CN111151500A - 一种低清洗剂现场容量的掩模板清洗的方法和装置 - Google Patents

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杨光明
黄文胜
李卫
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect

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Abstract

本发明涉及AMOLED有机蒸镀工艺的掩模板清洗技术，特别涉及一种低清洗剂现场容量的掩模板清洗的方法和装置。该方法包括：将有机蒸镀工艺的掩模板放入一端开口的清洗槽内；在清洗槽内注入清洗剂；在掩模板进入清洗槽后对清洗槽的开口进行封闭；通过改变清洗槽腔的内壁形状来改变清洗槽的容积使得清洗剂与所有待清洗的掩模板表面接触；在掩模板清洗槽的两端分别接外部补液单元和对外泄单元，使得清洗槽内的清洗剂的纯度控制在要求范围内；清洗完毕，清洗槽内壁恢复初始形状，开口打开，掩模板从清洗槽内取出。

Description

一种低清洗剂现场容量的掩模板清洗的方法和装置
技术领域
本发明涉及AMOLED有机蒸镀工艺的掩模板清洗技术，特别涉及一种低清洗剂现场容量的掩模板清洗的方法和装置。
背景技术
高端AMOLED显示技术作为极具前瞻性的新一代显示技术，其相关产品在显示、绿色能源、通讯等方面，将取代目前大部分玻璃基板显示器应用，改变现有消费性3C电子产品使用性与操作质量。近年来，随着全球资本的不断聚集和AMOLED技术的飞跃进步，AMOLED产业获得了高速发展。目前全球已有超过数百家厂商陆续进入材料、生产设备、技术研发和大规模生产，一些产品已经大批量上市，主要发展国家(或地区)为韩国、日本、中国和我国台湾地区。我国在AMOLED布局上也非常迅速。
有机蒸镀是目前OLED的主要工序，蒸镀过程中掩膜板的清洁度直接关系到产品的良率，因此掩模板清洗(Mask clean)工序在AMOLED制程中地位特殊。掩膜板清洗过程要大量使用IPA等甲乙类有有机溶剂，为满足建筑防火规范的要求，在超过最大允许量时(根据《建设设计防火规范》的要求，对于甲类有机溶剂车间内的最大允许量为100升)，此工序应独立成栋，其生产的火灾危险性为甲类。目前的掩模板清洗机的清洗液在车间内的最大容量超过《建筑设计防火规范》的允许容量，因此其所在生产厂房的火灾危险类别被定为甲类。
掩模板清洗工艺有洁净度和温湿度的要求，为了满足甲类厂房的规范要求，掩模板清洗工艺所在的厂房应为的直排系统。直排系统造成的主要问题是：其洁净空调系统的能耗惊人。这将给面板厂商带来非常大的成本压力。
在不影响产品良率，并满足掩模板清洗度要求的基础上采用各种技术手段提供一种降低清洗剂在车间的总的容量(使其总容量小于100升)的技术方案，这样整个车间就不用按照甲类厂房来要求，这可以极大减小MASK清洗间的运行成本。
发明内容
为了解决上述的技术问题，提供了一种低清洗剂现场容量的掩模板清洗的方法和装置。
一种低清洗液现场容量有机蒸镀工艺的掩模板清洗的方法，其特征在于，该方法包括：将有机蒸镀工艺的掩模板放入一端开口的清洗槽内；在清洗槽内注入清洗剂；在掩模板进入清洗槽后对清洗槽的开口进行封闭；通过改变清洗槽腔的内壁形状来改变清洗槽的容积使得清洗剂与所有待清洗的掩模板表面接触；在掩模板清洗槽的两端分别接外部补液单元和外泄单元，使得清洗槽内的清洗剂的纯度控制在要求范围内；清洗完毕，清洗槽内壁恢复初始形状，开口打开，掩模板从清洗槽内取出。
优选地，该方法还包括：在掩模板清洗槽两端接入清洗剂循环单元，使得在至少包含掩模板整个待清洗面范围内的清洗槽中实现清洗剂循环流动。
优选地，该方法还包括：掩模板清洗完毕，在开口打开移出前，将槽内尚不需要外排的清洗剂排到槽腔外暂存，清洗剂排到槽腔后利用真空单元对槽腔抽负压，以加快掩模板干燥。
一种低清洗液现场容量有机蒸镀工艺的掩模板清洗的装置，其特征在于，该装置包括：内壁形状可变的清洗槽、清洗槽舱门、清洗槽补液单元、清洗槽外泄单元、掩模板移载器、清洗槽控制单元；内壁形状可变的清洗槽，用于实现利用尽可能少的清洗剂来完成掩模板的清洗；清洗槽舱门，用于实现清洗槽掩模板入口的打来或关闭；清洗槽补液单元，用于实现对清洗槽内的液体进行补充；清洗槽外泄单元，用于实现将清洗槽内的液体排出；掩模板移载器，用于实现将掩模板移入或移出清洗槽。
优选地，该装置还包括清洗剂循环单元，用于在至少包含掩模板整个待清洗面范围内的清洗槽中实现清洗剂循环流动。
优选地，该装置还包括真空单元，用于在清洗槽内对清洗后的掩模板实现干燥处理。
附图说明
图1为本发明反应内壁形状变形后一种状态的一种实施例装置的示意图；
图2为本发明反应内壁形状变形后另一种状态的一种实施例装置的示意图；
1-清洗槽补液单元 2-掩模板移载器 3-清洗槽舱门
4-内壁形状可变的清洗槽 5-真空单元 6-清洗槽外泄单元
7-清洗剂循环单元 8-清洗剂
具体实施方式
下面结合附图，对本发明做进一步的详细描述。
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种低清洗液现场容量的掩模板清洗技术，且实现成本低。
本发明的目的是通过如下技术措施来达到：
首先改变清洗槽腔的内壁形状，将有机蒸镀工艺的掩模板放入一端开口的清洗槽内。
如图1和图2所示，清洗槽的内壁的形状是可以改变：图1中清洗槽的右侧内壁向清洗槽内凹，此时清洗剂的液面在上面，清洗剂将掩模板包覆；在图2中清洗槽右侧的内壁向外变形，以满足掩模板从清洗槽的开口端能顺利进入到清洗槽内，此时清洗剂的液面在下面。
其次，在清洗槽内注入清洗剂，在掩模板进入清洗槽后对清洗槽的开口进行封闭，通过改变清洗槽腔的内壁形状来改变清洗槽的容积使得清洗剂与所有待清洗的掩模板表面接触。
通过上述的包覆式的清洗方式，可以大大减少掩模板清洗所需要的清洗剂。如果按照每台清洗机所需的清洗剂小于10升来计算，整个清洗车间在火灾危险性类别为丙类的情况允许在车间布置十条以下的掩模板清洗机生产线。
为了使上述包覆式清洗能够持续进行，要对清洗剂进行定期的更换，这就需要在清洗槽的两端加入补液单元和外泄单元，以完成清洗剂的更新。
为了提升清洗效果，需要在掩模板清洗槽两端接入清洗剂循环单元。循环单元的引入一方面可以使得与掩模板整个平面接触的清洗剂的清洁程度基本一致以确保清洗的整体质量，另一方面流动的清洗剂有利于将带清洗物从掩模板表面带走。
掩模板清洗完毕需要由移载机构移出清洗槽，如果掩模板上残留的清洗剂不被去除掉就会被带入车间环境，造成环境污染。为此可以在掩模板清洗完毕通过在槽内抽取真空的方式对掩模板进行真空干燥，此时需要将槽内的清洗剂暂时排到槽外进行暂存，
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种低清洗剂现场容量有机蒸镀工艺的掩模板清洗的方法，其特征在于，该方法包括：
将有机蒸镀工艺的掩模板放入一端开口的清洗槽内；
在清洗槽内注入清洗剂；
在掩模板进入清洗槽后对清洗槽的开口进行封闭；
通过改变清洗槽腔的内壁形状来改变清洗槽的容积使得清洗剂与所有待清洗的掩模板表面接触；
在掩模板清洗槽的两端分别接外部补液单元和外泄单元，使得清洗槽内的清洗剂的纯度控制在要求范围内；
清洗完毕，清洗槽内壁恢复初始形状，开口打开，掩模板从清洗槽内取出。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：在掩模板清洗槽两端接入清洗剂循环单元，使得在至少包含掩模板整个待清洗面范围内的清洗槽中实现清洗剂循环流动。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：掩模板清洗完毕，在开口打开移出前，将槽内尚不需要外排的清洗剂排到槽腔外暂存，清洗剂排到槽腔后利用真空单元对槽腔抽负压，以加快掩模板干燥。
4.一种低清洗剂现场容量有机蒸镀工艺的掩模板清洗的装置，其特征在于，该装置包括：内壁形状可变的清洗槽、清洗槽舱门、清洗槽补液单元、清洗槽外泄单元、掩模板移载器、清洗槽控制单元；
内壁形状可变的清洗槽，用于实现利用尽可能少的清洗剂来完成掩模板的清洗；
清洗槽舱门，用于实现清洗槽掩模板入口的打来或关闭；
清洗槽补液单元，用于实现对清洗槽内的液体进行补充；
清洗槽外泄单元，用于实现将清洗槽内的液体排出；
掩模板移载器，用于实现将掩模板移入或移出清洗槽。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，该装置还包括清洗剂循环单元，用于在至少包含掩模板整个待清洗面范围内的清洗槽中实现清洗剂循环流动。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，该装置还包括真空单元，用于在清洗槽内对清洗后的掩模板实现干燥处理。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63201692U (zh) * 1987-06-18 1988-12-26
WO2001092129A1 (en) * 2000-05-31 2001-12-06 Hans Bruce Method for producing wall, wall device or element for cold storage spaces and device made according to the method
JP2004181420A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Pioneer Electronic Corp 被洗浄物の洗浄装置
JP4112343B2 (ja) * 2002-11-21 2008-07-02 三菱電機株式会社 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2008238152A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sawa Corporation 平面形状部品の洗浄装置
WO2011160104A9 (en) * 2010-06-18 2012-05-10 Todd Schroeter A device for facilitating a chemical reaction
JP5248455B2 (ja) * 2009-09-30 2013-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ マスククリーニング装置
CN103469152A (zh) * 2013-08-11 2013-12-25 唐军 掩模板清洗系统
CN204412689U (zh) * 2015-01-04 2015-06-24 浙江浙能催化剂技术有限公司 一种清洗容器可调的超声波清洗装置
US9782973B2 (en) * 2015-11-06 2017-10-10 Xerox Corporation Method and apparatus for mitigating particulate settling in an ink handling system

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63201692U (zh) * 1987-06-18 1988-12-26
WO2001092129A1 (en) * 2000-05-31 2001-12-06 Hans Bruce Method for producing wall, wall device or element for cold storage spaces and device made according to the method
JP4112343B2 (ja) * 2002-11-21 2008-07-02 三菱電機株式会社 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2004181420A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Pioneer Electronic Corp 被洗浄物の洗浄装置
JP2008238152A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sawa Corporation 平面形状部品の洗浄装置
JP5248455B2 (ja) * 2009-09-30 2013-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ マスククリーニング装置
WO2011160104A9 (en) * 2010-06-18 2012-05-10 Todd Schroeter A device for facilitating a chemical reaction
CN103469152A (zh) * 2013-08-11 2013-12-25 唐军 掩模板清洗系统
CN204412689U (zh) * 2015-01-04 2015-06-24 浙江浙能催化剂技术有限公司 一种清洗容器可调的超声波清洗装置
US9782973B2 (en) * 2015-11-06 2017-10-10 Xerox Corporation Method and apparatus for mitigating particulate settling in an ink handling system

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