CN111244248B - 一种增大出光角度的led封装器件及显示应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种增大出光角度的LED封装器件及显示应用，所述增大出光角度的LED封装器件的封装工艺包括步骤：(A)在基板上固晶和焊线；(B)使用纯硅胶、硅树脂、环氧树脂按比例混合均匀，使用脱泡机脱泡后形成第一胶；(C)在基板上采用第一胶进行压膜，形成胶层；(D)在胶层表面上进行印刷或真空溅镀或喷涂或第二次压膜；(E)长烤、切割形成LED器件。所述增大发光角度的LED封器件发光角度大，采用所述LED封装器件的显示应用显示效果好，生产成本低，且可以设计厚度更薄。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术相关技术领域，更准确的说涉及一种增大出光角度的LED封装器件及显示应用。
背景技术
发光二极管(LED)具有体积小、使用寿命长、节能环保、响应速度快、坚固耐用等优点，是替代传统光源的理想光源。发光二极管现已广泛应用于汽车和室内照明、交通信号灯、屏幕显示和液晶背光等邻域。封装工艺是LED制程中的一个非常重要的工艺，其对于LED的工作性能、成本等有着非常显著的影响。在显示领域，随着轻薄程度、清晰度、显示尺寸的要求不断提高，对显示装置背光模组的要求也不断提高，相应的，显示装置的价格也不断上涨。现有LED封装器件的发光角度在120°至130°的范围内，为了保证较佳的视觉效果，一台32寸的电视机需要使用2.6万LED灯珠，制造成本高昂，如果为了降低成本而减少LED灯珠数量，则会影响混光效果，造成视觉效果较差。此外，由于现有LED封装器件的出光角度较小，LED灯珠和扩散板之间的距离也无法进一步缩减，限制了显示装置的轻薄程度。
综上，本领域需要通过改进LED的封装工艺，制造一种发光角度大的LED封装器件，以提高显示装置的显示效果，降低生产成本，并减少厚度。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种增大发光角度的LED封装器件，其封装工艺包括基板固晶、焊线工序，之后进行印刷或真空溅镀或喷涂或第二次压膜，之后进行长烤、切割工艺形成LED封装器件，发光角度达到180°。
本发明的另一个目的在于提供一种增大发光角度的LED封装器件的显示应用，采用所述增大发光角度的LED封装器件。
为了达到上述目的，本发明提供一种增大出光角度的LED封装器件，封装工艺包括步骤：
(A)在基板上固晶和焊线；
(B)使用纯硅胶、硅树脂、环氧树脂按比例混合均匀，使用脱泡机脱泡后形成第一胶；
(C)在基板上采用第一胶进行压膜，形成胶层；
(D)在胶层表面上进行印刷或真空溅镀或喷涂或第二次压膜；
(E)长烤、切割形成LED器件。
优选地，所述步骤(B)中脱泡机的脱泡参数为500转30s/真空30kPa、800转1分50s/真空1.5kPa、600转50s/真空1.8kPa。
优选地，当所述步骤(D)采用印刷形式时包括步骤：
(D1)使用硅胶、硅树脂、环氧树脂添加1％∽90％TiO2、SiO2、Ag、铬粉等高反射、高遮光材料，混合均匀；
(D2)印刷于胶层上，形成印刷层。
优选地，印刷层的厚度为1um∽200um，单次10∽15um进行多次印刷或一次印刷。
优选地，当所述步骤(D)采用真空溅镀形式时包括步骤：
(D1)使用无尘布清洁胶层表面；
(D2)喷环氧树脂油漆，厚度为15μm～28μm；
(D3)UV固化(烘烤)；
(D4)真空溅镀铝/银/铬，形成溅镀层；
(D5)喷环氧树脂油漆；
(D6)UV固化(烘烤)。
优选地，所述溅镀层厚度为2um，真空溅镀时间40秒。
优选地，当所述步骤(D)采用喷涂形式时为：在胶层上进行喷涂，形成喷涂层，喷涂材料中硅胶/硅树脂/环氧树脂：甲苯＝1:10，把胶水稀释。
优选地，当所述步骤(D)采用第二次压膜形式时包括步骤：
(D1)在硅胶、硅树脂或环氧树脂内添加TiO2、SiO2，并将硅胶、硅树脂和环氧树脂按比例混合均匀，使用脱泡机脱泡后形成第二胶；
(D2)在胶层上采用第二胶进行压膜，形成第二胶层。
优选地，所述步骤(D1)中添加1％～60％TiO2、SiO2、Ag粉、铬、铝粉中的一种。
本发明还提供一种增大发光角度的LED封装器件的显示应用，其特征在于，采用所述增大发光角度的LED封装器件。
与现有技术相比，本发明公开的一种增大出光角度的LED封装器件及显示应用的优点在于：通过所述增大发光角度的LED封装工艺，制造的LED封装器件发光角度大，采用所述增大发光角度的LED封装器件的显示应用的显示效果好，生产成本低，且可以设计厚度更薄。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
如图1所示为本发明一种增大发光角度的LED封装器件的封装工艺的流程图。
如图2所示为本发明一种增大发光角度的LED封装器件的一种形式的截面示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明一种增大发光角度的LED封装器件的封装工艺包括步骤：
(A)在基板上固晶和焊线；
(B)使用纯硅胶、硅树脂、环氧树脂按比例混合均匀，使用脱泡机脱泡后形成第一胶；
(C)在基板上采用第一胶进行压膜，形成胶层；
(D)在胶层表面上进行印刷或真空溅镀或喷涂或第二次压膜；
(E)长烤、切割形成LED器件。
其中，所述步骤(B)中脱泡机的脱泡参数为500转30s/真空30kPa、800转1分50s/真空1.5kPa、600转50s/真空1.8kPa，保证混合均匀。
所述步骤(C)压膜后放置5∽10min，保证胶层表面基本硬化。
所述步骤(C)中形成的胶层的厚度为0.3mm∽0.6mm。
所述步骤(C)压膜时间125℃/270秒固化成型，压膜后不长烤。
当所述步骤(D)采用印刷形式时包括步骤：
(D1)使用硅胶、硅树脂、环氧树脂添加1％∽90％TiO2、SiO2、Ag、铬粉等高反射、高遮光材料，混合均匀；
(D2)印刷于胶层上，形成印刷层。
其中，印刷层的厚度为1um∽200um，单次10∽15um进行多次印刷或一次印刷。
当所述步骤(D)采用真空溅镀形式时包括步骤：
(D1)使用无尘布清洁胶层表面；
(D2)喷环氧树脂油漆，厚度为15μm～28μm；
(D3)UV固化(烘烤)；
(D4)真空溅镀铝/银/铬，形成溅镀层；
(D5)喷环氧树脂油漆；
(D6)UV固化(烘烤)。
其中，在喷环氧树脂油漆时会有杂点存在，规格一般在0.1-0.15μm。
其中，所述溅镀层厚度为2μm，真空溅镀时间40秒。
当所述步骤(D)采用喷涂形式时为：
在胶层上进行喷涂，形成喷涂层，喷涂材料中硅胶/硅树脂/环氧树脂：甲苯＝1:10，把胶水稀释。
其中，喷涂次数3∽5次，喷涂层厚度10um左右
当所述步骤(D)采用第二次压膜形式时包括步骤：
(D1)在硅胶、硅树脂或环氧树脂内添加TiO2、SiO2，并将硅胶、硅树脂和环氧树脂按比例混合均匀，使用脱泡机脱泡后形成第二胶；
(D2)在胶层上采用第二胶进行压膜，形成第二胶层。
所述步骤(D1)中添加1％～60％TiO2、SiO2、Ag粉、铬、铝粉中的一种；
所述步骤(D1)中混合搅拌时间为3min。
所述步骤(D1)中脱泡机的脱泡参数为500转30s/真空30kPa、800转1分50s/真空1.5kPa、600转50s/真空1.8kPa，保证混合均匀。
所述步骤(D2)中形成的第二胶层的厚度为0.3mm。
所述步骤(D2)中压膜时间125℃/270秒固化成型。
添加TiO2、SiO2、Ag粉、铬、铝粉，是考虑其具有较佳的不透明性、较佳白度和光亮度，且遮盖性强，遮蔽LED正面出光，侧面发散，从而增大发光角度，达到180°出光。
所述步骤(E)中长烤参数为：100℃下1小时，并在150℃下3小时。
所述增大发光角度的LED封装器件如图2所示，包括基板10、胶层21和第二层22，所述基板10上固晶和焊线。所述第二层22的厚度根据所述步骤(D)所采取的方式不同而不同。胶层21厚度范围为0.3mm～0.8mm，第二层22厚度范围为2μm～0.3mm。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (4)
1.一种增大出光角度的LED封装器件，其特征在于，封装工艺包括步骤：
(A)在基板上固晶和焊线；
(B)使用纯硅胶、硅树脂、环氧树脂按比例混合均匀，使用脱泡机脱泡后形成第一胶；
(C)在基板上采用第一胶进行压膜，形成胶层；
(D1)使用无尘布清洁胶层表面；
(D2)喷环氧树脂油漆，厚度为15μm～28μm；
(D3)UV固化；
(D4)真空溅镀铝/银/铬，形成溅镀层；
(D5)喷环氧树脂油漆；
(D6)UV固化；
(E)长烤、切割形成LED器件。
2.如权利要求1所述的增大出光角度的LED封装器件，其特征在于，所述步骤(B)中脱泡机的脱泡参数为500转30s/真空30kPa、800转1分50s/真空1.5kPa、600转50s/真空1.8kPa。
3.如权利要求1所述的增大出光角度的LED封装器件，其特征在于，所述溅镀层厚度为2um，真空溅镀时间40秒。
4.一种增大发光角度的LED封装器件的显示应用，其特征在于，采用如权利要求1所述的增大发光角度的LED封装器件。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112510140A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-03-16 | 宁波群芯微电子有限责任公司 | 一种应用于汽车光电耦合器的led封装结构 |
| CN114087547A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-02-25 | 盐城东山精密制造有限公司 | 一种实现灯珠高效广角的工艺 |
| CN117497668B (zh) * | 2024-01-03 | 2024-03-19 | 江西省兆驰光电有限公司 | 一种led器件及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102109624A (zh) * | 2009-12-28 | 2011-06-29 | 比亚迪股份有限公司 | 一种光扩散膜及其制备方法 |
| CN102473822A (zh) * | 2009-07-06 | 2012-05-23 | 克里公司 | 具有散射颗粒区域的led封装 |
| CN107046091A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | 行家光电股份有限公司 | 具光形调整结构的发光装置及其制造方法 |
| CN109244211A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 罗冠杰 | 冲压封装发光二极管装置及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521728B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-04-21 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same |
| TW201238085A (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-16 | Lextar Electronics Corp | Light emitting diode package structure |
| CN203859114U (zh) * | 2013-12-31 | 2014-10-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种使用荧光粉模块激发的led光源结构 |
| CN104037276A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-10 | 合肥工业大学 | 一种具有梯度折射率的多层结构白光led器件及其封装方法 |
| CN106816520A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换材料及其应用 |
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2020
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|---|---|---|---|---|
| CN102473822A (zh) * | 2009-07-06 | 2012-05-23 | 克里公司 | 具有散射颗粒区域的led封装 |
| CN102109624A (zh) * | 2009-12-28 | 2011-06-29 | 比亚迪股份有限公司 | 一种光扩散膜及其制备方法 |
| CN107046091A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | 行家光电股份有限公司 | 具光形调整结构的发光装置及其制造方法 |
| CN109244211A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 罗冠杰 | 冲压封装发光二极管装置及其制造方法 |
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