CN111243963A - 一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法 - Google Patents
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111243963A CN111243963A CN202010064243.7A CN202010064243A CN111243963A CN 111243963 A CN111243963 A CN 111243963A CN 202010064243 A CN202010064243 A CN 202010064243A CN 111243963 A CN111243963 A CN 111243963A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium oxide
- ohmic contact
- semiconductor device
- oxide substrate
- oxide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 102
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 38
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括采用光刻工艺在氧化镓衬底的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，此区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡；衬底上表面注入掺杂离子；去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；进行热处理；采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，此区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡；在氧化镓衬底上表面形成金属电极；去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；快速退火处理。本发明中增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其欧姆接触区域的掺杂范围、浓度、深度都可精确控制，制备工艺简单，结合注入后的热退火处理，能够有效增强氧化镓半导体器件欧姆接触，形成具有良好欧姆接触的氧化镓半导体器件。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法。
背景技术
氧化镓是一种新型宽禁带半导体材料，其存在五种同分异构体，分别是α型、β型、γ型、δ型和ε型，其中β型的氧化镓热力学稳定性最好，并已得到广泛研究。氧化镓具有超宽禁带宽度4.6-4.9eV，其理论击穿电场达到8MV/cm，比碳化硅、氮化镓的击穿电场大3倍。由于氧化镓的材料性质，其具备制作高耐压、大功率、低损耗功率器件及深紫外光电器件的能力，可以很好的弥补现有硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料的不足。
欧姆接触主要形成氧化镓半导体器件源极和漏极的电极，其性能的优劣将直接影响器件的直流和微波特性，直流特性如源漏电流、膝点电压、势垒特性等，微波特性如输出功率、噪声频率特性、热稳定性等。
欧姆接触性能通常以比接触电阻率Rc来衡量，单位为Ω·cm2,其公式为
其中，J为电流密度，V为外加电压。
对于不同掺杂浓度的半导体材料，Rc表现出的欧姆接触性能不同。
(1)当半导体处于低掺杂浓度时，热离子发射效应起主要作用，Rc可表示为
其中，k为波尔兹曼常数，q为电荷电量，A*为波尔兹曼常数，
为肖特基势垒高度，T为温度。
(2)当半导体处于高掺杂浓度时，势垒高度
比较小，隧穿效应对电流的贡献起主要因素，此时
式中，m为隧穿有效质量，ε为半导体介电常数，ND为半导体掺杂浓度，h为普朗克常数。
对于低掺杂浓度的欧姆接触，比接触电阻Rc仅是势垒高度
的函数，与半导体掺杂浓度无关；对于高掺杂浓度的欧姆接触，比接触电阻既与势垒高度
表现出相关性，也与半导体掺杂浓度ND密切相关。因此，为得到良好的金属半导体欧姆接触，可通过选择合适的金属材料降低肖特基势垒高度
和控制半导体掺杂浓度进行优化。
通常，形成氧化镓半导体器件欧姆接触的方法是在氧化镓表面沉积金属电极，如Ni/Au、Ti/Au等，随后通过高温退火形成欧姆特性。该方法所形成的欧姆接触受退火时间和温度的影响较大，且需要较高的退火温度，金属表面颗粒度、粗糙度、以及金属与半导体形成欧姆接触的深度均不易控制。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，欧姆接触区域的掺杂范围、浓度、深度都可精确控制，其制备工艺简单，结合注入后的热退火处理，能够形成良好欧姆接触的氧化镓半导体器件。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括以下步骤：
(1)采用光刻工艺在氧化镓衬底的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，将氧化镓衬底上表面定义完成的区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡；
(2)在氧化镓衬底的上表面注入掺杂离子；
(3)离子注入完成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；
(4)对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理；
(5)采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，将氧化镓衬底上表面的离子注入区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡；
(6)在氧化镓衬底上表面形成金属电极；
(7)金属电极形成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；
(8)快速退火处理。
本技术方案中，进一步地，步骤(2)中，掺杂离子为硅离子、铂离子、锌离子、锗离子中的一种。
进一步地，步骤(2)中，掺杂离子的掺杂浓度为1×1012cm-3～1×1020cm-3。
进一步地，步骤(2)中，在氧化镓衬底的上表面注入掺杂离子的工艺采用离子注入工艺。
进一步地，步骤(4)中，对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理的温度为500～1500℃，热处理时间为1s～600s，热处理环境为真空、惰性气体中的一种或者多种组合。
进一步地，步骤(6)中，金属电极所用金属为Ti、Pt、Au、Al、Ni、In、Cu、Co、Fe中的一种或者多种组合。
进一步地，步骤(6)中，金属电极的厚度为1nm～1000nm。
进一步地，步骤(6)中，形成金属电极的方法是热蒸发法、磁控溅射法、电子束蒸发法、分子束外延法或原子层外延法。
进一步地，步骤(8)中，快速退火处理的温度为100～2000℃，时间为1s～600s，环境为真空、惰性气体中的一种或者多种组合。
有益效果
本发明中增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其欧姆接触区域的掺杂范围、浓度、深度都可精确控制，制备工艺简单，结合注入后的热退火处理，能够有效增强氧化镓半导体器件欧姆接触，形成具有良好欧姆接触的氧化镓半导体器件。对于本发明所采用的工艺方法，其表征欧姆接触性能的比接触电阻率Rc<0.05Ω·cm2。而传统工艺中，直接在氧化镓表面沉积金属电极，随后通过高温退火形成欧姆特性，其Rc约为0.4Ω·cm2。
传统工艺是在氧化镓表面沉积金属电极，如Ni/Au、Ti/Au等，随后通过高温退火形成欧姆特性，该方法所形成的欧姆接触受退火时间和温度的影响较大，且需要较高的退火温度，金属表面颗粒度、粗糙度、以及金属与半导体形成欧姆接触的深度均不易控制，本发明是在半导体材料表面利用光刻工艺进行掺杂离子注入，经快速退火后，形成均匀分布的注入层，随后进行金属电极的沉积和热处理，相比较传统方法，本发明形成的欧姆接触表面金属颗粒度、粗糙度较低，平整性好，同时由于离子注入工艺的引入，半导体材料的掺杂均匀性好，可以精确控制杂质的掺杂含量，退火温度低，因此能够形成更加良好的欧姆接触。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明实施例中形成从后的氧化镓衬底的结构示意图；
图2为本发明实施例中形成离子注入层后的氧化镓衬底的结构示意图；
图3为本发明实施例中去除离子注入用光刻胶层后的氧化镓衬底的结构示意图；
图4为本发明实施例中形成金属电极用光刻胶层后的氧化镓衬底的结构示意图；
图5为本发明实施例中去除金属电极用光刻胶层后的氧化镓衬底的结构示意图；
图6为本发明实施例中形成金属电极层后的氧化镓衬底的结构示意图；
图7为本发明实施例中去除金属电极用光刻胶层后的氧化镓衬底的结构示意图。
附图中：
1、氧化镓衬底 2、离子注入用光刻胶层 3、离子注入层 4、金属电极用光刻胶层 5、金属电极层
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括以下步骤：
(1)采用光刻工艺在氧化镓衬底1的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，将氧化镓衬底1上表面定义完成的区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡，形成离子注入用光刻胶层2，如图1所示；
(2)在氧化镓衬底1的上表面注入硅掺杂离子，掺杂浓度为2.5×1015cm-3，掺杂离子的工艺采用离子注入工艺，形成离子注入层3，如图2所示；
(3)离子注入完成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图3所示；
(4)对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理，热处理的温度为1000℃，热处理时间为600s，热处理环境为真空；
(5)采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，将氧化镓衬底上表面的离子注入区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡，形成金属电极用光刻胶层4，如图4所示；
(6)在氧化镓衬底1上表面利用热蒸发工艺形成金属电极，形成金属电极层5，电极为Ti/Au，Ti电极的厚度为20nm，Au电极的厚度为200nm，如图5所示；
(7)金属电极形成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图6所示；
(8)快速退火处理，快速退火的温度为400℃，时间为200s，环境为真空。
实施例2
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括以下步骤：
(1)采用光刻工艺在氧化镓衬底1的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，将氧化镓衬底1上表面定义完成的区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡，形成离子注入用光刻胶层2，如图1所示；
(2)在氧化镓衬底1的上表面注入铂掺杂离子，掺杂浓度为1×1015cm-3，掺杂离子的工艺采用离子注入工艺，形成离子注入层3，如图2所示；
(3)离子注入完成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图3所示；
(4)对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理，热处理的温度为800℃，热处理时间为400s，热处理环境为氩气；
(5)采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，将氧化镓衬底上表面的离子注入区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡，形成金属电极用光刻胶层4，如图4所示；
(6)在氧化镓衬底1上表面利用热蒸发工艺形成金属电极，形成金属电极层5，电极为Ni/Au，Ni电极的厚度为100nm，Au电极的厚度为100nm，如图5所示；
(7)金属电极形成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图6所示；
(8)快速退火处理，快速退火的温度为500℃，时间为300s，环境为真空。
实施例3
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括以下步骤：
(1)采用光刻工艺在氧化镓衬底1的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，将氧化镓衬底1上表面定义完成的区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡，形成离子注入用光刻胶层2，如图1所示；
(2)在氧化镓衬底1的上表面注入锌掺杂离子，掺杂浓度为5×1016cm-3，掺杂离子的工艺采用离子注入工艺，形成离子注入层3，如图2所示；
(3)离子注入完成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图3所示；
(4)对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理，热处理的温度为1500℃，热处理时间为300s，热处理环境为氩气；
(5)采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，将氧化镓衬底上表面的离子注入区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡，形成金属电极用光刻胶层4，如图4所示；
(6)在氧化镓衬底1上表面利用热蒸发工艺形成金属电极，形成金属电极层5，电极为Ti/Pt/Ni/Au，Ti电极的厚度为10nm，Pt电极的厚度为10nm，Ni/电极的厚度为10nm，Au电极的厚度为100nm，如图5所示；
(7)金属电极形成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图6所示；
(8)快速退火处理，快速退火的温度为450℃，时间为450s，环境为氩气。
实施例4
一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括以下步骤：
(1)采用光刻工艺在氧化镓衬底1的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，将氧化镓衬底1上表面定义完成的区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡，形成离子注入用光刻胶层2，如图1所示；
(2)在氧化镓衬底1的上表面注入锗掺杂离子，掺杂浓度为3.5×1017cm-3，掺杂离子的工艺采用离子注入工艺，形成离子注入层3，如图2所示；
(3)离子注入完成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图3所示；
(4)对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理，热处理的温度为600℃，热处理时间为200s，热处理环境为氩气；
(5)采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，将氧化镓衬底上表面的离子注入区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡，形成金属电极用光刻胶层4，如图4所示；
(6)在氧化镓衬底1上表面利用热蒸发工艺形成金属电极，形成金属电极层5，电极为Au，Au电极的厚度为200nm，如图5所示；
(7)金属电极形成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶，如图6所示；
(8)快速退火处理，快速退火的温度为550℃，时间为300s，环境为真空。
对于实施例1至实施例4中的氧化镓半导体器件的欧姆接触表面的比接触电阻率进行测试，得到以下的结果：
对于实例1、2、3、4中所采用的工艺方法，其表征欧姆接触性能的比接触电阻率Rc<0.05Ω·cm2。而传统工艺中，直接在氧化镓表面沉积金属电极，随后通过高温退火形成欧姆特性，其Rc约为0.4Ω·cm2。以上四个实例体现出了优良的欧姆接触性能。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用光刻工艺在氧化镓衬底的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，将氧化镓衬底上表面定义完成的区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡；
(2)在氧化镓衬底的上表面注入掺杂离子；
(3)离子注入完成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；
(4)对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理；
(5)采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，将氧化镓衬底上表面的离子注入区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡；
(6)在氧化镓衬底上表面形成金属电极；
(7)金属电极形成后，去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；
(8)快速退火处理。
2.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，掺杂离子为硅离子、铂离子、锌离子、锗离子中的一种。
3.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，掺杂离子的掺杂浓度为1×1012cm-3～1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，在氧化镓衬底的上表面注入掺杂离子的工艺采用离子注入工艺。
5.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，对于离子注入完成的氧化镓衬底进行热处理的温度为500～1500℃，热处理时间为1s～600s，热处理环境为真空、惰性气体中的一种或者多种组合。
6.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(6)中，金属电极所用金属为Ti、Pt、Au、Al、Ni、In、Cu、Co、Fe中的一种或者多种组合。
7.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(6)中，金属电极的厚度为1nm～1000nm。
8.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(6)中，形成金属电极的方法是热蒸发法、磁控溅射法、电子束蒸发法、分子束外延法或原子层外延法。
9.根据权利要求1所述的增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述步骤(8)中，快速退火处理的温度为100～2000℃，时间为1s～600s，环境为真空、惰性气体中的一种或者多种组合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010064243.7A CN111243963A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010064243.7A CN111243963A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111243963A true CN111243963A (zh) | 2020-06-05 |
Family
ID=70872810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010064243.7A Withdrawn CN111243963A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111243963A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114709138A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-07-05 | 西安电子科技大学杭州研究院 | 一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法和制备系统 |
| US11476116B2 (en) * | 2020-08-13 | 2022-10-18 | Korea Institute Of Ceramic Engineering And Technology | Manufacturing method of gallium oxide thin film for power semiconductor using dopant activation technology |
-
2020
- 2020-01-20 CN CN202010064243.7A patent/CN111243963A/zh not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11476116B2 (en) * | 2020-08-13 | 2022-10-18 | Korea Institute Of Ceramic Engineering And Technology | Manufacturing method of gallium oxide thin film for power semiconductor using dopant activation technology |
| CN114709138A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-07-05 | 西安电子科技大学杭州研究院 | 一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法和制备系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3184320B2 (ja) | ダイヤモンド電界効果トランジスタ | |
| US20080073646A1 (en) | P-channel nanocrystalline diamond field effect transistor | |
| TW201208079A (en) | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity | |
| CN111243963A (zh) | 一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法 | |
| CN108831928A (zh) | 一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及制备方法 | |
| US20080108190A1 (en) | SiC MOSFETs and self-aligned fabrication methods thereof | |
| US7994035B2 (en) | Semiconductor device fabricating method including thermal oxidation of a substrate, forming a second oxide, and thermal processing a gate electrode | |
| KR19980702229A (ko) | 핫 캐리어 트랜지스터와, 전자 소자 제조 방법 | |
| JP2004533727A (ja) | 炭化珪素金属酸化膜半導体電界効果型トランジスタの反転層の移動度を高める方法 | |
| CN114171392B (zh) | 一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法 | |
| Iliadis et al. | Ohmic metallization technology for wide band-gap semiconductors | |
| JP3333896B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| Ahn et al. | Formation of low-resistivity nickel germanide using atomic layer deposited nickel thin film | |
| TW201044587A (en) | Mosfet and method for manufacturing mosfet | |
| JP4153984B2 (ja) | トランジスタ | |
| JP2004095640A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3911658B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4869563B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| US8928064B2 (en) | Gate stack of boron semiconductor alloy, polysilicon and high-K gate dielectric for low voltage applications | |
| Wolborski et al. | Characterisation of the Al2O3 films deposited by ultrasonic spray pyrolysis and atomic layer deposition methods for passivation of 4H–SiC devices | |
| CN107818915B (zh) | 用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法 | |
| WO2024050865A1 (zh) | 一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法 | |
| JP3157122B2 (ja) | 炭化ケイ素へのイオン注入方法および炭化ケイ素半導体装置 | |
| Pfusterschmied et al. | Impact of Ar+ bombardment of 4H–SiC substrates on Schottky diode barrier heights | |
| TW200428499A (en) | Improved gate electrode for semiconductor devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20200605 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |