为了便于描述,在此可以使用诸如“在······之下”、“在······下方”、“下”、“在······上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是,除了附图中描述的方位之外,空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将随后被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在······下方”和“在······下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外地定位(例如,旋转90度或者在其它方位处),并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在以下的示例中,x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系的三个轴,而是可以以更宽泛的意义来解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
如在此所使用的,术语“基本上”、“大约”、“大致上”和相似术语被用作近似的术语而不被用作程度的术语,并且旨在解释将由本领域的普通技术人员所认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外,考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性),在此所使用的这些术语包括陈述的值,并意味着在如由本领域的普通技术人员所确定的具体值的可接受的偏差范围内。例如,“大约”可以意味着在一个或更多个标准偏差之内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%、±5%之内。
图1是根据本公开的一些示例实施例的显示装置的透视图,图2是图1中所示的显示装置的分解透视图。
参照图1和图2,根据本公开的一些实施例的显示装置DD可以是依据电信号而被激活的装置。显示装置DD可以包括平板计算机、膝上型计算机、通用计算机、智能TV等。
在图1和图2中,显示装置DD提供了与彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行并且朝向第三方向DR3显示图像IM的显示表面。在其上显示图像IM的显示表面可以与显示装置DD的前表面对应。
根据本公开的一些实施例的显示装置DD具有基本上矩形形状,所述矩形形状具有在第一方向DR1上的长边和在垂直于第一方向DR1的第二方向DR2上的短边。为了描述的方便,显示装置DD的形状被指定为示例,但是不局限于具体的形状。
如图1和图2中所示,显示装置DD包括窗WD、显示面板DP、壳体HS和电子模块EM。显示装置DD还可以包括诸如电源模块、光学构件、保护构件和散热构件的各种组件。
窗WD提供了显示装置DD的前表面,并且保护显示面板DP。通过示例的方式,窗WD可以包括玻璃基底、蓝宝石基底或塑料膜。窗WD可以具有多层结构或单层结构。通过示例的方式,窗WD可以具有通过粘合剂结合的多个塑料膜的层叠结构,或者也可以具有通过粘合剂结合的玻璃基底和塑料膜的层叠结构。
窗WD的前表面可以被划分为透光区域TA和遮光区域CA。透光区域TA被限定为透射图像IM的区域。用户通过透光区域TA观看图像IM。
遮光区域CA与透光区域TA相邻。遮光区域CA可以围绕(例如,部分地或全部地围绕)透光区域TA。遮光区域CA可以具有预定的颜色。然而,遮光区域CA仅通过示例的方式被示出,并且遮光区域CA可以与透光区域TA的仅一侧或更多侧相邻,或者可以被省略。
显示装置DD的前表面的法线(例如,垂直)方向与显示装置DD的厚度方向对应。为了描述的方便,显示装置DD的前表面的法线方向,即,图像IM从显示装置DD沿其被提供的方向被限定为向上方向,并且与向上方向相反的方向被限定为向下方向。在一些实施例中,向上方向和向下方向与第三方向DR3平行,第三方向DR3被限定为垂直于第一方向DR1和第二方向DR2的方向。第三方向DR3可以是将被更加详细地描述的组件的前表面与组件的后表面沿其被区分开的参考方向。然而,向上方向和向下方向是相对概念,并且可以转换为另一方向。
显示面板DP设置在窗WD下方(见图2)。显示面板DP显示图像IM。
根据本公开的一些实施例的显示面板DP可以是有机电致发光显示面板。特别地,根据本公开的一些实施例的显示面板DP可以包括多个有机发光元件OLED(见图7至图14)。然而,本公开不局限于显示面板DP的具体类型。例如,显示面板DP可以是液晶显示面板、电润湿显示面板、纳米晶体显示面板或量子点发光显示面板。为了在此描述的目的,显示面板DP被描述为有机电致发光显示面板的情形。
当在平面中观看时,显示面板DP可以具有显示区域DA、非显示区域NDA和限定在显示面板DP中的孔区域HA。
显示区域DA是其中显示图像IM的区域。在一些实施例中,显示区域DA可以被限定在显示面板DP的中心处。通过示例的方式,当在平面中或平面图中观看时,显示区域DA可以与透光区域TA叠置。
显示面板DP可以包括布置在显示区域DA中并且发光以产生图像的多个像素PX。像素PX可以在显示区域DA中被布置为矩阵形式。像素PX依据电信号来显示光。
非显示区域NDA是其中不显示图像IM的区域,并且可以具有围绕显示区域DA的框架形状。通过示例的方式,当在平面中或平面图中观看时,非显示区域NDA可以与遮光区域CA叠置。
根据一些实施例,在第三方向DR3上穿透显示面板DP的至少一个模块孔MH可以限定在显示面板DP中。模块孔MH可以是从显示面板DP的前表面向后表面延伸的通孔。设置在显示面板DP的后表面中并且与模块孔MH叠置的组件可以通过模块孔MH从显示面板DP的前表面被观看到。尽管在图2中被示出为具有具备在第三方向DR3上的高度的圆柱形形状,但是模块孔MH可以被设置为诸如多边形柱、椭圆形柱和圆锥台的各种形状,而不局限于任何一种形状。
当在平面中或平面图中观看时,模块孔MH与电子模块EM叠置。电子模块EM可以插入在模块孔MH中。电子模块EM可以通过模块孔MH接收外部输入。电子模块EM接收通过模块孔MH输入的信号,并且将信号提供到显示面板DP。电子模块EM可以具有可以被容纳在模块孔MH中的尺寸。
孔区域HA可以被限定为围绕模块孔MH。当在平面中或平面图中观看时,孔区域HA可以与非显示区域NDA分隔开,并且显示区域DA位于孔区域HA与非显示区域NDA之间。通过示例的方式,孔区域HA可以被显示区域DA围绕。
显示面板DP包括显示基底DS和封装基底ES。在一些实施例中,显示基底DS和封装基底ES中的每个包括玻璃材料。显示基底DS可以以被结合到封装基底ES的形式设置。
壳体HS设置在显示面板DP的后表面中。壳体HS可以与窗WD结合以提供显示装置DD的后表面。壳体HS可以与窗WD结合以限定内部空间,并且显示面板DP、电子模块EM和各种其它电子部件或光学部件被容纳在内部空间中。壳体HS可以包括具有相对高的刚度的材料。通过示例的方式,壳体HS可以包括由玻璃、塑料、金属等构成的多个框架和/或平板。壳体HS可以安全地保护显示装置DD的被容纳在内部空间中的组件免受外部冲击。
显示面板DP还可以包括输入感测单元(未示出)。也就是说,显示面板DP可以感测外部输入。输入信号可以包括从显示装置DD的外侧提供的各种种类的输入。例如,输入信号可以包括诸如用户的身体的一部分、光、热和压力的各种种类的外部输入。在一些实施例中,输入信号可以是触摸信号。
在输入信号是触摸信号的一些实施例中,显示面板DP可以感测施加到显示区域DA的输入信号,并且可以不感测施加到非显示区域NDA的输入信号。可选择地,在本公开的其它实施例中,显示面板DP可以感测施加到非显示区域NDA的输入信号,并且可以不感测施加到显示区域DA的输入信号。可选择地,显示面板DP也可以感测施加到包括显示区域DA和非显示区域NDA的显示面板DP的前表面的所有输入信号。根据本公开的一些实施例的显示面板DP可以依据内部构造设计感测施加到各种区域的输入信号,并且不局限于任何一个实施例。
显示装置DD还可以包括设置在显示面板DP与窗WD之间的防反射构件(未示出)。防反射构件可以防止从显示装置DD的外侧入射的外部光被显示面板DP反射而被用户观看到。通过示例的方式,防反射构件可以包括偏振层和相位延迟层。
根据一些实施例,上面描述的模块孔MH可以限定在上面描述的防反射构件中。因此,电子模块EM可以穿透显示面板DP和防反射构件两者。
图3是图1中示出的显示装置的框图。
参照图3,显示装置DD可以包括电源模块PM、显示面板DP、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。电源模块PM可以供应显示装置DD的所有操作所需的电力。电源模块PM可以包括电池模块。显示面板DP可以包括显示单元DPU和输入感测单元ISU。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于操作显示装置DD的各种功能模块。第一电子模块EM1可以直接安装在电连接到显示面板DP的印刷电路板(未示出)或柔性电路板(未示出)上。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、声音输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。
控制模块CM可以控制显示装置DD的所有操作。控制模块CM可以是微处理器。通过示例的方式,控制模块CM可以激活或禁用显示面板DP。例如,在从显示面板DP接收的触摸信号的基础上,控制模块CM可以控制诸如图像输入模块IIM和声音输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可以使用例如蓝牙或Wi-Fi信道向另一终端发送无线电信号/从另一终端接收无线电信号。无线通信模块TM可以使用通用通信信道发送/接收语音信号。无线通信模块TM可以包括用于调制并发送将要被发送的信号的发送单元TM1和用于解调接收到的信号的接收单元TM2。
图像输入模块IIM可以处理图像信号,以将处理后的图像信号转换为可以显示在显示面板DP上的图像数据。声音输入模块AIM可以在记录模式、语音识别模式等中使用例如麦克风接收外部声音信号,以将接收到的外部声音信号转换为电学语音数据。
外部接口IF用作外部充电器、有线/无线数据端口、卡插槽(例如,用于存储卡和SIM/USIM卡的卡插槽)等连接到其的接口。
第二电子模块EM2可以包括声音输出模块AOM、光发射模块LM、光接收模块LRM、相机模块CMM等。上面描述的组件可以安装在印刷电路板、柔性电路板等上以电连接到显示面板DP或第一电子模块EM1。
声音输出模块AOM可以转换从无线通信模块TM接收的声音数据或存储在存储器MM中的声音数据,以将转换后的声音数据输出到外侧。
光发射模块LM可以产生并输出光。通过示例的方式,光发射模块LM可以输出红外线。光发射模块LM可以包括LED元件。光接收模块LRM可以感测红外线。当感测到具有预定水平或更高水平的红外线时,光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。在由光发射模块LM产生的红外线被输出之后,红外线可以被外部物体(例如,用户的手指或脸)反射,并且反射后的红外线可以被入射在光接收模块LRM上。相机模块CMM可以拍摄外部图像。
图2中示出的电子模块EM可以接收通过模块孔MH传送的外部输入,或者可以通过模块孔MH提供输出。电子模块EM可以是构成第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的模块中的任何一个。通过示例的方式,电子模块EM可以是相机、扬声器、或者光或热等的传感器。电子模块EM可以感测通过模块孔MH接收到的外部对象,或者可以通过模块孔MH向外侧提供诸如语音的声音信号。第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的剩余的组件可以设置在其它位置处并且未示出。电子模块EM也可以包括在构成第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的模块之中的被设置为多个的一些模块,而不局限于任何一个实施例。
同时,根据本公开的一些实施例的显示装置DD还可以包括设置在电子模块EM与显示面板DP之间的透明构件(未示出)。透明构件可以是光学透明膜,使得通过模块孔MH传送的外部输入通过透明构件传送到电子模块EM。透明构件可以附着到显示面板DP的后表面,或者在没有单独的粘合层的情况下设置在显示面板DP与电子模块EM之间。
根据本公开的一些实施例,可以通过在显示面板DP中形成模块孔MH而省略在非显示区域NDA的外侧上提供用于电子模块EM的单独的空间。此外,通过将模块孔MH限定在被显示区域DA围绕的孔区域HA的内部,电子模块EM可以设置为与透光区域TA叠置而不与遮光区域CA叠置。因此,可以减少遮光区域CA的面积,使得可以实现具有窄边框的显示装置DD。此外,在电子模块EM被容纳在模块孔MH中的情况下,可以实现薄的显示装置DD。
图4是图2中示出的像素的等效电路图。
为了描述的方便,在图4中示出的是在图2中所示的多个像素PX之中的一个像素PX的等效电路图。根据本公开的一些实施例的多个像素PX中的每个可以具有与图4中所示的像素PX的结构对应的结构。另外,像素PX的构造不局限于图4中所示的结构,并且可以被修改和实施。
参照图4,像素PX可以包括第一晶体管TR1、电容器CAP、第二晶体管TR2和有机发光元件OLED。第一晶体管TR1可以包括连接到第一信号线GL的控制电极、连接到第二信号线DL的输入电极以及输出电极。
第一晶体管TR1可以是用于控制像素PX的导通和截止的开关元件。第一晶体管TR1可以响应于通过第一信号线GL传送的扫描信号而传送或阻挡通过第二信号线DL传送的数据信号。
电容器CAP可以包括连接到第一晶体管TR1的第一电容器电极和接收第一电源电压VDD的第二电容器电极。电容器CAP充有与对应于从第一晶体管TR1接收的数据信号的电压与第一电源电压VDD之间的差对应的电荷的量。
第二晶体管TR2可以包括连接到第一晶体管TR1的输出电极和电容器CAP的第一电容器电极的控制电极、接收第一电源电压VDD的输入电极以及输出电极。第二晶体管TR2的输出电极可以连接到有机发光元件OLED的第一电极。有机发光元件OLED的第二电极可以连接到第二电源电压VSS。第二晶体管TR2可以是用于控制有机发光元件OLED的驱动薄膜晶体管。
第二晶体管TR2可以响应于存储在电容器CAP中的电荷的量而控制在有机发光元件OLED中流动的驱动电流。第二晶体管TR2的导通时间可以依据电容器CAP中充入的电荷的量来确定。基本上,第二晶体管TR2的输出电极可以向有机发光元件OLED供应比第一电源电压VDD低的电压。
有机发光元件OLED包括发光材料。有机发光元件OLED可以产生具有与发光材料对应的颜色的光。由有机发光元件OLED产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。
图5是根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的流程图,并且
图6示出了在模块孔形成之前的显示基底和封装基底。
图7至图14示出了根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的工艺。图7至图14与沿图6中所示的线I-I'截取的剖视图对应。
在下文中,将参照图5以及图6至图14一起更加详细地描述根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法。
首先,参照图5至图7,在步骤S1中,制备显示基底DS和封装基底ES(见图5)。图6中示出的是在模块孔MH(见图2)形成之前的显示基底DS和封装基底ES。显示区域DA_ES和非显示区域NDA_ES可以限定在封装基底ES中,显示区域DA_DS和非显示区域NDA_DS可以限定在显示基底DS中。封装基底ES的显示区域DA_ES和显示基底DS的显示区域DA_DS可以与显示面板DP的显示区域DA对应,封装基底ES的非显示区域NDA_ES和显示基底DS的非显示区域NDA_DS可以与显示面板DP的非显示区域NDA对应。
显示基底DS可以包括基体基底BS、电路层CRL和像素层PXL。电路层CRL和像素层PXL可以包括像素PX的组件。
可以在显示区域DA和孔区域HA中设置像素PX。像素PX可以产生光以实现图像IM。像素PX可以被提供为多个以布置在显示区域DA中。
基体基底BS可以限定显示面板DP的后表面。基体基底BS可以是绝缘基底。通过示例的方式,基体基底BS可以由例如以玻璃和塑料为例的各种材料组成。
可以在基体基底BS上设置电路层CRL。电路层CRL可以包括用于驱动多个有机发光元件OLED的多个薄膜晶体管TR1和TR2(见图4)和多条信号线DL和GL(见图4)。
根据本公开的一些实施例的显示面板DP还可以包括在基体基底BS与电路层CRL之间设置的功能层(未示出)。可以直接在基体基底BS上形成功能层以覆盖基体基底BS的前表面。
功能层可以包括无机材料。功能层可以包括阻挡层和/或缓冲层。功能层可以防止氧或湿气通过基体基底BS渗透电路层CRL或像素层PXL,并且允许在基体基底BS上稳定地形成电路层CRL。功能层的材料的种类不具体地局限在本公开的实施例中。在本公开的一些实施例中,可以省略功能层。
可以在电路层CRL上设置像素层PXL。像素层PXL可以包括多个有机发光元件OLED和分割有机发光元件OLED的像素限定层PDL。像素层PXL的一个有机发光元件OLED和连接到一个有机发光元件OLED的电路层CRL的至少一个薄膜晶体管可以限定像素PX。
有机发光元件OLED可以包括第一电极EL1、第二电极EL2和发光层OEL。第一电极EL1可以是像素电极或阳极。第二电极EL2可以是共电极或阴极。
可以在第一电极EL1上设置像素限定层PDL。具体地,像素限定层PDL可以覆盖第一电极EL1的一部分,并且可以暴露第一电极EL1的剩余部分。可以通过像素限定层PDL限定发光区域PXA。
可以在第一电极EL1与第二电极EL2之间设置发光层OEL。特别地,可以在由像素限定层PDL限定的发光区域PXA中设置发光层OEL。
还可以在第一电极EL1与第二电极EL2之间设置除发光层OEL之外的多个公共层。特别地,可以在第一电极EL1与第二电极EL2之间顺序地层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。另外,还可以在第一电极EL1与第二电极EL2之间设置空穴阻挡层、空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。
此后,如图8中所示,在步骤S2中,在显示基底DS上设置第一粘合膜ADF1(见图5)。第一粘合膜ADF1覆盖显示基底DS的顶表面的与孔区域HA对应的区域。第一粘合膜ADF1在图8中被示出为设置在显示基底DS的整个顶表面上(例如,覆盖整个顶表面),然而,本公开不局限于此或者由此限制。当在平面中或平面图中观看时,当被第一粘合膜ADF1占据的区域比覆盖孔区域HA的区域多时,在各种实施例中不具体地限制第一粘合膜ADF1是否覆盖显示区域DA和非显示区域NDA。
第一粘合膜ADF1可以具有光学透明性。特别地,第一粘合膜ADF1可以透射具有预定波长的光的至少一部分。根据一些实施例,第一粘合膜ADF1对具有预定波长的光的透射率可以为大约70%或更大。
根据一些实施例,第一粘合膜ADF1包括基体层BL和粘合层ADL。
基体层BL构成第一粘合膜ADF1的主体。
通过示例的方式,第一粘合膜ADF1可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI),然而,不具体地限制基体层BL的材料。
在基体层BL下方设置粘合层ADL。可以以被涂覆在基体层BL的底表面上的形式设置粘合层ADL。当在显示基底DS上设置第一粘合膜ADF1时,可以在基体层BL与显示基底DS的顶表面之间设置粘合层ADL以使基体层BL和显示基底DS结合。
此后,如图9中所示,在步骤S3中,将第一光L1照射到第一粘合膜ADF1和显示基底DS上以蚀刻显示基底DS的孔区域HA(见图5)。可以将第一光L1照射到孔区域HA上。可以以激光的形式将第一光L1提供到第一粘合膜ADF1和显示基底DS。通过示例的方式,第一光L1可以是UV激光、飞秒激光、皮秒激光、可见光激光等。
第一光L1可以穿过第一粘合膜ADF1。因此,第一粘合膜ADF1不被第一光L1蚀刻。在一些实施例中,第一粘合膜ADF1对第一光L1的透射率可以为大约70%或更大。
根据一些实施例,依据第一粘合膜ADF1的材料,第一粘合膜ADF1对第一光L1的透射率可以不同。因此,可以设定第一光L1的波长,使得第一粘合膜ADF1对第一光L1的透射率为预定值或更大。通过示例的方式,在第一粘合膜ADF1包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的情况下,第一光L1的波长可以为大约310nm或更长,而在第一粘合膜ADF1包括聚酰亚胺(PI)的情况下,第一光L1的波长可以为大约475nm或更长。
已经穿过第一粘合膜ADF1的第一光L1蚀刻显示基底DS的孔区域HA。可以在蚀刻后的孔区域HA中形成沟槽SPC。沟槽SPC具有从显示基底DS的顶表面向下凹进的形状。根据一些实施例,可以通过调整第一光L1的照射时间来设定显示基底DS的蚀刻深度,即,沟槽SPC的深度。通过示例的方式,在图10A中,通过第一光L1蚀刻像素层PXL和电路层CRL的与孔区域HA对应的区域,同时基体基底BS不被第一光L1蚀刻。然而,本公开的实施例不限于此。在一些实施例中,可以通过第一光L1蚀刻仅像素层PXL的与孔区域HA对应的区域,并且可以保留电路层CRL和基体基底BS。
如图10A中所示,由于通过第一光L1(见图9)蚀刻像素层PXL和电路层CRL,会在沟槽SPC内部产生灰尘PTC。可以通过第一粘合膜ADF1的粘合层ADL将沟槽SPC内部的灰尘PTC附着到第一粘合膜ADF1的底表面。因此,第一粘合膜ADF1可以执行灰尘收集功能。
根据本公开的一些实施例,可以将电场施加到沟槽SPC的内部,使得分散在沟槽SPC内部的灰尘PTC可以有效地朝向第一粘合膜ADF1移动。
如图10B中所示,根据本公开的一些实施例,第一粘合膜ADF1-1的粘合层ADL-1可以具有与在上面描述的一些实施例中的材料不同的材料。粘合层ADL-1可以包括光引发剂。因此,根据一些实施例,由于光照射到粘合层ADL-1上,粘合层ADL-1的粘合力可以增大。也就是说,与上面描述的粘合层ADL相比,粘合层ADL-1(布置为紧接在基体层BL之后)被设置在显示基底DS上并且可以不具有粘合力,或者可以具有较弱的粘合力。
特别地,在显示基底DS上设置第一粘合膜ADF1-1之后,将第二光L2照射到第一粘合膜ADF1-1上。不具体地限制根据本公开的各种实施例的第二光L2的种类或类型。通过示例的方式,如图10B中所示,可以以包括至少一个二极管的光源单元LS的形式提供第二光L2。可选择地,在本公开的其它实施例中,第二光L2也可以以激光的形式提供并且通过激光振荡器照射到第一粘合膜ADF1-1上。
当将第二光L2照射到第一粘合膜ADF1-1的粘合层ADL-1上时,包括在粘合层ADL-1中的分子之间的键合可以变得更强。由于粘合层ADL-1的粘合力变得更强,在蚀刻工艺中产生在沟槽SPC内部的灰尘PTC可以附着到粘合层ADL-1的底表面。
如图11中所示,在蚀刻工艺结束之后,在步骤S4中,从显示基底DS剥离灰尘PTC附着到其的第一粘合膜ADF1(见图5)。因此,第一粘合膜ADF1可以是离型膜。
通常,在显示基底DS的蚀刻工艺中,会在显示基底DS的顶表面的与被蚀刻的孔区域HA的外围对应的区域中或者在沟槽SPC的内部产生灰尘PTC。在随后的用于制造显示面板DP(见图2)的工艺中,由于灰尘PTC会发生故障。根据本公开的一些实施例,然而,因为未被第一光L1蚀刻的第一粘合膜ADF1收集在蚀刻工艺中产生在显示基底DS中的灰尘PTC并且在蚀刻工艺结束之后剥离第一粘合膜ADF1,所以可以有效地去除在蚀刻工艺中产生的灰尘PTC。因此,根据本公开的一些实施例,可以提高显示面板DP(见图2)的良率。
此后,如图12中所示,在步骤S5中,将封装基底ES结合到显示基底DS(见图5)。根据一些实施例,在步骤S5中的封装基底ES和显示基底DS的结合可以包括在封装基底ES与显示基底DS之间设置密封构件SM、在显示基底DS上设置封装基底ES以及通过使用热或光使密封构件SM硬化的步骤。
可以在分别限定在封装基底ES和显示基底DS中的非显示区域NDA_ES和NDA_DS(见图6)的边缘区域中并且在孔区域HA的边缘区域中设置密封构件SM。密封构件SM可以使显示基底DS与封装基底ES结合。通过示例的方式,密封构件SM可以是包括玻璃粉末的玻璃料。
限定在封装基底ES和显示基底DS中的每个中的孔区域HA可以包括中心区域HCA和外围区域HSA。可以在孔区域HA的中心处限定中心区域HCA。中心区域HCA可以是其中基本上形成模块孔MH(见图2)的区域。可以将外围区域HSA限定为围绕中心区域HCA。上面描述的密封构件SM可以与孔区域HA的外围区域HSA叠置。
上面描述的显示面板DP可以是封装基底ES和显示基底DS结合在一起的形式。显示面板DP还可以包括由封装基底ES与显示基底DS(封装基底ES与显示基底DS可以分隔开)之间的空间限定的填充层ASL。填充层ASL可以包括惰性气体。填充层ASL可以防止存在于显示基底DS与封装基底ES之间的异物的扩散。
此后,如图13中所示,在步骤S6中,照射第三光L3以蚀刻显示基底DS和封装基底ES,从而在显示面板DP中形成模块孔MH(见图5)。可以将第三光L3照射到孔区域HA的中心区域HCA上。因此,可以通过第三光L3蚀刻中心区域HCA。可以以激光的形式将第三光L3提供到显示基底DS、封装基底ES和填充层ASL。通过示例的方式,第三光L3可以是与第一光L1具有基本上相同的波长的激光。
如图14中所示,可以在被第三光L3蚀刻的区域中形成模块孔MH。模块孔MH可以穿透显示基底DS和封装基底ES。模块孔MH可以与上面描述的电子模块EM(见图2)叠置。
尽管在图13和图14中示出了使用激光形成模块孔MH的方法,但是本公开的实施例不具体地局限于形成模块孔MH的所述方法,并且可以通过各种方法形成模块孔MH。
图15示出了根据本公开的一些实施例的设置粘合膜的步骤。
为了描述的方便,将主要描述图15中的实施例与先前实施例的差异。另外,通过相同的附图标记表示上面描述的组件,并且将不再给出上面描述的组件的重复描述。
参照图15,在根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法中使用的
第一粘合膜ADF1-2可以不具有粘合力。因此,当在显示基底DS上设置第一粘合膜ADF1-2时,灰尘PTC可以不附着到第一粘合膜ADF1-2。然而,即使第一粘合膜ADF1-2不具有粘合力,在蚀刻工艺中产生的灰尘PTC也由于
第一粘合膜ADF1-2而不从沟槽SPC的内部移动到外部。
在一些实施例中,可以在剥离第一粘合膜ADF1-2之后另外地执行去除灰尘PTC。通过示例的方式,可以通过抽吸单元去除灰尘PTC,或者可以通过鼓风单元将灰尘PTC移出显示基底DS。
图16至图18示出了根据本公开的一些实施例的形成模块孔的工艺。
为了描述的方便,将主要描述图16至图18的实施例与先前实施例之间的差异。另外,通过相同的附图标记表示上面描述的组件,并且将不给出上面描述的组件的重复描述。
参照图16,根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法还可以包括在形成模块孔MH之前在封装基底ES上设置第二粘合膜ADF2。第二粘合膜ADF2与封装基底ES的顶表面接触。然而,本公开不限于此,第二粘合膜ADF2可以设置在封装基底ES的顶表面和显示基底DS的底表面中的至少一个上。
第二粘合膜ADF2的构造可以与上面描述的第一粘合膜ADF1(见图8)的构造相同。然而,在本公开的一些实施例中,第二粘合膜ADF2的材料或透射波长可以与第一粘合膜ADF1的材料或透射波长不同。
在封装基底ES上设置第二粘合膜ADF2之后,将第三光L3照射到第二粘合膜ADF2和显示面板DS、封装基底ES和填充层ASL上。第三光L3可以穿过第二粘合膜ADF2。因此,第二粘合膜ADF2不被第三光L3蚀刻。在一些实施例中,第二粘合膜ADF2对第三光L3的透射率可以是大约70%或更大。
如图17中所示,在通过第三光L3(见图16)形成模块孔MH的工艺中,在模块孔MH内部会产生灰尘PTC。灰尘PTC可以附着到第二粘合膜ADF2的底表面。
在蚀刻工艺结束后,如图18中所示,从封装基底ES剥离第二粘合膜ADF2(灰尘PTC附着到第二粘合膜ADF2)。因此,第二粘合膜ADF2可以是离型膜。
根据本公开的一些实施例,可以提高显示装置的良率。
尽管已经描述了本公开的示例实施例,但是理解的是,本公开不局限于这些示例实施例,而是在如所要求的本公开的精神和范围内,可以由本领域的普通技术人员做出各种改变和修改。
因此,所公开的主题不局限于任何在此描述的任何单个实施例,并且上面描述的实施例将被理解为说明性的而非限制性的。因此,本发明构思的范围应该仅依据所附权利要求及其等同物确定。

Claims (10)

1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括下述步骤:
制备显示基底,当在平面图中观看时,至少一个孔区域限定在所述显示基底中;
在所述显示基底上放置第一粘合膜;
通过以激光的形式照射第一光来蚀刻所述显示基底的所述孔区域;以及
剥离所述第一粘合膜,
其中,所述第一粘合膜透射所述第一光的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一粘合膜包括:
基体层;以及
粘合层,位于所述基体层下方,
其中,所述粘合层在所述放置所述第一粘合膜的步骤中放置在所述显示基底与所述基体层之间。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在所述蚀刻所述显示基底的步骤中,
由于所述显示基底被蚀刻,在所述显示基底的与所述孔区域对应的区域上限定沟槽,并且
在所述沟槽的内部与所述第一粘合膜之间产生的灰尘附着到所述第一粘合膜的底表面。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一粘合膜对所述第一光的透射率为70%或更大。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述显示基底包括:
基体基底;
电路层,位于所述基体基底上并且包括多个薄膜晶体管;以及
像素层,位于所述电路层上并且包括多个有机发光元件。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,通过所述第一光蚀刻所述显示基底的所述像素层和所述电路层的与所述孔区域对应的区域,同时在所述蚀刻所述显示基底的步骤期间所述显示基底的所述基体基底保持完整。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,通过所述第一光蚀刻所述显示基底的所述像素层的与所述孔区域对应的区域,同时在所述蚀刻所述显示基底的步骤期间所述显示基底的所述电路层和所述基体基底保持完整。
8.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
制备封装基底;
在所述剥离所述第一粘合膜的步骤之后,使所述显示基底和所述封装基底结合;以及
在所述孔区域中形成模块孔,
其中,所述模块孔穿透所述显示基底和所述封装基底。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,
所述孔区域包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域,并且
所述形成所述模块孔的步骤包括通过以激光的形式照射第三光来蚀刻所述显示基底和所述封装基底的与所述中心区域对应的区域。
10.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:
在所述形成所述模块孔的步骤之前,在所述封装基底的顶表面和所述显示基底的底表面中的至少一个上放置第二粘合膜;以及
在所述形成所述模块孔的步骤之后剥离所述第二粘合膜,
其中,所述第三光穿过所述第二粘合膜。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200036979A (ko) * 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재 및 이를 포함하는 전자 장치
CN111370439A (zh) * 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
US20220190290A1 (en) * 2019-03-29 2022-06-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN110405362B (zh) * 2019-08-07 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其切割方法、显示装置
KR20220000440A (ko) * 2020-06-25 2022-01-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040038439A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Rohm Co., Ltd Method of manufacturing organic electroluminescence display device
US20080287028A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Sony Corporation Method of manufacturing display unit
US20110194063A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display and manufacturing method thereof
US20160190453A1 (en) * 2013-07-31 2016-06-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Element manufacturing method and element manufacturing apparatus
US20170263887A1 (en) * 2016-03-11 2017-09-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US20170323779A1 (en) * 2016-05-03 2017-11-09 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20180337334A1 (en) * 2017-05-22 2018-11-22 Samsung Display Co., Ltd. Method and device for manufacturing deposition mask

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2414954B (en) 2004-06-11 2008-02-06 Exitech Ltd Process and apparatus for ablation
KR100581960B1 (ko) 2005-01-07 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 레이저 식각 장치
KR101657083B1 (ko) * 2010-06-18 2016-09-13 주성엔지니어링(주) 전기광학장치 및 이의 제작 방법
US8759197B2 (en) 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
KR101712483B1 (ko) 2015-02-27 2017-03-07 주식회사 에스에프에이 파티클 포집모듈 및 그를 구비하는 레이저 식각장치
KR102606823B1 (ko) 2016-04-20 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 레이저 식각 장치 및 이를 이용한 레이저 식각 방법
KR101955002B1 (ko) 2016-11-18 2019-03-12 (주)레전스 레이저 식각 장치
JP6704477B2 (ja) 2017-01-24 2020-06-03 シャープ株式会社 フレキシブルディスプレイ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040038439A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Rohm Co., Ltd Method of manufacturing organic electroluminescence display device
US20080287028A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Sony Corporation Method of manufacturing display unit
US20110194063A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display and manufacturing method thereof
US20160190453A1 (en) * 2013-07-31 2016-06-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Element manufacturing method and element manufacturing apparatus
US20170263887A1 (en) * 2016-03-11 2017-09-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US20170323779A1 (en) * 2016-05-03 2017-11-09 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20180337334A1 (en) * 2017-05-22 2018-11-22 Samsung Display Co., Ltd. Method and device for manufacturing deposition mask

Also Published As

Publication number Publication date
US10847759B2 (en) 2020-11-24
EP3667731B1 (en) 2023-02-15
US20200185660A1 (en) 2020-06-11
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