CN111131557A - 滑盖式终端及霍尔传感器的阈值设置方法 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种滑盖式终端及霍尔传感器的阈值设置方法,属于移动终端领域。滑盖式终端包括上滑盖和下滑盖;上滑盖内设置有磁铁;下滑盖内设置有霍尔传感器和处理器;霍尔传感器在滑盖闭合状态下位于磁铁的第一磁极所在一侧方向上,霍尔传感器在滑盖滑开状态下位于磁铁的第二磁极所在一侧方向上;霍尔传感器和处理器电性相连;处理器,用于在霍尔传感器的输出电平发生切换时,确定上滑盖相对于下滑盖的滑动距离达到预设距离;其中,霍尔传感器的电平切换触发门限高于基准门限。通过霍尔传感器的电平切换触发门限高于基准门限,使得在存在干扰磁性器件时,霍尔传感器的输出电平依然不受影响,从而滑盖式终端对滑盖状态的判断依然准确。
Description
技术领域
本公开涉及移动终端领域,特别涉及一种滑盖式终端及霍尔传感器的阈值设置方法。
背景技术
滑盖式终端是具有上滑盖和下滑盖的终端。滑盖式终端是实现全面屏终端的一个方向。滑盖式终端可将前置摄像头隐藏在下滑盖的正面上。用户可以手动将滑盖式终端的上/下滑盖进行滑开或滑闭。
发明内容
本公开实施例提供了一种滑盖式终端、霍尔传感器的阈值设置方法及装置,可以解决在滑盖式终端监测滑盖状态时,干扰磁性器件的存在会对霍尔传感器产生影响,导致霍尔传感器的输出电平受到影响,从而造成滑盖式终端对滑盖状态的判断不准确的问题。所述技术方案如下:
根据本公开实施例的一个方面,提供了一种滑盖式终端,所述滑盖式终端包括上滑盖和下滑盖,所述上滑盖和所述下滑盖通过滑轨相连;
所述上滑盖内设置有磁铁;
所述下滑盖内设置有霍尔传感器和处理器;所述霍尔传感器在滑盖闭合状态下位于所述磁铁的第一磁极所在一侧方向上,所述霍尔传感器在滑盖滑开状态下位于所述磁铁的第二磁极所在一侧方向上;所述霍尔传感器和所述处理器电性相连;
所述处理器,用于在所述霍尔传感器的输出电平发生切换时,确定所述上滑盖相对于所述下滑盖的滑动距离达到预设距离;
其中,所述霍尔传感器的电平切换触发门限高于基准门限,所述基准门限是在不存在除所述磁铁的磁场之外的其它磁场时所设计的门限。
可选地,所述基准门限是在不存在除所述磁铁的磁场之外的其它磁场时,所述霍尔传感器位于所述磁铁的正下方时进行电平切换的触发门限。
在一种可选的实施方式中,所述下滑盖内包括干扰磁性器件;所述霍尔传感器,被配置为在滑盖滑动过程中位于所述磁铁的中心点与所述干扰磁性器件的中心点之间的目标位置时,将所述输出电平从低电平切换至高电平;
所述处理器,被配置为在监测到所述低电平切换至所述高电平时,确定所述上滑盖相对于所述下滑盖在滑闭方向上的滑动距离达到第二距离。
在另一种可选的实施方式中,所述下滑盖内包括干扰磁性器件;所述霍尔传感器,被配置为在滑盖滑动过程中位于所述磁铁的中心点与干扰磁性器件的中心点之间的目标位置时,将所述输出电平从高电平切换至低电平;
所述处理器,被配置为在监测到所述高电平切换至所述低电平时,确定所述上滑盖相对于所述下滑盖在滑开方向上的滑动距离达到第一距离。
可选地,所述干扰磁性器件是位于所述霍尔传感器的周侧的被磁化的电子器件。
可选地,所述干扰磁性器件是柔性排线,或插接件上的金属片。
根据本公开的另一方面,提供了一种霍尔传感器的阈值设置方法,应用于如上所述的滑盖式终端的制造过程中,所述方法包括:
在不存在除所述磁铁的磁场之外的其它磁场时,确定所述霍尔传感器的基准门限;
根据所述基准门限确定所述霍尔传感器的所述电平切换触发门限;
根据所述电平切换触发门限确定所述霍尔传感器的物理参数和/或工作参数。
在一种可选的实施方式中,根据所述电平切换触发门限和所述基准门限的差值,减小所述霍尔传感器中的霍尔传感器的厚度。
在另一种可选的实施方式中,根据所述电平切换触发门限和所述基准门限的差值,增大所述电流的电流强度。
在另一种可选的实施方式中,根据所述电平切换触发门限和所述基准门限的差值,增大所述磁场的磁感应强度。
根据本公开实施例的另一方面,提供了一种计算机程序产品,所述程序产品中存储有计算机程序,所述计算机程序由处理器加载并执行以实现如上所述的霍尔传感器的阈值设置方法。
本公开实施例提供的技术方案至少包括以下有益效果:
通过滑盖式终端的上滑盖设置有磁铁,下滑盖设置有霍尔传感器和处理器,由霍尔传感器在磁铁的第一磁极和第二磁极之间滑动时输出的电平变化,确定上滑盖相对于下滑盖的滑动距离,而霍尔传感器的电平切换触发门限高于基准门限,使得在存在干扰磁性器件时,霍尔传感器的输出电平依然能够正常工作,从而滑盖式终端对滑盖状态的判断依然准确。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是本公开一个示例性实施例提供的滑盖式终端的外观示意图;
图2是本公开另一个示例性实施例提供的滑盖式终端的结构示意图;
图3是图2所示实施例提供的滑盖式终端的霍尔传感器在滑动过程中的输出电平示意图;
图4是本公开另一个示例性实施例提供的滑盖式终端的结构示意图;
图5是图4所示实施例提供的滑盖式终端的霍尔传感器在滑动过程中的输出电平示意图;
图6是图4所示实施例提供的滑盖式终端的霍尔传感器在滑动过程中的输出电平示意图;
图7是本公开一个示例性实施例提供的霍尔传感器的阈值设置方法的流程图;
图8是本公开另一个示例性实施例提供的霍尔传感器的工作原理的示意图;
图9是本公开一个示例性实施例提供的滑盖式终端的框图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
全面屏是移动终端的发展潮流。全面屏的实现难点在于如何取消或隐藏终端正面的前置摄像头、距离传感器、麦克风、指纹传感器和物理按键等器件,从而尽可能地增大显示屏所占的比例。
图1示意性的示出了一种滑盖式终端100的外观示意图。该滑盖式终端100包括:上滑盖110和下滑盖120,上滑盖110和下滑盖120之间通过滑轨相连。上滑盖110和下滑盖120可在滑开状态和闭合状态之间进行切换。
滑开状态是指上滑盖110和下滑盖120之间的相对滑动距离大于预设值的状态。在滑开状态下,位于下滑盖120的前表面上的前置摄像头12处于外露状态。
闭合状态是指上滑盖110和下滑盖120之间的相对滑动距离为零的状态,也即上滑盖110和下滑盖120的正视位置是重合的。在闭合状态下,位于下滑盖120的前表面上的前置摄像头12处于非外露状态。
可选地,上滑盖110和下滑盖120之间设置有滑动检测组件和滑动驱动部件。
一方面,该滑动检测组件用于在用户开始滑动上下滑盖时,检测上滑盖110和下滑盖120之间沿着滑开方向的相对滑动距离是否达到阈值,并在相对滑动距离达到阈值时上报滑盖滑开事件。滑动驱动部件用于当根据该滑盖滑开事件时,控制上滑盖110和下滑盖120进行自动滑动,直至从闭合状态完全切换为滑开状态。
另一方面,该滑动检测组件用于在用户开始滑动上下滑盖时,检测上滑盖110和下滑盖120之间沿着滑闭方向的相对滑动距离是否达到阈值,并在相对滑动距离达到阈值时上报滑盖闭合事件。滑动驱动部件用于当根据该滑盖闭合事件时,控制上滑盖110和下滑盖120进行自动滑动,直至从滑开状态完全切换为闭合状态。
上述滑动检测组件可以通过一个磁铁和一个霍尔传感器来实现。
图2示出了本申请一个示意性实施例提供的一种滑盖式终端100的结构示意图。该滑盖式终端100包括上滑盖110和下滑盖120,该上滑盖110和下滑盖120通过滑轨连接(图中未示出)。图2中的方向箭头130指示的是上滑盖110相对于下滑盖120的滑动方向。
上滑盖110内设置有磁铁,该磁铁包括第一磁极111和第二磁极112。可选地,第一磁极111为N极,第二磁极112为S极,磁铁的磁力线的方向是从N极到S极。
下滑盖120内设置有霍尔传感器(hall)121、处理器122和存储器123,霍尔传感器121和处理器122电性相连,处理器122和存储器123电性相连。处理器122用于通过监测霍尔传感器121从N极滑向S极时的电平变化,确定滑盖式终端100的滑盖状态。
霍尔传感器121是通过霍尔效应产生输出电压的电子器件,霍尔效应是指位于磁场中的霍尔传感器121有电流从霍尔传感器121的一端穿过另一端,该霍尔传感器121在洛伦兹力的作用下,电流中的载流子在通过霍尔传感器121时向一侧偏移,使得该霍尔传感器121产生电位差,霍尔传感器121通过霍尔效应产生的电位差即为霍尔电压。霍尔传感器121在滑盖式终端100在滑盖闭合状态下位于磁铁的N极所在一侧方向上,在滑盖式终端100滑盖滑开状态下位于磁铁的S极所在一侧方向上。
处理器122位于下滑盖120内,用于监测霍尔传感器121输出电平的变化,并根据监测到输出电平的变化,确定滑盖式终端100的滑盖状态。存储器123位于下滑盖120内,用于存储相应的计算机程序。
在一种可选的实施方式中,当沿着方向箭头130的方向滑动滑盖式终端100的上滑盖110时,霍尔传感器121在滑盖滑动过程中位于磁铁的正下方时,将输出电平从第一电平切换至第二电平。其中,第一电平可以为高电平,第二电平可以为低电平。也即霍尔传感器121在滑盖滑动过程中位于磁铁的正下方时,将输出电平从高电平切换至低电平。
处理器122通过存储器123存储的计算机程序监测到霍尔传感器121输出的电平从高电平切换至低电平时,确定上滑盖110相对于下滑盖120在方向箭头130指示的滑开方向上的滑动距离达到第一距离。滑盖式终端100在上滑盖110和下滑盖120之间还设置有滑动驱动部件(图中未示出),该滑动驱动部件用于在上滑盖110相对于下滑盖120在滑开方向上的滑动距离达到第一距离时,驱动上滑盖110在滑开方向上继续滑动。当滑盖式终端100的上下滑盖之间的相对滑开距离达到第一距离时,处理器122控制滑动驱动部件驱动上滑盖110相对于下滑盖120在滑开方向上继续滑动。
在另一种可选的实施方式中,当沿着方向箭头130的相反方向滑动滑盖式终端100的上滑盖110时,霍尔传感器121在滑盖滑动过程中位于磁铁的正下方时,将输出电平从第二电平切换至第一电平。其中,第一电平可以为高电平,第二电平可以为低电平。也即,霍尔传感器121在滑盖滑动过程中位于磁铁的正下方时,将输出电平从高电平切换至低电平。
处理器122通过存储器123存储的计算机程序监测到霍尔传感器121输出的电平从低电平切换至高电平时,确定上滑盖110相对于下滑盖120在方向箭头130的相反方向指示的滑闭方向上的滑动距离达到第二距离。滑盖式终端100在上滑盖110和下滑盖120之间还设置有滑动驱动部件(图中未示出),该滑动驱动部件用于在上滑盖110相对于下滑盖120在滑闭方向上的滑动距离达到第二距离时,驱动上滑盖110在滑闭方向上继续滑动。当滑盖式终端100的上下滑盖之间的相对滑闭距离达到第二距离时,处理器122控制滑动驱动部件驱动上滑盖110相对于下滑盖120在滑闭方向上继续滑动。
可选地,上滑盖110的正面还设置有触摸屏,该触摸屏的屏占比大于预设屏占比,比如,该触摸屏的屏占比大于90%。
可选地,下滑盖120内还设置有运动传感器、前置摄像头、后置摄像头、通信芯片、物理接口、麦克风、扬声器、天线中的至少一种。
在磁铁未受其它磁场干扰的场景下,也即上述滑动检测组件的正常工作模式下:
图3示出了图2所示的滑盖式终端100在滑动过程中的电平变化示意图。
在(1)处,霍尔传感器121位于磁铁N极111所在一侧方向上,磁铁的磁力线分布为从N极到S极,在霍尔传感器121在从磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121未滑至磁铁的中心点时,霍尔传感器121接收到的磁力线为B1。对该磁力线B1进行方向分析,该磁力线B1可以分为水平方向上的磁力线B2和竖直方向上的磁力线B3,且水平方向上的磁力线B2的方向是由右往左,竖直方向上的磁力线B3的方向是由上往下,从而霍尔传感器121根据接收到的磁力线B1,确定在竖直方向上的磁力线B3的方向是由上往下,再根据霍尔效应的原理,霍尔传感器121在(1)处输出电平为高电平。
在霍尔传感器121在从磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121未滑至磁铁的中心点时,霍尔传感器121接收到的磁力线B1都可分出竖直方向上的磁力线B3,且该竖直方向上的磁力线B3的方向是由上往下,故霍尔传感器121输出电平为高电平。
在(2)处,霍尔传感器121位于磁铁的中心点所在一侧方向上,在霍尔传感器121由磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121已滑至磁铁的中心点时,霍尔传感器121接收到的磁力线为B4。对该磁力线B4进行方向分析,该磁力线B4为水平方向上的磁力线,且水平方向上的磁力线B4的方向是由右往左,从而霍尔传感器121根据接收到的磁力线B4,确定没有竖直方向上的磁力线,再根据霍尔效应的原理,霍尔传感器121在(2)处输出电平为低电平。
在(3)处,霍尔传感器121位于磁铁S极112所在一侧方向上,在霍尔传感器121由磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121已滑过磁铁的中心点时,霍尔传感器121接收到的磁力线为B5。对该磁力线B5进行方向分析,该磁力线B5可以分为水平方向上的磁力线B6和竖直方向上的磁力线B7,且水平方向上的磁力线B6的方向是由右往左,竖直方向上的磁力线B7的方向是由下往上,从而霍尔传感器121根据接收到的磁力线B5,确定在竖直方向上的磁力线B7的方向是由下往上,再根据霍尔效应的原理,霍尔传感器121在(3)处输出电平为低电平。
在霍尔传感器121在从磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121已滑过磁铁的中心点时,霍尔传感器121接收到的磁力线B5都可分出竖直方向上的磁力线B7,且该竖直方向上的磁力线B7的方向是由下往上,故霍尔传感器121输出电平为低电平。
图3中的140示出的是霍尔传感器121在从磁铁的N极111滑向S极112过程中的输出电平的变化。
综上所述,在本实施例提供的滑盖式终端中,通过在滑盖式终端的上滑盖设置磁铁,下滑盖设置霍尔传感器,由于霍尔传感器在磁铁的第一磁极和第二磁极之间来回滑动时,霍尔传感器的输出电平会产生变化,通过监测霍尔传感器的输出电平的变化,确定滑盖式终端的滑盖状态。
但是发明人在制造上述滑盖式终端100的过程中发现,由于滑盖式终端100中还存在其它易被磁化的电子部件,比如USB控制板需要与主板通过柔性排线相连,该柔性排线的插接件上存在一个长条形的薄钢片,该薄钢片在制造过程中被外部磁场影响,存在一定的几率(比如3%)会被磁化。磁化后的薄钢片会影响上述霍尔传感器121的正常运行。
图4示出了干扰磁性器件124的位置示意图。干扰磁性器件124位于下滑盖120内,且位于霍尔传感器121的周侧,霍尔传感器121的周侧是霍尔传感器121与滑盖式终端100的顶部之间的空间。干扰磁性器件124是滑盖式终端100内除磁铁以外具备磁性的电子器件,且干扰磁性器件124是本身不具备磁性的,在生产制作过程中被磁化的电子器件。可选地,干扰磁性器件124是柔性排线,或干扰磁性器件124是插接件上的金属片,该插接件上的金属片可以是USB接口的金属片。由于干扰磁性器件124具有磁性,干扰磁性器件124具有对应的磁场,干扰磁性器件124的磁力线是从N极到S极,且干扰磁性器件124位于霍尔传感器121的周侧,故霍尔传感器121会受到一部分来自干扰磁性器件124产生的磁场,抵消了一部分来自磁铁产生的磁场。
由于干扰磁性器件124的存在,在磁铁受到干扰磁性器件124干扰的场景下,图5示出了图3所示的滑盖式终端100在滑动过程中的电平变化示意图。
在(1)处,霍尔传感器121受到来自磁铁的磁场,同时还受到来自干扰磁性器件124的磁场。在霍尔传感器121在从磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121未滑至磁铁的中心点时,磁铁的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由上往下,干扰磁性器件124的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由上往下,故两个磁场矢量叠加后,霍尔传感器121输出电平为高电平。
在(2)处,霍尔传感器121位于磁铁的中心点所在一侧方向上,在霍尔传感器121由磁铁的N极滑向S极,且该霍尔传感器121已滑至磁铁的中心点时,磁铁的磁力线为水平方向上的磁力线,且水平方向上的磁力线的方向是由右往左,干扰磁性器件124的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由上往下,故两个磁场矢量叠加后,霍尔传感器121还受到由上往下穿过的磁力线,在(2)出霍尔传感器121输出电平为高电平。
在(3)处,在霍尔传感器121滑至目标位置时,磁铁的磁场与干扰磁性器件124的磁场的矢量叠加为0,故霍尔传感器121在目标位置处输出电平为0电平。其中,目标位置是在滑盖滑动过程中位于磁铁的中心点与干扰磁性器件的中心点之间的位置。
在(3)处,霍尔传感器121从目标位置继续向S极滑动时,霍尔传感器121受到来自磁铁的磁场,同时还受到来自干扰磁性器件124的磁场。磁铁的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由下往上,干扰磁性器件124的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由上往下,而磁铁的磁场比干扰磁性器件124的磁场强,两个磁场矢量叠加后,霍尔传感器121受到由下往上的磁场,故霍尔传感器121输出电平为低电平。
接着,霍尔传感器121继续磁铁的S极滑动,磁铁距离霍尔传感器121的距离越来越大,霍尔传感器121受到磁铁的磁场越来越小,直至在霍尔传感器121受到的两个磁场的矢量叠加后为0,霍尔传感器121输出电平为低电平。霍尔传感器121继续向磁铁的S极滑动,霍尔传感器121受到的干扰磁性器件124的磁场比磁铁的磁场大,两个磁场矢量叠加后,霍尔传感器121受到由上往下的磁力线,霍尔传感器121输出电平为高电平。
图5中的140示出的是霍尔传感器121在从磁铁的N极111滑向S极112过程中的输出电平的变化。根据图5中示出的霍尔传感器121输出电平的变化,干扰磁性器件124的存在使得霍尔传感器121的输出电平受到影响,改变了输出电平的逻辑,从而滑盖式终端对滑盖状态的判断不准确。
本申请实施例旨在提供一种增强霍尔传感器的阈值方式,在制造过程中对霍尔传感器的物理参数和/或工作参数进行有目的的调整,使得干扰磁性部件的磁场不会对霍尔传感器的正常工作产生干扰。
图6示出了在增强霍尔传感器的阈值后,图4所示的滑盖式终端100在滑动过程中的电平变化示意图。
在(1)和(2)处,霍尔传感器121受到的磁场与图5相同,对霍尔传感器121受到的磁场分析,这里不再赘叙。霍尔传感器121在(1)和(2)处输出电平为高电平。
在(3)处,在霍尔传感器121滑至目标位置时,磁铁的磁场与干扰磁性器件124的磁场的矢量叠加为0,故霍尔传感器121在目标位置处输出电平为低电平。其中,目标位置是在滑盖滑动过程中位于磁铁的中心点与干扰磁性器件的中心点之间的位置。
在(3)处,霍尔传感器121从目标位置继续向S极滑动时,霍尔传感器121在经过对物理参数和/或工作参数的调整后,霍尔传感器的阈值得到增强。霍尔传感器121受到来自磁铁的磁场,同时还受到来自干扰磁性器件124的磁场。磁铁的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由下往上,干扰磁性器件124的磁力线可分出竖直方向上的磁力线,且该竖直方向上的磁力线的方向是由上往下,由于调整后的霍尔传感器121的电平切换触发门限高于基准门限,两个磁场矢量叠加后,霍尔传感器121的输出电平为低电平。
图6中的140示出的是霍尔传感器121在从磁铁的N极111滑向S极112的过程中的输出电平的变化。根据图6中示出的霍尔传感器121输出电平的变化,即使存在干扰磁性器件124,根据电平切换触发门限,霍尔传感器121的输出电平依然能够按照正常逻辑输出,从而保证了滑盖式终端对滑盖状态的判断准确性。
综上所述,在本实施例提供的滑盖式终端中,通过滑盖式终端的上滑盖设置有磁铁,下滑盖设置有霍尔传感器和处理器,通过霍尔传感器在磁铁的第一磁极和第二磁极之间滑动时输出的电平变化,确定上滑盖相对于下滑盖的滑动距离,而霍尔传感器的电平切换触发门限高于基准门限,使得在存在干扰磁性器件时,霍尔传感器的输出电平依然能够正常工作,从而滑盖式终端对滑盖状态的判断依然准确。
图7示出了本申请的一个示例性实施例提供的霍尔传感器的阈值设置方法的流程图。该方法可以应用于图2所示的滑盖式终端中,该方法包括:
步骤701,在不存在除磁铁的磁场之外的其它磁场时,确定霍尔传感器的基准门限。
在不存在除磁铁的磁场之外的其它磁场时,确定霍尔传感器的输出电平的切换门限,即滑盖式终端在霍尔传感器受到磁铁的磁场,且没有再受到其它磁场穿过时,确定霍尔传感器的输出电平的切换门限,该霍尔传感器的输出电平的切换门限为基准门限,基准门限是基准门限是在不存在除磁铁的磁场之外的其他磁场时所设计的门限。
可选地,基准门限是在不存在除磁铁的磁场之外的其它磁场时,霍尔传感器位于磁铁的正下方时进行电平切换的触发门限。
步骤702,根据基准门限确定霍尔传感器的电平切换触发门限。
在滑盖式终端生产制造过程中,滑盖式终端内的本身不具备磁性的,而在生产过程中被磁化的电子器件是干扰磁性器件,干扰磁性器件产生的磁场也会对霍尔传感器产生影响。在霍尔传感器滑过目标位置后,该干扰磁性器件的磁场的方向与磁铁的磁场的方向相反,导致磁铁的磁场被干扰磁性器件的磁场抵消了一部分,使得穿过霍尔传感器的磁场对应的数值减少,霍尔传感器的输出电平本应是低电平变为了低电平之后又是高电平,处理器监测到的霍尔传感器的输出电平错误。
根据基准门限确定霍尔传感器的电平切换触发门限,该电平切换触发门限高于基准门限。该电平切换触发门限,用于提高霍尔传感器的输出电平的切换门限,即霍尔传感器根据电平切换触发门限延迟输出电平的切换门限。
步骤703,根据电平切换触发门限确定霍尔传感器的物理参数和/或工作参数。
参见图8,示出了霍尔传感器根据霍尔效应输出霍尔电压的原理示意图,在长度为l,宽度为b,厚度为d的霍尔传感器401中通有沿着长度为l方向的电流I,该电流I从霍尔传感器401右侧的bd面流向左侧的bd面。该霍尔传感器401还有从霍尔传感器下侧的lb面穿进,再从上侧的lb面穿出的磁场B。
霍尔传感器401根据霍尔效应,流入霍尔传感器401内的正负电子向霍尔传感器402前后侧的ld面运动,从而输出有霍尔电压Uh,且在宽度为b的方向上形成有霍尔电压Uh的电场Eh。
以正电子为例,在继续流入的电流I中有载流子402,载流子402可以看做正电子,载流子402的运动方向与电流I方向一致,运动速度为v。根据电流I的电场对载流子402作用,载流子402受到电场力fE的作用,电场力fE指向霍尔传感器401前侧的ld面。根据霍尔效应,载流子402还受到洛伦兹力fh的作用,洛伦兹力fh指向霍尔传感器401后侧的ld面。由于不断流入的正负电子,使得霍尔传感器401输出的霍尔电压Uh不断增大,从而形成的霍尔电压Uh的电场Eh增强,载流子402收到的电场力fE也增强,直至电场力fE与洛伦兹力fh达到平衡。
霍尔传感器401在宽度为b的方向上形成的霍尔电压Uh的电场强度当电场力fE与洛伦兹力fh达到平衡时,qEh=qvB,q为电荷带电量从而得到Eh=vB。而霍尔电压Uh=Ehb=vbB,电流I=qnvS=qnvbd,其中,n为电荷密度,S是电流I流经的霍尔传感器401的横截面积,vS是载流子在单位时间内通过的单位体积。根据电场力fE和洛伦兹力fh平衡时得到的等式,根据可以得到,通过减小霍尔传感器402的厚度d,或增加通过的电流I,或增加通过的磁场B的磁感应强度,都可以达到霍尔传感器402输出的霍尔电压更大。
根据对霍尔传感器原理的分析可知,确定高于基准门限的电平切换触发门限可以通过如下三种方式实现:
第一,根据电平切换触发门限和基准门限的差值,减小霍尔传感器中的霍尔传感器的厚度。
第二,根据电平切换触发门限和基准门限的差值,增大电流的电流强度。
第三,根据电平切换触发门限和基准门限的差值,增大磁场的磁感应强度。
可选地,确定高于基准门限的电平切换触发门限可以通过如上三种方式中的至少一种实现。确定高于基准门限的电平切换触发门限的方式包括但不限于上述介绍的方式。
综上所述,本实施例提供的方法中,通过先在不存在除磁铁的磁场之外的其它磁场时,确定霍尔传感器的基准门限,再根据基准门限确定霍尔传感器的电平切换触发门限,再根据电平切换触发门限确定霍尔传感器的物理参数和/或工作参数,使得霍尔传感器在切换电平时的位置发生偏移,减弱霍尔传感器受到干扰磁性器件产生的磁场的影响,使得霍尔传感器的输出电平符合实际操作,从而滑盖式终端对上滑盖相对于下滑盖的滑动距离判断准确。
本实施例提供的方法中,根据对霍尔传感器的工作原理的分析,可以通过减小霍尔传感器中的霍尔传感器的厚度,增大电流的电流强度,增大磁场的磁感应强度中的至少一种方式,实现改变和增大霍尔传感器输出的霍尔电压的最大电压取值,为确定电平切换触发门限对应的数值提供更大的提升空间,从而提升了霍尔传感器的磁干扰能力。
图9是根据一示例性实施例示出的一种滑盖式终端900的框图。例如,滑盖式终端900可以是计算机,数字广播终端,消息收发设备,游戏控制台,平板设备,医疗设备,健身设备,个人数字助理等。
参照图9,滑盖式终端900可以包括以下一个或多个组件:处理组件902,存储器904,电源组件906,多媒体组件908,音频组件910,输入/输出(I/O)接口912,传感器组件914,以及通信组件916。
处理组件902通常控制滑盖式终端900的整体操作,诸如与显示,电话呼叫,数据通信,相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件902可以包括一个或多个处理器920来执行指令,以完成上述的方法的全部或部分步骤。此外,处理组件902可以包括一个或多个模块,便于处理组件902和其他组件之间的交互。例如,处理组件902可以包括多媒体模块,以方便多媒体组件908和处理组件902之间的交互。
存储器904被配置为存储各种类型的数据以支持在滑盖式终端900的操作。这些数据的示例包括用于在滑盖式终端900上操作的任何应用程序或方法的指令,联系人数据,电话簿数据,消息,图片,视频等。存储器904可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(SRAM),电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),可擦除可编程只读存储器(EPROM),可编程只读存储器(PROM),只读存储器(ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。
电源组件906为滑盖式终端900的各种组件提供电力。电源组件906可以包括电源管理系统,一个或多个电源,及其他与为滑盖式终端900生成、管理和分配电力相关联的组件。
多媒体组件908包括在所述滑盖式终端900和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中,屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板,屏幕可以被实现为触摸屏,以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界,而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中,多媒体组件908包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当滑盖式终端900处于操作模式,如拍摄模式或视频模式时,前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。
音频组件910被配置为输出和/或输入音频信号。例如,音频组件910包括一个麦克风(MIC),当滑盖式终端900处于操作模式,如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时,麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器904或经由通信组件916发送。在一些实施例中,音频组件910还包括一个扬声器,用于输出音频信号。
I/O接口912为处理组件902和外围接口模块之间提供接口,上述外围接口模块可以是键盘,点击轮,按钮等。这些按钮可包括但不限于:主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。
传感器组件914包括一个或多个传感器,用于为滑盖式终端900提供各个方面的状态评估。例如,传感器组件914可以检测到滑盖式终端900的打开/关闭状态,组件的相对定位,例如所述组件为滑盖式终端900的显示器和小键盘,传感器组件914还可以检测滑盖式终端900或滑盖式终端900一个组件的位置改变,用户与滑盖式终端900接触的存在或不存在,滑盖式终端900方位或加速/减速和滑盖式终端900的温度变化。传感器组件914可以包括接近传感器,被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件914还可以包括光传感器,如CMOS或CCD图像传感器,用于在成像应用中使用。在一些实施例中,该传感器组件914还可以包括加速度传感器,陀螺仪传感器,磁传感器,压力传感器或温度传感器。
通信组件916被配置为便于滑盖式终端900和其他设备之间有线或无线方式的通信。滑盖式终端900可以接入基于通信标准的无线网络,如Wi-Fi,2G或3G,或它们的组合。在一个示例性实施例中,通信组件916经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中,所述通信组件916还包括近场通信(NFC)模块,以促进短程通信。
在示例性实施例中,滑盖式终端900可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现,用于执行上述方法。
在示例性实施例中,还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质,例如包括指令的存储器904,上述指令可由滑盖式终端900的处理器920执行以完成上述方法。例如,所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
一种非临时性计算机可读存储介质,当所述存储介质中的指令由滑盖式终端900的处理器执行时,使得滑盖式终端900能够执行一种霍尔传感器的阈值设置方法。
应当理解的是,在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种滑盖式终端,其特征在于,所述滑盖式终端包括上滑盖和下滑盖,所述上滑盖和所述下滑盖通过滑轨相连;
所述上滑盖内设置有磁铁;
所述下滑盖内设置有霍尔传感器和处理器;所述霍尔传感器在滑盖闭合状态下位于所述磁铁的第一磁极所在一侧方向上,所述霍尔传感器在滑盖滑开状态下位于所述磁铁的第二磁极所在一侧方向上;所述霍尔传感器和所述处理器电性相连;
所述处理器,用于在所述霍尔传感器的输出电平发生切换时,确定所述上滑盖相对于所述下滑盖的滑动距离达到预设距离;
其中,所述霍尔传感器的电平切换触发门限高于基准门限,所述基准门限是在不存在除所述磁铁的磁场之外的其它磁场时所设计的门限。
2.根据权利要求1所述的滑盖式终端,其特征在于,所述基准门限是在不存在除所述磁铁的磁场之外的其它磁场时,所述霍尔传感器位于所述磁铁的正下方时进行电平切换的触发门限。
3.根据权利要求1所述的滑盖式终端,其特征在于,所述下滑盖内包括干扰磁性器件;
所述霍尔传感器,被配置为在滑盖滑动过程中位于所述磁铁的中心点与所述干扰磁性器件的中心点之间的目标位置时,将所述输出电平从第二电平切换至第一电平;
所述处理器,被配置为在监测到所述低电平切换至所述高电平时,确定所述上滑盖相对于所述下滑盖在滑闭方向上的滑动距离达到第二距离。
4.根据权利要求1所述的滑盖式终端,其特征在于,所述下滑盖内包括干扰磁性器件;
所述霍尔传感器,被配置为在滑盖滑动过程中位于所述磁铁的中心点与所述干扰磁性器件的中心点之间的目标位置时,将所述输出电平从第一电平切换至第二电平;
所述处理器,被配置为在监测到所述高电平切换至所述低电平时,确定所述上滑盖相对于所述下滑盖在滑开方向上的滑动距离达到第一距离。
5.根据权利要求1至4任一所述的滑盖式终端,其特征在于,所述干扰磁性器件是位于所述霍尔传感器的周侧的被磁化的电子器件。
6.根据权利要求1至4任一所述的滑盖式终端,其特征在于,所述干扰磁性器件是柔性排线,或位于插接件上的金属片。
7.一种霍尔传感器的阈值设置方法,其特征在于,应用于如权利要求1至6任一所述的滑盖式终端的制造过程中,所述方法包括:
在不存在除所述磁铁的磁场之外的其它磁场时,确定所述霍尔传感器的基准门限;
根据所述基准门限确定所述霍尔传感器的所述电平切换触发门限;
根据所述电平切换触发门限确定所述霍尔传感器的物理参数和/或工作参数。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据所述电平切换触发门限确定所述霍尔传感器的物理参数和/或工作参数,包括:
根据所述电平切换触发门限和所述基准门限的差值,减小所述霍尔传感器中的霍尔传感器的厚度。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据所述电平切换触发门限确定所述霍尔传感器的物理参数和/或工作参数,包括:
根据所述电平切换触发门限和所述基准门限的差值,增大所述电流的电流强度。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据所述电平切换触发门限确定所述霍尔传感器的物理参数和/或工作参数,包括:
根据所述电平切换触发门限和所述基准门限的差值,增大所述磁场的磁感应强度。
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