CN111293142A - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111293142A CN111293142A CN201911218429.7A CN201911218429A CN111293142A CN 111293142 A CN111293142 A CN 111293142A CN 201911218429 A CN201911218429 A CN 201911218429A CN 111293142 A CN111293142 A CN 111293142A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage line
- electrically connected
- conductive layer
- voltage
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 173
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示设备。该显示设备,包括:基板;有源层,被布置在基板上并且包括有源图案;第一导电层,被布置在有源层上;第二导电层,被布置在第一导电层上并且包括数据线;第三导电层,被布置在第二导电层上;以及发光元件,被布置在第三导电层上,其中第一导电层包括第一电压线、第二电压线和扫描线,第三导电层包括连接到第一电压线的第三电压线和连接到第二电压线的第四电压线,第一电压线和第二电压线在第一方向上延伸,第三电压线和第四电压线在第二方向上延伸,并且第三电压线和第四电压线在第一方向上交替设置。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年12月10日提交至韩国知识产权局的第10-2018-0158345号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备是一种用于显示图像的设备。一些显示设备需要单独的光源来显示图像,而其他显示设备是自发光的。例如,发光二极管显示器是自发光显示设备。
由于发光二极管显示器是自发光的,因此发光二极管显示器不需要单独的光源;因此,发光二极管显示器的厚度和重量可以被减小。此外,发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的特性。
通常,发光二极管显示器包括基板、布置在基板上的多个薄膜晶体管、布置在配置薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层、以及连接到薄膜晶体管的发光元件。发光元件可以包括有机发光元件。
发明内容
根据本发明示例性实施例的显示设备包括:基板;有源层,被布置在基板上并且包括多个包括半导体材料的有源图案;第一导电层,被布置在有源层上;第二导电层,被布置在第一导电层上并且包括用于传输数据信号的数据线;第三导电层,被布置在第二导电层上;以及发光元件,被布置在第三导电层上,其中第一导电层包括第一电压线、第二电压线和用于传输扫描信号的扫描线,第三导电层包括电连接到第一电压线的第三电压线和电连接到第二电压线的第四电压线,第一电压线和第二电压线在第一方向上延伸,第三电压线和第四电压线在与第一方向交叉的第二方向上延伸,并且第三电压线和第四电压线在第一方向上交替设置。
第二导电层可以包括电连接到第一电压线的第一连接构件和电连接到第二电压线的第二连接构件,第三电压线可以电连接到第一连接构件,并且第四电压线可以电连接到第二连接构件。
发光元件可以包括被布置在第三导电层上的像素电极、被布置在像素电极上的发射层和被布置在发射层上的公共电极,并且第三电压线在第一方向上的宽度可以大于像素电极在第一方向上的宽度。
在彼此相邻的第三电压线和第四电压线之间的在第一方向上的空间的宽度可以小于第三电压线在第一方向上的宽度。
第三导电层可以进一步包括与第三电压线和第四电压线分离的第三连接构件,并且像素电极可以电连接到第三连接构件。
第三连接构件可以被布置在第三电压线的开口中。
第一电压线和第二电压线可以在第二方向上交替设置,扫描线可以在第二方向上重复设置,并且第一电压线和第二电压线可以被布置在两个相邻的扫描线之间。
第一导电层可以包括被布置在扫描线与第一电压线之间的驱动栅电极,并且第二导电层可以包括在平面图中与驱动栅电极重叠的电容器电极,以形成第一电容器。
导电的并且被布置在基板与有源层之间的下图案可以被进一步包括在显示设备中,下图案可以在平面图中与驱动栅电极重叠以形成第二电容器,并且下图案可以电连接到电容器电极。
有源图案可以包括第一晶体管的第一有源图案、第二晶体管的第二有源图案和第三晶体管的第三有源图案,驱动栅电极可以电连接到第二有源图案的导电区,电容器电极可以电连接到第一有源图案的导电区,并且第三有源图案可以电连接到电容器电极。
第二导电层可以进一步包括在第二方向上延伸的初始化电压线,并且第三有源图案的导电区可以电连接到初始化电压线。
有源层可以进一步包括导电的并且电连接到初始化电压线的横向初始化电压线,并且横向初始化电压线可以连接到第三有源图案并且在第一方向上延伸。
被布置在第三导电层上的绝缘层可以被进一步包括在显示设备中,发光元件可以包括被布置在第三导电层上的像素电极、被布置在像素电极上的发射层、被布置在发射层上的公共电极和被布置在像素电极与公共电极之间的公共层,公共层和绝缘层可以具有被布置在第四电压线上的接触孔,并且公共电极可以通过接触孔电连接到第四电压线。
被布置在第三导电层上的第四导电层可以被进一步包括在显示设备中,第三导电层可以进一步包括与第三电压线和第四电压线分离的连接构件,第四导电层可以包括与第四电压线接触的第一接触构件和与连接构件接触的第二接触构件,公共电极可以通过第一接触构件电连接到第四电压线,并且像素电极可以通过第二接触构件电连接到连接构件。
根据本发明示例性实施例的显示设备包括:像素组,包括在第一方向上设置且彼此相邻的第一像素、第二像素和第三像素;扫描线、第一电压线和第二电压线,在第一方向上延伸;数据线,分别与第一像素、第二像素和第三像素对应并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸;第三电压线,在第二方向上延伸并电连接到第一电压线;第四电压线,在第二方向上延伸并电连接到第二电压线;以及发光元件,包括电连接到第四电压线的公共电极。
第三电压线和第四电压线可以在第一方向上交替设置。
发光元件可以进一步包括发射层和面向公共电极的像素电极,并且第三电压线在第一方向上的宽度可以大于与第二像素对应的像素电极在第一方向上的宽度。
根据本发明示例性实施例的显示设备包括:第一扫描线和第二扫描线;多条数据线和初始化电压线,与第一扫描线和第二扫描线交叉;第一电压线和第二电压线,与多条数据线交叉;第一晶体管,包括被布置在第一扫描线与第一电压线之间的第一栅电极、和与第一栅电极交叉并且电连接到第一电压线的第一有源图案;第二晶体管,包括电连接到第一栅电极的第二有源图案、和包括在第一扫描线中的第二栅电极;第三晶体管,包括电连接到第一有源图案的第三有源图案、和包括在第二扫描线中的第三栅电极;以及发光元件,包括公共电极、发射层和电连接到第一晶体管和第三晶体管的像素电极,其中公共电极电连接到第二电压线。
与第一扫描线和第二扫描线交叉的第三电压线和第四电压线可以被进一步包括在显示设备中,第三电压线可以电连接到第一电压线并且被布置在与第一电压线不同的层中,第四电压线可以电连接到第二电压线并且被布置在与第二电压线不同的层中。
第三电压线可以在平面图中与第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案重叠。
附图说明
图1是根据本发明示例性实施例的显示设备的一个像素的等效电路图;
图2、图3和图4是根据本发明示例性实施例的显示设备的多个像素的布局图,其中图4示出了图2中所示的配置和图3中所示的配置;
图5是沿线Va-Vb截取的图4中所示的显示设备的截面图;
图6是沿线Vc-Vd和线Vd’-Ve截取的图4中所示的显示设备的截面图;
图7是沿线Vf-Vg截取的图4中所示的显示设备的截面图。
具体实施方式
下文中,将参考附图更充分地描述本发明示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的,所描述的实施例可以以各种不同的方式被修改,并且因此,不应限于本文中所阐述的实施例。
在整个说明书中,相同的附图标记可以指代相同的元件。
在附图中,为了清楚起见,可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。
将理解的是,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上,或者也可以存在中间元件。
在整个本说明书中,平面图可以意指观察与彼此交叉的两个方向(例如,x方向和y方向)平行的表面的视图,并且截面图可以意指观察在垂直于与x方向和y方向平行的表面的方向(例如,z方向)上切割的表面的视图。另外,重叠两个构成元件可以意指两个构成元件在z方向(例如,垂直于基板的上表面的方向)上重叠。
图1是根据本发明示例性实施例的显示设备的一个像素的等效电路图。
参考图1,根据本发明示例性实施例的显示设备包括多个像素,并且每个像素包括多个晶体管T1、T2和T3、电容器Cst和至少一个发光二极管(LED)ED。在本示例性实施例中,在其中一个像素包括一个发光二极管(LED)ED的示例被描述。
多个晶体管T1、T2和T3可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。下面描述的源电极和漏电极指的是位于晶体管T1、T2和T3中的每一个晶体管的沟道的任一侧上的两个电极,并且这两个术语可以互换。
第一晶体管T1的栅电极G1连接到电容器Cst的第一端子,第一晶体管T1的源电极S1连接到用于传输驱动电压ELVDD的驱动电压线,并且第一晶体管T1的漏电极D1连接到发光二极管(LED)ED的阳极和电容器Cst的第二端子。驱动电压ELVDD可以是预定电压。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作而接收数据电压DAT,并且可以取决于存储在电容器Cst中的电压而向发光二极管(LED)ED供给驱动电流。
第二晶体管T2的栅电极G2连接到用于传输第一扫描信号SC的第一扫描线151,第二晶体管T2的源电极S2连接到用于传输数据电压DAT或参考电压的数据线171,并且第二晶体管T2的漏电极D2连接到电容器Cst的第一端子和第一晶体管T1的栅电极G1。第二晶体管T2可以根据第一扫描信号SC被导通,以将参考电压或数据电压DAT传送到第一晶体管T1的栅电极G1和电容器Cst的第一端子。
第三晶体管T3的栅电极G3连接到用于传输第二扫描信号SS的第二扫描线152,第三晶体管T3的源电极S3连接到电容器Cst的第二端子、第一晶体管T1的漏电极D1和发光二极管(LED)ED的阳极,并且第三晶体管T3的漏电极D3连接到用于传输初始化电压INIT的初始化电压线173。除了在驱动时段中传输初始化电压INIT之外,初始化电压线173还可以感测连接到第三晶体管T3的源电极S3的发光二极管(LED)ED的阳极的电压。本文中,初始化电压线173可以被称为感测线,并且第三晶体管T3可以被称为感测晶体管。
第三晶体管T3根据第二扫描信号SS被导通,并将初始化电压INIT传送到发光二极管(LED)ED的阳极和电容器Cst的第二端子,以初始化发光二极管(LED)ED的阳极的电压并且以感测发光二极管(LED)ED的阳极的电压。
电容器Cst的第一端子连接到第一晶体管T1的栅电极G1,并且电容器Cst的第二端子连接到第三晶体管T3的源电极S3和发光二极管(LED)ED的阳极。
发光二极管(LED)ED的阴极连接到用于传输公共电压ELVSS的公共电压线。公共电压ELVSS可以是与驱动电压ELVDD不同大小的电压。公共电压ELVSS可以是预定电压。发光二极管(LED)ED可以根据由第一晶体管T1形成的驱动电流而发光。
图2、图3和图4是根据本发明示例性实施例的显示设备的多个像素的布局图,其中图4示出了图2中所示的配置和图3中所示的配置,图5是沿线Va-Vb截取的图4中所示的显示设备的截面图,图6是沿线Vc-Vd和线Vd’-Ve截取的图4中所示的显示设备的截面图,并且图7是沿线Vf-Vg截取的图4中所示的显示设备的截面图。
包括在图2、图3和图4中所示的一个像素组中的多个像素PX1、PX2和PX3可以在第一方向DR1和第二方向DR2上重复设置。为了方便起见,大多数附图标记仅针对一个像素PX1的构成元件示出,但是针对其他两个像素PX2和PX3的对应构成元件的相同的附图标记和对应描述同样适用。
在平面图中,两个像素PX1和PX2具有基本相同的结构,并且像素PX3可以具有在其中像素PX1或像素PX2的结构在其右侧和左侧对称的结构,但是不限于此。
在下文中,根据本发明示例性实施例的显示设备的截面结构被描述,并且每个构成元件的布局形式被描述。
参考图5、图6和图7,根据本发明示例性实施例的显示设备可以包括基板110。基板110可以包括诸如玻璃、塑料或类似物的绝缘材料,并且可以具有柔性。
参考图2、图4、图5和图6,作为第一导电层的多个下图案111可以被布置在基板110上。下图案111是导电的,并且可以包括具有各种金属或导电特性的半导体材料。
作为绝缘层的缓冲层120可以被布置在下图案111上。换句话说,下图案111可以被布置在基板110与缓冲层120之间。
包括多个有源图案的有源层可以被布置在缓冲层120上。换句话说,下图案111可以被布置在基板110与有源层之间。
像素PX1、PX2和PX3中的每一个像素的有源图案可以包括形成晶体管T1、T2和T3的每个沟道的沟道区134a、134b和134c以及与其连接的导电区。有源图案的导电区可以包括晶体管T1、T2和T3中的每一个晶体管的源区133a、133b和133c以及漏区135a、135b和135c。
有源图案可以进一步包括可以传输初始化电压INIT的横向初始化电压线153。每个横向初始化电压线153与包括在沿第一方向DR1和第二方向DR2重复的一个像素组中的多个像素PX1、PX2和PX3对应地设置。例如,一条横向初始化电压线153可以在平面图中为每个像素组提供。
横向初始化电压线153可以连接到包括在多个像素PX1、PX2和PX3中的多个第三晶体管T3的有源图案的漏区135c。横向初始化电压线153可以被包括在有源图案的导电区中并且可以具有导电性。在平面图中,横向初始化电压线153可以在第一方向DR1上纵向延伸。
第三晶体管T3的有源图案沿其延伸的方向可以与横向初始化电压线153沿其延伸的方向不同。例如,第三晶体管T3的有源图案和横向初始化电压线153可以相交以彼此垂直。
有源层可以包括例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等的半导体材料。
第一绝缘层140可以被布置在有源层上。第一绝缘层140可以被图案化,以便不与有源图案的导电区重叠。
第二导电层可以被布置在第一绝缘层140上。
第二导电层可以包括用于传输第一扫描信号SC的第一扫描线151和151p,用于传输第二扫描信号SS的第二扫描线152,驱动栅电极155,第二栅电极154b,第三栅电极154c,用于传输驱动电压ELVDD的横向驱动电压线172a,以及用于传输公共电压ELVSS的横向公共电压线170a。在如以上所描述的图1中所示的电路图中,栅电极G1、栅电极G2和栅电极G3可以分别与驱动栅电极155、第二栅电极154b和第三栅电极154c对应。
在平面图中,第一扫描线151和151p、第二扫描线152、横向驱动电压线172a和横向公共电压线170a可以在第一方向DR1上延伸,并且可以平行地形成,以便彼此不相交。
在图2和图4中,第一扫描线151p是第一扫描线151的级的前一级的第一扫描线。例如,第一扫描线151p可以传输由第一扫描线151传输的第一扫描信号SC的前一级的第一扫描信号SC。一个像素行PXR可以位于第一扫描线151和151p之间。换句话说,从第一扫描线151开始并到达第一扫描线151p的区域可以是一个像素行PXR。这个像素行PXR可以在第二方向DR2上重复设置。
在平面图中,驱动栅电极155可以设置在第一扫描线151与第二扫描线152之间。例如,驱动栅电极155可以被布置在第一扫描线151与横向驱动电压线172a之间,并且第二扫描线152可以被布置在横向驱动电压线172a与横向公共电压线170a之间。在平面图中,横向初始化电压线153可以被布置在第二扫描线152与横向公共电压线170a之间。
一条横向驱动电压线172a和一条横向公共电压线170a可以被布置在每个像素行PXR中。换句话说,在第二方向DR2上重复设置的横向公共电压线170a的间距以及在第二方向DR2上重复设置的横向驱动电压线172a的间距等于在第二方向DR2上的像素PX1、PX2和PX3的间距。
第二栅电极154b可以连接到第一扫描线151,并且例如,可以具有在第一扫描线151上突出的形状。第三栅电极154c可以被包括在第二扫描线152中。
布置在每个像素PX1、PX2和PX3中的驱动栅电极155可以包括向下突出并且基本在第二方向DR2上延伸的延伸部分155a、以及向上突出并且基本在第二方向DR2上延伸的第一栅电极154a。
第一栅电极154a可以与第一晶体管T1的有源图案交叉,并且可以与第一晶体管T1的有源图案的沟道区134a重叠。第二栅电极154b可以与第二晶体管T2的有源图案交叉,并且可以与第二晶体管T2的有源图案的沟道区134b重叠。包括第三栅电极154c的第二扫描线152可以与第三晶体管T3的有源图案交叉,并且可以与第三晶体管T3的有源图案的沟道区134c重叠。
第二绝缘层160可以被布置在第二导电层上。第二绝缘层160,第二绝缘层160和第一绝缘层140,或者第二绝缘层160、第一绝缘层140和缓冲层120可以包括多个接触孔61、62、63、64、65、66、67、68、69、69a和70。
第三导电层可以被布置在第二绝缘层160上。第三导电层可以包括分别与每个像素PX1、PX2和PX3对应并且与每个像素PX1、PX2和PX3相邻布置的多条数据线171a、171b和171c、初始化电压线173a和173b、电容器电极175、以及多个连接构件71、72、74和78。
数据线171a、171b和171c以及初始化电压线173a和173b可以在第二方向DR2上延伸,从而与第一扫描线151和151p、第二扫描线152、横向驱动电压线172a和横向公共电压线170a交叉。
初始化电压线173a和173b被布置在一区域的左侧和右侧,在该区域中布置有像素组的多个像素PX1、PX2和PX3以及连接到像素组的多条数据线171a、171b和171c。换句话说,初始化电压线173a和173b中的一个初始化电压线可以针对一个像素组的多个像素PX1、PX2和PX3中的每个像素解除关联。例如,图2中的初始化电压线173a可以不连接到初始化电压线173a的右侧的多个像素PX1、PX2和PX3。在图2和图4中所示的示例性实施例中,布置在多个像素PX1、PX2和PX3的右侧的初始化电压线173b可以连接到与多个像素PX1、PX2和PX3连接的横向初始化电压线153。
包括在两个像素PX2和PX3中的两个驱动栅电极155可以被布置在与一个像素组的三个像素PX1、PX2和PX3中的两个像素PX2和PX3对应的数据线171b和171c之间。
数据线171a、171b和171c中的每条数据线通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔61而电连接到第二晶体管T2的有源图案的源区133b。
初始化电压线173a和173b中的每条初始化电压线通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔69a而电连接到有源层的横向初始化电压线153。因此,横向初始化电压线153可以沿着初始化电压线173a和173b传输初始化电压INIT。因此,即使针对三个像素PX1、PX2和PX3中的每个像素逐个形成初始化电压线173a和173b,初始化电压INIT也可以通过横向初始化电压线153被传输到所有三个像素PX1、PX2和PX3。
一个电容器电极175可以被布置在每个像素PX1、PX2和PX3处。电容器电极175可以与大部分驱动栅电极155重叠而第二绝缘层160在电容器电极175与驱动栅电极155之间,以形成电容器Cst2。
电容器电极175可以包括向上突出的连接部分175a。电容器电极175的连接部分175a可以通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔65而电连接到第一晶体管T1的有源图案的漏区135a。电容器电极175的连接部分175a可以向上延伸,以通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔68而电连接到第三晶体管T3的有源图案的源区133c。另外,电容器电极175的连接部分175a可以通过缓冲层120、第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔64而电连接到下图案111。
下图案111可以针对每个像素PX1、PX2和PX3逐个布置。在平面图中,下图案111可以包括与驱动栅电极155和电容器电极175的大部分重叠的部分。驱动栅电极155可以与下图案111的大部分重叠而缓冲层120和第一绝缘层140在驱动栅电极155与下图案111之间,以形成电容器Cst1。
彼此电连接的下图案111和电容器电极175可以传输彼此相同的电压。另外,通过使驱动栅电极155与下图案111重叠以及使驱动栅电极155和电容器电极175的两侧重叠而形成的两个电容器Cst1和Cst2具有彼此相同的功能。两个电容器Cst1和Cst2共同形成电容器Cst。因此,可以确保电容器Cst的足够的电容。因此,可以防止由信号耦合引起的第一晶体管T1的驱动栅电极155的电压波动造成的诸如串扰的显示质量缺陷。
连接构件71可以通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔69而电连接到横向初始化电压线153。
连接构件72可以通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔70而电连接到横向公共电压线170a。
连接构件74可以在第二方向DR2上纵向延伸。在每个像素PX1、PX2和PX3中,连接构件74可以通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔66而电连接到第一晶体管T1的有源图案的源区133a。另外,连接构件74可以通过第二绝缘层160的接触孔67电连接到横向驱动电压线172a。因此,第一晶体管T1的有源图案的源区133a可以电连接到横向驱动电压线172a,以接收驱动电压ELVDD。
在每个像素PX1、PX2和PX3中,连接构件78可以通过第一绝缘层140和第二绝缘层160的接触孔62而电连接到第二晶体管T2的有源图案的漏区135b。另外,连接构件78可以通过第二绝缘层160的接触孔63而电连接到驱动栅电极155的延伸部分155a。因此,第二晶体管T2的有源图案的漏区135b和驱动栅电极155可以彼此电连接。
第一晶体管T1包括沟道区134a、源区133a、漏区135a和第一栅电极154a。第一晶体管T1的源区133a可以通过连接构件74从横向驱动电压线172a接收驱动电压ELVDD。
第一晶体管T1的下图案111与沟道区134a重叠并且位于第一晶体管T1的沟道区134a与基板110之间,以防止外部光到达沟道区134a,从而减少漏电流和第一晶体管T1的特性劣化。
下图案111通过电容器电极175的连接部分175a而电连接到第一晶体管T1的漏区135a。由于下图案111电连接到漏区135a并且与沟道区134a重叠,因此第一晶体管T1的电压-电流特性曲线图的饱和区中的电流变化率减小,使得在其中第一晶体管T1的输出电流恒定的区域的范围可以加宽。因此,即使第一晶体管T1的源极-漏极电压(Vds)存在变化,第一晶体管T1的输出电流也保持恒定,从而改善第一晶体管T1的输出饱和特性。因此,取决于第一晶体管T1的输出电流的像素PX1、PX2和PX3之间的亮度偏差减小,从而提高图像质量。
第二晶体管T2包括沟道区134b、源区133b、漏区135b和第二栅电极154b。第二晶体管T2的源区133b可以电连接到数据线171a、171b和171c,从而接收数据电压DAT或参考电压。第二晶体管T2的漏区135b可以通过驱动栅电极155而电连接到第一晶体管T1的第一栅电极154a。
第三晶体管T3包括沟道区134c、源区133c、漏区135c和第三栅电极154c。第三晶体管T3的漏区135c可以从横向初始化电压线153接收初始化电压INIT。
第三绝缘层181可以被布置在第二绝缘层160和第三导电层上。参考图3、图4、图5、图6和图7,第三绝缘层181可以包括多个接触孔81a、81b、81c、88和89。
第四导电层可以被布置在第三绝缘层181上。第四导电层可以包括驱动电压线172b、公共电压线170b和连接构件178。
驱动电压线172b和公共电压线170b中的每个在第二方向DR2上延伸,并且驱动电压线172b和公共电压线170b可以在第一方向DR1上交替设置。
由于布置在第四导电层上并在第二方向DR2上延伸的信号线或电压线仅包括驱动电压线172b和公共电压线170b,例如,其他信号线不存在,在驱动电压线172b和公共电压线170b的线宽上可以有很大的自由度。
例如,与布置在另一导电层中的信号线(例如,数据线171a、171b和171c、初始化电压线173a和173b等)的第一方向DR1上的宽度相比,驱动电压线172b和公共电压线170b中的每个的第一方向DR1上的宽度可以非常大。
例如,驱动电压线172b沿第一方向DR1的宽度可以从像素PX1的近似中间开始并穿过像素PX2到像素PX3的近似中间而连续地测量。换句话说,驱动电压线172b的在第一方向DR1上的宽度可以大于一个像素PX2的在第一方向DR1上的宽度,使得驱动电压线172b可以与整个像素PX2重叠。
公共电压线170b沿第一方向DR1的宽度可以从一个像素组的一个像素PX3的近似中间到邻近像素组的紧邻像素PX1的近似中间而连续地测量。在平面图中,公共电压线170b可以与初始化电压线173a和173b重叠。
因此,公共电压ELVSS和驱动电压ELVDD的电压降大大降低,从而防止由于不均匀电压引起的图像质量下降。
驱动电压线172b的在第一方向DR1上的宽度可以大于公共电压线170b的在第一方向DR1上的宽度。另外,彼此相邻的驱动电压线172b和公共电压线170b之间的空间的在第一方向DR1上的宽度可以小于驱动电压线172b的在第一方向DR1上的宽度或者公共电压线170b的在第一方向DR1上的宽度。
驱动电压线172b可以通过第三绝缘层181的接触孔88而电连接到第三导电层的连接构件74。因此,横向驱动电压线172a和驱动电压线172b可以一起传输驱动电压ELVDD。因此,驱动电压ELVDD在整个显示设备中在第一方向DR1和第二方向DR2上以网格形式传输。因此,可以防止取决于驱动电压ELVDD的位置的电压降。例如,对在第二方向DR2上延伸的驱动电压线172b的线宽的限制大大减小,使得可以有大的线宽。因此,驱动电压线172b的布线电阻可以大大减小,并且驱动电压ELVDD的电压降可以大大降低。因此,可以提高图像的显示质量。
公共电压线170b可以通过第三绝缘层181的接触孔89而电连接到第三导电层的连接构件72。因此,横向公共电压线170a和公共电压线170b可以一起传输公共电压ELVSS。因此,公共电压ELVSS在整个显示设备中在第一方向DR1和第二方向DR2上以网格形式传输。因此,可以防止取决于公共电压ELVSS的位置的电压降。例如,对在第二方向DR2上延伸的公共电压线170b的线宽的限制大大减小,使得公共电压线170b的布线电阻可以大大减小,并且公共电压ELVSS的电压降可以大大降低。因此,可以提高图像的显示质量。
连接构件178可以位于彼此相邻的驱动电压线172b与公共电压线170b之间的空间中,并且与驱动电压线172b和公共电压线170b间隔开。多个开口可以被形成在驱动电压线172b的内部区域中,并且岛状连接构件178可以被形成在驱动电压线172b的开口中以与驱动电压线172b间隔开。
连接构件178可以通过接触孔81a、81b或81c而电连接到第三导电层的电容器电极175。因此,连接构件178可以通过电容器电极175而电连接到第一晶体管T1的有源图案的漏区135a。
第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层中的至少一个可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)、其合金等的金属中的至少一种。第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个可以包括单层或多层。
第四绝缘层182可以被布置在第三绝缘层181和第四导电层上。第四绝缘层182可以包括多个接触孔82a、82b、82c和85。
第五导电层可以被布置在第四绝缘层182上。第五导电层可以包括多个接触构件190a、190b、190c和190d。
每个接触构件190a、190b和190c可以被布置在每个像素PX1、PX2和PX3中并且在平面图中与连接构件178重叠。接触构件190a、190b和190c中的每个接触构件可以通过接触孔82a、82b和82c与第四导电层的连接构件178接触,以电连接到连接构件178。
接触构件190d可以与第四导电层的公共电压线170b重叠并且通过接触孔85与公共电压线170b接触,以电连接到公共电压线170b。
接触构件190a、190b、190c和190d中的每个接触构件改善彼此接触的第四导电层和上覆的导电层的粘附性,并且防止第四导电层的氧化。具体地,当第四导电层包括铜时,可以防止氧化。要做到这一点,第五导电层可以包括导电材料,该导电材料能够防止第四导电层的腐蚀并将第四导电层覆盖以防止腐蚀。例如,第五导电层可以包括导电材料,例如,诸如ITO或IZO的金属氧化物。第五导电层可以被省略。
第五绝缘层183可以被布置在第四绝缘层182和第五导电层上。参考图6和图7,第五绝缘层183可以包括布置在接触构件190a、190b和190c上的接触孔83a和布置在接触构件190d上的接触孔86。
缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层181、第四绝缘层182和第五绝缘层183中的至少一个可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiON)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。第五绝缘层183可以包括无机绝缘材料和/或诸如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物或类似物的有机绝缘材料,并且可以具有基本平坦的上表面。
包括多个像素电极191a、191b和191c的像素电极层和作为第六导电层的接触构件191d被布置在第五绝缘层183上。
如图2至图4所示,每个像素电极191a、191b和191c可以分别对应于每个像素PX1、PX2和PX3而被布置。布置在一个像素组的相邻像素PX1、PX2和PX3中的像素电极191a、191b和191c的平面尺寸和形状可以不同或相似。例如,像素PX1的像素电极191a和像素PX3的像素电极191c可以具有右/左对称形状,并且可以是具有一个倒角的矩形。像素PX2的像素电极191b可以近似为矩形。像素PX1表示红色,像素PX2表示绿色,并且像素PX3表示蓝色,但不限于此。
驱动电压线172b的在第一方向DR1上的宽度可以大于布置在一个像素PX2处的像素电极191b的第一方向DR1上的宽度,并且可以在平面图中与整个像素电极191b重叠。
每个像素电极191a、191b和191c可以通过接触孔83a而分别与每个接触构件190a、190b和190c接触以与每个接触构件190a、190b和190c电连接,并且可以通过接触构件190a、190b和190c而电连接到连接构件178和电容器电极175。因此,每个像素电极191a、191b和191c可以电连接到第一晶体管T1的漏区135a,以从第一晶体管T1接收电压。
接触构件191d可以通过接触孔86与布置在第五导电层中的接触构件190d接触以与接触构件190d电连接。
像素电极层可以包括半透性导电材料或反射导电材料。
第六绝缘层350可以被布置在像素电极层和第五绝缘层183上。参考图3、图4、图5、图6和图7,第六绝缘层350可以具有布置在每个像素电极191a、191b和191c中的开口355a、355b和355c。第六绝缘层350可以包括诸如聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂等的有机绝缘材料。
发射层370和公共层360可以被布置在第六绝缘层350和像素电极层上。
发射层370可以包括布置在第六绝缘层350的开口355a、355b和355c中的部分。发射层370可以包括有机发光材料或无机发光材料。
公共层360可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层。公共层360也可以被布置在第六绝缘层350上以及开口355a、355b和355c中。公共层360可以包括有机材料。在图5、图6和图7中,公共层360被布置在发射层370上,而像素电极191a、191b和191c在发射层370下方,然而,本发明不限于此,并且公共层360可以包括布置在发射层370与像素电极191a、191b和191c之间的部分。例如,空穴注入层和空穴传输层可以被布置在发射层370与像素电极191a、191b和191c之间,并且电子传输层和电子注入层可以被布置在发射层370与公共电极270之间。
参考图7,第六绝缘层350和公共层360可以包括被布置在接触构件191d上的接触孔35。
公共电极270可以被布置在公共层360上。公共电极270可以在多个像素PX1、PX2和PX3之上连续形成。公共电极270经由接触孔35与接触构件191d接触,以通过接触构件190d而电连接到公共电压线170b,以接收公共电压ELVSS。
公共电极270可以包括透明导电材料。
每个像素PX1、PX2和PX3中的每个像素电极191a、191b和191c、发射层370、公共层360和公共电极270一起形成发光二极管(LED)ED。例如,像素电极191a、191b和191c和公共电极270中的一个成为阴极,而像素电极191a、191b和191c和公共电极270中的另一个成为阳极。在先前的示例中,像素电极191a、191b和191c是阳极。
本发明示例性实施例通过大大降低连接到包括在显示设备中的像素的电压线的电压降来提高显示质量。
虽然已参考本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明,但是本领域普通技术人员应该理解,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以进行各种修改。
Claims (20)
1.一种显示设备,包括:
基板;
有源层,被布置在所述基板上,并且包括多个包括半导体材料的有源图案;
第一导电层,被布置在所述有源层上;
第二导电层,被布置在所述第一导电层上,并且包括用于传输数据信号的数据线;
第三导电层,被布置在所述第二导电层上;以及
发光元件,被布置在所述第三导电层上,
其中所述第一导电层包括第一电压线、第二电压线和用于传输扫描信号的扫描线,
所述第三导电层包括电连接到所述第一电压线的第三电压线和电连接到所述第二电压线的第四电压线,
所述第一电压线和所述第二电压线在第一方向上延伸,
所述第三电压线和所述第四电压线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸,并且
所述第三电压线和所述第四电压线在所述第一方向上交替设置。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述第二导电层包括电连接到所述第一电压线的第一连接构件和电连接到所述第二电压线的第二连接构件,
所述第三电压线电连接到所述第一连接构件,并且
所述第四电压线电连接到所述第二连接构件。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,
所述发光元件包括被布置在所述第三导电层上的像素电极、被布置在所述像素电极上的发射层和被布置在所述发射层上的公共电极,并且
所述第三电压线在所述第一方向上的宽度大于所述像素电极在所述第一方向上的宽度。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,
在彼此相邻的所述第三电压线和所述第四电压线之间的在所述第一方向上的空间的宽度小于所述第三电压线在所述第一方向上的宽度。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,
所述第三导电层进一步包括与所述第三电压线和所述第四电压线分离的第三连接构件,并且
所述像素电极电连接到所述第三连接构件。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,
所述第三连接构件被布置在所述第三电压线的开口中。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述第一电压线和所述第二电压线在所述第二方向上交替设置,
所述扫描线在所述第二方向上重复设置,并且
所述第一电压线和所述第二电压线被布置在两个相邻的扫描线之间。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述第一导电层包括被布置在所述扫描线与所述第一电压线之间的驱动栅电极,并且
所述第二导电层包括在平面图中与所述驱动栅电极重叠的电容器电极,以形成第一电容器。
9.根据权利要求8所述的显示设备,进一步包括:
下图案,所述下图案是导电的并且被布置在所述基板与所述有源层之间,
其中所述下图案在所述平面图中与所述驱动栅电极重叠以形成第二电容器,并且
所述下图案电连接到所述电容器电极。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,
所述有源图案包括第一晶体管的第一有源图案、第二晶体管的第二有源图案和第三晶体管的第三有源图案,
所述驱动栅电极电连接到所述第二有源图案的导电区,
所述电容器电极电连接到所述第一有源图案的导电区,并且
所述第三有源图案电连接到所述电容器电极。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中,
所述第二导电层进一步包括在所述第二方向上延伸的初始化电压线,并且
所述第三有源图案的导电区电连接到所述初始化电压线。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,
所述有源层进一步包括导电的并且电连接到所述初始化电压线的横向初始化电压线,并且
所述横向初始化电压线连接到所述第三有源图案并且在所述第一方向上延伸。
13.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
绝缘层,被布置在所述第三导电层上,
其中所述发光元件包括被布置在所述第三导电层上的像素电极、被布置在所述像素电极上的发射层、被布置在所述发射层上的公共电极和被布置在所述像素电极与所述公共电极之间的公共层,
所述公共层和所述绝缘层具有被布置在所述第四电压线上的接触孔,并且
所述公共电极通过所述接触孔电连接到所述第四电压线。
14.根据权利要求13所述的显示设备,进一步包括:
第四导电层,被布置在所述第三导电层上,
其中所述第三导电层进一步包括与所述第三电压线和所述第四电压线分离的连接构件,
所述第四导电层包括与所述第四电压线接触的第一接触构件和与所述连接构件接触的第二接触构件,
所述公共电极通过所述第一接触构件电连接到所述第四电压线,并且
所述像素电极通过所述第二接触构件电连接到所述连接构件。
15.一种显示设备,包括:
像素组,包括在第一方向上设置且彼此相邻的第一像素、第二像素和第三像素;
扫描线、第一电压线和第二电压线,在所述第一方向上延伸;
数据线,分别与所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素对应并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸;
第三电压线,在所述第二方向上延伸并电连接到所述第一电压线;
第四电压线,在所述第二方向上延伸并电连接到所述第二电压线;以及
发光元件,包括电连接到所述第四电压线的公共电极。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,
所述第三电压线和所述第四电压线在所述第一方向上交替设置。
17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,
所述发光元件进一步包括发射层和面向所述公共电极的像素电极,并且
所述第三电压线在所述第一方向上的宽度大于与所述第二像素对应的所述像素电极在所述第一方向上的宽度。
18.一种显示设备,包括:
第一扫描线和第二扫描线;
多条数据线和初始化电压线,与所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉;
第一电压线和第二电压线,与所述多条数据线交叉;
第一晶体管,包括被布置在所述第一扫描线与所述第一电压线之间的第一栅电极、和与所述第一栅电极交叉并且电连接到所述第一电压线的第一有源图案;
第二晶体管,包括电连接到所述第一栅电极的第二有源图案、和包括在所述第一扫描线中的第二栅电极;
第三晶体管,包括电连接到所述第一有源图案的第三有源图案、和包括在所述第二扫描线中的第三栅电极;以及
发光元件,包括公共电极、发射层和电连接到所述第一晶体管和所述第三晶体管的像素电极,
其中所述公共电极电连接到所述第二电压线。
19.根据权利要求18所述的显示设备,进一步包括:
第三电压线和第四电压线,与所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉,
所述第三电压线电连接到所述第一电压线并且被布置在与所述第一电压线不同的层中,并且
所述第四电压线电连接到所述第二电压线并且被布置在与所述第二电压线不同的层中。
20.根据权利要求19所述的显示设备,其中,
所述第三电压线在平面图中与所述第一有源图案、所述第二有源图案和所述第三有源图案重叠。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180158345A KR20200071188A (ko) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | 표시 장치 |
KR10-2018-0158345 | 2018-12-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111293142A true CN111293142A (zh) | 2020-06-16 |
Family
ID=70972207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911218429.7A Pending CN111293142A (zh) | 2018-12-10 | 2019-12-03 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11201204B2 (zh) |
KR (1) | KR20200071188A (zh) |
CN (1) | CN111293142A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115119521A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其驱动方法及显示装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200071188A (ko) | 2018-12-10 | 2020-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102612016B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2023-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20200105565A (ko) * | 2019-02-28 | 2020-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN113013190B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-07-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
KR20210116762A (ko) * | 2020-03-13 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20220011246A (ko) * | 2020-07-20 | 2022-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN116246547A (zh) * | 2020-12-02 | 2023-06-09 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US20220392988A1 (en) * | 2021-06-08 | 2022-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR20230045657A (ko) * | 2021-09-27 | 2023-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090123562A (ko) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
KR101064371B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2011-09-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR101486038B1 (ko) * | 2012-08-02 | 2015-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102381288B1 (ko) * | 2015-03-04 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20160129159A (ko) * | 2015-04-29 | 2016-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR102448611B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2022-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102642015B1 (ko) | 2016-08-31 | 2024-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 |
KR102456352B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20200071188A (ko) | 2018-12-10 | 2020-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2018
- 2018-12-10 KR KR1020180158345A patent/KR20200071188A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-10-09 US US16/596,952 patent/US11201204B2/en active Active
- 2019-12-03 CN CN201911218429.7A patent/CN111293142A/zh active Pending
-
2021
- 2021-12-13 US US17/548,785 patent/US11917879B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115119521A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其驱动方法及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220165839A1 (en) | 2022-05-26 |
US20200185489A1 (en) | 2020-06-11 |
US11201204B2 (en) | 2021-12-14 |
US11917879B2 (en) | 2024-02-27 |
KR20200071188A (ko) | 2020-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111293142A (zh) | 显示设备 | |
KR102600512B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102584303B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20200040952A (ko) | 표시 장치 | |
US11600673B2 (en) | Organic light emitting diode display device including dummy metal layer in non-display area | |
US20070012926A1 (en) | Display device with reduced number of wires and manufacturing method thereof | |
US9401354B1 (en) | Display panel having a reduced dead space | |
US9929225B2 (en) | Display device and a manufacturing method thereof | |
US10580835B2 (en) | Display panel | |
US11871627B2 (en) | Display device having a lower pattern overlapping an active pattern | |
US20220037441A1 (en) | Display device | |
CN111933657A (zh) | 显示装置 | |
US20220148514A1 (en) | Display device | |
KR102537442B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20210118284A (ko) | 표시 장치 | |
KR20200105565A (ko) | 표시 장치 | |
KR20190142471A (ko) | 표시 장치 | |
KR20200082164A (ko) | 네 개의 서브 픽셀로 구성된 단위 화소을 포함하는 디스플레이 장치 | |
US20230387374A1 (en) | Display device | |
US20230197765A1 (en) | Display device | |
KR20230174803A (ko) | 표시 장치 | |
KR20220078980A (ko) | 백플레인 기판 및 이를 이용한 발광 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |