CN111129320B - 一种量子点发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒，其中，还包括设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。本发明通过在阴极和电子传输层之间设置第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量，这样阴极电子被第一层中氧空位捕获的行为减少，使得被电子传输层中氧空位捕获的电子减少，避免大量通过电子传输层氧空位捕获的电子与量子点层中价带空穴复合造成猝灭，进而提高量子点发光二极管的性能。

Description

一种量子点发光二极管
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管。
背景技术
由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，量子点发光二极管显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
经过几十年的发展，量子点发光二极管的性能取得了很大的进步，其中一个很重要的原因是采用了金属氧化物纳米颗粒作为电子传输材料。这是因为：（1）金属氧化物纳米颗粒是晶体，其薄膜易结晶，具有良好的导电性。（2）金属氧化物纳米颗粒的导带底能级与量子点的导带底能级匹配，非常有利于电子注入。（3）金属氧化物纳米颗粒的价带顶能级比量子点的价带顶能级深，具有优异的空穴阻挡和限制能力。因此，一层金属氧化物纳米颗粒薄膜就可以兼具电子注入/传输以及空穴阻挡的功能，不仅促进了量子点发光二极管性能的发展，也大大简化了量子点发光二极管的结构和制作成本。目前，金属氧化物纳米颗粒已成为量子点发光二极管中不可替代的电子传输材料。
然而，金属氧化物纳米颗粒也有它的问题，即：金属氧化物卓越的电子迁移能力是由其本身大量的氧空位产生的，而氧空位又可以作为阴极电子猝灭量子点发光的通道，对量子点发光二极管带来不利影响。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管，旨在解决现有金属氧化物纳米颗粒作为电子传输材料具有大量的氧空位，可以捕获阴极电子，并作为通道传输至量子点与其价带空穴复合，造成量子点淬灭的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒，其中，还包括设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
有益效果：本发明通过在阴极和电子传输层之间设置第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量，这样阴极电子被第一层中氧空位捕获的行为减少，使得被电子传输层中氧空位捕获的电子减少，避免大量通过电子传输层氧空位捕获的电子与量子点层中价带空穴复合造成猝灭，进而提高量子点发光二极管的性能。
附图说明
图1为现有量子点发光二极管中含阴极、电子传输层和量子点层的能级示意图。
图2为本发明实施例量子点发光二极管中含第一层和第二层的能级示意图。
图3为本发明实施例量子点发光二极管中含第一层和第二层的另一能级示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒，其中，还包括设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
结合图1所示，现有量子点发光二极管中，金属氧化物纳米颗粒组成的电子传输层102具有大量的氧空位104，能够捕获阴极103的电子，并作为通道使阴极电子与量子点层101中价带空穴复合，造成量子点荧光猝灭。基于此，本实施例在阴极和电子传输层之间设置第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量，这样阴极电子被第一层中氧空位捕获的行为减少，使得被电子传输层中氧空位捕获的电子减少，避免大量通过电子传输层氧空位捕获的电子与量子点层中价带空穴复合造成猝灭，进而提高量子点发光二极管的性能。
作为其中一种优选的实施方式，所述第一层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒。所述金属元素占据第一层中部分氧空位的位置，从而减少所述第一层中氧空位的数量，使得所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
进一步在一种优选的实施方式中，所述电子传输层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒，所述第一层中金属元素的质量分数大于所述电子传输层中金属元素的质量分数。所述第一层中金属元素的质量分数大于所述电子传输层中金属元素的质量分数，使得所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述电子传输层中金属元素的质量分数为0-30%，所述第一层中金属元素的质量分数为30-100%。所述第一层中金属元素的质量分数越大，第一层中氧空位数量越少，阴极电子被电子传输层氧空位捕获的几率越低。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述金属氧化物纳米颗粒选自n型的ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2和Ta2O3等中的一种或多种，但不限于此。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述掺杂的金属元素选自Mg和Al等中的一种或多种，但不限于此。
进一步在一种优选的实施方式中，所述第一层的厚度为1-20nm。由于掺杂的金属元素占据第一层中的部分氧空位，造成金属氧化物的电子迁移率下降，因此为了不严重影响电子的注入，所述第一层的厚度优选为1-20nm。
作为其中另一种优选的实施方式，所述第一层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料。无机绝缘材料或有机绝缘材料组成的第一层没有氧空位，所以不存在阴极电子在第一层中被氧空位捕获的情况。另外，对基于金属氧化物电子传输层的量子点发光二极管而言，一个关键的问题是：电子比空穴移动速度快，造成电荷不平衡。因此，本实施例提供的优化的量子点发光二极管结构还可以减缓电子的运动，促进电荷平衡。
进一步在一种优选的实施方式中，所述无机绝缘材料选自Al2O3、SiO2和MgO等中的一种或多种，但不限于此。
进一步在一种优选的实施方式中，所述有机绝缘材料为PMMA等，但不限于此。
进一步在一种优选的实施方式中，所述第一层的厚度为1-3nm。由于绝缘材料组成的第一层不导电，会导致电子注入困难，因此该第一层应该足够薄以使阴极电子在电场作用下可以隧穿跃迁至电子传输层，所以所述第一层的厚度优选为1-3nm。
在一种优选的实施方式中，还包括设置在所述量子点层和电子传输层之间的第二层，所述第二层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。结合图2所示，上述第一层204虽然可以降低阴极203的电子被电子传输层202的氧空位捕获的几率，但仍然会有部分的电子通过电子传输层202的氧空位与量子点层201中的价带空穴复合，造成量子点荧光猝灭。因此，为了进一步减小被电子传输层氧空位捕获的电子与量子点价带空穴复合的几率，还可以在量子点层201和电子传输层202之间设置第二层205，所述第二层205的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量，其中206为氧空位能级。本实施例在量子点发光二极管中同时设置第一层和第二层，这样第一层能够降低阴极电子被电子传输层氧空位捕获的几率，第二层能够降低被电子传输层氧空位捕获的电子与量子点价带空穴复合的几率。二者共同作用，将电子传输层氧空位对量子点荧光猝灭的不利影响降到最低，从而最大化提高量子点发光二极管的性能。
进一步作为其中的一种优选的实施方式，所述第二层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒。所述金属元素占据第二层中部分氧空位的位置，从而减少所述第二层中氧空位的数量，使得所述第二层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述电子传输层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒，所述第二层中金属元素的质量分数大于所述电子传输层中金属元素的质量分数。所述第二层中金属元素的质量分数大于所述电子传输层中金属元素的质量分数，使得所述第二层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
更进一步在一种优选的实施方式中，所述电子传输层中金属元素的质量分数为0-30%，所述第二层中金属元素的质量分数为30-100%。所述第二层中金属元素的质量分数越大，第二层中氧空位数量越少，阴极电子被电子传输层氧空位捕获的几率越低。
更进一步在一种优选的实施方式中，所述金属氧化物纳米颗粒选自n型的ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2和Ta2O3等中的一种或多种，但不限于此。
更进一步在一种优选的实施方式中，所述掺杂的金属元素选自Mg和Al等中的一种或多种，但不限于此。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述第二层的厚度为1-20nm。由于掺杂的金属元素占据第二层中的部分氧空位，造成金属氧化物的电子迁移率下降，因此为了不严重影响电子的注入，所述第二层的厚度优选为1-20nm。
进一步作为其中的另一种优选的实施方式，所述第二层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料。无机绝缘材料或有机绝缘材料组成的第二层没有氧空位，所以不存在阴极电子在第二层中被氧空位捕获的情况。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述无机绝缘材料选自Al2O3、SiO2和MgO等中的一种或多种，但不限于此。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述有机绝缘材料为PMMA等，但不限于此。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述第二层的厚度为1-3nm。由于绝缘材料组成的第二层不导电，会严重影响电子传输至量子点，因此该第二层应该足够薄以使阴极电子在电场作用下可以从电子传输层隧穿跃迁至量子点层，所以所述第二层的厚度优选为1-3nm。
在一种实施方式中，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒，其中，还包括：设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层，设置在所述量子点层和电子传输层之间的第二层，所述第一层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料，所述第二层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料。由于电子传输材料是金属氧化物纳米颗粒，所以电子传输层的表面粗糙度往往有几个纳米，而当第一层厚度为几个纳米时，第一层不能完全覆盖电子传输层表面，所以仍然存在阴极电子与电子传输层直接接触的可能，使得阴极电子被电子传输层中的氧空位捕获，继而猝灭量子点。因此，为了进一步降低电子传输层氧空位捕获的电子猝灭量子点的几率，如图3所示，本实施例在已经设置第一层404的基础上，继续在量子点层401和电子传输层402之间设置第二层405，所述第一层404中不含氧空位，所述第二层405中不含氧空位，其中403为阴极，406为氧空位能级。本实施例通过同时设置第一层和第二层，可以将阴极电子通过电子传输层氧空位对量子点荧光猝灭的不利影响降到最低。另外，对基于金属氧化物电子传输层的量子点发光二极管而言，一个关键的问题是：电子比空穴移动速度快，造成电荷不平衡。因此，本实施例提供的优化的量子点发光二极管结构还可以减缓电子的运动，促进电荷平衡。
本实施例中，所述阳极可以选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）和铝掺杂氧化锌（AZO）等中的一种或多种。
本实施例中，所述量子点层的量子点可以是II-VI族化合物半导体，如CdSe 或ZnCdS 或CdSeS 或ZnCdSeS或CdSe/ZnS 或CdSeS/ZnS 或CdSe/CdS 或CdSe/CdS/ZnS 或ZnCdS/ZnS或CdS/ZnS或ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，如GaAs 或GaN 或InP 或InP/ZnS等；可以是I-III-VI 族化合物半导体，如CuInS 或AgInS 或CuInS/ZnS 或AnInS/ZnS等；可以是IV族单质半导体，如Si 或C 或石墨烯（Graphene）等。
本实施例中，所述阴极可选自铝（Al）电极、银（Ag）电极和金（Au）电极等中的一种，还可选自纳米铝线、纳米银线和纳米金线等中的一种。
需说明的是，本实施例中，量子点发光二极管还可以包含以下功能层的一层或者多层：设置于量子点层与阳极之间的空穴传输层，设置于空穴传输层与阳极之间的空穴注入层。
在一种优选的实施方式中，所述空穴传输层的材料可以是有机小分子，例如CBP、TCTA、NPB等；可以是有机聚合物，例如PVK、Poly-TPD、TFB等；可以是无机金属氧化物，例如NiO、CuO等。所述空穴注入层的材料可以是导电聚合物，例如PEDOT:PSS；可以是深LUMO能级的有机半导体，例如HAT-CN、F4-TCNQ；可以是高功函数的过渡金属氧化物，例如MoO3、WO3、V2O5等。
需说明的是，本实施例中，量子点发光二极管的各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法（如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等）、蒸镀法（如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等）、沉积法（如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等）中的一种或多种。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO (40wt%Mg) 作为第一层，10nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚
实施例2
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(10wt%Mg)作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO (60wt%Mg) 作为第一层，10nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例3
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO (40wt%Mg) 作为第二层，10nm厚；
在第二层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例4
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(60wt%Mg)作为第二层，10nm厚；
在第二层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(10wt%Mg)作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例5
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(40wt%Mg)作为第二层，10nm厚；
在第二层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(40wt%Mg)作为第一层，10nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例6
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(60wt%Mg)作为第二层，10nm厚；
在第二层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(10wt%Mg)作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用溶液法沉积Mg掺杂的ZnO(60wt%Mg)作为第一层，10nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例7
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用原子层沉积法沉积Al2O3作为第一层，1nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例8
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用溶液法沉积PMMA作为第一层，1nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例9
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用原子层沉积法沉积Al2O3作为第二层，1nm厚；
在第二层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用原子层沉积法沉积Al2O3作为第一层，1nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
实施例10
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚；
在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，30nm厚；
在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点层，25nm厚；
在量子点层上利用溶液法沉积PMMA作为第二层，1nm厚；
在第二层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，40nm厚；
在电子传输层上利用溶液法沉积PMMA作为第一层，1nm厚；
在第一层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
综上所述，本发明提供一种量子点发光二极管。本发明通过在阴极和电子传输层之间设置第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量，这样阴极电子被第一层中氧空位捕获的行为减少，使得被电子传输层中氧空位捕获的电子减少，避免大量通过电子传输层氧空位捕获的电子与量子点价带空穴复合造成猝灭，进而提高量子点发光二极管的性能。为了进一步减小被电子传输层氧空位捕获的电子与量子点价带空穴复合的几率，本发明还可以在量子点层和电子传输层之间设置第二层，所述第二层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒，其特征在于，还包括设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量；
所述第一层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒，所述电子传输层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒，所述第一层中金属元素的质量分数大于所述电子传输层中金属元素的质量分数。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层中金属元素的质量分数为0-30％，所述第一层中金属元素的质量分数为30-100％；和/或
所述掺杂的金属元素选自Mg和Al中的一种或两种，所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO纳米颗粒、TiO2纳米颗粒、Fe2O3纳米颗粒、SnO2纳米颗粒和Ta2O3纳米颗粒中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一层的厚度为1-20nm。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括设置在所述量子点层和电子传输层之间的第二层，所述第二层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒；或者，
所述第二层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，当所述第二层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒时，所述第二层中金属元素的质量分数大于所述电子传输层中金属元素的质量分数。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层中金属元素的质量分数为0-30％，所述第二层中金属元素的质量分数为30-100％；和/或
所述掺杂的金属元素选自Mg和Al中的一种或两种，所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO纳米颗粒、TiO2纳米颗粒、Fe2O3纳米颗粒、SnO2纳米颗粒和Ta2O3纳米颗粒中的一种或多种。
8.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，当所述第二层的材料为金属元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒时，所述第二层的厚度为1-20nm。
9.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，当所述第二层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料时，所述第二层的厚度为1-3nm；和/或
所述无机绝缘材料选自Al2O3、SiO2和MgO中的一种或多种；和/或
所述有机绝缘材料为PMMA。
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