CN111154484A - 一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料及其制备方法和光电化学电池 - Google Patents

一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料及其制备方法和光电化学电池 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料及其制备方法和光电化学电池，该量子点材料包括核体和包覆在核体外的壳体，所述核体为MnCuInS，壳体为ZnS。相较现有技术中常用的CIS核体材料，本发明通过引入过渡金属元素锰，扩大了CIS材料的带隙宽度，以在核壳材料的导带之间建立较小的偏移，更有利于导带之间光生电子的转移，从而提高光电化学电池性能。

Description

一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料及其制备方法和光电化 学电池
技术领域
本发明涉及一种核壳结构量子点材料及其制备方法和应用，属于量子点材料技术领域。
背景技术
量子点是由若干原子组成的一种的半导体晶体，因其具有量子局域效应，使其具有良好的发光性能。相对于其他的发光材料，其可应用在显示、照明、生物、太阳能电池等领域。随着量子点在显示应用中逐步变大，量子点产业化的趋势势在必得。
各种类型的量子点如PbS，PbSe，CdTe等及其core/sehll结构敏化TiO2已经被广泛应用于染料敏化太阳能电池，光探测器，发光二极管，光电化学制氢光阳极等一系列光电器件，展现出很多优点。但是在材料合成以及器件组装中引入的重金属元素(如镉，铅)会造成非常严重的环境污染，这也限制了基于这一类材料的光电器件进一步的推广和应用，因此，合成绿色的更环保且性能优异的量子点材料用于光电器件的需求成为研究的热点。但是在PEC制氢的绿色量子点合成方面只有很少的一些工作；同时相比于单一组分的核量子点来说，核壳结构量子点具有更高的光学和化学稳定性，因此开发环保型核壳结构量子点材料作为光阳极材料需要更多的努力。
发明内容
有鉴于此，针对上述现有技术的不足，本发明旨在提供一种环境友好型MnCuInS/ZnS核壳结构量子点材料及其制备方法，同时将其应用于制备光电化学电池，提高光电化学电池的光电效率。
为解决以上技术问题，本发明的技术方案首先提供了一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料，它包括核体和包覆在核体外的壳体，所述核体为MnCuInS2，壳体为ZnS。
进一步的，所述MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的直径为4.2±0.2nm。本申请核壳结构量子点材料的尺寸更适合染料敏化介孔TiO2薄膜。
同时，本发明还提供了上述MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的制备方法，它包括下述步骤：
(1)制备核体：将锰源、铜源和铟源材料加入有机配体溶液中混合形成混合液，混合液加热至180℃后快速加入硫源材料得到含锰、铜、铟、硫的混合液，保温20min后水浴退火(在高温时急速退火，利于形成结晶性更好的晶体结构)，离心纯化得到MnCuInS2溶液；所述有机配体溶液具有长碳氢键链尾和极性链头；
(2)制备壳体：将锌粉与油酸混合并加热至160℃后快速注入(优选可采用注射器注入)步骤(1)制得的MnCuInS2溶液中，加热至230℃，反应30min后，水浴退火得到本发明核壳结构量子点材料。
进一步的，步骤(1)中所述锰源、铜源和铟源材料为其物质的醋酸化合物，所述硫源为硫的油胺溶液，所述有机配体溶液为油胺或十八烯中的一种，所述锰源、铜源、铟源、硫源和有机配体的质量比为1︰0.5︰0.8︰0.6︰228.6。
进一步的，步骤(2)中所述锌粉与油酸的混合质量比为1︰18。
进一步的，所述步骤(1)中水浴退火的退火温度为180℃，退火时间为3～5min。
进一步的，所述步骤(2)中水浴退火的退火温度为230℃，退火时间为3～5min。
上述步骤(1)中离心纯化的具体操作为：
向保温后的含锰、铜、铟、硫的混合液中加入甲苯弱极性有机溶剂，在3000rpm转速下离心5分钟，弃去残余物保留上清液；然后向上清液中加入乙醇极性有机溶剂，在9000rpm转速下离心5分钟，沉淀分离，取底部沉积物分散在甲苯中得到MnCuInS2溶液。不同转速下的离心步骤利于得到纯度更好的尺寸均一的量子点材料。
同时，本申请还提供了一种光电化学电池，它是采用上述MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料用于制备光电化学电池的光电阳极，具体步骤如下所述：
采用电脉沉积技术将MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料沉积在涂有二氧化钛介孔膜的FTO中得到由核壳结构量子点材料敏化的TiO2基板，利用连续离子层吸附反应对该基板进行预防光腐蚀处理后即为光电化学电池的光电阳极。
与现有技术相比，本发明提供的核壳结构量子点材料，核体材料为MnCuInS2(MnCIS)，相较现有技术中常用的CuInS2(CIS)核体材料，通过引入过渡金属元素锰，扩大了CIS材料的带隙宽度，以在核壳材料的导带之间建立较小的偏移，更有利于导带之间光生电子的转移，从而提高光电化学电池性能。同时本发明提供的MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料，晶体结构为闪锌矿结构，能够使得核壳量子点性质更加稳定，可构建稳定的光电化学制氢系统。相比于现有技术中常见的CIS/ZnS核壳结构量子点，其能带宽度变大，在核壳材料的导带之间建立较小的偏移，饱和光电流密度和光稳定性都具有很高程度的提升。
附图说明
图1为本发明实施例1制得的MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的透射电镜表征图样；
图2为本发明实施例1制得的MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的的能带排列图；
图3为本发明实施例2制得的光电阳极的光电流密度-光电压的J-V曲线图；
图4为利用现有技术中CIS/ZnS材料制得的光电阳极的光电流密度-光电压的J-V曲线图；
图5为本发明实施例2制得的光电化学电池的稳定性测试的J-t曲线图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
实施例1：
制备MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料，具体包括以下步骤：
(1)制备核体：将0.1mmol的醋酸锰、0.05mmol的醋酸铜和0.05mmol的醋酸铟加入5mL的油胺溶液中混合形成混合液，混合液加热至180℃后快速加入0.3mmol的硫源得到含锰、铜、铟、硫的混合液，保温20min后水浴退火(退火温度为180℃，退火时间为3～5min)，离心纯化得到MnCIS2溶液；
离心纯化的具体操作为：
向保温后的含锰、铜、铟、硫的混合液中加入甲苯弱极性有机溶剂，在3000rpm转速下离心5分钟，弃去残余物保留上清液；然后向上清液中加入乙醇极性有机溶剂，在9000rpm转速下离心5分钟，沉淀分离，取底部沉积物分散在甲苯中得到MnCIS2溶液。
(2)制备壳体：将0.2mmol的锌粉与16mL的油酸混合并加热至160℃后，用注射器快速注入到步骤(1)制得的MnCIS2溶液中，加热至230℃，在该温度下继续反应30min以生成ZnS壳体，水浴退火(退火温度为230℃，退火时间为3～5min)后得到本发明MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料。
上述使用的所有原料(醋酸锰、醋酸铜、醋酸铟、硫源、油胺、锌粉、油酸、甲苯、乙醇)均为市售所得。
实施例2：
利用实施例1制得的MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料制备光电化学电池，制备步骤如下：
(1)制备光电化学电池的光电阳极
采用电脉沉积技术(电泳沉积法所用的直流偏置电压优选为100V,并且精确的将正负极的两片FTO距离控制为1厘米，时间优选为1小时)将实施例1制备的核壳结构量子点材料沉积在涂有二氧化钛介孔膜的FTO上，形成一种紧密的异质结构，得到由核壳结构量子点材料敏化的TiO2基板，利用连续离子层吸附反应(SLIAR)对该基板进行预防光腐蚀处理后即为光电化学电池的光电阳极。
需要注意的是电泳沉积结束后，用甲苯溶剂冲洗FTO表面，用氮气枪干燥表面。
更需要注意的是，在对光电电极预防光腐蚀的过程中，使用SLIAR沉积四层ZnS防止光腐蚀和增强光电流。
(2)制备光电化学电池
将步骤(1)中制备好的光电阳极与对电极、参比电极以及碱性电解液组装成光电化学电池。利用铂工作电极夹固定光电阳极，参比电极为0.3摩尔每升KCl溶液的Ag/AgCl电极，铂片作为工作电极，硫化钠和亚硫酸钠配置成的混合碱液作为电解液。在一个标准太阳能辐射(AM1.5G，100mW/cm2)下测试产氢性能，具体结果见图3的J-V曲线，从图3中可以看到本发明的饱和光电流比现有的CIS/ZnS量子点制备的光电化学电池的饱和光电流更高，其性能也更好。
采用透射电镜表征技术对实施例1制得的量子点材料结构进行观察，结果见图1所示：图1中显示了10nm分辨率和2nm分辨率下的量子点材料的结构，图1中可以看出该核壳结构量子点材料颗粒分散均匀，大小一致，具有良好的晶格结构，在2nm分辨率下可以计算得到材料的晶面指数为(111)。结合XRD等表征技术可以更加明确本发明核壳结构量子点材料的为闪锌矿结构，具有牢固的晶体结构，使得核壳量子点的结构稳定。
利用光学表征数据模拟实施例1制得的MnCIS/ZnS量子点材料和CIS/ZnS量子点材料的能带排列，结果如图2所示：本发明MnCIS/ZnS量子点材料能带宽度变大，在核壳材料的导带之间建立较小的偏移，更有利于导带之间光生电子的转移。
采用太阳光模拟器-电化学工作站联用技术检测实施例2制得的光电阳极和现有CIS/ZnS量子点材料制得的光电阳极的光电转化效率，结果如图3、图4所示：由本发明MnCIS/ZnS核壳结构量子点制备的光阳极在相比于CIS/ZnS量子点光电转化，显示出大约3倍增强的增强效果(饱和光电流密度)。
采用太阳光模拟器-电化学工作站联用技术对实施例2制得的光电化学电池进行稳定性测试，得到的J-t曲线图见图4所示：本实施例提供的MnCuInS/ZnS核壳结构量子点材料衰减幅度小，在2小时结束时还能保留原始光电流密度的70％以上，显示出优秀稳定的性能。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料，其特征在于：包括核体和包覆在核体外的壳体，所述核体为MnCuInS2，壳体为ZnS。
2.根据权利要求1所述的一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料，其特征在于：所述核壳结构量子点材料的直径为4.2±0.2nm。
3.一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：
(1)制备核体：将锰源、铜源和铟源材料加入有机配体溶液中混合形成混合液，混合液加热至180℃后快速加入硫源材料得到含锰、铜、铟、硫的混合液，保温20min后水浴退火，离心纯化得到MnCuI nS2溶液；所述有机配体溶液具有长碳氢键链尾和极性链头；
(2)制备壳体：将锌粉与油酸混合并加热至160℃后快速注入步骤(1)制得的MnCuInS2溶液中，加热至230℃，反应30min后，水浴退火得到本发明核壳结构量子点材料。
4.根据权利要求3所述的一种核壳结构量子点材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述锰源、铜源和铟源材料为其物质的醋酸化合物，所述硫源为硫的油胺溶液，所述有机配体溶液为油胺或十八烯中的一种，所述锰源、铜源、铟源、硫源和有机配体的质量比为1︰0.5︰0.8︰0.6︰228.6。
5.根据权利要求3所述的一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述锌粉与油酸的混合质量比为1︰18。
6.根据权利要求3所述的一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中水浴退火的退火温度为180℃，退火时间为3～5min。
7.根据权利要求3所述的一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中水浴退火的退火温度为230℃，退火时间为3～5min。
8.根据权利要求3所述的一种MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中离心纯化的具体操作为：
向保温后的含锰、铜、铟、硫的混合液中加入甲苯弱极性有机溶剂，在3000rpm转速下离心5分钟，弃去残余物保留上清液；然后向上清液中加入乙醇极性有机溶剂，在9000rpm转速下离心5分钟，沉淀分离，取底部沉积物分散在甲苯中得到MnCuInS2溶液。
9.一种光电化学电池，其特征在于：采用权利要求1或权利要求2所述的MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料或者权利要求3至7中任一项所述的制备方法制备得到的MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料用于制备光电化学电池的光电阳极。
10.根据权利要求9所述的一种光电化学电池，其特征在于：所述光电化学电池的光电阳极的制备方法包括下述步骤：
采用电脉沉积技术将MnCIS/ZnS核壳结构量子点材料沉积在涂有二氧化钛介孔膜的FTO中得到由核壳结构量子点材料敏化的TiO2基板，利用连续离子层吸附反应对该基板进行预防光腐蚀处理后即为光电化学电池的光电阳极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110735151A (zh) * 2019-06-20 2020-01-31 常州大学 一种碳化钛复合硫化铟锌光阳极的制备方法
CN114561214A (zh) * 2022-03-07 2022-05-31 电子科技大学长三角研究院(湖州) 一种Mn掺杂的CISe@ZnSe核壳结构量子点及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103773364A (zh) * 2014-01-16 2014-05-07 东南大学 基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法
CN110643348A (zh) * 2019-09-25 2020-01-03 电子科技大学 一种准ii型能带结构量子点及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103773364A (zh) * 2014-01-16 2014-05-07 东南大学 基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法
CN110643348A (zh) * 2019-09-25 2020-01-03 电子科技大学 一种准ii型能带结构量子点及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
华杰: "基于CuInS2/ZnS核壳量子点的磁光纳米材料的制备及光学性能研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110735151A (zh) * 2019-06-20 2020-01-31 常州大学 一种碳化钛复合硫化铟锌光阳极的制备方法
CN114561214A (zh) * 2022-03-07 2022-05-31 电子科技大学长三角研究院(湖州) 一种Mn掺杂的CISe@ZnSe核壳结构量子点及其制备方法和应用
CN114561214B (zh) * 2022-03-07 2024-02-23 电子科技大学长三角研究院(湖州) 一种Mn掺杂的CISe@ZnSe核壳结构量子点及其制备方法和应用

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