CN105226080A - 一种显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示装置及其制造方法，显示装置包括：背板模块，包括TFT驱动背板以及TFT驱动背板之上的绝缘层；像素定义层、透明导电层和有机发光层，形成于绝缘层之上，像素定义层包含多个开口，透明导电层包括开口区透明导电层与非开口区透明导电层，开口区透明导电层位于像素定义层的多个开口中，有机发光层形成于开口区透明导电层之上，以相应形成多个子像素；在至少一种颜色的子像素的下方的背板模块中设有立体下凹孔，每个立体下凹孔对应一个开口，开口区透明导电层和有机发光层位于立体下凹孔中。本发明改变了像素区域的空间结构，增加发光区域表面积，可适用于各种显示装置，使得在高PPI情况下，电流密度不会增大，电压和功耗降低。

Description

一种显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种低功耗的显示装置及其制造方法。
背景技术
现有的AMOLED面板中像素排布一般为真实像素排布(Real排布)，这种排布的构造方式比较简单，版图设计和掩膜制作都比较方便，工艺制作也比较容易。
如图1a所示，传统的AMOLED面板包括背板模块1’、钝化层2’、平坦化层3’、像素定义层7’、透明导电层4’与有机发光层6’。其中钝化层2’形成在背板模块1’之上，平坦化层3’形成在钝化层2’之上。像素定义层7’形成于所述绝缘层上，所述像素定义层7’包含多个开口，且可以与平坦化层3’同层同质。透明导电层4’形成于所述绝缘层表面，包括开口区透明导电层4a’与非开口区透明导电层4b’，开口区透明导电层4a’位于所述像素定义层的所述多个开口中，非开口区透明导电层4b’位于所述绝缘层与所述像素定义层之间。有机发光层6’形成于所述开口区透明导电层4a’之上，以相应形成多个子像素。开口区透明导电层4a’的表面积、有机发光层6’的表面积与开口的表面积相同。单个子像素的发光面积等于其所在开口中的平面化的面积。图中，三段开口区透明导电层4a’所在的位置分别对应红色子像素R’、绿色子像素G’和蓝色子像素B’。
另外如图1b所示，8’为开在绝缘层中的过孔，9’为背板模块中的TFT，10’为有机发光单元中的阴极。所述非开口区透明导电层4b’通过过孔8’与非开口区的TFT9’相连。
但是，随着智能手机的应用，对高PPI(高解析度，即每英寸所拥有的像素数目，PixelsPerInch)的追求就一直是AMOLED的主要目标。
由于AMOLED的像素发光点是利用精细金属掩模(FineMetalMask)在蒸镀工艺中制作的，受到工艺规则及掩模本身的限制，当面板在高PPI的时候，开口率自然会减小。
当像素开口率变小的时候，发光区域的面积也就变小，而就整个Panel而言，我们设定的电流是一定的，所以每个像素的电流密度就会随之增加。如图2所示，根据AMOLED面板的电流密度与电压曲线(J-VCurve)可知，当电流密度增加时，电压也随之增加。
以A，B两种开口率不同情况为例(B的开口率小于A的开口率)，同样产品功耗的改变值，开口率减小带来了10％～15％的功耗增加量。对于便携式应用的手机来说，这种改变极为不利。如何在实现高PPI的前提下，同时不带来功耗的额外增加，成为一个非常重要的课题。
行业中也有人尝试提到颜色演算(Rendering)的办法可以既保证高PPI，同时保证开口率不变小。但是这种方法的不足在于：
1、演算显示效果不如Real，比如斜线毛刺的问题；
2、电路(IC)会变得复杂，增加很多成本；
3、缺乏核心的算法专利。
有鉴于此，发明人提供了一种低功耗的显示装置及其制造方法。
另外，在现有技术中，就一个AMOLED面板而言，整体跨压的设计一般是一定的，所以这个设定必须给各子像素的电压留足缓冲，让各子像素的电压都能够保证。在这种情况下，部分子像素的电压大小超过所需电压，出现电压设置冗余，造成的功耗浪费会成为整个设置的瓶颈。
有鉴于此，本发明提供了一种低功耗的显示装置及其制造方法。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的在于提供一种显示装置及其制造方法，改变了像素区域的空间结构，增加发光区域表面积，可适用于各种显示装置。
本发明的第一发明目的是：通过设置下凹孔也可以在高PPI、开口率降低的情况下，增大发光面积，减小电流密度，从而节省功耗。
本发明的另一发明目的是：通过三个子像素的电压匹配，消除或减小电压冗余，从而节省功耗。
根据本发明的一个方面，提供一种包括多种颜色的多个子像素的显示装置，包括：
背板模块，包括包含TFT驱动背板以及形成于所述TFT驱动背板之上的绝缘层；
像素定义层，形成于所述绝缘层上，所述像素定义层包含多个开口；
有机发光层，所述有机发光层形成于所述多个开口中，以相应形成多个子像素；
在至少一种颜色的所述子像素的下方的所述绝缘层中有立体下凹孔，每个所述立体下凹孔对应所述像素定义层的一个开口，所述有机发光层形成于所述多个立体下凹孔中，以相应形成多个子像素。
优选地，所述显示装置还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述绝缘层表面，包括开口区透明导电层和非开口区透明导电层，所述开口区透明导电层位于所述像素定义层的所述多个开口中，所述非开口区透明导电层位于所述绝缘层与所述像素定义层之间；
在所述立体下凹孔中，所述开口区透明导电层贴合每个所述立体下凹孔的表面，所述立体下凹孔中所述透明导电层的表面积大于所述像素定义层的对应的开口的面积。
优选地，所述绝缘层包括平坦化层，所述立体下凹孔未贯穿所述平坦化层。
优选地，所述绝缘层包括平坦化层和钝化层，所述平坦化层形成于所述钝化层之上。
优选地，所述立体下凹孔未贯穿所述平坦化层。
优选地，所述立体下凹孔贯穿所述平坦化层，且未贯穿所述钝化层。
优选地，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；不同颜色的所述子像素对应的立体下凹孔的表面积不同，不同颜色的所述子像素的电压相等。
优选地，红色子像素对应的立体下凹孔的表面积大于绿色子像素对应的立体下凹孔的表面积。
优选地，绿色子像素对应的立体下凹孔的表面积大于蓝色子像素对应的立体下凹孔的表面积。
优选地，所述不同颜色子像素的电流(I)、电压(V)、电流密度(J)和发光区域的面积(S)四者具有以下基本函数关系：J＝F(V)，I＝JS，J＝F(V)对应电流密度随电压变化的曲线，所述该子像素的电流值为该类型有机发光器件中该子像素的可确定的电流值；
所述发光区域的面积(S)与电流(I)、电压(V)的函数关系为S＝[I/F(V)]；利用所述发光区域的面积(S)与电流(I)、电压(V)的函数关系，根据设定的电压值来匹配各子像素的表面积。
优选地，所述立体下凹孔由至少一个凹坑组成，所述凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱台坑、倒椎体坑、半球体坑中的任意一种。
根据本发明的另一个方面，还提供一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括多种颜色的多个子像素，所述制造方法包括以下步骤：
制作背板模块，所述背板模块包括TFT驱动背板以及形成于所述TFT驱动背板之上的绝缘层，在至少一种颜色的所述子像素的对应背板区设置立体下凹孔；
在所述绝缘层与所述多个立体下凹孔的表面形成透明导电层；
在所述绝缘层上形成像素定义层，所述像素定义层包含多个开口，所述多个立体下凹孔对应所述像素定义层的多个开口，位于所述开口区的透明导电层对应为开口区透明导电层，位于所述绝缘层与所述像素定义层之间的透明导电层对应为非开口区透明导电层；
在所述多个开口中形成有机发光层，其中所述有机发光层形成于开口区透明导电层之上，以相应形成多个子像素。
优选地，利用灰阶掩膜来刻蚀所述立体下凹孔。
优选地，分次刻蚀不同颜色的所述子像素对应的立体下凹孔。
优选地，所述立体下凹孔开设于所述绝缘层中，所述开口区透明导电层贴合每个所述立体下凹孔的表面，所述立体下凹孔中所述透明导电层的表面积大于所述像素定义层的对应的开口的面积。
优选地，所述绝缘层包括平坦化层，刻蚀所述立体下凹孔时，未贯穿所述平坦化层。
优选地，所述绝缘层包括平坦化层和钝化层，在所述钝化层之上形成所述平坦化层。
优选地，刻蚀所述立体下凹孔时，未贯穿所述平坦化层。
优选地，，刻蚀所述立体下凹孔时，贯穿所述平坦化层，且未贯穿所述钝化层。
优选地，所述立体下凹孔由至少一个凹坑组成，所述凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱台坑、倒椎体坑、半球体坑中的任意一种。
本发明的显示装置及其制造方法改变了像素区域的空间结构，增加发光区域表面积，可适用于各种显示装置，使得在高PPI情况下，电流密度不会增大，电压和功耗降低。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1a为现有技术的显示装置的单个像素的剖面图；
图1b为现有技术的显示装置的单个子像素的剖面图；
图2为现有技术的显示装置的电流密度与电压曲线图；
图3a为本发明的第一种显示装置的单个像素的剖面图；
图3b为本发明的第一种显示装置的单个子像素的剖面图；
图4为本发明的第二种显示装置的单个像素的剖面图；
图5为本发明的第三种显示装置的单个像素的剖面图；
图6为本发明的第四种显示装置的单个像素的剖面图；
图7为本发明的第五种显示装置的单个像素的剖面图；
图8为本发明的显示装置的电压与电流曲线图；
图9为本发明的第六种显示装置的单个像素的剖面图；以及
图10为本发明的第七种显示装置的单个像素的剖面图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
如图3a所示，本发明的一种显示装置，包括：背板模块1、钝化层2、平坦化层3、像素定义层7、透明导电层4与有机发光层6。其中钝化层2形成在背板模块1之上，平坦化层3形成在钝化层2之上。像素定义层7形成于所述绝缘层上，所述像素定义层7包含多个开口，且可以与平坦化层3同层同质。透明导电层4形成于所述绝缘层表面，包括开口区透明导电层4a与非开口区透明导电层4b，所述开口区透明导电层4a位于所述像素定义层的所述多个开口中，所述非开口区透明导电层4b位于所述绝缘层与所述像素定义层之间；有机发光层6形成于所述开口区透明导电层4a之上，以相应形成多个子像素。其中，在至少一种颜色的子像素的下方的背板模块1中设有立体下凹孔5，每个立体下凹孔5对应像素定义层7的一个开口，所述开口区透明导电层4a位于所述下凹孔5的表面，所述有机发光层6形成于所述开口区透明导电层4a之上，以相应形成多个子像素。有机发光层6位于立体下凹孔5的立体表面之上，在子像素占据相同的平面表面积的情况下，本发明的立体型的表面积大于现有技术中的平面型的表面积。立体下凹孔5开设于绝缘层中，开口区透明导电层4a贴合每个立体下凹孔5的表面，立体下凹孔5中开口区透明导电层4a的表面积大于像素定义层7的对应的开口的面积。三段开口区透明导电层4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。本发明中的显示装置可以运用于任意面板结构，可以是曲面的面板，也可以是平面的面板，不以此为限。
另外如图3b所示，8为开在绝缘层中的过孔，9为背板模块中的TFT，10为有机发光单元中的阴极。所述非开口区透明导电层4b通过过孔8与非开口区的TFT9相连。
本实施例中的绝缘层包括平坦化层3，立体下凹孔5未贯穿平坦化层3。或者，绝缘层包括平坦化层3和钝化层2，平坦化层3形成于钝化层2之上。而且，立体下凹孔5可以未贯穿平坦化层3，立体下凹孔5也可以贯穿平坦化层3，且未贯穿钝化层2。立体下凹孔5由至少一个凹坑组成，凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱台坑、倒椎体坑、半球体坑中的任意一种。
以下列出立体下凹孔5的几种具体结构，但不以此为限：
继续参考图3a，三段开口区透明导电层4a所在的位置分别对应RGB三个子像素(未示出)红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。每一个子像素的立体下凹孔立体下凹孔5都是一个三角槽，开口区透明导电层4a和有机发光层6都位于三角槽的表面，且每个三角槽都未贯穿平坦化层3。
如图4所示，开口区透明导电层4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。每一个子像素的立体下凹孔5都是一个半球体坑，开口区透明导电层4a和有机发光层6都位于半球体坑的表面，且每个半球体坑都未贯穿平坦化层3。
如图5所示，开口区透明导电层4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。每一个子像素的立体下凹孔5都是一个深三角槽，开口区透明导电层4a和有机发光层6都位于深三角槽的表面，且每个深三角槽都贯穿平坦化层3，且未贯穿钝化层2。
如图6所示，三段开口区透明导电层4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。每一个子像素的立体下凹孔5都是一个半球体深坑，开口区透明导电层4a和有机发光层6都位于半球体深坑的表面，且每个半球体深坑都贯穿平坦化层3，且每个半球体深坑未贯穿钝化层2。
如图7所示，三段开口区透明导电层4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。每一个子像素的立体下凹孔5都是两个相互连续的三角槽，开口区透明导电层4a和有机发光层6都位于连续的三角槽的表面，且每个三角槽都未贯穿平坦化层3。
参考图2所示的电压与电流密度关系曲线与图8所示的电压与电流关系曲线图，所述不同颜色子像素的电流(I)、电压(V)、电流密度(J)和发光区域的面积(S)四者具有以下基本函数关系：J＝F(V)，I＝JS，J＝F(V)对应电流密度随电压变化的曲线，所述该子像素的电流值为该类型有机发光器件中该子像素的可确定的电流值。
根据以上函数关系以及曲线，当显示装置分辨率升高、开口率降低，相应子像素的发光面积减小，子像素的电流密度升高、电压升高，功耗增加。
与现有技术中的平面化的开口相比，本发明通过设置立体下凹孔5也可以在高PPI、开口率降低的情况下，有效增大各子像素发光区域的面积，减小电流密度，减小电压，从而节省功耗。
另一方面，同样参考图2所示的电压与电流密度关系曲线与图8所示的电压与电流关系曲线图，当所有子像素的面积相等，各子像素的所需电压是不同的。在现有技术中，就一个AMOLED面板而言，整体跨压的设计一般是一定的，这个设定必须给各子像素的电压留足缓冲，让各子像素的电压都能够保证。这种设置下，部分子像素的电压大小超过所需电压，出现电压设置冗余，造成的功耗浪费，成为整个设置的瓶颈。
有鉴于此，本发明通过改变不同子像素的表面积，使得不同子像素电压达到平衡，从而达到减小冗余、节省功耗的目的。
不同子像素的表面积的设定，可按照以下方式：
设置不同子像素的一相同或相近电压值，由“J＝F(V)”曲线得到不同子像素对应的电流密度值(J)，再根据已知的各子像素的电流值和“I＝JS”函数关系匹配出各子像素所对应的各子像素发光区域的面积。
如图9所示，多个子像素包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。不同颜色的子像素对应的立体下凹孔的表面积不同，以使得不同颜色的子像素的电压相等。例如，红色子像素R对应的立体下凹孔51的表面积大于绿色子像素G对应的立体下凹孔52的表面积，但不以此为限。绿色子像素G对应的立体下凹孔52的表面积大于蓝色子像素B对应的立体下凹孔53的表面积，但不以此为限。
继续参考图9，三段开口区透明导电层4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。其中，红色子像素R的立体下凹孔51是一个深三角槽，且该深三角槽贯穿平坦化层3，且未贯穿钝化层2。绿色子像素G的立体下凹孔52和蓝色子像素B的立体下凹孔53都是一个半球体坑，且每个半球体坑都未贯穿平坦化层3，其中，绿色子像素G的立体下凹孔52比蓝色子像素B的立体下凹孔53更深。从表面积来说，红色子像素R的立体下凹孔51(三角槽的表面积)大于绿色子像素G的立体下凹孔52(深半球体坑)，绿色子像素G的立体下凹孔52(深半球体坑)大于蓝色子像素B的立体下凹孔53(浅半球体坑)。所以，红色子像素R的立体下凹孔51中的开口区透明导电层4a(或有机发光层6)的表面积要大于绿色子像素G立体下凹孔52中的开口区透明导电层4a(或有机发光层6)的表面积；绿色子像素G立体下凹孔52中的开口区透明导电层4a(或有机发光层6)的表面积大于蓝色子像素B立体下凹孔53中的开口区透明导电层4a(或有机发光层6)的表面积。
本发明通过调整不同颜色的子像素的表面积来避免其中任意一种颜色的子像素的电压大小超过所需电压，不同表面积的结构使得三个子像素的电压能够接近相等，所以不会出现电压设置冗余，减少了功耗浪费，避免了整个设置的瓶颈。
如图10所示，三段开口区透明4a所在的位置分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。其中，红色子像素R的立体下凹孔51和蓝色子像素B的立体下凹孔53都是一个半球体坑，且每个半球体坑都未贯穿平坦化层3，其中，红色子像素R的立体下凹孔51比蓝色子像素B的立体下凹孔53更深。而蓝色子像素B(中间的开口区透明导电层4a所对应的位置)可以是传统的平面行结构。从表面积来说，红色子像素R的立体下凹孔51(深半球体坑)大于绿色子像素G的立体下凹孔52(浅半球体坑)，绿色子像素G的立体下凹孔52(浅半球体坑)大于蓝色子像素B的立体下凹孔53(平面行结构)。图10的效果与图9中相同，此处不再赘述。
本发明还提供一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括多种颜色的多个子像素，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
制作背板模块，所述背板模块包括TFT驱动背板以及形成于所述TFT驱动背板之上的绝缘层，在至少一种颜色的所述子像素的对应背板区设置立体下凹孔；
在所述绝缘层与所述多个立体下凹孔的表面形成透明导电层；
在所述绝缘层上形成像素定义层，所述像素定义层包含多个开口，所述多个立体下凹孔对应所述像素定义层的多个开口，位于所述开口区的透明导电层对应为开口区透明导电层，位于所述绝缘层与所述像素定义层之间的透明导电层对应为非开口区透明导电层；
在所述多个开口中形成有机发光层，其中所述有机发光层形成于开口区透明导电层之上，以相应形成多个子像素。
在至少一种颜色的子像素的下方设有立体下凹孔，每个立体下凹孔对应像素定义层7的一个开口，子像素的开口区透明导电层4a和有机发光层6位于形成于立体下凹孔中。立体下凹孔开设于绝缘层中，开口区透明导电层4a贴合每个立体下凹孔的表面，立体下凹孔中开口区透明导电层4a的表面积大于像素定义层7的对应的开口的面积。立体下凹孔由至少一个凹坑组成，凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱台坑、倒椎体坑、半球体坑中的任意一种。
其中，可以利用灰阶掩膜刻蚀工艺来刻蚀立体下凹孔，但不以此为限。在形成各个立体下凹孔的过程中，分次刻蚀不同颜色的子像素对应的立体下凹孔，但不以此为限。
如果绝缘层包括平坦化层3，刻蚀立体下凹孔时，未贯穿平坦化层3，但不以此为限。如果绝缘层包括平坦化层3和钝化层2，在钝化层2之上形成平坦化层3，但不以此为限。刻蚀立体下凹孔时，可以未贯穿平坦化层3，或者，贯穿平坦化层3，且未贯穿钝化层2，但不以此为限。
本发明跳脱出现有技术的思维(平面型的像素构造)，给出一种新的既保证真实像素排布(Real排布)模式的高PPI，同时也能保证电流密度不变小的方法。通过在子像素中构造立体维度的“纵深结构”，以此来增加发光点的“表面积”，这时，电流密度并不会增大，电压自然不会上升，功耗也不会增加。
综上可知，本发明的显示装置及其制造方法改变了像素区域的空间结构，增加发光区域表面积，可适用于各种显示装置，使得在高PPI情况下，电流密度不会增大，电压和功耗降低。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。

Claims (20)

1.一种包括多种颜色的多个子像素的显示装置，包括：
背板模块，包括包含TFT驱动背板以及形成于所述TFT驱动背板之上的绝缘层；
像素定义层，形成于所述绝缘层上，所述像素定义层包含多个开口；
有机发光层，所述有机发光层形成于所述多个开口中，以相应形成多个子像素；
其特征在于，在至少一种颜色的所述子像素的下方的所述绝缘层中有立体下凹孔，每个所述立体下凹孔对应所述像素定义层的一个开口，所述有机发光层形成于所述多个立体下凹孔中，以相应形成多个子像素。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述绝缘层表面，包括开口区透明导电层和非开口区透明导电层，所述开口区透明导电层位于所述像素定义层的所述多个开口中，所述非开口区透明导电层位于所述绝缘层与所述像素定义层之间；
在所述立体下凹孔中，所述开口区透明导电层贴合每个所述立体下凹孔的表面，所述立体下凹孔中所述透明导电层的表面积大于所述像素定义层的对应的开口的面积。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘层包括平坦化层，所述立体下凹孔未贯穿所述平坦化层。
4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘层包括平坦化层和钝化层，所述平坦化层形成于所述钝化层之上。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述立体下凹孔未贯穿所述平坦化层。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述立体下凹孔贯穿所述平坦化层，且未贯穿所述钝化层。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；不同颜色的所述子像素对应的立体下凹孔的表面积不同，不同颜色的所述子像素的电压相等。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，红色子像素对应的立体下凹孔的表面积大于绿色子像素对应的立体下凹孔的表面积。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，绿色子像素对应的立体下凹孔的表面积大于蓝色子像素对应的立体下凹孔的表面积。
10.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述不同颜色子像素的电流(I)、电压(V)、电流密度(J)和发光区域的面积(S)四者具有以下基本函数关系：J＝F(V)，I＝JS，J＝F(V)对应电流密度随电压变化的曲线，所述该子像素的电流值为该类型有机发光器件中该子像素的可确定的电流值；
所述发光区域的面积(S)与电流(I)、电压(V)的函数关系为S＝[I/F(V)]；利用所述发光区域的面积(S)与电流(I)、电压(V)的函数关系，根据设定的电压值来匹配各子像素的表面积。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述立体下凹孔由至少一个凹坑组成，所述凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱台坑、倒椎体坑、半球体坑中的任意一种。
12.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括多种颜色的多个子像素，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
制作背板模块，所述背板模块包括TFT驱动背板以及形成于所述TFT驱动背板之上的绝缘层，在至少一种颜色的所述子像素的对应背板区设置立体下凹孔；
在所述绝缘层与所述多个立体下凹孔的表面形成透明导电层；
在所述绝缘层上形成像素定义层，所述像素定义层包含多个开口，所述多个立体下凹孔对应所述像素定义层的多个开口，位于所述开口区的透明导电层对应为开口区透明导电层，位于所述绝缘层与所述像素定义层之间的透明导电层对应为非开口区透明导电层；
在所述多个开口中形成有机发光层，其中所述有机发光层形成于开口区透明导电层之上，以相应形成多个子像素。
13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，利用灰阶掩膜来刻蚀所述立体下凹孔。
14.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，分次刻蚀不同颜色的所述子像素对应的立体下凹孔。
15.如权利要求12至14中任意一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述立体下凹孔开设于所述绝缘层中，所述开口区透明导电层贴合每个所述立体下凹孔的表面，所述立体下凹孔中所述透明导电层的表面积大于所述像素定义层的对应的开口的面积。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括平坦化层，刻蚀所述立体下凹孔时，未贯穿所述平坦化层。
17.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括平坦化层和钝化层，在所述钝化层之上形成所述平坦化层。
18.如权利要求17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，刻蚀所述立体下凹孔时，未贯穿所述平坦化层。
19.如权利要求17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，刻蚀所述立体下凹孔时，贯穿所述平坦化层，且未贯穿所述钝化层。
20.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述立体下凹孔由至少一个凹坑组成，所述凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱台坑、倒椎体坑、半球体坑中的任意一种。
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