CN111244271A - 一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100‑x‑y‑h‑z‑u＜100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。

Description

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法
技术领域
本申请涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法。
背景技术
半导体存储器在电子市场中一直占据着重要的地位。相变存储器因具有尺寸微缩性强、读写速度快、高数据保持力、功耗低、循环寿命长及抗辐照性能优异等优点，已被视为下一代新型的非易失性存储器。作为一种新型存储器，相变存储器需要一种性能良好的材料来支撑存储单元，以便于实现优异的存储性能。
相变存储器的应用基于其中的相变材料在电脉冲信号操作下高、低电阻之间的可逆转换来实现“0”和“1”的写和擦。相变存储器的核心是相变存储介质材料，传统的相变材料主要是Ge2Sb2Te5，由于其良好的综合性能，其已经被广泛应用于相变光盘和相变存储器中。但该材料依然存在一些问题：1)结晶温度(85℃)较低，热稳定性不好，数据保持力得不到保证，面临着数据丢失的危险；2)相变速度较低，有研究表明基于Ge2Sb2Te5的相变存储器实现稳定RESET操作的电脉冲至少为百纳秒量级，而实现稳定SET操作的电脉冲也需要20ns，无法满足动态随机存储器的速度要求；3)可进行的循环写擦操作次数少，有研究表明基于Ge2Sb2Te5的相变存储器实现稳定写擦循环操作次数为105量级，无法满足相变存储器在更宽的存储使用领域的使用。
发明内容
本申请要解决是现有技术中常用的Ge2Sb2Te5相变材料存在的十年数据保持力低、相变速度慢和疲劳次数少的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例公开了一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100-x-y-h-z-u＜100。
进一步地，所述相变材料在电脉冲信号操作下能够实现高低阻值的可逆转换，且在没有电脉冲信号操作下阻值保持不变。
所述相变材料在电脉冲作用下存在至少两个稳定的电阻态。
本申请实施例第二方面提供一种相变存储器单元，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层的材质包括上述相变材料。
进一步地，所述相变材料层的厚度范围是40nm-200nm。
进一步地，该相变存储器单元还包括下电极层、粘合层和引出电极层；
所述下电极层、所述相变材料层、所述粘合层和所述引出电极层依次层叠连接。
进一步地，所述下电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；
可选的，所述下电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
所述粘合层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；
可选的，所述粘合层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
所述引出电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；
可选的，所述引出电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
本申请实施例第三方面提供一种相变材料的制备方法，采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法或电子束蒸镀法制备相变材料；
所述采用磁控溅射法制备所述相变材料，具体包括：
采用Sc单质靶、Ta单质靶、GehSbzTeu合金靶按照元素原子组分比共溅射制备所述相变材料。
进一步地，所述采用Sc单质靶、Ta单质靶、GehSbzTeu合金靶按照元素原子组分比共溅射制备所述相变材料的过程中，本底真空度小于3.0×10-4Pa，溅射气体为氩气，溅射压强为0.40Pa～0.45Pa，溅射温度为室温，溅射时间为10分钟～30分钟。
本申请第四方面提供一种相变存储器单元的制备办法，包括以下步骤：
制备形成下电极层；
在所述下电极层上制备形成所述相变材料层；
在所述相变材料层上制备形成所述粘合层；
在所述粘合层上制备形成所述引出电极层。
进一步地，制备形成所述下电极层、所述相变材料层、所述粘合层和所述引出电极层的方法均为磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法和电子束蒸镀法中的任意一种。
采用上述技术方案，本申请具有如下有益效果：
本申请实施例提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例相变材料的电阻-温度关系图；
图2为本申请实施例相变材料的数据保持能力计算结果图；
图3为本申请实施例相变存储器单元的结构示意图；
图4为本申请实施例相变存储器单元的电阻-电压关系图；
图5为本申请实施例相变存储器单元的疲劳性能图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本申请至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
本申请实施例公开了一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100-x-y-h-z-u＜100。其中，可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb及Te四种元素的含量以得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料。
如图1所示，图1为本申请实施例相变材料的电阻-温度关系图，图1中所涉及到的相变材料中，x、y、h、z、u满足1<u/z≤3/2，3/100<x/(x+y+z+u)≤1/10，3<y/(x+y+z+u)≤1/10，h＝0。如图2所示，图2为本申请实施例相变材料的数据保持能力计算结果图。从图1和图2中可以看出，该相变材料具有良好的热稳定性和较高的数据保持力。
本申请实施例中，所述相变材料在电脉冲信号操作下能够实现高低阻值的可逆转换，且在没有电脉冲信号操作下阻值保持不变。
所述相变材料在电脉冲作用下存在至少两个稳定的电阻态。
本申请实施例第二方面提供一种相变存储器单元，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层的材质包括上述相变材料。
本申请实施例中，所述相变材料层的厚度范围是40nm-200nm。
本申请实施例中，该相变存储器单元还包括下电极层、粘合层和引出电极层；图3为本申请实施例相变存储器单元的结构示意图，如图3所示，所述下电极层、所述相变材料层、所述粘合层和所述引出电极层依次层叠连接。
本申请实施例中，所述下电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；可选的，所述下电极层的材料为也可以为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
所述粘合层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；可选的，所述粘合层的材料也可以为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
所述引出电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；可选的，所述引出电极层的材料也可以为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
图4为本申请实施例相变存储器单元的电阻-电压关系图，图4中所涉及的相变材料中，x、y、h、z、u满足1<u/z≤3/2，3/100<x/(x+y+z+u)≤1/10，3<y/(x+y+z+u)≤1/10，h＝0，如图4所示，在电脉冲作用下，所述相变存储器单元实现可逆相变。测试所用的电压脉冲为100ns、50ns、30ns、10ns和6ns。在6ns的电脉冲下，可以得到相变存储器分别在1.9V和3.2V实现“擦”(高阻变低阻)和“写”(低阻变高阻)操作，该操作速度远快于Ge2Sb2Te5材料百纳秒量级的操作速度。
图5为本申请实施例相变存储器单元的疲劳性能图，图5中所涉及的相变材料中，x、y、h、z、u满足1<u/z≤3/2，3/100<x/(x+y+z+u)≤1/10，3<y/(x+y+z+u)≤1/10，h＝0，如图4所示，该器件无疲劳地反复擦写次数达到1.0×106次，高低阻态均具有较稳定的阻值，保证了器件应用所需的可靠性。
综上所述，本申请实施例提供ScxTayGehSbzTeu相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本申请提供的相变材料通过在Ta-Ge-Sb-Te中注入Sc离子，可实现高阻态和低阻态之间的瞬时转变，大大缩短了高阻态和低阻态之间的转换时间；通过在Sc-Ge-Sb-Te中注入Ta离子，大大的提高了十年数据保持力，极大的提高了存储单元的存储可靠性。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度，采用该相变材料的相变存储器单元具有较快的操作速度与优异的循环次数，且器件可靠性有很大提高，可见其是用于制备相变存储器的合适的存储介质材料。
本申请实施例第三方面提供一种相变材料的制备方法，采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法或电子束蒸镀法制备相变材料；
所述采用磁控溅射法制备所述相变材料，具体包括：
采用Sc单质靶、Ta单质靶、GehSbzTeu合金靶按照元素原子组分比共溅射制备所述相变材料。
本申请实施例中，所述采用Sc单质靶、Ta单质靶、GehSbzTeu合金靶按照元素原子组分比共溅射制备所述相变材料的过程中，本底真空度小于3.0×10-4Pa，溅射气体为氩气，溅射压强为0.40Pa～0.45Pa，溅射温度为室温，溅射时间为10分钟～30分钟。
本申请第四方面提供一种相变存储器单元的制备办法，包括以下步骤：
制备形成下电极层；
在所述下电极层上制备形成所述相变材料层；
在所述相变材料层上制备形成所述粘合层；
在所述粘合层上制备形成所述引出电极层。
本申请实施例中，制备形成所述下电极层、所述相变材料层、所述粘合层和所述引出电极层的方法均为磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法和电子束蒸镀法中的任意一种。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种相变材料，其特征在于，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100-x-y-h-z-u＜100。
2.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于，所述相变材料在电脉冲信号操作下能够实现高低阻值的可逆转换，且在没有电脉冲信号操作下阻值保持不变。
所述相变材料在电脉冲作用下存在至少两个稳定的电阻态。
3.一种相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层的材质包括如权利要求1-2任意一项所述的相变材料。
4.根据权利要求5所述的相变存储器单元，其特征在于，所述相变材料层的厚度范围是40nm-200nm。
5.根据权利要求3所述的相变存储器单元，其特征在于，还包括下电极层、粘合层和引出电极层；
所述下电极层、所述相变材料层、所述粘合层和所述引出电极层依次层叠连接。
6.根据权利要求3所述的相变存储器单元，其特征在于，
所述下电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；或；所述下电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
所述粘合层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；或；所述粘合层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物；
所述引出电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种或多种所组成的材料；或；所述引出电极层的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu以及Ni中的任意一种的氮化物或者氧化物。
7.一种相变材料的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法或电子束蒸镀法制备如权利要求1-2中任一项所述相变材料；
所述采用磁控溅射法制备所述相变材料，具体包括：
采用Sc单质靶、Ta单质靶、GehSbzTeu合金靶按照元素原子组分比共溅射制备所述相变材料。
8.根据权利要求7所述的相变材料的制备方法，其特征在于，所述采用Sc单质靶、Ta单质靶、GehSbzTeu合金靶按照元素原子组分比共溅射制备所述相变材料的过程中，本底真空度小于3.0×10-4Pa，溅射气体为氩气，溅射压强为0.40Pa～0.45Pa，溅射温度为室温，溅射时间为10分钟～30分钟。
9.一种相变存储器单元的制备办法，其特征在于，包括以下步骤：
制备形成下电极层；
在所述下电极层上制备形成权利要求3-6任一项所述相变材料层；
在所述相变材料层上制备形成所述粘合层；
在所述粘合层上制备形成所述引出电极层。
10.根据权利要求9述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于，制备形成所述下电极层、所述相变材料层、所述粘合层和所述引出电极层的方法均为磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法和电子束蒸镀法中的任意一种。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113161480A (zh) * 2021-03-24 2021-07-23 华为技术有限公司 一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH023114A (ja) * 1988-06-17 1990-01-08 Hitachi Ltd 情報記録用薄膜
JPH0558048A (ja) * 1991-09-02 1993-03-09 Hitachi Ltd 情報の記録・再生方法
CN1268743A (zh) * 1999-02-12 2000-10-04 索尼株式会社 多层光盘
US20060087959A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Hitachi Maxell, Ltd. Optical disk
CN101089965A (zh) * 2006-06-15 2007-12-19 日立麦克赛尔株式会社 光信息记录介质
CN102187276A (zh) * 2008-10-14 2011-09-14 旭化成株式会社 热反应型抗蚀剂材料、使用它的热光刻用层压体以及使用它们的模具的制造方法
CN108899417A (zh) * 2018-07-02 2018-11-27 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法
CN109821486A (zh) * 2019-01-29 2019-05-31 江苏先能材料有限公司 相变材料的加工方法及设备
CN110061131A (zh) * 2019-04-23 2019-07-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
CN110148668A (zh) * 2019-05-31 2019-08-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法
WO2019231460A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 Intel Corporation Phase change memory structures and devices

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH023114A (ja) * 1988-06-17 1990-01-08 Hitachi Ltd 情報記録用薄膜
JPH0558048A (ja) * 1991-09-02 1993-03-09 Hitachi Ltd 情報の記録・再生方法
CN1268743A (zh) * 1999-02-12 2000-10-04 索尼株式会社 多层光盘
US20060087959A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Hitachi Maxell, Ltd. Optical disk
CN101089965A (zh) * 2006-06-15 2007-12-19 日立麦克赛尔株式会社 光信息记录介质
US20070291629A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Hitachi Maxell, Ltd. Optical recording medium
CN102187276A (zh) * 2008-10-14 2011-09-14 旭化成株式会社 热反应型抗蚀剂材料、使用它的热光刻用层压体以及使用它们的模具的制造方法
WO2019231460A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 Intel Corporation Phase change memory structures and devices
CN108899417A (zh) * 2018-07-02 2018-11-27 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法
CN109821486A (zh) * 2019-01-29 2019-05-31 江苏先能材料有限公司 相变材料的加工方法及设备
CN110061131A (zh) * 2019-04-23 2019-07-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
CN110148668A (zh) * 2019-05-31 2019-08-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YONG WANG等: "Sc-Centered Octahedron Enables High-Speed Phase Change Memory with Improved Data Retention and Reduced Power Consumption", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113161480A (zh) * 2021-03-24 2021-07-23 华为技术有限公司 一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器

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