CN111163586B - 电路板检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电路板检测方法,所述电路板检测方法包含:筛选步骤、再生步骤及曝光步骤;其中,所述筛选步骤为筛选出能在相对于一第一底片的一第一预设值下进行曝光操作的一适格电路板、及不能在所述第一预设值下进行曝光操作的一淘汰电路板;所述再生步骤为找出能使至少一个淘汰电路板进行曝光操作的一第二预设值,并且所述第二预设值是相对于一第二底片;所述曝光步骤于一曝光设备内实施,并且通过一环境控制结构来对所述曝光设备内的一环境温度进行冷却,以使Y个所述适格电路板、所述第一底片、所述至少一个淘汰电路板、及所述第二底片能在所述曝光设备内进行曝光操作的过程中,维持所述环境温度在一预定温度以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种检测方法,尤其涉及一种电路板检测方法。
背景技术
现今科技发达进而带动各式电子产品的发展,而各式电子产品又多以印刷电路板为其基础元件,因此提供优良的印刷电路板便为各家厂商所欲追求的发展方向。在现有的电路板生产方法中,电路板的曝光操作需搭配底片来加以实施,但电路板常会因为制程上的误差而使电路板产生形变,进而造成每个电路板的尺寸非完全相同。进一步地说,电路板在以底片进行曝光操作时,影响底片品质的最关键因素常为涨缩问题,并且底片太常产生涨缩或是底片的涨缩幅度过大,则易缩短底片的使用寿命。然而,现有的电路板生产过程中,并未对于底片的涨缩问题有相对应的改良方案。
于是,本发明人认为上述缺陷可改善,乃特潜心研究并配合科学原理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种电路板检测方法,能有效地改善现有电路板生产方法所产生的缺陷。
本发明实施例公开一种电路板检测方法,包括:一筛选步骤:以相对于一第一底片的一第一预设值进行X个待测电路板的检测,筛选出能在所述第一预设值下进行曝光操作的Y个适格电路板、及不能在所述第一预设值下进行曝光操作的Z个淘汰电路板,并且X=Y+Z;其中,X为正整数、Y与Z皆为不小于零的整数;一再生步骤:找出能够使Z个所述淘汰电路板中的至少其中一个所述淘汰电路板进行曝光操作的一第二预设值;其中,所述第二预设值是相对于一第二底片;以及一曝光步骤:依据所述第一预设值并以所述第一底片依序使Y个所述适格电路板进行曝光操作,并且依据所述第二预设值并以所述第二底片使相对应的至少一个所述淘汰电路板进行曝光操作;其中,所述曝光步骤于一曝光设备内实施,并且所述曝光设备以一环境控制结构来对所述曝光设备内的一环境温度进行冷却,以使Y个所述适格电路板、所述第一底片、与至少一个所述淘汰电路板、及所述第二底片能在所述曝光设备内进行所述曝光操作的过程中,维持所述环境温度在一预定温度以下。
优选地,所述第一预设值定义为所述第一底片的尺寸相对于一容许误差而向内缩及向外扩的一虚拟尺寸范围,而所述第二预设值定义为所述第二底片的尺寸相对于所述容许误差而向内缩及向外扩的一虚拟尺寸范围;其中,所述预定温度不大于所述第一底片的一变形温度、也不大于所述第二底片的一变形温度。
优选地,所述环境控制结构包含有一冰水机或一雾化降温器,用以维持所述环境温度在所述预定温度以下。
优选地,所述曝光设备包含有至少一个承载平台,用以承载所述第一底片或所述第二底片;所述环境控制结构包含有一温度感测器,用以检测至少一个所述承载平台的温度,并且所述环境控制结构依据所述温度感测器所检测到的温度值,而对应地调整所述冰水机或所述雾化降温器的出风量。
优选地,进一步提供有一摄像装置以及电性连接于所述摄像装置的一运算装置;在所述筛选步骤之前,所述摄像装置撷取N种底片的影像及X个所述待测电路板的影像并传送至所述运算装置;在所述筛选步骤中,所述运算装置依据X个所述待测电路板的影像,以在N种所述底片中,选择出在所述容许误差内能够进行曝光操作的所述待测电路板数量为最多的所述第一底片,N为大于1的正整数。
优选地,N种所述底片包括所述第二底片;在所述筛选步骤之前,所述运算装置比较N种所述底片以及一标准玻璃底片,并将每种所述底片定义出相关于电路板曝光操作的一涨缩系数。
优选地,在所述筛选步骤中,将所述第一底片依序叠置于每个所述待测电路板,并且所述第一底片的中心点对齐或邻近于相叠置的所述待测电路板的中心点,当所述第一底片与相叠置的所述待测电路板的尺寸差异大于或小于所述容许误差时,则相叠置的所述待测电路板判定为一个所述淘汰电路板。
优选地,所述环境控制结构包含有一湿度控制器,用以对所述曝光设备内的一环境湿度进行控制。
优选地,所述环境控制结构包含有一湿度感测器,用以检测所述环境湿度,并且所述环境控制结构依据所述湿度感测器所检测到的湿度值,而对应地调整所述湿度控制器的运作。
本发明实施例也公开一种电路板检测方法,包括:将至少一个电路板与一底片于一曝光设备内实施一曝光操作,并且所述曝光设备以一环境控制结构来对所述曝光设备内的一环境温度进行冷却,以使至少一个所述电路板与所述底片能在所述曝光设备内进行所述曝光操作的过程中,维持所述环境温度在一预定温度以下。
综上所述,本发明实施例所公开的电路板检测方法,是通过环境控制结构来对曝光设备内的环境温度进行冷却并能维持在预定温度以下,借以控制底片(如:第一底片与第二底片)于上述预定温度以下的环境温度进行曝光操作,进而避免底片产生大幅地涨缩、以提升底片的使用寿命。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,但是此等说明与附图仅用来说明本发明,而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明电路板检测方法的流程示意图。
图2为本发明电路板检测方法所使用的检测设备的功能方块示意图。
图3为本发明电路板检测方法的底片及预设值的示意图。
图4为本发明电路板检测方法的筛选步骤示意图(一)。
图5为本发明电路板检测方法的筛选步骤示意图(二)。
图6为本发明电路板检测方法的再生步骤示意图。
图7为本发明电路板曝光方法的流程示意图。
图8为本发明电路板检测方法的流程示意图。
图9为图8中功能方块示意图。
具体实施方式
[实施例一]
请参阅图1至图6,为本发明的实施例一,需先说明的是,本实施例对应附图所提及的相关数量与外型,仅用来具体地说明本发明的实施方式,以便于了解本发明的内容,而非用来局限本发明的保护范围。
如图1所示,本实施例公开一种电路板检测方法,尤其是指一种电路板在进行曝光操作前的检测方法。所述电路板检测方法包括步骤如下:一准备步骤、一筛选步骤、一再生步骤、及一曝光步骤。以下将对各步骤的具体实施方式作一说明,但下述说明并非限制各个步骤的必要实施顺序。
准备步骤:请参阅图2和图3所示,提供一检测设备1,包括一摄像装置11以及电性连接于所述摄像装置11的一运算装置12,由此通过上述检测设备1的摄像装置11与运算装置12而实施下述各种比较或选择操作。其中,所述摄像装置11能撷取N种底片2的影像及X个待测电路板4的影像并传送至所述运算装置12。上述底片2与待测电路板4于本实施例中皆大致呈四边形,并且所述待测电路板4于本实施例中是指尚未搭配底片2进行曝光操作的电路板。
进一步地说,所述运算装置12能比较上述N种底片2以及一标准玻璃底片3(N为大于1的正整数),并将每种底片2定义出相关于电路板曝光操作的一涨缩系数。举例来说,所述标准玻璃底片3在相互垂直的宽度方向W与长度方向L的涨缩系数皆预设为1,运算装置12可以依据各种底片2的影像与上述标准玻璃底片3的影像,而在宽度方向W与长度方向L上进行尺寸比较,借以定义出各种底片2在宽度方向W与长度方向L的涨缩系数(如:0.995、1.005)。
再者,本实施例的标准玻璃底片3可以是透明状,借以利于将两种底片2分别对位地设置于上述标准玻璃底片3的相反两个表面上,使摄像装置11能够同时取得标准玻璃底片3及置于其上的两种底片2的影像,进而能令运算装置12同时进行上述两种底片2的涨缩系数运算。需说明的是,本实施例虽是以摄像装置11同时撷取标准玻璃底片3及置于其上的两种底片2的影像,以作为底片2涨缩系数的判断标准,但本发明不排除以其他方式实施。例如:运算装置12内可预设有标准玻璃底片3的影像,以使摄像装置11仅需撷取各种底片2的影像后,即可通过运算装置12进行底片2的涨缩系数运算。
筛选步骤:请参阅图4和图5所示,以一第一预设值R1进行上述X个待测电路板4的检测,筛选出能在所述第一预设值R1下进行曝光操作的Y个适格电路板41、及不能在所述第一预设值R1下进行曝光操作的Z个淘汰电路板42。其中,X=Y+Z、X为正整数、Y与Z皆为不小于零的整数。于本实施例中,所述第一预设值R1定义为一第一底片21的尺寸相对于一容许误差(如:小于35微米)而向内缩及向外扩的一虚拟尺寸范围(如图3中,邻近第一底片21边缘的内侧矩形虚线与外侧矩形虚线所包围的区域)。再者,所述N种底片2包括上述第一底片21,也就是说,所述摄像装置11已撷取所述第一底片21的影像并传送至所述运算装置12中。
更详细地说,所述运算装置12是依据所述X个待测电路板的影像,借以在上述N种底片2中,选择出在所述容许误差内能够进行曝光操作的待测电路板4数量为最多的第一底片21。并且所述运算装置12依据自摄像装置11传送的所述第一底片21的影像与X个待测电路板4的影像,而判断出上述Y个适格电路板41及Z个淘汰电路板42。
进一步地说,所述筛选步骤于本实施例中是将所述第一底片21依序叠置于每个待测电路板4,并且所述第一底片21的中心点21P大致对齐或邻近于相叠置的待测电路板4的中心点4P;接着,当所述第一底片21与相叠置的待测电路板4的尺寸差异大于或小于所述容许误差时(如图5),则相叠置的待测电路板4判定为一个淘汰电路板42,反之,当所述第一底片21与相叠置的待测电路板4的尺寸差异在所述容许误差内时(如图4),则相叠置的待测电路板4判定为一个适格电路板41。此外,上述虽是以第一底片21的中心点21P大致对齐或邻近于相叠置待测电路板4的中心点4P为例,但本发明并不受限于此。上述中心点21P及中心点4P,于本实施例中皆大致定义为由其所有顶点相对于平面中心的连线的交点。
换个角度来说,上述第一底片21与相叠置待测电路板4间的尺寸差异判断过程也可以是:所述第一底片21在四个角落各预设有对位部(图中未标示),并且上述待测电路板4的四个角落也各预设有相对应的对位部(图中未标示)。将所述第一底片21的其中一个对位部大致对齐于上述待测电路板4的其中一个对位部,接着取得第一底片21的其他对位部与相叠置待测电路板4的相邻对位部之间的距离值,而后再比较上述距离值与容许误差;若上述第一底片21与待测电路板4在上述四个角落所测得的其中一个距离值大于容许误差,则相叠置待测电路板4判定为淘汰电路板42。
再生步骤:请参阅图6所示,找出能够使Z个所述淘汰电路板42中的至少其中一个淘汰电路板42进行曝光操作的一第二预设值R2。其中,当Z大于1时,所述Z个淘汰电路板42能够依据M种预设值进行曝光操作(M大于1并且小于Z的正整数),所述M种预设值包含有上述第二预设值R2,也可进一步包含有第三预设值、第四预设值、及第五预设值等等。再者,于所述M种预设值中,上述第二预设值R2能够进行曝光操作的淘汰电路板42数量为最多。而于本实施例中,第二预设值R2定义为一第二底片22的尺寸相对于所述容许误差而向内缩及向外扩的一虚拟尺寸范围,并且所述N种底片2包括上述第二底片22。
更详细地说,所述运算装置12依据上述Z个淘汰电路板42的影像,而判断出能够在所述容许误差内对至少一个所述淘汰电路板42进行曝光操作的第二底片22。举例来说,所述第一底片21的涨缩系数为1.005,而图5所示的淘汰电路板42相较于第一底片21的尺寸差异,小于所述容许误差,所以运算装置12以小于第一底片21的涨缩系数为其中一个筛选条件,进而在其余的底片2中进行选择,例如:本实施例是选择图6所示的具有涨缩系数为0.995的第二底片22。
借此,因应每个电路板的尺寸并非完全相同,所以本实施例的待测电路板4在以底片2进行曝光操作前,先进行上述电路板检测方法,借以避免待测电路板4与底片2在曝光操作的过程中产生对位问题,并且所述电路板检测方法通过再生步骤而能依据上述淘汰电路板42选择其他合适的底片,进而有效地降低电路板的淘汰率及节省生产时间。
[实施例二]
请参阅图7,为本发明的实施例二,本实施例与上述实施例一类似,相同处则不再加以赘述,而两个实施例的主要差异如下所述。
具体来说,本实施例公开一种电路板曝光方法,包括实施例一所述的电路板检测方法以及一曝光步骤。其中,所述曝光步骤为:依据所述第一预设值R1依序使Y个所述适格电路板41进行曝光操作,并且依据所述第二预设值R2使相对应的至少一个所述淘汰电路板42进行曝光操作。
进一步地说,依据上述M种预设值分别使相对应的所述淘汰电路板42进行曝光操作。须说明的是,若是某个预设值所对应的淘汰电路板42数量过少时(如:少于三个),由于仅针对上述过少的淘汰电路板42进行曝光步骤所需花费的制造成本,反而比直接抛弃上述过少的淘汰电路板42还要高,所以上述过少的淘汰电路板42也可无须进一步实施上述的曝光步骤而直接抛弃。
[实施例三]
请参阅图8和图9,为本发明的实施例三,本实施例与上述实施例二类似,相同处则不再加以赘述,而本实施例与上述两个实施例的主要差异如下所述。
具体来说,本实施例公开一种电路板检测方法,其包括有准备步骤、筛选步骤、再生步骤、及曝光步骤,所以本实施例的电路板检测方法也可称之为一种电路板检测方法(或电路板曝光方法)。其中,上述准备步骤、筛选步骤、再生步骤、及曝光步骤已记载于实施例一和二的内容则不再于本实施例中加以赘述,而本实施例于下述主要进一步说明如何完善曝光步骤。
进一步地说,所述曝光步骤于本实施例中是置于一曝光设备100内实施。其中,所述曝光设备100包含有一曝光机(未示于图)、一环境控制结构5、及至少一个承载平台62。
所述曝光机(未示于图)是用来提供底片进行曝光显影操作及电路板进行线路图腾布置的仪器,上述曝光机通常形成有一曝光区域并且相对处于一独立环境(一般属于高温低湿的环境),而上述曝光设备100的内部于本实施例中定义为一曝光环境61。其中,上述曝光环境61的温度定义为一曝光温度,并且所述曝光温度即为一曝光操作下的一种环境温度,上述曝光环境61的湿度定义为一环境湿度。
所述承载平台62用以承载上述底片2(如:第一底片21或上述第二底片22)进行曝光。上述第一底片21及第二底片22中的任一个在未进行曝光操作前因应本身材质不同,其种类可分为卤化银(俗称黑白片)、偶氮(俗称棕片)、金属底片、或玻璃底片(Glass Photo-mask),但本发明不受限于此。
也就是说,在特定的相对湿度下,上述底片2的尺寸会随着环境温度的上升而涨大,环境温度下降而缩小,因而形成一涨缩现象。再者,底片2制造时因为本身材质的因素而无法预先控制底片2中的湿度与每个生产区域的湿度一致,因此在曝光操作的过程中,尽可能使底片2所在的环境温度维持于一预定温度,以避免有大幅涨缩的现象发生。
所述预定温度于本实施例中是指使上述底片2(包含第一底片21与第二底片22)处于其内能够较不会有大幅涨缩现象发生的一安全温度值。再者,第一底片21与第二底片22于本实施例中会因应本身材质的不同,而可能具有不同的变形温度,亦即第一底片21具有一变形温度,并且第二底片22也具有一变形温度。据此,所述预定温度不大于第一底片21的变形温度、也不大于所述第二底片22的变形温度。
换个角度来说,当第一底片21本身的温度值到达其变形温度时,第一底片21会产生形变,也就是说,变形温度例如是第一底片21产生形变的一个临界温度值;如果第一底片21本身太常随着环境温度的上升或下降而产生涨缩形变,都很容易缩短第一底片21的使用寿命。因此,预设温度是用来尽可能地使第一底片21本身的温度值不会达到其变形温度,借以降低第一底片21发生形变的机率。
再者,当第二底片22也产生相同于第一底片21的涨缩形变现象时,预设温度是用来尽可能地使第二底片22本身的温度值不会达到其变形温度,借以降低第二底片22发生形变的机率。
另外,所述电路板检测方法于本实施例中定义有第一预设值与第二预设值,并且第一预设值R1是相对于第一底片21而定义,第二预设值R2是相对于第二底片22而定义。于本实施例中,第一预设值R1定义为第一底片21的尺寸相对于容许误差(如:小于35微米)而向内缩及向外扩的虚拟尺寸范围(如图3中,邻近第一底片21边缘的内侧矩形虚线与外侧矩形虚线所包围的区域),而所述第二预设值R2定义为第二底片22的尺寸相对于容许误差而向内缩及向外扩的虚拟尺寸范围。
所述环境控制结构5包含有一温度感测器51、降温装置52、湿度控制器53及湿度感测器54。需说明的是,所述环境控制结构5于本实施例中是以同时包含有上述元件为例,但在本发明未绘示的其他实施例中,所述环境控制结构5也可以是包含有温度感测器51、降温装置52、湿度控制器53、及湿度感测器54的至少其中之一。
所述温度感测器51用以检测承载平台62的温度;所述降温装置52于本实施例中包含有一冰水机或一雾化降温器,用以冷却环境温度,并且环境控制结构5依据温度感测器51所检测到的温度值,而对应地调整降温装置52的运作(如:冰水机或雾化降温器的出风量)。
更详细地说,上述冰水机一般是设置有一出风口及一通风口,所述通风口内设置有一风流扇,由此环境控制结构5控制所述风流扇将机内产生的带有些微湿气冷风由所述出风口吹出,可将冷风吹向曝光环境61,使得环境温度达到非纯干燥的降温效果,但本发明不受限于此。再者,上述雾化降温器也可依据曝光环境61的环境温度及相对环境湿度而控制适当吹出雾化冷风,使得环境温度达到非纯干燥的降温效果。
所述湿度控制器53用以对曝光设备100内的曝光环境61的所述环境湿度进行控制。上述湿度感测器54用以检测环境湿度,以使环境控制结构5能依据湿度感测器54所检测到的湿度值,而对应地调整湿度控制器53的运作。
依上所述,所述曝光设备100于本实施例中通过环境控制结构5来对曝光设备100内的曝光环境61的环境温度进行冷却,以使Y个所述适格电路板41与至少一个所述淘汰电路板42能在曝光设备100内进行曝光操作的过程中,维持环境温度在预定温度以下。
举例来说,所述环境控制结构5于本实施例中能通过降温装置52的冰水机或雾化降温器,而维持环境温度在预定温度以下。而于本实施例中,环境控制结构5是依据温度感测器51与湿度感测器54所测得的曝光环境61的环境温度及相对环境湿度,而控制降温装置52的冰水机或雾化降温器(或湿度控制器53)产生些微湿气冷风或雾化冷风吹向承载平台62,以对曝光环境61达到非纯干燥的降温效果,用以维持环境温度在预定温度以下。
此外,所述电路板检测方法于本实施例中虽是以包含有实施例二所载的至少部分内容来说明,但本发明不受限于此。举例来说,所述电路板检测方法(也可称之为电路板检测方法或电路板曝光方法)也可以是包含:将至少一个电路板4与一底片2于一曝光设备100内实施一曝光操作。其中,所述曝光设备100以一环境控制结构5来对所述曝光设备100内的一环境温度进行冷却,以使至少一个所述电路板4与所述底片2能在所述曝光设备100内进行所述曝光操作的过程中,维持所述环境温度在一预定温度以下。
[本发明实施例的技术效果]
依据上述实施例所载,因应每个电路板的尺寸并非完全相同,所以本实施例的待测电路板4在以底片2进行曝光操作前,先进行上述电路板检测的各项步骤。
综上所述,本发明实施例所公开的电路板检测方法,是通过环境控制结构5来对曝光设备100内的环境温度进行冷却,并使环境温度能维持在预定温度以下,借以控制底片(如:第一底片与第二底片)于上述预定温度以下的环境温度进行曝光操作,进而避免底片产生大幅地涨缩、以提升底片的使用寿命。
其中,所述曝光步骤是于曝光设备100内实施,并且曝光过程中环境控制结构5控制曝光环境61的环境温度与环境湿度(例如:冷却上述底片2所在的承载平台62的温度与周遭附近的温度),以使底片2在曝光操作的过程中能处于均匀的温度与湿度,进而降低底片2发生涨缩的机率,达到维持底片2尺寸稳定效果,并且提升底片2的使用寿命。
再者,由于至少一个电路板4在预定温度以下的环境温度中有效地进行曝光操作,借以避免待测电路板4与底片2在曝光操作的过程中产生异常对位问题,并且通过再生步骤而能依据上述淘汰电路板42选择其他合适的底片,以有效地降低电路板的淘汰率及节省生产时间。借此,本实施例进而能大幅提升生产品质及效率。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例,并非用来局限本发明的保护范围,凡依本发明专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的权利要求书的保护范围。
Claims (9)
1.一种电路板检测方法,其特征在于,所述电路板检测方法包括:
一筛选步骤:以相对于一第一底片的一第一预设值进行X个待测电路板的检测,筛选出能在所述第一预设值下进行曝光操作的Y个适格电路板、及不能在所述第一预设值下进行曝光操作的Z个淘汰电路板,并且X=Y+Z;其中,X为正整数、Y与Z皆为不小于零的整数;
一再生步骤:找出能够使Z个所述淘汰电路板中的至少其中一个所述淘汰电路板进行曝光操作的一第二预设值;其中,所述第二预设值是相对于一第二底片;以及
一曝光步骤:依据所述第一预设值并以所述第一底片依序使Y个所述适格电路板进行曝光操作,并且依据所述第二预设值并以所述第二底片使相对应的至少一个所述淘汰电路板进行曝光操作;
其中,所述曝光步骤于一曝光设备内实施,并且所述曝光设备以一环境控制结构来对所述曝光设备内的一环境温度进行冷却,以使Y个所述适格电路板、所述第一底片、至少一个所述淘汰电路板、及所述第二底片能在所述曝光设备内进行所述曝光操作的过程中,维持所述环境温度在一预定温度以下。
2.依据权利要求1所述的电路板检测方法,其特征在于,所述第一预设值定义为所述第一底片的尺寸相对于一容许误差而向内缩及向外扩的一虚拟尺寸范围,而所述第二预设值定义为所述第二底片的尺寸相对于所述容许误差而向内缩及向外扩的一虚拟尺寸范围;其中,所述预定温度不大于所述第一底片的一变形温度、也不大于所述第二底片的一变形温度。
3.依据权利要求2所述的电路板检测方法,其特征在于,所述环境控制结构包含有一冰水机或一雾化降温器,用以维持所述环境温度在所述预定温度以下。
4.依据权利要求3所述的电路板检测方法,其特征在于,所述曝光设备包含有至少一个承载平台,用以承载所述第一底片或所述第二底片;所述环境控制结构包含有一温度感测器,用以检测至少一个所述承载平台的温度,并且所述环境控制结构依据所述温度感测器所检测到的温度值,而对应地调整所述冰水机或所述雾化降温器的出风量。
5.依据权利要求2至4中任一项所述的电路板检测方法,其特征在于,进一步提供有一摄像装置以及电性连接于所述摄像装置的一运算装置;在所述筛选步骤之前,所述摄像装置撷取N种底片的影像及X个所述待测电路板的影像并传送至所述运算装置;在所述筛选步骤中,所述运算装置依据X个所述待测电路板的影像,以在N种所述底片中,选择出在所述容许误差内能够进行曝光操作的所述待测电路板数量为最多的所述第一底片,N为大于1的正整数。
6.依据权利要求5所述的电路板检测方法,其特征在于,N种所述底片包括所述第二底片;在所述筛选步骤之前,所述运算装置比较N种所述底片以及一标准玻璃底片,并将每种所述底片定义出相关于电路板曝光操作的一涨缩系数;其中,所述标准玻璃底片在相互垂直的宽度方向与长度方向的涨缩系数皆预设为1,所述运算装置依据各种所述底片的影像与所述标准玻璃底片的影像,而在所述宽度方向与所述长度方向上进行尺寸比较,以定义出各种所述底片在所述宽度方向与所述长度方向的所述涨缩系数。
7.依据权利要求2至4中任一项所述的电路板检测方法,其特征在于,在所述筛选步骤中,将所述第一底片依序叠置于每个所述待测电路板,并且所述第一底片的中心点对齐或邻近于相叠置的所述待测电路板的中心点,当所述第一底片与相叠置的所述待测电路板的尺寸差异大于或小于所述容许误差时,则相叠置的所述待测电路板判定为一个所述淘汰电路板。
8.依据权利要求1所述的电路板检测方法,其特征在于,所述环境控制结构包含有一湿度控制器,用以对所述曝光设备内的一环境湿度进行控制。
9.依据权利要求8所述的电路板检测方法,其特征在于,所述环境控制结构包含有一湿度感测器,用以检测所述环境湿度,并且所述环境控制结构依据所述湿度感测器所检测到的湿度值,而对应地调整所述湿度控制器的运作。
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