CN111180357B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111180357B
CN111180357B CN201910638421.XA CN201910638421A CN111180357B CN 111180357 B CN111180357 B CN 111180357B CN 201910638421 A CN201910638421 A CN 201910638421A CN 111180357 B CN111180357 B CN 111180357B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
substrate
medium
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910638421.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111180357A (zh
Inventor
高居康介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kioxia Corp
Original Assignee
Kioxia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kioxia Corp filed Critical Kioxia Corp
Publication of CN111180357A publication Critical patent/CN111180357A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111180357B publication Critical patent/CN111180357B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
    • B08B7/0085—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating by pyrolysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0075—Cleaning of glass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

根据一实施方式，提供一种基板处理装置，具备喷嘴、支撑部、处理液供给部、第1介质供给部及第2介质供给部。所述喷嘴以与基板的第1面相对的方式配置。所述支撑部配置于所述第1面与所述喷嘴之间，相对于所述喷嘴隔开预定的距离而支撑所述基板。所述处理液供给部向所述基板的与所述第1面相对的第2面供给处理液。所述第1介质供给部从设置于所述喷嘴的第1供给口向所述喷嘴与所述基板的第1面之间的空间供给第1介质。所述第2介质供给部从设置于所述喷嘴的比所述第1供给口靠周缘部处的第2供给口向所述空间供给温度比所述第1介质高的第2介质。

Description

基板处理装置
关联申请的引用
本申请以2018年11月12日申请的在先的日本国专利申请第2018-212198号的优先权的利益为基础，且追求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理装置。
背景技术
以往，已知有如下的冻结清洗：使冷却介质与基板的下表面接触，使供给到基板的表面的液膜冻结来形成冻结层，通过除去冻结层来除去基板的表面的异物。
然而，在以往的冻结清洗中，无法在清洗中向下表面供给药液来清洗基板的表面。另外，通过供给到基板的下表面的冷却介质在基板的周缘部的下表面或侧面与清洗液及大气接触，会在基板的周缘部形成冻结物，下表面会被污染。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种在冻结清洗中能够抑制基板的下表面的污染的基板处理装置。
根据本发明的一个实施方式，提供一种具备喷嘴、支撑部、处理液供给部、第1介质供给部及第2介质供给部的基板处理装置。所述喷嘴以与基板的第1面相对的方式配置。所述支撑部配置于所述第1面与所述喷嘴之间，相对于所述喷嘴隔开预定的距离而支撑所述基板。所述处理液供给部向所述基板的与所述第1面相对的第2面供给处理液。所述第1介质供给部从设置于所述喷嘴的第1供给口向所述喷嘴与所述基板的第1面之间的空间供给第1介质。所述第2介质供给部从设置于所述喷嘴的比所述第1供给口靠周缘部处的第2供给口向所述空间供给温度比所述第1介质高的第2介质。
根据上述的结构，能够提供一种在冻结清洗中能够抑制基板的下表面的污染的基板处理装置。
附图说明
图1是示意性地示出第1实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。
图2是示出喷嘴的结构的一例的俯视图。
图3是示出第1实施方式的基板处理方法的工序的一例的流程图。
图4是示意性地示出第2实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。
图5是示出喷嘴的结构的一例的俯视图。
图6是示意性地示出第3实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。
图7是示出载置有基板的状态的支撑部的结构的一例的俯视图。
图8是示意性地示出第3实施方式的支撑部的结构的其他例子的剖视图。
图9是示意性地示出第3实施方式的支撑部的结构的其他例子的剖视图。
图10是示意性地示出第4实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。
图11是示出喷嘴的结构的一例的俯视图。
图12是示意性地示出第5实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。
图13是示意性地示出第5实施方式的基板处理装置的结构的其他例子的图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明实施方式的基板处理装置。此外，本发明不被这些实施方式限定。
(第1实施方式)
图1是示意性地示出第1实施方式的基板处理装置的结构的一例的图，图2是示出喷嘴的结构的一例的俯视图。第1实施方式的基板处理装置10具备喷嘴11、处理液供给部12、作为第1介质供给部的冷却介质供给部13及作为第2介质供给部的加热介质供给部14。
喷嘴11是向作为冻结清洗的处理对象的基板200的第1面即下表面吹送冷却介质或/和加热介质的构件。在喷嘴11设置有在比喷嘴11的上表面高的位置支撑基板200的支撑部16。支撑部16以使冷却介质与基板200的下表面接触的方式从喷嘴11的上表面隔开距离而支撑基板200。基板200是半导体晶片等半导体基板、玻璃基板、在压印处理中使用的模板、在曝光处理中使用的光掩模、图案形成前的光掩模底版、EUV(Extreme UltraViolet：远紫外)掩模底版等。模板包括在半导体基板上形成图案时使用的副本模板和在副本模板形成图案时使用的主模板。此外，喷嘴11的上表面大致水平，在支撑部16支撑有基板200时，将成为上侧的面称作上表面，将成为下侧的面即与喷嘴11相对的面称作下表面。
在喷嘴11的水平方向的中心附近设置有在铅垂方向上贯通的贯通孔112。贯通孔112与喷嘴11的上表面相交的部分成为后述的冷却介质的供给口112a。在该例中，供给口112a的直径比贯通孔112大。
在喷嘴11的水平方向的周缘部附近设置有在铅垂方向上贯通的多个贯通孔113。在此，如图2所示，从喷嘴11的中心起在预定半径的圆周上等间隔地设置有8个贯通孔113。贯通孔113与喷嘴11的上表面相交的部分成为后述的加热介质的供给口113a。
此外，喷嘴11也可以构成为能够以通过基板载置面的中心的与基板载置面垂直的轴为中心进行旋转。在该情况下，在支撑部16设置通过喷嘴11的旋转来抑制基板200在水平方向上的移动的止动件。
处理液供给部12供给用于冻结清洗的处理液。处理液供给部12具备贮存处理液的处理液贮存部121、将处理液向基板200的第2面即上表面滴下的喷嘴122、将喷嘴122与处理液贮存部121之间连接的配管123、经由配管123而将处理液从处理液贮存部121输送至喷嘴122的泵124及进行从处理液贮存部121向喷嘴122的处理液的供给的切换的阀125。处理液例如是纯水、去离子水、臭氧水等。当从处理液供给部12向基板200上滴下处理液后，在基板200上形成处理液膜201。
冷却介质供给部13在冻结清洗时供给将基板200冷却为处理液的凝固点以下的第1介质即冷却介质。冷却介质供给部13具备贮存冷却介质的冷却介质贮存部131、将冷却介质贮存部131连接于喷嘴11的贯通孔112的配管132及进行冷却介质的供给的切换的阀133。作为冷却介质，可以使用冷却到比处理液的凝固点低的温度的氮气等气体或液氮、液态氟利昂等液体。
加热介质供给部14在冻结清洗时供给将基板200的下表面的周缘部加热为比0℃高的温度的第2介质即加热介质。加热介质供给部14具备贮存加热介质的加热介质贮存部141、将加热介质贮存部141连接于喷嘴11的贯通孔113的配管142及进行加热介质的供给的切换的阀143。作为加热介质，可以使用加热到比喷嘴11周边空气的露点高的温度的氮气等气体。作为加热介质，例如可以使用常温的氮气。另外，在此，加热意味着使由冷却介质冷却的基板200、处理液膜201的温度恢复为常温附近。
在冻结清洗处理时，从喷嘴11的供给口112a供给冷却介质，并且从供给口113a供给加热介质。从供给口112a供给的冷却介质在喷嘴11的上表面与基板200的下表面之间的空间中从喷嘴11的中心朝向周缘部流动。然后，与从设置于周缘部附近的供给口113a供给的加热介质混合。此时，以使从喷嘴11的水平方向的端部排出的冷却介质与加热介质的混合物的温度比处理液的凝固点及喷嘴11周边空气的露点高的方式调整冷却介质的温度及流量和加热介质的温度及流量。由此，不会形成包括喷嘴11周边空气中包含的水分在喷嘴11的周缘部及基板200的下表面的周缘部凝固而成的霜或处理液向基板200的侧面及下表面淌下并凝固而成的冻结层的凝固物。
接着，对这样的基板处理装置中的处理方法进行说明。图3是示出第1实施方式的基板处理方法的工序的一例的流程图。首先，在冻结清洗前对处理对象的基板200的表面进行亲水化处理(步骤S11)。亲水化处理例如通过向基板200的表面照射UV(ultraviolet：紫外)光来进行。由此，在冻结清洗中使用的处理液容易润湿基板200的表面。然后，使亲水化处理后的基板200支撑于支撑部16。
接着，利用泵124经由配管123而从喷嘴122向基板200上供给处理液，在基板200的上表面上形成处理液膜201(步骤S12)。此时，若以与基板载置面垂直的轴为中心而使喷嘴11旋转，则能够形成供给到基板200上的处理液向基板200整面大致均匀地扩展而成的处理液膜201。
之后，从冷却介质供给部13经由配管132而向喷嘴11的供给口112a供给冷却介质。另外，从加热介质供给部14经由喷嘴11的供给口113a而向喷嘴11与基板200的下表面之间的空间的周缘部供给加热介质。从喷嘴11的中心的供给口113a排出的冷却介质在设置于基板200的下表面与喷嘴11的上表面之间的间隙中朝向外周部流动。此时，基板200的下表面与冷却介质接触，因此基板200从下表面侧被冷却。然后，基板200的上表面侧的温度成为处理液的凝固点以下，通过进一步被冷却而处理液膜201经过过冷却状态后冻结(步骤S13)。处理液膜201从与基板200接触的部分起依次冻结。
另外，在基板200的下表面与喷嘴11的上表面之间的空间中朝向周缘部流动的冷却介质与来自供给口113a的加热介质混合。此时，如上所述，由于以使从喷嘴11与基板200的下表面的间隙排出的气体的温度比喷嘴11周边空气的露点充分高的方式调整冷却介质及加热介质的流量及温度，所以在喷嘴11的周缘部及基板200的下表面的周缘部处喷嘴11周边空气中包含的水分不会凝固。另外，淌下到基板200的侧面及下表面的处理液不会凝固。
在处理液膜201冻结后，关闭阀133来停止从冷却介质供给部13的冷却介质的供给及从加热介质供给部14的加热介质的供给，另外，将来自处理液供给部12的处理液经由喷嘴122而向基板200的上表面供给，进行冲洗处理(步骤S14)。由此，处理液膜201被解冻，包括基板200的上表面的异物的处理液201被除去。处理液膜201的解冻及冲洗处理可以在处理液膜201以全膜厚冻结后执行，也可以在从与基板200的交界起预定厚度(例如100nm左右的厚度)的处理液膜201冻结后执行。之后，使基板200干燥(步骤S15)，基板200的冻结清洗处理结束。
此外，仅将步骤S11～S15的工序实施了一次的话，有时无法除去附着于基板200的上表面的异物。在这样的情况下，也可以将步骤S12～S14的处理反复执行多次。
另外，在图1中，虽然示出了喷嘴11的面积比基板200的面积小的情况，但也可以使喷嘴11的面积为与基板200的面积大致相同的大小。
在第1实施方式中，在冻结清洗处理中，从载置有基板200的喷嘴11的中心附近供给冷却介质，从喷嘴11的周缘部附近供给加热介质。由此，在冻结清洗处理中，从基板200的下表面与喷嘴11的上表面之间的空间排出的冷却介质及加热介质混合而成的混合介质的温度比喷嘴11周边空气的露点及处理液的凝固点充分高。其结果，在喷嘴11的周缘部及基板200的下表面的周缘部处喷嘴11周边空气中的水分不会凝固，另外，淌下到基板200的侧面及下表面的处理液不会凝固。这样，能够抑制向喷嘴11的周缘部以及基板200的侧面及下表面形成凝固物，因此能够抑制基板200的下表面的污染。
(第2实施方式)
图4是示意性地示出第2实施方式的基板处理装置的结构的一例的图，图5是示出喷嘴的结构的一例的俯视图。第2实施方式的基板处理装置10A在第1实施方式的基板处理装置10的基础上还具备介质吸引部15。另外，在喷嘴11的水平方向的中心与设置贯通孔113的区域之间的区域设置有在铅垂方向上贯通的贯通孔114。贯通孔114与喷嘴11的上表面相交的部分成为冷却介质和加热介质的吸引口114a。
介质吸引部15在冻结清洗时从喷嘴11的上表面与基板200的下表面之间的空间吸引冷却介质及加热介质。介质吸引部15具备吸引冷却介质及加热介质的吸引部151、将吸引部151连接于喷嘴11的贯通孔114的配管152及进行冷却介质及加热介质的吸引的切换的阀153。作为吸引部151，例如可以使用真空泵等。此外，对于与第1实施方式相同的结构要素，标注同一标号并省略其说明。
对这样的基板处理装置中的动作进行说明。从喷嘴11的供给口112a供给冷却介质，从供给口113a供给加热介质，并且从吸引口114a吸引冷却介质及加热介质。此外，虽然从吸引口114a吸引冷却介质及加热介质，但由于吸引口114a设置于冷却介质的通过区域，所以主要吸引冷却介质。在此，以使从喷嘴11的上表面与基板200的下表面的间隙排出的气体的温度比喷嘴11周边空气的露点充分高的方式调整冷却介质及加热介质的温度及流量以及吸引力。由此，不会形成包括喷嘴11周边空气中的水分在喷嘴11的周缘部及基板200的下表面的周缘部凝固而成的霜或处理液向基板200的侧面及下表面淌下并凝固而成的冻结层的凝固物。此外，这样的基板处理装置10A中的冻结清洗处理方法与第1实施方式是同样的，因此省略说明。
在第2实施方式中，在冻结清洗处理中，从载置有基板200的喷嘴11的中心附近供给冷却介质，从喷嘴11的周缘部附近供给加热介质。另外，从设置于冷却介质的供给口112a与加热介质的供给口113a之间的区域的吸引口114a主要吸引冷却介质。此时，以使从基板200的下表面与喷嘴11的上表面之间的空间排出的混合介质的温度比喷嘴11周边空气的露点及处理液的凝固点充分高的方式调节吸引量、冷却介质的温度及流量以及加热介质的温度及流量。由此，在喷嘴11的周缘部及基板200的下表面的周缘部处喷嘴11周边空气中的水分不会凝固，另外，淌下到基板的侧面及下表面的处理液不会凝固。这样，能够抑制向喷嘴11的周缘部以及基板200的侧面及下表面形成凝固物，因此能够抑制基板200的下表面的污染。
(第3实施方式)
图6是示意性地示出第3实施方式的基板处理装置的结构的一例的图，图7是示出载置有基板的状态的支撑部的结构的一例的俯视图。此外，以下，关于与第1实施方式相同的部分省略说明，仅对不同的部分进行说明。在第3实施方式的基板处理装置10B中，喷嘴及支撑部的结构与第1实施方式不同。喷嘴11具有在中央附近比上表面111突出的凸部117。水平方向上的凸部117的面积比基板200的面积小。在喷嘴11的中心附近设置有在铅垂方向上贯通的贯通孔112。贯通孔112与喷嘴11的上表面相交的部分成为冷却介质的供给口112a。
支撑部16a具有以包围喷嘴11的凸部117的周围的方式在中心附近具有开口部162的圆环状。支撑部16a由陶瓷材料、聚四氟乙烯等树脂材料等构成。水平面内的开口部162的大小比喷嘴11的凸部117的面积大，且比基板200的面积小。在支撑部16a的上表面的内周侧的载置基板200的区域设置有平坦部161。包括开口部162的平坦部161具有矩形状。沿着该矩形状的周缘部而在平坦部161上设置有密封构件17。密封构件17由具有弹性的树脂构成，例如由硅橡胶等树脂橡胶构成。
另外，在平坦部161的4个角部设置有防止基板200的水平方向的偏移的止动件163。由此，当在密封构件17上载置基板200时，载置有基板200的支撑部16a的上表面与下表面之间的气体的穿过无法进行。此外，密封构件17优选连续地设置于支撑部16a的内周侧，但也可以是一部分欠缺。在该例中，支撑部16a具有从平坦部161的外侧朝向外周侧而支撑部16a的上表面的位置变低的锥形状。
支撑部16a配置成不与喷嘴11的上表面接触。另外，支撑部16a的内周侧的上表面的位置配置成比喷嘴11的凸部117的上表面的位置高。由此，在喷嘴11的周缘部的上表面111与支撑部16a的下表面之间和喷嘴11的凸部117的上表面与载置于支撑部16a的基板200的下表面之间设置有连续的空间。支撑部16a经由连接部19配置于在喷嘴11的下方设置的台座部18。台座部18具有能够通过未图示的马达等而在水平面内旋转的结构。
在这样的基板处理装置10B中，以使冷却介质从喷嘴11的中心朝向周缘部流动的方式设定来自供给口112a的冷却介质的流量。由此，冷却介质在基板200与喷嘴11的凸部117之间的空间中从凸部117的中心朝向周缘部流动。能够一边冷却基板200的下表面，一边抑制喷嘴11周边空气向喷嘴11与支撑部16a之间的空间进入。另外，关于载置有基板200的支撑部16a，气体无法经由开口部162而在上表面与下表面之间穿过。因而，喷嘴11周边空气不会向基板200与喷嘴11之间的空间进入。其结果，能够抑制在基板200的下表面的周缘部形成霜。
另外，也能够防止从基板200上淌下的处理液从侧面绕向下表面。也就是说，也能够防止由移动到基板200的侧面的处理液引起的下表面的污染。
在图6中，虽然示出了在支撑部的内周侧的平坦部上设置密封构件17的情况，但实施方式不限定于此。图8及图9是示意性地示出第3实施方式的支撑部的结构的其他例子的剖视图。如图8中的(a)所示，也可以在圆环状的支撑部16a的内周侧设置包括开口部162而成为矩形状的凹部164，在该凹部164载置基板200。此时，也可以沿着凹部164的侧面164a设置密封构件17，设为将载置有基板200的支撑部16a的上表面与下表面之间的气体的流动隔断的构造。
另外，如图8中的(b)所示，也可以在支撑部16a的内周面设置包括开口部162的形状成为矩形状的凹部165，在该凹部165载置基板200。此时，也可以沿着凹部165的上表面165a设置密封构件17，设为将载置有基板200的支撑部16a的上表面与下表面之间的气体的流动隔断的构造。
而且，如图9所示，也可以设为在支撑部16a上以不经由密封构件17的方式载置基板200的面承受构造。在图9中，与图8中的(a)同样，在圆环状的支撑部16a的内周侧设置包括开口部162而成为矩形状的凹部164，在该凹部164的底面164b上直接载置基板200。
此外，这样的基板处理装置10B中的冻结清洗处理方法与第1实施方式是同样的，因此省略说明。
在第3实施方式中，在支撑部16a上以封闭开口部162的方式载置基板200，在将支撑部16a与喷嘴11的上表面隔开预定的距离而配置的状态下，从喷嘴11的中心附近供给冷却介质。由此，在冻结清洗处理中，从基板200的下表面与喷嘴11的上表面之间的空间排出冷却介质。在喷嘴11的周缘部，喷嘴11周边空气中的水分有可能冻结而形成霜，但形成霜的位置远离基板200，因此基板200的下表面不会被霜污染。
另外，由于成为了喷嘴11周边空气及滴下到基板200上的处理液难以从载置有基板200的支撑部16a的上表面向下表面通过的构造，所以能够抑制包括在基板200的下表面与喷嘴11的凸部117的上表面之间水蒸气凝固而成的霜或处理液冻结而成的冻结层等的凝固物向基板200的下表面附着。其结果，能够抑制基板200的下表面的污染。
(第4实施方式)
图10是示意性地示出第4实施方式的基板处理装置的结构的一例的图，图11是示出喷嘴的结构的一例的俯视图。此外，以下，关于与第1～第3实施方式相同的部分省略说明，仅对不同的部分进行说明。第4实施方式的基板处理装置10C通过将第3实施方式与第2实施方式组合而得到。即，基板处理装置10C在图6的结构的基础上进一步设置了加热介质供给部14和介质吸引部15。
在喷嘴11的凸部117的周缘部的区域设置有在铅垂方向上贯通的贯通孔114。贯通孔114与喷嘴11的上表面相交的部分成为冷却介质和加热介质的吸引口114a。
另外，加热介质供给部14设置成以与喷嘴11的侧面的喷嘴11的上表面111与支撑部16a的下表面之间的空间相对的方式配置吹出口142a。此外，吹出口142a可在喷嘴11的周围设置多处。加热介质例如是常温的氮、不包含水蒸气的空气等。加热介质供给部14以避免低于0℃的温度的冷却介质从喷嘴11与支撑部16a之间的空间向外部排出的方式供给加热介质。
对这样的基板处理装置10C中的动作进行说明。从喷嘴11的供给口112a供给冷却介质，从吹出口142a供给加热介质，并且从吸引口114a吸引冷却介质及加热介质。此外，虽然从吸引口114a吸引冷却介质及加热介质，但由于吸引口114a处于冷却介质的流路上，所以主要吸引冷却介质。
另外，吸引口114a的位置配置于比密封构件17的位置靠喷嘴11的中心侧处，因此能够减少到达密封构件17的位置的冷却介质的量。而且，通过从吹出口142a供给的加热介质，在喷嘴11的凸部117的侧面附近的空间中，冷却介质与加热介质混合，与冷却介质单独的情况相比温度变高。由此，能够抑制密封构件17的温度下降。此外，这样的基板处理装置10C中的冻结清洗处理方法与第1实施方式是同样的，因此省略说明。
在图10中，虽然示出了将加热介质供给部14设置于喷嘴11的侧面的外侧的情况，但也可以如图4那样配置于喷嘴11的凸部117的周缘部。在该情况下，吸引口114a设置于凸部117的上表面上的冷却介质的供给口112a与加热介质的供给口之间的区域。
在第4实施方式中，在冻结清洗处理中，从载置有基板200的喷嘴11的中心附近供给冷却介质，从喷嘴11的侧面的喷嘴11与支撑部16a之间供给加热介质。另外，在喷嘴11的周缘部附近吸引冷却介质。吸引口114a位于比密封构件17靠喷嘴的中心侧处，因此能够减少到达密封构件17的冷却介质的量。另外，通过从外部向喷嘴11与支撑部16a之间的空间供给加热介质，能够抑制低于0℃的冷却介质从喷嘴的侧面流出，并且提高密封构件17的设置位置附近的冷却介质的温度。其结果，具有如下效果：能够一边抑制基板200的背面的污染，一边抑制密封构件17的劣化，延长密封构件17的寿命。
(第5实施方式)
图12是示意性地示出第5实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。此外，以下，关于与第1～第4实施方式相同的部分省略说明，仅对不同的部分进行说明。在第5实施方式的基板处理装置10D中，设置有作为加热密封构件17的加热部的感应加热机构。具体而言，在与密封构件17的配置位置对应的喷嘴11的内部的位置设置有初级线圈21。初级线圈21具有矩形的环状。在初级线圈21连接有高频电源23。另外，在与密封构件17的配置位置对应的支撑部16a的内部的位置设置有次级线圈22。次级线圈22也与初级线圈21同样地具有矩形的环状。次级线圈22接近密封构件17配置。初级线圈21和次级线圈22在俯视下设置于大致相同的位置。
当接入高频电源23后，在初级线圈21中流动高频电流，通过该高频电流而在次级线圈22中流动感应电流。通过该感应电流，次级线圈22被加热。通过次级线圈22的加热，支撑部16a上的密封构件17被加热。因而，即使在基板200冷却的状态下，密封构件17的温度也不会像基板200那种程度下降，因此能够抑制由密封构件17的冷却引起的劣化。此外，这样的基板处理装置10D中的冻结清洗处理方法与第1实施方式是同样的，因此省略说明。
在图12中，虽然示出了将次级线圈22埋入支撑部16a的情况，但实施方式不限定于此。例如，也可以是密封构件17自身具有导电性，在使高频电流在初级线圈21中流动时被感应加热。
另外，在图12中，虽然示出了通过感应加热机构来加热密封构件17的情况，但实施方式不限定于此。图13是示意性地示出第5实施方式的基板处理装置的结构的其他例子的图。在图13的基板处理装置10E中，不设置感应加热机构，而设置有作为加热部的光加热机构。光加热机构具有光源25。以使来自光源25的光向密封构件17照射的方式配置光源25。在图12的例子中，光源25配置于密封构件17的侧方。光源25在冻结清洗处理时被接入未图示的电源，抑制密封构件17的温度的下降。
在第5实施方式中，设置有加热密封构件17的加热部。由此，具有如下效果：在冻结清洗时，能够一边抑制基板200的背面的污染，一边抑制密封构件17的温度下降，能够与第4实施方式的情况相比延长密封构件17的寿命。
虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式作为例子而提出，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，具备：
喷嘴，以与基板的第1面相对的方式配置；
支撑部，配置于所述第1面与所述喷嘴之间，相对于所述喷嘴隔开预定的距离而支撑所述基板；
处理液供给部，向所述基板的与所述第1面相对的第2面供给处理液；
第1介质供给部，从设置于所述喷嘴的第1供给口向所述喷嘴与所述基板的第1面之间的空间供给第1介质；及
第2介质供给部，从设置于所述喷嘴的比所述第1供给口靠周缘部处的第2供给口向所述空间供给温度比所述第1介质高的第2介质，
所述喷嘴具有中央附近突出而成的凸部，
所述支撑部从所述喷嘴的上表面隔开预定的距离而配置，在与所述凸部对应的区域具有比所述凸部的面积大且比所述基板的面积小的开口，
在所述支撑部以堵住所述开口的方式载置所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，
还具备将所述第1介质向所述空间外吸引的介质吸引部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，
所述介质吸引部设置于所述喷嘴的所述第1供给口与所述第2供给口之间的区域。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，
在所述支撑部与所述基板之间设置有树脂。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，
还具备至少加热所述树脂的加热部。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，
所述加热部具有所述喷嘴的与所述树脂的配置位置对应地设置的初级线圈、连接于所述初级线圈的高频电源及所述支撑部的与所述树脂的配置位置对应地设置的次级线圈。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，
所述加热部是光加热式的加热部。
8.一种基板处理装置，具备：
喷嘴，以与基板的第1面相对的方式配置；
支撑部，配置于所述第1面与所述喷嘴之间，相对于所述喷嘴隔开预定的距离而支撑所述基板；
处理液供给部，向所述基板的与所述第1面相对的第2面供给处理液；及
第1介质供给部，从设置于所述喷嘴的第1供给口向所述喷嘴与所述基板的第1面之间的空间供给第1介质，
所述喷嘴具有中央附近突出而成的凸部，
所述支撑部从所述喷嘴的上表面隔开预定的距离而配置，在与所述凸部对应的区域具有比所述凸部的面积大且比所述基板的面积小的开口，
在所述支撑部以堵住所述开口的方式载置所述基板。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，
在所述支撑部与所述基板之间设置有树脂。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，
所述树脂由具有弹性的树脂构成。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，
还具备加热所述树脂的加热部。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，
所述加热部具有所述喷嘴的与所述树脂的配置位置对应地设置的初级线圈、连接于所述初级线圈的高频电源及所述支撑部的与所述树脂的配置位置对应地设置的次级线圈。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，
所述加热部是光加热式的加热部。
14.根据权利要求8所述的基板处理装置，
还具备向形成于所述喷嘴与所述支撑部之间的空间供给温度比所述第1介质高的第2介质的第2介质供给部。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，
所述第2介质供给部从设置于所述凸部的周缘部附近的第2供给口供给所述第2介质。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，
所述第2介质供给部从所述喷嘴的侧方朝向所述喷嘴与所述支撑部之间的空间供给所述第2介质。
17.根据权利要求8所述的基板处理装置，
还具备将所述第1介质向所述空间外吸引的介质吸引部。
CN201910638421.XA 2018-11-12 2019-07-16 基板处理装置 Active CN111180357B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-212198 2018-11-12
JP2018212198A JP7221657B2 (ja) 2018-11-12 2018-11-12 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111180357A CN111180357A (zh) 2020-05-19
CN111180357B true CN111180357B (zh) 2023-09-22

Family

ID=70551498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910638421.XA Active CN111180357B (zh) 2018-11-12 2019-07-16 基板处理装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20200147655A1 (zh)
JP (1) JP7221657B2 (zh)
CN (1) CN111180357B (zh)
TW (1) TWI801611B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7145990B2 (ja) * 2020-03-31 2022-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN111756896B (zh) * 2020-06-02 2021-10-01 Oppo广东移动通信有限公司 玻璃壳体组件及其制作方法和电子设备
CN114121715A (zh) * 2020-08-31 2022-03-01 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP7316393B2 (ja) * 2021-02-25 2023-07-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199261A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP2014179490A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4841376B2 (ja) * 2006-02-07 2011-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US10410906B2 (en) * 2012-11-27 2019-09-10 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate supporting apparatus
EP3161414B1 (de) * 2014-06-25 2021-01-20 Robert Bosch GmbH Ortungssystem mit handgeführter ortungseinheit
KR102391753B1 (ko) * 2014-09-30 2022-04-28 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치
KR101909182B1 (ko) 2015-11-30 2018-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6738235B2 (ja) * 2016-08-09 2020-08-12 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP6770468B2 (ja) * 2017-03-23 2020-10-14 キオクシア株式会社 凍結洗浄装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199261A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP2014179490A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7221657B2 (ja) 2023-02-14
TWI801611B (zh) 2023-05-11
US20230019111A1 (en) 2023-01-19
TW202018838A (zh) 2020-05-16
US20200147655A1 (en) 2020-05-14
CN111180357A (zh) 2020-05-19
JP2020080350A (ja) 2020-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111180357B (zh) 基板处理装置
TW438628B (en) Coating film forming method and coating apparatus
JP6313591B2 (ja) インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法
TWI656570B (zh) Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium
US20180272391A1 (en) Freeze cleaning apparatus
US10065218B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20180016673A1 (en) Imprint template manufacturing apparatus
US9956755B2 (en) Separation method, separation apparatus, and separation system
US10423064B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP5416075B2 (ja) 処理装置、処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20150022794A1 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus
KR20180107172A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2017050466A (ja) インプリント装置、物品の製造方法及び供給装置
JP7285692B2 (ja) 乾燥装置、基板処理システム、および乾燥方法
US20180200763A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
US20100007862A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US9837290B2 (en) Processing liquid nozzle
JP2008028318A (ja) 半導体ウェーハの搬送装置および搬送方法
JP2005101185A (ja) 基板洗浄乾燥装置
US20210242042A1 (en) Processing apparatus
JP2005246312A (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
US11443963B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20230024937A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment system
KR100777790B1 (ko) 파티클 제거장치
JP2008258409A (ja) 昇華物除去装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Kaixia Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: TOSHIBA MEMORY Corp.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant