CN111244149B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示面板，包括：基板，包括若干阵列排布的亚像素单元，每一亚像素单元包括发光区。盖板，与基板相对设置，设置有支撑结构和遮光层。支撑结构，位于盖板朝向基板的一侧，用于支撑基板和盖板，且在基板上的正投影区域与发光区不重叠。遮光层，位于盖板朝向基板的一侧，且在基板上的正投影区域与发光区之外的区域重叠，使得在制造显示面板时可以同时基板上的涂层和盖板上的支撑结构和遮光层，有效减少了制造显示面板的时间。同时，可以制作较大的发光区，并利用支撑结构和遮光层遮挡由发光区射出的光线，控制发光区的尺寸，进而提高显示面板的分辨率。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体为一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode)又称为有源矩阵有机发光二极管或主动有机发光二极管。AMOLED面板具有可依次形成于基板上得低温多晶硅技术背板电路结构、阳极、有机发光层和阴极组成。低温多晶硅技术背板电路是由多层结构构成，不同层之间通过工艺制程组成薄膜晶体管、不同层实现连接、或同层走线相互分离。一般 AMOLED面板的制作工艺分为阵列背板工艺、蒸镀工艺、封装工艺和切割工艺，其中阵列背板工艺包括组成电路结构阵列基板、阳极等；蒸镀工艺包括有机发光材料的蒸镀、阴极蒸镀等过程。

但是，申请人发现，现有制造AMOLED面板的工艺耗时较长，且需要精细的蒸镀掩膜板，此时由于掩膜板的精度，像素单元的开口不能制作太小，这也直接导致AMOLED面板不能具备高分辨率。另外，在进行阵列背板工艺中，通常会在阵列基板上制作支撑件，如果在阵列基板上制造过多的支撑件，会使得蒸镀区域中的材料蒸偏，出现混色；但是，如果在阵列基板上制作过少的支撑件，又会严重影响AMOLED面板的机械性能。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用于解决AMOLED面板分辨率低，且由于在阵列基板上制作支撑件，进而出现混色或影响AMOLED面板的机械性能的技术问题。

为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本申请实施例公开了一种显示面板，包括：

基板，包括若干阵列排布的亚像素单元，每一所述亚像素单元包括发光区；

盖板，与所述基板相对设置，设置有支撑结构和遮光层；

所述支撑结构，位于所述盖板朝向所述基板的一侧，用于支撑所述基板和所述盖板，且在所述基板上的正投影区域与所述发光区不重叠；

所述遮光层，位于所述盖板朝向所述基板的一侧，且在所述基板上的正投影区域与所述发光区之外的区域重叠。

可选地，每一所述亚像素单元包括位于所述基板靠近所述盖板一侧的平坦层；

所述平坦层靠近所述盖板的一侧设置多个凹陷结构，所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域覆盖所述发光区。

可选地，所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域的面积大于所述发光区的面积。

可选地，每一所述亚像素单元包括阳极层和发光层；

所述阳极层位于所述平坦层靠近所述盖板的一侧，且在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠；

所述发光层位于所述阳极层远离所述平坦层的一侧，且在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠。

可选地，所述支撑结构在所述盖板上的正投影区域与所述遮光层在所述基板上的正投影区域重叠。

可选地，所述支撑结构的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种；

所述遮光层的材料包括钼和铝中的一种。

在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面所述的显示面板。

在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示面板的制作方法，包括：

提供一基板和盖板；

在所述基板靠近所述盖板的一侧制作若干阵列排布的亚像素单元，每一所述亚像素单元包括发光区；

在所述盖板靠近所述基板的一侧制作支撑结构，所述支撑结构在所述基板上的正投影区域与所述发光区不重叠；

在所述盖板靠近所述基板的一侧制作遮光层，所述遮光层在所述基板上的正投影区域与所述发光区之外的区域重叠。

可选地，所述在所述基板靠近所述盖板的一侧制作若干阵列排布的亚像素单元，包括：

在所述基板靠近所述盖板的一侧制作平坦层，通过构图工艺在所述平坦层靠近所述盖板的一侧制作多个凹陷结构，所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域覆盖所述发光区。

可选地，在所述基板靠近所述盖板的一侧制作平坦层后，包括：

通过构图工艺在所述平坦层靠近所述盖板的一侧制作阳极层，所述阳极层在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠；

通过蒸镀工艺在所述阳极层远离所述平坦层的一侧制作发光层，所述发光层在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠。

借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：

由于本申请实施例将遮光层设置在盖板上，并未设置在包括若干阵列排布的亚像素单元的基板上，这样在基板上进行的阵列工艺的发光区域阳极可以做的较大，蒸镀Mask开口相应也可以做大，很好的避免因为分辨率高，蒸镀Mask开口不能做大的限制，不用考虑蒸镀Mask开口较小时的制作工艺难度，且可以通过将遮光层在基板上的正投影区域的面积做成不同大小来控制发光区大小，可以提升显示面板高分辨率；且本申请实施例中的支撑结构也设置在盖板上，不会影响蒸镀工艺的进行，可以做较多的支撑结构，很好的提高了支撑结构的占比，提升了显示面板的机械性能。

上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本申请实施例的显示面板在未设置有发光层时的结构示意图；

图2为本申请实施例的显示面板在设置有发光层时的结构示意图；

图3为本申请实施例的显示面板的制作方法的流程图；

图4为本申请实施例的阵列基板的结构示意图；

图5为本申请实施例的盖板设置有支撑结构和遮光层时的结构示意图；

图6为将图4的阵列基板与图5的盖板对位封装后的结构示意图。

附图标记介绍如下：

1-显示面板；2-基板；3-亚像素单元；31-阳极层；32-发光层；4-弹板； 5-支撑结构；6-遮光层；7-平坦层；8-凹陷结构；

10-缓冲层；11-半导体层；12-绝缘层；13-第一栅极层；14-栅极绝缘层；15-第二栅极层；16-层间介质层；17-金属层；18-保护层。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语 (包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

显示产品与我们生活息息相关，AMOLED以其独有的优点占据越来越大的市场，目前AMOLED的制作工艺较为复杂，其工艺包含阵列 (Array)工艺、蒸镀工艺、封装工艺和切割工艺，经过这几道工艺才能形成一片显示屏，所需要的周期较长，对于Array工艺来说，与制作液晶显示器时的工艺相同，需要经过9道掩膜版(Mask)工艺，由于AMOLED 为自主发光，靠有机材料自身发光，因此需要在Array工艺完成后的基板上蒸镀不同的有机发光材料，一共需要10道Mask进行蒸镀，此蒸镀工艺要求更加精密，需要精细的蒸镀Mask(即FMM)。

具体地，目前制作AMOLED时，Array工艺包括：制作有源层(ACT) 的工艺、制作第一层栅极层(Gate1)的工艺、制作第二层栅极层(Gate2) 的工艺、制作层间介质层(ILD)的工艺、制作源漏极(SD)的工艺、制作平坦层(ILD)的工艺、制作阳极(Anode)的工艺、制作像素界定层 (PDL)的工艺和制作支撑件(PS)的工艺。

申请人发现，目前Array工艺制作支撑件时，如果在基板上制造过多的支撑件，会使得蒸镀区域中的材料蒸偏，出现混色；但是，如果在基板上制作过少的支撑件，又会严重影响AMOLED面板的机械性能。另外，对于蒸镀工艺，蒸镀Mask由于精度问题，开口不能太小，这也是限制AMOLED高分辨率的一个因素，目前蒸镀Mask开口小时，除了制作该蒸镀Mask的工艺难度较高外，实际蒸镀过程中不容易控制蒸镀区域，尤其对于高分辨率产品，容易出现混色等不良。

针对目前技术存在的以上问题，本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置。

在第一方面中，本申请实施例提供一种显示面板，包括相对设置的基板和盖板，盖板设置有支撑结构和遮光层；基板包括若干阵列排布的亚像素单元，每一亚像素单元包括发光区；支撑结构，位于盖板朝向基板的一侧，用于支撑基板和盖板，且在基板上的正投影区域与发光区不重叠；遮光层，位于盖板朝向基板的一侧，且在基板上的正投影区域与发光区之外的区域重叠。

由于本申请实施例将遮光层设置在盖板上，并未设置在包括若干阵列排布的亚像素单元的基板上，这样在基板上进行的阵列工艺的发光区域阳极可以做的较大，蒸镀Mask开口相应也可以做大，很好的避免因为分辨率高，蒸镀Mask开口不能做大的限制，不用考虑蒸镀Mask开口较小时的制作工艺难度，且可以通过将遮光层在基板上的正投影区域的面积做成不同大小来控制发光区大小，可以提升显示面板高分辨率；且本申请实施例中的支撑结构也设置在盖板上，不会影响蒸镀工艺的进行，可以做较多的支撑结构，很好的提高了支撑结构的占比，提升了显示面板的机械性能。

具体地，如图1和图2所示，图1和图2分别示出了本申请实施例的显示面板1在未设置发光层时和设置有发光层时的结构示意图，该显示面板1包括：基板2，包括若干阵列排布的亚像素单元3，每一亚像素单元 3包括发光区。盖板4，与基板2相对设置，设置有支撑结构5和遮光层 6。支撑结构5，位于盖板4朝向基板2的一侧，用于支撑基板2和盖板4，且在基板2上的正投影区域与发光区不重叠。遮光层6，位于盖板4朝向基板2的一侧，且在基板2上的正投影区域与发光区之外的区域重叠。

由于本申请实施例将遮光层6设置在盖板4上，并未设置在包括若干阵列排布的亚像素单元的基板2上，这样在基板2上进行的阵列工艺的发光区域阳极可以做的较大，蒸镀Mask开口相应也可以做大，很好的避免因为分辨率高，蒸镀Mask开口不能做大的限制，不用考虑蒸镀Mask开口较小时的制作工艺难度，且可以通过将遮光层6在基板2上的正投影区域的面积做成不同大小来控制发光区大小，可以提升显示面板高分辨率；且本申请实施例中的支撑结构5也设置在盖板4上，不会影响蒸镀工艺的进行，可以做较多的支撑结构5，很好的提高了支撑结构5的占比，提升了显示面板的机械性能。

可选地，继续参考图1，每一亚像素单元3包括位于基板2靠近盖板 4一侧的平坦层7。平坦层7靠近盖板4的一侧设置多个凹陷结构8，凹陷结构8在基板2上的正投影区域覆盖发光区。由于在平坦层7上设置了多个凹陷结构8，凹陷结构8在基板2上的正投影区域覆盖发光区，使得亚像素单元3包括的阳极层以及发光层可以直接制作在平坦层7上，而不需在另外制作像素定义层，这样能够减少基板侧阵列工艺的制造时间和成本，提高市场竞争力。

具体地，本申请实施例凹陷结构8在基板2上的正投影区域的面积大于发光区的面积，这样在基板上进行的阵列工艺的发光区域阳极可以做的较大，蒸镀Mask开口相应也可以做大，很好的避免因为分辨率高，蒸镀 Mask开口不能做大的限制，不用考虑蒸镀Mask开口较小时的制作工艺难度，且可以通过将遮光层在基板上的正投影区域的面积做成不同大小来控制发光区大小，可以提升显示面板高分辨率。当然，实际设计时，凹陷结构8在基板2上的正投影区域的面积也可以等于发光区的面积，这时可以不在盖板上制作遮光层，但这种情况需要采用现有技术的蒸镀Mask进行发光层等膜层的蒸镀，但现有技术的蒸镀Mask开口小时，除了制作该蒸镀Mask的工艺难度较高外，实际蒸镀过程中不容易控制蒸镀区域，尤其对于高分辨率产品，容易出现混色等不良，而该蒸镀Mask开口大时，显示面板的分辨率会受到较大影响。

可选地，参考图2，每一亚像素单元3包括阳极层31和发光层32。阳极层31位于平坦层7靠近盖板4的一侧，且在基板2上的正投影区域与凹陷结构8在基板2上的正投影区域重叠。发光层32位于阳极层31远离平坦层7的一侧，且在基板2上的正投影区域与凹陷结构8在基板2上的正投影区域重叠。具体实施时，如图1所示，沿基板2正投影方向上(即图中竖直方向)，阳极层31和发光层32的总和长度与凹陷结构8的长度相同，使得阳极层31和发光层32设置在凹陷结构8后，发光层32与发光区外的平坦层位于同一平面，便于对位和封装具有支撑结构5和遮光层 6的盖板2。可选地，在本实施例中，沿垂直于基板2方向上，阳极层31 的厚度为1000埃至1500埃，凹陷结构8的深度大于1500埃。

可选地，通常，通过构图工艺将支撑结构5设置在盖板3上后，需要在支撑结构5远离盖板3的一侧继续设置遮光层6。为了方便制造，支撑结构5在盖板4上的正投影区域与遮光层6在基板2上的正投影区域重叠。

需要说明的是，图1中支撑结构5和遮光层6的位置只是本申请实施例中一种示意，实际设计时，支撑结构5在基板2上的正投影区域可以与遮光层6在基板2上的正投影区域重叠，也可以不重叠，支撑结构5的具体位置可以根据显示面板对支撑结构5占比要求进行设置。而遮光层6设计在像素开口周围，控制出光面积，目的是遮光，因此，支撑结构5的位置和遮光层6的位置可以根据实际情况具体设置，本申请实施例对二者的位置没有特殊要求。

可选地，为了提高支撑结构5的机械性能，增强显示面板1的整体牢固性，支撑结构5的硬度相对较大。因此，在本申请实施例中，支撑结构 5的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种。另外，遮光层6的材料包括钼和铝中的一种，由上述材料制成的遮光层6不仅可以遮挡光线，还能够进一步增强显示面板1的整体牢固性。

另外，本申请实施例的支撑结构5的形状为梯形。从理论上讲，支撑结构5的形状还可以为正方形或者矩形，但是，有以下几个原因不支持将支撑结构5的形状制造成正方形或者矩形：首先，工艺上由于曝光的影响，图形与实际会有差异，如果将支撑结构5设计成正方形或者长方形，曝光后上面曝掉的会大，最后很难形成正方形或者矩形结构；其二，如果将支撑结构5设计为正方形或者长方形，支撑结构5会有一定的遮光，影响发光、色偏等，如果为梯形，斜坡状，这种影响会大大减小。

在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面的显示面板1。由于第二方面的显示装置包括了第一方面的显示面板1，使得显示装置具有与显示面板1相同的有益技术效果。因此，在此不再重复赘述第二方面的显示装置的有益效果。

在第三方面中，如图3所示，本申请实施例公开了一种显示面板1的制作方法，包括：

S101：提供一基板2和盖板4。

S102：在基板2靠近盖板4的一侧制作若干阵列排布的亚像素单元3，每一亚像素单元3包括发光区。

S103：在盖板4靠近基板2的一侧制作支撑结构5，支撑结构5在基板2上的正投影区域与发光区不重叠。

S104：在盖板4靠近基板2的一侧制作遮光层6，遮光层6在基板2 上的正投影区域与发光区之外的区域重叠。

通过本申请实施例的制作方法，可以在制备基板2的同时，制备盖板 4，制备基板2和盖板4之间没有先后顺序，一同制备，可以减少显示面板1的制作时间；另外，与现有技术相比，本申请实施例中阵列工艺不需要做支撑件和像素界定层，这样节省了制作像素界定层和支撑件的时间，很好的减少了工艺时间，提高了生产效率。

可选地，在S102中的在基板2靠近盖板4的一侧制作若干阵列排布的亚像素单元3，包括：

在基板2靠近盖板4的一侧制作平坦层7，通过构图工艺在平坦层7 靠近盖板4的一侧制作多个凹陷结构8，凹陷结构8在基板2上的正投影区域覆盖发光区。

由于在平坦层7上设置了多个凹陷结构8，凹陷结构8在基板2上的正投影区域覆盖发光区，使得亚像素单元3包括的阳极层以及发光层可以直接制作在平坦层7上，而不需在另外制作像素定义层，且在制造基板2 上的其他涂层时，还可以一同制造设置在盖板4上的支撑结构5和遮光层 6，这样能够减少制造时间和成本，提高市场竞争力。

可选地，在基板2靠近盖板4的一侧制作平坦层7后，包括：

通过构图工艺在平坦层7靠近盖板4的一侧制作阳极层31，阳极层 31在基板2上的正投影区域与凹陷结构8在基板2上的正投影区域重叠。

通过蒸镀工艺在阳极层31远离平坦层7的一侧制作发光层32，发光层32在基板2上的正投影区域与凹陷结构8在基板2上的正投影区域重叠。

在本实施例中，沿基板2正投影方向上，阳极层31和发光层32的总和长度与凹陷结构8的长度相同，使得阳极层31和发光层32设置在凹陷结构8后，发光层32与发光区外的平坦层位于同一平面，无需另外涂覆附加的平坦层7，便于对位和封装具有支撑结构5和遮光层6的盖板2。

以下通过图4-图6来详细描述本发明显示面板的制作：

如图4所示，制备阵列基板，首先，在基板2上依次制作缓冲层10、有源层11、绝缘层12、第一栅极层13、栅极绝缘层14、第二栅极层15、层间介质层16、源漏极层17和平坦层7，需要说明的是，图3仅示出了这些膜层的叠层顺序，并未示出膜层的具体结构，图3中每一层膜层的具体结构与现有技术类似，这里不再赘述。

如图4所示，接着，通过构图工艺在平坦层7远离基板2的一侧制作出多个凹陷结构8，相邻两个凹陷结构之间的距离根据实际显示面板1的尺寸大小得出。接着，在凹陷结构8内依次制作阳极层31和发光层32，并在发光层32上制作保护层18，该保护层18用于保护发光层32，保护层18的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。由此可见，在凹槽结构8远离基板2的一侧形成出发光区，用于显示基板1的发光。

在制备阵列基板的同时，还可以同时制备支撑结构5和遮光层6。如图5所示，在盖板4的一侧通过构图工艺制作支撑结构5和遮光层6。因此，在阵列基板上不用进行支撑结构5和遮光层6的制作工艺，将支撑结构5和遮光层6制作在盖板4上，这样基板2和盖板4上工艺可以同时进行，这样就省去了支撑结构5和遮光层6的制备工艺时间，较好的减少了工艺的时间。而且，将支撑结构5制作在盖板4上，不会影响基板2侧的蒸镀工艺，可以做较多支撑结构5，很好的提高了支撑结构5的占比，提升产品的机械性能。另外，本申请实施例遮光层6的制作，使得基板2上进行的阵列工艺的发光区域阳极可以做的较大，这样可以有效避免因为显示面板的分辨率高，被迫将蒸镀掩膜板的开口制成较小的尺寸。

但是，需要注意的是，支撑结构5的设计是根据像素大小和位置来决定的，即先定义像素位置和大小，再决定出支撑结构5的具体位置，支撑结构5应当设计在没有亚像素单元3的位置。当然，支撑层5的数量也不宜过多，如果支撑层5的数量过多，会影响发光材料的发光，容易导致色偏等。

最后，如图6所示，将基板2具有亚像素单元3的一侧与盖板4具有支撑结构5和遮光层6的一侧进行对合和封装，并最终按照设计尺寸进行切割，完成显示面板的制作，本申请实施例对合，封装，以及切割工艺与现有技术类似，这里不再赘述。

本申请实施例显示面板的制作工艺也包括Array工艺、蒸镀工艺、封装工艺和切割工艺，与现有技术不同的是，本申请实施例在Array工艺中不需要制作像素界定层和PS，在制作完阳极后，直接进行蒸镀工艺。本申请实施例支撑结构5制作在盖板4上，不影响蒸镀工艺，不用考虑支撑结构5与蒸镀Mask接触，遮挡蒸镀区域问题，支撑结构可以增加到较大占比面积。

应用本申请实施例所获得的有益效果包括：

1、由于本申请实施例中的显示面板将遮光层6设置在盖板4上，并未设置在包括若干阵列排布的亚像素单元的基板2上，这样在基板2上进行的阵列工艺的发光区域阳极可以做的较大，蒸镀Mask开口相应也可以做大，很好的避免因为分辨率高，蒸镀Mask开口不能做大的限制，不用考虑蒸镀Mask开口较小时的制作工艺难度，且可以通过将遮光层6在基板2上的正投影区域的面积做成不同大小来控制发光区大小，可以提升显示面板高分辨率；且本申请实施例中的支撑结构5也设置在盖板4上，不会影响蒸镀工艺的进行，可以做较多的支撑结构5，很好的提高了支撑结构5的占比，提升了显示面板的机械性能。

2、在进行阵列工艺时，基板2侧不用进行支撑结构5和遮光层6的制作工艺，将支撑结构5和遮光层6制作在盖板4上，这样基板2和盖板 4上工艺可以同时进行，这样就省去了支撑结构5和遮光层6的制备工艺时间，较好的减少了工艺的时间。而且，将支撑结构5制作在盖板4上，不会影响蒸镀，可以做较多支撑结构5，很好的提高了支撑结构5的占比，提升产品的机械性能。

3、沿基板2正投影方向上，阳极层31和发光层32的总和长度与凹陷结构8的长度相同，使得阳极层31和发光层32设置在凹陷结构8后，发光层32与发光区外的平坦层位于同一平面，便于对位和封装具有支撑结构5和遮光层6的盖板2。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板，包括若干阵列排布的亚像素单元，每一所述亚像素单元包括发光区；

盖板，与所述基板相对设置，设置有支撑结构和遮光层；

所述支撑结构，位于所述盖板朝向所述基板的一侧，用于支撑所述基板和所述盖板，且在所述基板上的正投影区域与所述发光区不重叠；

所述遮光层，位于所述盖板朝向所述基板的一侧，且在所述基板上的正投影区域与所述发光区之外的区域重叠；

每一所述亚像素单元包括位于所述基板靠近所述盖板一侧的平坦层；

所述平坦层靠近所述盖板的一侧设置多个凹陷结构，所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域覆盖所述发光区。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域的面积大于所述发光区的面积。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每一所述亚像素单元包括阳极层和发光层；

所述阳极层位于所述平坦层靠近所述盖板的一侧，且在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠；

所述发光层位于所述阳极层远离所述平坦层的一侧，且在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠。

4.如权利要求1-3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述支撑结构在所述盖板上的正投影区域与所述遮光层在所述基板上的正投影区域重叠。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述支撑结构的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种；

所述遮光层的材料包括钼和铝中的一种。

6.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-5任一项所述的显示面板。

7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板和盖板；

在所述基板靠近所述盖板的一侧制作若干阵列排布的亚像素单元，每一所述亚像素单元包括发光区；

在所述盖板靠近所述基板的一侧制作支撑结构，所述支撑结构在所述基板上的正投影区域与所述发光区不重叠；

在所述盖板靠近所述基板的一侧制作遮光层，所述遮光层在所述基板上的正投影区域与所述发光区之外的区域重叠；

其中，所述在所述基板靠近所述盖板的一侧制作若干阵列排布的亚像素单元，包括：

在所述基板靠近所述盖板的一侧制作平坦层，通过构图工艺在所述平坦层靠近所述盖板的一侧制作多个凹陷结构，所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域覆盖所述发光区。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述基板靠近所述盖板的一侧制作平坦层后，包括：

通过构图工艺在所述平坦层靠近所述盖板的一侧制作阳极层，所述阳极层在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠；

通过蒸镀工艺在所述阳极层远离所述平坦层的一侧制作发光层，所述发光层在所述基板上的正投影区域与所述凹陷结构在所述基板上的正投影区域重叠。

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