CN111223976A - 高亮度的led封装方法及结构 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000019771 cognition Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高亮度的LED封装方法及结构，该方法包括：S1、提供支架，所述支架具有支架本体及形成在所述支架本体内的碗杯；S2、MARK镭射；S3、印刷发光二极管锡膏；S4、锡膏检测；S5、安装发光二极管，所述发光二极管安装在碗杯内；S6、烘烤；S7、点导电胶；S8、固定齐纳二极管，所述齐纳二极管安装在碗杯内，且所述齐纳二极管位于所述发光二极管的一侧；S9、烘烤；S10、金线焊接；S11、在碗杯内点胶白色硅胶，高温烘烤固化，所述白色硅胶覆盖于碗杯内，但不覆盖发光二极管；S12、荧光胶点胶，高温烘烤固化；S13、切割、测试。本发明的高亮度的LED封装方法及高亮度LED结构通过在碗杯内涂覆白色硅胶，从而提高了发光亮度。
Description
技术领域
本发明涉及一种高亮度的LED封装方法及结构。
背景技术
随着人们生活水平提高，对消费类电子产品认知也随之提高，LED背光源已成为大家熟知的产品，LED背光源作为液晶显示面板的关键组成部分，其市场规模可与液晶显示面板产品的市场规模相对应，每一部搭载液晶显示面板的智能终端都对应一片LED背光源产品。产品应用在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无人机、车载显示、工控医疗、液晶电视、工业电脑、集中监控显示设备等领域.
LED灯条替代传统冷阴极灯管以来，各型新技术层次不穷，产品升级换代周期也越来越短，以LED背光电视为例：先后经历SD电视、FHD电视、(4K)UHD电视、8K UHD电视、这些都离不开LED技术的发展和支持，而LED发展至今，长寿命和低衰减度也一直是LED技术的重要指标。
在现有的LED结构中，支架的散热区布置在发光二极管的导电极的焊接区的正下方，而长时间点灯后，由于高温将造成其老化，使其亮度衰减。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高亮度的LED封装方法，可降低衰减性。
为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高亮度的LED封装方法，包括：
S1、提供支架，所述支架具有支架本体及形成在所述支架本体内的碗杯；
S2、MARK镭射；
S3、印刷发光二极管锡膏；
S4、锡膏检测；
S5、安装发光二极管，所述发光二极管安装在碗杯内；
S6、烘烤；
S7、点导电胶；
S8、固定齐纳二极管，所述齐纳二极管安装在碗杯内，且所述齐纳二极管位于所述发光二极管的一侧；
S9、烘烤；
S10、金线焊接；
S11、在碗杯内点胶白色硅胶，高温烘烤固化，所述白色硅胶覆盖于碗杯内，但不覆盖发光二极管；
S12、荧光胶点胶；
S13、高温烘烤固化；
S14、切割、测试。
进一步地，所述发光二极管采用覆晶封装技术制备而成。
进一步地，所述发光二极管尺寸为28*28mil。
进一步地，所述碗杯底部设置有用以与所述发光二极管实现焊接的固晶区，所述支架本体的侧面向外延伸形成有导电输入端和导电输出端，所述支架本体上开设有散热口，所述散热口位于所述支架本体的背面。
进一步地，所述碗杯具有内底面，所述固晶区自所述内底面向下凹陷形成。
进一步地，在所述步骤S11中，所述白色硅胶的点胶位置包括6个位置，其中一个位置布置于发光二极管的上侧、其中两个位置呈上下方式布置于发光二极管的右侧、其中三个位置呈类三角形方式布置于发光二极管的左侧。
本发明还提供了一种高亮度LED结构，包括支架、设置在所述支架内的发光二极管和齐纳二极管，所述支架包括用以收纳所述发光二极管和齐纳二极管的碗杯，所述碗杯内涂覆有白色硅胶，所述碗杯内还填充有荧光胶。
进一步地，所述碗杯底部设置有用以与所述发光二极管实现焊接的固晶区，所述支架包括支架本体，所述碗杯形成在所述支架本体内，所述支架本体的侧面向外延伸形成有导电输入端和导电输出端，所述支架本体上开设有散热口，所述散热口位于所述支架本体的背面。
进一步地，所述碗杯具有内底面，所述固晶区自所述内底面向下凹陷形成。
进一步地，所述碗杯具有上下相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述固晶区位于所述第一侧壁和第二侧壁之间，所述固晶区包括靠近所述第一侧壁设置的第一固晶区组和靠近所述第二侧壁的第二固晶区组，所述第一固晶区组距离所述第二侧壁30—80μm，所述第二固晶区组距离所述第一侧壁30—80μm，所述第一固晶区组、第二固晶区组对称设置在所述碗杯的中轴线的两侧。
本发明的有益效果在于：本发明的高亮度的LED封装方法及LED结构通过在碗杯内涂覆白色硅胶，从而提高了发光亮度。
另外，通过将导电输入端和导电输出端设置在支架本体的侧面，散热口位于支架本体的背面，与现有技术相比，提高了散热效果，从而可降低衰减性。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为本发明一实施例所示的支架的结构示意图，安装有发光二极管；
图2为图1所示的支架的后视图；
图3为图1所示的支架于锡膏印刷后的示意图；
图4为本发明一实施例所示的高亮度的LED封装方法的流程图；
图5为本发明的白胶的点胶示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
请参见图1至图3，本发明一实施例所示的支架1包括支架本体11及形成在支架本体11内且用以放置发光二极管2和齐纳二极管(未图示)的碗杯12。该碗杯12为自所述支架本体11的前面向下内凹形成，所述碗杯12具有呈喇叭状的开口(未标号)，所述碗杯12底部设置有用以与所述发光二极管2实现焊接的固晶区13。所述碗杯12具有内底面，所述固晶区13自所述内底面向下凹陷形成。所述支架本体11的侧面向外延伸形成有导电输入端14和导电输出端15，所述支架本体11上开设有散热口16，所述散热口16位于所述支架本体11的背面。该支架的材料可采用EMC和SMC混合材料，以增加散热性和增加柔韧性。
本实施例中，所述碗杯12具有上下相对设置的第一侧壁17和第二侧壁18，所述固晶区13位于所述第一侧壁17和第二侧壁18之间，所述固晶区13包括靠近所述第一侧壁17设置的第一固晶区组(未标号)和靠近所述第二侧壁18的第二固晶区组(未标号)，所述第一固晶区组距离所述第二侧壁18 30—80μm，所述第二固晶区组距离所述第一侧壁17 30—80μm，所述第一固晶区组、第二固晶区组对称设置在所述碗杯12的中轴线(未图示)的两侧。
在本实施例中，所述发光二极管2采用覆晶封装技术制备而成，从而无需焊线，提高了发光效率高且节省了工艺成本。该发光二极管2尺寸采用28*28mil，以降低成本
本实施例中，所述白色硅胶3的点胶位置包括6个位置，其中一个位置布置于发光二极管2的上侧、其中两个位置呈上下方式布置于发光二极管2的右侧、其中三个位置呈类三角形方式布置于发光二极管2的左侧。
请参见图4并结合图1至图3及图5，本发明所示的一种高亮度的LED封装方法包括如下步骤：
提供支架1，支架1包括支架本体11及形成在支架本体11内的碗杯12。该碗杯12为自所述支架本体11的前面向下内凹形成，所述碗杯12具有呈喇叭状的开口(未标号)，所述碗杯12底部设置有用以与发光二极管2实现焊接的固晶区13。所述碗杯12具有内底面，所述固晶区13自所述内底面向下凹陷形成。所述支架本体11的侧面向外延伸形成有导电输入端14和导电输出端15，所述支架本体11上开设有散热口16，所述散热口16位于所述支架本体11的背面；
MARK镭射；
印刷发光二极2管锡膏，将发光二极管2安装在碗杯12内。详细的，通过吸嘴实现发光二极管2的抓取，将发光二极管2移动至指定位置，其偏差精度保证在±50μm，然后将发光二极管2与固晶区13对接。在本实施例中，所述发光二极管2采用覆晶封装技术制备而成，从而无需焊线，提高了发光效率高且节省了工艺成本。该发光二极管2尺寸采用28*28mil，以降低成本；
烘烤，具体为，采用高温烘烤固化，时间约为2小时；
点导电胶，即点齐纳二极管的导电胶；
固定齐纳二极管，所述齐纳二极管安装在碗杯内，且所述齐纳二极管位于所述发光二极管的一侧；
高温烘烤，时间约为2小时；
金线焊接，该金线用来连接齐纳二极管和支架。在本步骤之前，用等离子气体清洗；
涂覆白色硅胶，具体的：在碗杯内点胶白色硅胶，高温烘烤固化；所述白色硅胶覆盖于碗杯内，但不覆盖发光二极管；该升温时间设定为30min，150℃恒温时间为60min，降温时间为30min；在本步骤之前，可以进行如下步骤：支架1预热、等离子气体再次清洗。其中，采用等离子清洗不会污染环境，保证清洗表面不被二次污染(3.5min)去除PCB表面油性物质，防止内部金线/芯片/PAD污染；
荧光胶点胶，该荧光胶3由透明胶和荧光粉组成，荧光粉的颜色可根据实际要求采用不同颜色的胶体，所述荧光胶3的点胶量为0.8mg；
高温烘烤固化，时间约为3小时；
外观检查、切割、测试，然后，单颗包装/标签贴附、包装产品外观检查，最后，将单片LED(LED结构)进行测试并包装/入库。在本步骤中，所述“测试”包括色坐标测试、电压测试、WP测试和亮度测试。在色温测试、电路测试和电压测试进行分Bin，通过观察Chip亮度、色温CIE是否在SPEC范围内。
在上述步骤中，所述碗杯12具有上下相对设置的第一侧壁17和第二侧壁18，所述固晶区13位于所述第一侧壁17和第二侧壁18之间，所述固晶区13包括靠近所述第一侧壁17设置的第一固晶区组和靠近所述第二侧壁18的第二固晶区组，所述第一固晶区组距离所述第二侧壁1830—80μm，所述第二固晶区组距离所述第一侧壁1730—80μm，所述第一固晶区组、第二固晶区组对称设置在所述碗杯12的中轴线的两侧。
所述白胶的点胶位置为6个，其中一个位置布置于发光二极管2的上侧、其中两个位置呈上下方式布置于发光二极管2的右侧、其中三个位置呈类三角形方式布置于发光二极管2的左侧(如图5)。
综上，上述高亮度的LED封装方法及LED结构具有如下优点：
1、通过将导电输入端14和导电输出端15设置在支架本体11的侧面，散热口16位于支架本体11的背面，与现有技术相比，提高了散热效果，从而可降低衰减性；
2、由于发光二极管2采用覆晶封装技术，可提高发光亮度；
3、通过在碗杯内涂覆白色硅胶，提高了发光亮度；
4、由于固晶区为凹陷设计，提高了发光二极管和支架的结合力；
5、通过对固晶区位置的设计，可以提高发光二极管2焊接精确，使发光二极管2发光效率最高；
6、由于发光二极管2的安装偏差精度保证在±50μm，可防止由于偏移尺寸/角度过大影响发光二极管2的使用功能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种高亮度的LED封装方法，其特征在于，包括：
S1、提供支架，所述支架具有支架本体及形成在所述支架本体内的碗杯；
S2、MARK镭射；
S3、印刷发光二极管锡膏；
S4、锡膏检测；
S5、安装发光二极管，所述发光二极管安装在碗杯内；
S6、烘烤；
S7、点导电胶；
S8、固定齐纳二极管，所述齐纳二极管安装在碗杯内，且所述齐纳二极管位于所述发光二极管的一侧；
S9、烘烤；
S10、金线焊接；
S11、在碗杯内点胶白色硅胶，高温烘烤固化，所述白色硅胶覆盖于碗杯内，但不覆盖发光二极管；
S12、荧光胶点胶；
S13、高温烘烤固化；
S14、切割、测试。
2.如权利要求1所述的高亮度的LED封装方法，其特征在于，所述发光二极管采用覆晶封装技术制备而成。
3.如权利要求1所述的高亮度的LED封装方法，其特征在于，所述发光二极管尺寸为28*28mil。
4.如权利要求1所述的高亮度的LED封装方法，其特征在于，所述碗杯底部设置有用以与所述发光二极管实现焊接的固晶区，所述支架本体的侧面向外延伸形成有导电输入端和导电输出端，所述支架本体上开设有散热口，所述散热口位于所述支架本体的背面。
5.如权利要求1所述的高亮度的LED封装方法，其特征在于，所述碗杯具有内底面，所述固晶区自所述内底面向下凹陷形成。
6.如权利要求1所述的高亮度的LED封装方法，其特征在于，在所述步骤S11中，所述白色硅胶的点胶位置包括6个位置，其中一个位置布置于发光二极管的上侧、其中两个位置呈上下方式布置于发光二极管的右侧、其中三个位置呈类三角形方式布置于发光二极管的左侧。
7.一种高亮度LED结构，包括支架、设置在所述支架内的发光二极管和齐纳二极管，其特征在于，所述支架包括用以收纳所述发光二极管和齐纳二极管的碗杯，所述碗杯内涂覆有白色硅胶，所述碗杯内还填充有荧光胶。
8.如权利要求7所述的高亮度LED结构，其特征在于，所述碗杯底部设置有用以与所述发光二极管实现焊接的固晶区，所述支架包括支架本体，所述碗杯形成在所述支架本体内，所述支架本体的侧面向外延伸形成有导电输入端和导电输出端，所述支架本体上开设有散热口，所述散热口位于所述支架本体的背面。
9.如权利要求7所述的高亮度LED结构，其特征在于，所述碗杯具有内底面，所述固晶区自所述内底面向下凹陷形成。
10.如权利要求7所述的高亮度LED结构，其特征在于，所述碗杯具有上下相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述固晶区位于所述第一侧壁和第二侧壁之间，所述固晶区包括靠近所述第一侧壁设置的第一固晶区组和靠近所述第二侧壁的第二固晶区组，所述第一固晶区组距离所述第二侧壁30—80μm，所述第二固晶区组距离所述第一侧壁30—80μm，所述第一固晶区组、第二固晶区组对称设置在所述碗杯的中轴线的两侧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010035462.2A CN111223976A (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 高亮度的led封装方法及结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010035462.2A CN111223976A (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 高亮度的led封装方法及结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111223976A true CN111223976A (zh) | 2020-06-02 |
Family
ID=70831099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010035462.2A Pending CN111223976A (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 高亮度的led封装方法及结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111223976A (zh) |
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