CN111146164B - 一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，包括顶部功率基板、底部功率基板、若干功率垫片、功率端子以及电子电子功率半导体芯片；若干功率垫片设置于顶部导电金属基板和底部导电金属基板之间；功率端子包括一个与顶部导电金属基板相连的交流功率端子，以及两个与底部导电金属基板相连的直流功率端子正极和直流功率端子负极；相邻的芯片不在同一个水平面上，交错排布的方式能够极大的减小所有芯片之间的热耦合程度，使得所有芯片于其他芯片的热耦合程度较为平均，以便达到所有芯片均温的效果；本发明得益于模块的均温、均流和低热阻的优点，芯片可以轻松地紧密排布，从而缩小了功率模块的体积，减少了散热冷却系统的成本。

Description

一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构
【技术领域】
本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构。
【背景技术】
功率模块是将一系列电力电子功率芯片按照一定的功能进行封装集成形成的一种模块，其性能比由分离的电力电子功率器件组成的电力电子变流器在电学性能、热性能、安全防护、成本等方面优越很多。近年来随着电力电子器件的不断发展，诸如石油钻探、电动汽车、航空航天等重要领域的应用环境的要求不断提高、节约能源口号的提出等影响，功率模块正在向小型化、高功率密度、高可靠性、低损耗的方向发展。特别是新一代宽禁带功率半导体(碳化硅、氮化镓等)器件正在各个工业领域中逐渐取代传统的硅器件，并带来了许多优点：
1、由于本征载流子的大幅度减小，器件的漏电流也大幅度减小，因而更加适合于高温条件运行；
2、更高的绝缘击穿场强使得器件可以在更高的电压等级下工作运行；
3、无需采用具有电导调制效应的少数载流子器件(即双极性器件)来减少因耐高压化而造成的高导通电阻现象，而是可以采用适合于高频工作的多数载流子结构(比如金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和肖特基势垒二极管等)，并且具有更低的开关损耗；
4、在同电压、电流等级下具有更小的芯片面积。
以上的诸多优势，可以使得使用宽禁带功率半导体的功率模块能够在更高的环境温度下工作，这就意味功率模块能够更加容易地在石油钻探、电动汽车等恶劣环境下，或传统功率模块无法工作的环境下可靠地工作，并且能够减少散热系统成本，甚至改变功率模块的散热方式，由主动散热(强迫风冷、液冷)转换为被动散热(自然散热)；更小的开关损耗能够在更高频下工作，减小无源部件特别是滤波部分的体积。
但是现有的封装结构却远远无法发挥宽禁带功率半导体的优势，主要表现在以下几个方面：
1、传统的功率模块是适用于大面积的硅基半导体功率芯片，这些器件通常并联的个数不多，并且要反并联一个功率二极管，而宽禁带功率半导体开关芯片面积很小，必须要多个并联以达到更大的电流等级，并且可以选择反并联或者不反并联功率二极管芯片；
2、传统功率模块在电气连接上大多是以键合线作为互连方式，其特点是单面传送热量，这种散热方式称为单面散热，散热效率低，电力电子芯片到周围环境的热阻较大，非常不利于功率模块在恶劣环境下使用；个别商用功率模块已经采用了双面散热的结构，但是这些功率模块都是少量芯片的封装集成，无法满足大功率、大电流的应用情况；
3、传统功率模块无法同时做到并联功率半导体芯片的均温与均流，这在高工作频率、恶劣环境下是至关重要的。芯片的不均温可以导致不同芯片的粘接层的失效速率不同，加速功率模块的整体失效，并且通过影响芯片的阈值电压而加剧并联芯片的动态不均流现象；芯片的不均流主要是因为芯片并联支路的寄生电感分布不均，寄生电感的分布不均会造成功率芯片在开关瞬态受到不均等的电流电压应力，极有可能发生击穿功率芯片的失效现象。
综上所述，宽禁带功率半导体的优良特性的发挥十分受限于传统的功率模块的封装结构，因此需要一种新型的封装结构来克服传统功率模块的缺点，从而充分发挥宽禁带器件的优良特性。
【发明内容】
本发明的目的在于解决现有技术中的问题，提供一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，该封装形式适合基于硅材料制作而成的电力电子器件，但特别适合宽禁带功率器件的封装。另外，本发明尤其适用于大电流的多芯片并联均流、多芯片均温、高环境温度、高工作频率、低损耗的应用工况。
为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，包括：
顶部功率基板，所述顶部功率基板的下表面设置若干用于安装电力电子功率半导体芯片的顶部导电金属基板；
底部功率基板，所述底部功率基板的上表面设置若干用于安装电力电子功率半导体芯片的底部导电金属基板；顶部功率基板和底部功率基板的位置相对设置；
若干功率垫片，所述若干功率垫片设置于顶部导电金属基板和底部导电金属基板之间，用于起电气连接、传递热量以及机械支撑作用；
功率端子，所述功率端子包括一个与顶部导电金属基板相连的交流功率端子，以及两个与底部导电金属基板相连的直流功率端子正极和直流功率端子负极；
电子电子功率半导体芯片，所述电子电子功率半导体芯片包括若干设置在功率端子与顶部导电金属基板之间的顶部半导体芯片和若干设置在功率端子与底部导电金属基板之间的底部半导体芯片，所述半导体芯片在竖直方向上交错布置，相邻的两个功率端子，其中一个与顶部导电金属基板之间设置顶部半导体芯片，另一个与底部导电金属基板之间设置底部半导体芯片，或者其中一个与底部导电金属基板之间设置顶部半导体芯片，另一个与顶部导电金属基板之间设置底部半导体芯片。
本发明进一步的改进在于：
所述电子电子功率半导体芯片包括两组四个并联共8个芯片，构成半桥结构的上下管。
所述半导体芯片采用宽禁带功率半导体器件。
所述功率垫片由单质铜、单质铝、铜-钼-铜复合平板材料、钨铜合金材料或锌铜合金材料制成。
所述顶部功率基板包括相贴合的第一绝缘介质基板和第一导电金属基板，底部功率基板包括相贴合的第二绝缘介质基板和第二导电金属基板。
所述第一绝缘介质基板和第二绝缘介质基板由氧化铝、氮化铝或氮化硅制成；顶部导电金属基板、底部导电金属基板、第一导电金属基板和第二导电金属基板为铜制基板或铝制基板。
所述顶部导电金属基板包括三组并列设置的金属板，其中，两侧的金属板由一块门字型板和一块T型板组成，T型板设置于门字型板内部；中部的金属板上开设有两道平行的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽长度小于中部金属板的宽度；交流功率端子与中部金属板相连。
所述底部导电金属板包括两组对称设置的金属板，每组金属板均包括一个位于内侧的门字型板，和一个位于外侧的L型板；门字型板内设置有T型版；直流功率端子正极和直流功率端子负极分别与两个位于内侧的门字型板相连。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明所有芯片具有这样的特点：相邻的芯片不存在于同一个水平面上。这种交错排布的方式能够极大地减小所有芯片之间的热耦合程度和使得所有芯片于其他芯片的热耦合程度较为平均，以便达到所有芯片均温的效果；
本发明通过芯片的交错排布方式和特定的电路布局，可以使得在流过每个芯片的电流回路中，每条相邻并联支路的电流流向相反，这样相邻的芯片之间会产生很大的抵消寄生电感的作用，从而极大地减小了换流回路的寄生电感以及平衡了每条并联支路的换流寄生电感，这使得的功率模块在工作时具有较小的电压过冲和动态、静态均流效果；
本发明所有芯片均排布在功率模块的一侧，加上交错分布特点，使得可以直接采用栅极回路(控制回路)的栅极引线和源极引线或者是门极回路(控制回路)的门极引线和发射极引线采用开尔文连接，从而消除共源极电感/共射极电感，达到可靠驱动、多芯片均流的效果；
本发明功率模块的功率端子与控制端子分开引出，这样可以消除功率回路电压、电流变化对控制回路的不良影响；
本发明功率回路的直流引出端子(DC+和DC-)在空间上排布紧密，可以容易地设计叠层母排和安装解耦电容，从而消除引出端子带来的换流回路的寄生电感；
本发明功率模块使用了功率垫片，既对整体的功率模块进行了机械支撑，还提供了灵活的导电通路、较小的换流回路的围成面积和散热通路，从而提高了整个模块的电学性能、热性能和力学性能；
本发明该封装结构不仅适用于反并联功率二极管，也适用于不使用反并联二极管的情况，从而减小了装置的体积，减少了成本；
本发明得益于模块的均温、均流和低热阻的优点，宽禁带功率半导体芯片可以轻松地紧密排布，从而缩小了功率模块的体积，减少了散热冷却系统的成本；
本发明得益于模块的均温、均流、低热阻和充分发挥宽禁带功率半导体器件的优良特性，可以使得该功率模块可靠地工作在恶劣环境或者是传统功率模块无法工作的环境条件下。
【附图说明】
图1为本发明实施例的整体结构示意图；
图2为本发明实施例中相互交错分布的宽禁带功率芯片的位置示意图；
图3-图6为本发明实施例中并联芯片的电流流通情况示意图；
图7为本发明实施例中四条并联支路电流流通的分布情况示意图；
图8为本发明实施例中直流端子一侧的铜路与栅极回路分布情况示意图；
图9为本发明实施例中交流端子一侧的铜路于栅极回路分布的情况示意图；
图10为本发明实施例中直流端子加耦合电容的情况示意图；
图11为本发明实施例中功率模块与翅柱式液冷散热器集成的情况示意图。
【具体实施方式】
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，不是全部的实施例，而并非要限制本发明公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要的混淆本发明公开的概念。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
在附图中示出了根据本发明公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
本发明公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
参见图1和图2，本发明一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，包括顶部功率基板、底部功率基板、若干功率垫片、功率端子以及电子电子功率半导体芯片。
顶部功率基板的下表面设置若干用于安装电力电子功率半导体芯片的顶部导电金属基板117；底部功率基板的上表面设置若干用于安装电力电子功率半导体芯片的底部导电金属基板120；顶部功率基板和底部功率基板的位置相对设置；若干功率垫片设置于顶部导电金属基板117和底部导电金属基板120之间，用于起电气连接、传递热量以及机械支撑作用；功率端子包括一个与顶部导电金属基板117相连的交流功率端子133，以及两个与底部导电金属基板120相连的直流功率端子正极131和直流功率端子负极132；电子电子功率半导体芯片包括若干设置在功率端子与顶部导电金属基板117之间的顶部半导体芯片和若干设置在功率端子与底部导电金属基板120之间的底部半导体芯片，半导体芯片在竖直方向上交错布置，相邻的两个功率端子，其中一个与顶部导电金属基板117之间设置顶部半导体芯片，另一个与底部导电金属基板120之间设置底部半导体芯片，或者其中一个与底部导电金属基板120之间设置顶部半导体芯片，另一个与顶部导电金属基板117之间设置底部半导体芯片。
电子电子功率半导体芯片包括两组四个并联共8个芯片，构成半桥结构的上下管。半导体芯片采用宽禁带功率半导体器件。功率垫片由单质铜、单质铝、铜-钼-铜复合平板材料、钨铜合金材料或锌铜合金材料制成。
顶部功率基板包括相贴合的第一绝缘介质基板118和第一导电金属基板119，底部功率基板包括相贴合的第二绝缘介质基板121和第二导电金属基板122。第一绝缘介质基板118和第二绝缘介质基板121由氧化铝、氮化铝或氮化硅制成；顶部导电金属基板117、底部导电金属基板120、第一导电金属基板119和第二导电金属基板122为铜制基板或铝制基板。顶部导电金属基板117包括三组并列设置的金属板，其中，两侧的金属板由一块门字型板和一块T型板组成，T型板设置于门字型板内部；中部的金属板上开设有两道平行的第一凹槽134和第二凹槽135，第一凹槽134和第二凹槽135长度小于中部金属板的宽度；交流功率端子133与中部金属板相连。底部导电金属板120包括两组对称设置的金属板，每组金属板均包括一个位于内侧的门字型板，和一个位于外侧的L型板；门字型板内设置有T型版；直流功率端子正极131和直流功率端子负极132分别与两个位于内侧的门字型板相连。
实施例：
如图1和图2所示，本实施例的封装结构主要是由8个电力电子功率半导体芯片、16个功率垫片、6个功率基板以及3个功率端子组成；
8个电力电子功率半导体芯片具体为半导体芯片100、半导体芯片104、半导体芯片105、半导体芯片108、半导体芯片109、半导体芯片112、半导体芯片113以及半导体芯片116；
16个功率垫片具体为功率垫片102、功率垫片103、功率垫片106、功率垫片107、功率垫片110、功率垫片111、功率垫片114、功率垫片115、功率垫片123、功率垫片124、功率垫片125、功率垫片126、功率垫片127、功率垫片128、功率垫片129以及功率垫片130；
6个功率基板具体为顶部导电金属基板117、第一绝缘介质基板118、第一导电金属基板119、底部导电金属基板120、第二绝缘介质基板121以及第二导电金属基板122；顶部导电金属基板117、第一绝缘介质基板118、第一导电金属基板119、底部导电金属基板120、第二绝缘介质基板121以及第二导电金属基板122各自构成完整功能、功率垫片结构的功率基板。
3个功率端子具体为直流功率端子正极131、直流功率端子负极132以及交流功率端子133组成。
本实施例包括了两组四个并联共8个的电力电子功率半导体芯片，其构成了经典半桥结构的上下管，实际工作中可以根据需求增加或减少并联芯片数来改变同流能力或者增加减少串联芯片数来改变耐压能力，也可以根据需求增加反并联二极管芯片，需要特别指出的是，本发明所提及到的电力电子功率半导体芯片包括但不仅限于宽禁带功率半导体器件；功率垫片的作用是电气连接、传递热量和机械支撑作用，其材质可以是单质铜、功率垫片单质铝等金属，也可以是铜-钼-铜等复合平板材料或者钨铜、锌铜等合金材料，根据使用环境和可靠性要求选择不同的材质；功率基板通常为包括但不限于直接键合铜陶瓷基板、活性金属钎焊陶瓷覆铜基板等；顶部导电金属基板117与底部导电金属基板120是导电金属，多数为铜或铝，用来执行电气连接与散热功能，第一绝缘介质基板118与第二绝缘介质基板121的材质一般是氧化铝、氮化铝、氮化硅等陶瓷物质或者其他的绝缘介质，执行绝缘与导热的功能，第一导电金属基板119与第二导电金属基板122一般是铜或铝等导电金属，执行连接散热器、提高散热效率的功能。
多芯片的空间位置
如图2所示，多芯片的空间交错位置是本发明中封装结构的核心技术，相邻的电力电子功率半导体芯片互不在同一功率基板上，从而在在紧凑的布局条件下实现了两种热性能优势：第一是极大的减小了多芯片之间的热耦合程度，在同样的工况条件、同样的电力电子功率半导体芯片下，与传统的功率模块相比，芯片到环境的热阻降低很多，因此芯片的温度也会降低很多，同时也意味着该封装结构能够承载更大的功率等级；第二是使得每个芯片与其余的芯片之间的热耦合一致，工作状态下的芯片温度一致能够极大地提高功率模块整体的可靠性，详细来说，一致的芯片温度能够保证一致的阈值电压，从而能够保证并联芯片之间的动态均流，另外芯片温度的一致能够保证芯片与功率基板之间粘接层的可靠性，避免在某个粘接层发生失效进而出现热失控的现象。多芯片的空间交错排布还直接决定了多芯片并联均流的效果。
总功率回路
由于采用多芯片的空间交错位置，在发生电流换流动作瞬间，本发明封装结构中将会出现多个电流相反流向的等效回路。在本实施例中，有四个并联芯片。图3-图6显示了四个并联芯片的电流流通路径，为简单起见，均显示了上桥臂的电流流通路径，即从直流功率端子正极131出发，流经四个并联芯片后，流向交流功率端子133的路径。图示的路径与下桥臂的流通路径相似，原理和现象完全相同。电流的流通路径200、流通路径201、流通路径202和流通路径203分别是四个并联芯片的电流流通路径，并且每条换流支路回路均有沿着平行于功率模块短边方向的流通回路。如图7所示，这四条支路中，两两支路的电流流通方向相反。因此，每一条支路在空间中产生的磁通均会在相邻的支路中产生等效的负寄生互感，从而缩小了每条支路的寄生电感，从而使总换流回路的寄生电感极大地缩小。
并联支路回路
由于平行于功率模块短边回路的电流流通特点，并联芯片的直流回路寄生电感均大幅度减小，这将会减小并联支路上寄生电感的不平衡。平行于功率模块长边的电流回路存在着回路面积小、流向芯片端的电流通路与流出芯片端的电流通路流向相反并且距离较近的特点，这会进一步减小支路回路的不平衡寄生电感。需要指出的是，在图6所示的支路换流回路中，为了规范电流的流向，在铜路的中挖出两道凹槽，即第一凹槽134和第二凹槽135，第一凹槽134和第二凹槽135能够平衡该条支路的寄生电感。
驱动回路
图8和图9均显示了带有驱动回路的封装布局情况。区域136、137为驱动回路区域。这种布局结构能够简单地使用栅极引线和源极引线的开尔文连接(对于IGBT也是如此)，彻底消除功率回路对驱动回路的负面影响，从而提高了多芯片均流的效果和功率模块在不同工况下的运行可靠性。
功率端子
图10示显示了直流功率端子正极131和直流功率端子负极132的分布情况。这种紧凑的排列方式便于设计叠层母排来减少功率端子引入的寄生电感对功率模块的影响，也会容易地集成解耦电容138，从而进一步消除功率端子引入的寄生电感对功率模块的影响以及减小功率模块的高频电磁干扰对其他部件的影响。
功率模块的散热方式
本发明封装结构可以使用的散热方式包括但不限于自然散热、强迫风冷散热、强迫液冷散热。图11显示了安装翅柱型散热器的功率模块。翅柱型散热器139适用于强迫液冷散热，以便功率模块在极端的环境下获得更好的散热性能。
本发明的原理：
本发明实现了一个半桥结构，这种结构(可以由一个或者多个结构串并联)可以构成但不限于三相逆变全桥电路、同步整流器、单相逆变全桥等直流-交流、直流-直流、交流-交流和交流-直流变流电路。本发明提出的封装结构具有很低的换流回路寄生电感，并且针对并联芯片大电流的应用场合，具有并联支路的静态及动态均流功能，因此能够获得多芯片并联均流和较低的开关电压过冲的特性。本发明的封装结构中，所有芯片的热耦合均大幅度降低，并且所有芯片之间的热耦合程度较为均等，因此能够获得较高的传热效率和均匀的芯片结温。本发明的封装结构中，所有芯片产生的热量有两个传递路径，因此大幅度减小了芯片到环境的热阻。综上所述，本发明提出的封装结构能够在非常大的电流等级、非常高的开关频率下可靠地工作，也可以在芯片结温达到200℃～350℃下工作(这还取决于封装材料、运行的环境等)，从而充分发挥了宽禁带功率半导体的优越性能。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，其特征在于，包括：
顶部功率基板，所述顶部功率基板的下表面设置若干用于安装电力电子功率半导体芯片的顶部导电金属基板（117）；顶部导电金属基板（117）包括三组并列设置的金属板，其中，两侧的金属板由一块门字型板和一块T型板组成，T型板设置于门字型板内部；中部的金属板上开设有两道平行的第一凹槽（134）和第二凹槽（135），第一凹槽（134）和第二凹槽（135）长度小于中部金属板的宽度；交流功率端子（133）与中部金属板相连；
底部功率基板，所述底部功率基板的上表面设置若干用于安装电力电子功率半导体芯片的底部导电金属基板（120）；顶部功率基板和底部功率基板的位置相对设置；底部导电金属基板（120）包括两组对称设置的金属板，每组金属板均包括一个位于内侧的门字型板，和一个位于外侧的L型板；门字型板内设置有T型版；直流功率端子正极（131）和直流功率端子负极（132）分别与两个位于内侧的门字型板相连；
若干功率垫片，所述若干功率垫片设置于顶部导电金属基板（117）和底部导电金属基板（120）之间，用于起电气连接、传递热量以及机械支撑作用；
功率端子，所述功率端子包括一个与顶部导电金属基板（117）相连的交流功率端子（133），以及两个与底部导电金属基板（120）相连的直流功率端子正极（131）和直流功率端子负极（132）；
电力电子功率半导体芯片，所述电力电子功率半导体芯片包括若干设置在功率端子与顶部导电金属基板（117）之间的顶部半导体芯片和若干设置在功率端子与底部导电金属基板（120）之间的底部半导体芯片，所述半导体芯片在竖直方向上交错布置，相邻的两个功率端子，其中一个与顶部导电金属基板（117）之间设置顶部半导体芯片，另一个与底部导电金属基板（120）之间设置底部半导体芯片，或者其中一个与底部导电金属基板（120）之间设置顶部半导体芯片，另一个与顶部导电金属基板（117）之间设置底部半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，其特征在于，所述电力电子功率半导体芯片包括两组四个并联共8个芯片，构成半桥结构的上下管。
3.根据权利要求1所述的适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，其特征在于，所述半导体芯片采用宽禁带功率半导体器件。
4.根据权利要求1所述的适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，其特征在于，所述功率垫片由单质铜、单质铝、铜-钼-铜复合平板材料、钨铜合金材料或锌铜合金材料制成。
5.根据权利要求1所述的适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，其特征在于，所述顶部功率基板包括相贴合的第一绝缘介质基板（118）和第一导电金属基板（119），底部功率基板包括相贴合的第二绝缘介质基板（121）和第二导电金属基板（122）。
6.根据权利要求5所述的适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一绝缘介质基板（118）和第二绝缘介质基板（121）由氧化铝、氮化铝或氮化硅制成；顶部导电金属基板（117）、底部导电金属基板（120）、第一导电金属基板（119）和第二导电金属基板（122）为铜制基板或铝制基板。
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