CN111129275A - 维修用倒装微发光二极管及其用于模组修复的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了维修用倒装微发光二极管及其用于模组修复的方法，维修用倒装微发光二极管包括N型有源层、N电极、发光层、P型有源层、P电极和第一合金连接层；所述第一合金连接层包括P电极连接片和N电极连接片；还包括设置在所述P电极连接片底面上的P金属延展层和设置在所述N电极连接片上的N金属延展层；所述P金属延展层具有一延展至所述N型有源层侧面以外的P延展部；所述N金属延展层具有一延展至所述N型有源层侧面以外的N延展部，通过P延展部和N延展部可以方便地连接对接模组上坏点的二极管的电机，完成替换和修复。
Description
技术领域
本发明属于LED技术领域，具体涉及维修用倒装微发光二极管及其用于模组修复的方法。
背景技术
微米级尺寸的Mini/Micro LED由于具有亮度高、对比度高、色彩饱和度高、可局部调光、等优点成为最近的研究热点，有望取代LCD、OLED成为下一代新型显示，潜在可用在显示屏、背光源、车用照明、可穿戴设备等领域。
为获得高的像素，Mini/Micro LED的密度非常高、数量多，即使很少的不良也会造成模组的高不良率，因而对制造过程中每一道工序要求的良率极度严苛，即便如此，依然无法保证每道工序100％的良率。
因此，返修是促进Mini/Micro LED产品商业化的一个关键工序，如何在微型化、高密度的排布下有效返修是目前急需解决的问题。
发明内容
为解决现有技术中的上述问题，本发明提供了维修用倒装微发光二极管及其用于模组修复的方法，其能够用于微发光二极管模组的维修，有效提高维修效率，有利于促进微发光二极管的商业化。
本发明采用了以下技术方案：
维修用倒装微发光二极管，包括N型有源层、N电极、发光层、P型有源层、P电极和第一合金连接层；所述第一合金连接层包括P电极连接片和N电极连接片；
所述发光层固定在所述N型有源层底面的一端，N电极固定在所述N型有源层底面的另一端；所述N电极和所述发光层的端部之间形成分隔间隙；
所述P型有源层固定在所述发光层的底面上；所述P电极固定在所述P型有源层的底面上；所述P电极连接片固定在所述P电极的底面上；
所述N电极连接片固定在所述N电极的底面上；
还包括设置在所述P电极连接片底面上的P金属延展层和设置在所述N电极连接片上的N金属延展层；所述P金属延展层具有一延展至所述N型有源层侧面以外的P延展部；所述N金属延展层具有一延展至所述N型有源层侧面以外的N延展部。
作为本发明技术方案的进一步改进，P金属延展层和所述N金属延展层的底面相平齐。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述P延展部和N延展部均沿所述N型有源层长度方向设置，所述P延展部和N延展部沿所述长度方向的长度为所述N型有源层长度的1.1-2.0倍。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述P延展部和N延展部均沿所述N型有源层宽度方向设置，所述P金属延展层和N金属延展层在所述宽度方向上长度均为所述N型有源层宽度的1.1-2.0倍。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述维修用倒装微发光二极管的各方向上的最大尺寸小于100um。
作为本发明技术方案的进一步改进，还包括衬底层；所述衬底层固定在所述N型有源层的上端面并将所述N型有源层的上端面覆盖。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述维修用倒装微发光二极管的各方向上的最大尺寸为100um-300um。
本发明还提供了如上所述的维修用倒装微发光二极管用于模组维修的方法，包括以下步骤：
S1.提供一微发光二极管模组，所述微发光二极管模组包括PCB、若干设置在所述PCB上的倒装微发光二极管和IC驱动；所述倒装微发光二极管的两端通过两个第二合金连接层与所述PCB的连接位电连接；
S2.对所述微发光二极管模组进行点亮检查，检测出坏点的位置；
S3.在坏点的倒装微发光二极管两端的PCB的连接位上对应所述P延展部、N延展部的位置涂刷出两个第三合金连接层，两所述第三合金连接层分别与所述连接位相连通；
S4.将所述维修用倒装微发光二极管安装在所述PCB上，将所述P延展部、N延展部分别与对应的第三合金连接层进行加热并连接固定。
作为本发明技术方案的进一步改进，熔点关系为：所述第一合金连接层＞第二合金连接层＞第三合金连接层。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述步骤S3中，先在PCB上涂光刻胶将所有的倒装微发光二极管覆盖，采用激光去除坏点上的光刻胶暴露出坏点的第二合金连接层与PCB的连接处，再涂刷出所述第三金属连接层。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明的维修用倒装微发光二极管中，设置了P金属延展层和N金属延展层，分别具有P延展部和N延展部，能够在维修时跨过坏点处微发光二极管与PCB进行焊接，便于维修，提供维修效率，有利于促进微发光二极管的商业化；
本发明的修复方法，采用维修用倒装微发光二极管替换损坏的倒装微发光二极管，可以快速地对坏点的倒装微发光二极管进行修复。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术作进一步地详细说明：
图1本发明的实施例1的维修用倒装微发光二极管的结构示意图；
图2本发明的实施例2的维修用倒装微发光二极管的结构示意图；
图3本发明的N延展部和P延展部沿长度方向延展的长度对比示意图；
图4本发明的N延展部和P延展部沿宽度方向延展的长度对比示意图；
图5本发明的微发光二极管模组采用维修用倒装微发光二极管修复后的示意图；
图6本发明的倒装微发光二极管的结构安装在PCB上时的结构示意图。
附图标记：
1-维修用倒装微发光二极管；11-N型有源层；12-N电极；13-发光层；14-P型有源层；15-P电极；16-第一合金层；161-P电极连接片；162-N电极连接片；17-P金属延展层；171-P延展部；18-N金属延展层；181-N延展部；19-衬底层；
2-微发光二极管模组；21-PCB；22-倒装微发光二极管；23-第二合金连接层；24-第三合金连接层。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本发明的目的、方案和效果。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。附图中各处使用的相同的附图标记指示相同或相似的部分。
需要说明的是，如无特殊说明，当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征，它可以直接固定、连接在另一个特征上，也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外，本发明中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本发明各组成部分的相互位置关系来说的。
实施例1：
参照图1至图4，本实施例公开了维修用倒装微发光二极管1，其尺寸为50um*50um，在实际的生产中，所述维修用倒装微发光二极管1的各方向上的最大尺寸应当小于100um。
本维修用倒装微发光二极管1可用于维修微发光二极管模组2，本维修用倒装微发光二极管1包括N型有源层11、N电极12、发光层13、P型有源层14、P电极15和第一合金连接层；所述第一合金连接层16包括P电极连接片161和N电极连接片162。
其中，如图1所示，所述发光层13固定在所述N型有源层11底面的一端，N电极12固定在所述N型有源层11底面的另一端；所述N电极12和所述发光层13的端部之间形成分隔间隙。
所述P型有源层14固定在所述发光层13的底面上；所述P电极15固定在所述P型有源层14的底面上；所述P电极连接片161固定在所述P电极15的底面上。所述N电极连接片162固定在所述N电极12的底面上。
本维修用倒装微发光二极管1还包括设置在所述P电极连接片161底面上的P金属延展层17和设置在所述N电极连接片162上的N金属延展层18；所述P金属延展层17具有一延展至所述N型有源层11侧面以外的P延展部171；所述N金属延展层18具有一延展至所述N型有源层11侧面以外的N延展部181。
基于上述的结构，本维修用倒装微发光二极管1设置了P金属延展层17和N金属延展层18，分别具有P延展部171和N延展部181，能够在维修时跨过坏点处微发光二极管与PCB21进行焊接，便于维修，提供维修效率，有利于促进微发光二极管的商业化。
其中，P金属延展层17和所述N金属延展层18的底面相平齐，便于后续维修焊接时放置平整。P金属延展层17、N金属延展层18、P电极连接片161、N电极连接片162的材质相同。
本实施例中，所述P延展部171和N延展部181均沿所述N型有源层11长度方向设置，所述P延展部171和N延展部181沿所述长度方向的长度为所述N型有源层11长度的1.1-2.0倍。如图3所示，其中L1的长度为L2的1.5倍。
或者，所述P延展部171和N延展部181均沿所述N型有源层11宽度方向设置，所述P金属延展层17和N金属延展层18在所述宽度方向上长度均为所述N型有源层11宽度的1.1-2.0倍。如图4所示，其中W1的长度为W2的长度的2倍；如图所示，W1的长度为W2长度的1.5倍。
实施例2：
参照图1至图4，本实施例和实施例的结构基本相同，区别在于：
本实施例在实施例1的基础上增加了衬底层19；所述衬底层19固定在所述N型有源层11的上端面并将所述N型有源层11的上端面覆盖。增加了衬底层19后，本维修用倒装微发光二极管1的尺寸可相应增大调整，所述维修用倒装微发光二极管1的各方向上的最大尺寸为100um-300um。
本实施例的其它结构参照实施例1，在此不再赘言。
实施例3：
本发明还提供了如上所述的维修用倒装微发光二极管1用于模组维修的方法，包括以下步骤：
S1.提供一微发光二极管模组2，如图5和图6所示，所述微发光二极管模组2包括PCB21、若干设置在所述PCB21上的倒装微发光二极管22和IC驱动；所述倒装微发光二极管22的两端通过两个第二合金连接层23与所述PCB21的连接位(图中未示出)电连接；
S2.对所述微发光二极管模组2进行点亮检查，生成坏点图，检测出坏点的位置；
S3.先在PCB21上涂光刻胶将所有的倒装微发光二极管22覆盖，采用激光去除坏点上的光刻胶暴露出坏点与PCB21的连接位，往该PCB21上涂刷锡膏，由于光刻胶的阻碍，仅有再在暴露出的连接位上形成两个第三合金连接层24，两个第三合金连接层24的位置与所述P延展部171、N延展部181的相对应，两所述第三合金连接层24分别与连接位相连通；
S4.将所述维修用倒装微发光二极管1安装在所述PCB21上，如图6所示，将所述P延展部171、N延展部181分别与对应的第三合金连接层24进行加热并连接固定，具体的加热可以是红外加热或采用热风腔加热。
其中，第一合金连接层16、第二合金连接层23和第三合金连接层24为不同的合金，三者的熔点关系为：所述第一合金连接层16＞第二合金连接层23＞第三合金连接层24，这样在进行加热焊接时温度刚刚升高至第三合金连接层24的熔点温度时，第三合金连接层24熔化与P延展部171、N延展部181焊接固定，完成修复。其中，这三种合金连接层的材料均为Sn、Ag、Cu、sb、Bi、Pb等金属组成的合金，例如第一合金连接层为SnAgCu，第二合金连接层为BiSn、第三合金连接层为PbSn。
本发明所述的维修用倒装微发光二极管及其用于模组修复的方法的其它内容参见现有技术，在此不再赘述。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.维修用倒装微发光二极管，其特征在于：包括N型有源层、N电极、发光层、P型有源层、P电极和第一合金连接层；所述第一合金连接层包括P电极连接片和N电极连接片；
所述发光层固定在所述N型有源层底面的一端，N电极固定在所述N型有源层底面的另一端；所述N电极和所述发光层的端部之间形成分隔间隙；
所述P型有源层固定在所述发光层的底面上；所述P电极固定在所述P型有源层的底面上；所述P电极连接片固定在所述P电极的底面上；
所述N电极连接片固定在所述N电极的底面上；
还包括设置在所述P电极连接片底面上的P金属延展层和设置在所述N电极连接片上的N金属延展层；所述P金属延展层具有一延展至所述N型有源层侧面以外的P延展部；所述N金属延展层具有一延展至所述N型有源层侧面以外的N延展部。
2.根据权利要求1所述的维修用倒装微发光二极管，其特征在于：P金属延展层和所述N金属延展层的底面相平齐。
3.根据权利要求1所述的维修用倒装微发光二极管，其特征在于：所述P延展部和N延展部均沿所述N型有源层长度方向设置，所述P延展部和N延展部沿所述长度方向的长度为所述N型有源层长度的1.1-2.0倍。
4.根据权利要求1所述的维修用倒装微发光二极管，其特征在于：所述P延展部和N延展部均沿所述N型有源层宽度方向设置，所述P金属延展层和N金属延展层在所述宽度方向上长度均为所述N型有源层宽度的1.1-2.0倍。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的维修用倒装微发光二极管，其特征在于：所述维修用倒装微发光二极管的各方向上的最大尺寸小于100um。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的维修用倒装微发光二极管，其特征在于：还包括衬底层；所述衬底层固定在所述N型有源层的上端面并将所述N型有源层的上端面覆盖。
7.根据权利要求6所述的维修用倒装微发光二极管，其特征在于：所述维修用倒装微发光二极管的各方向上的最大尺寸为100um-300um。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的维修用倒装微发光二极管用于模组维修的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.提供一微发光二极管模组，所述微发光二极管模组包括PCB、若干设置在所述PCB上的倒装微发光二极管和IC驱动；所述倒装微发光二极管的两端通过两个第二合金连接层与所述PCB的连接位电连接；
S2.对所述微发光二极管模组进行点亮检查，检测出坏点的位置；
S3.在坏点的倒装微发光二极管两端的PCB的连接位上对应所述P延展部、N延展部的位置涂刷出两个第三合金连接层，两所述第三合金连接层分别与所述连接位相连通；
S4.将所述维修用倒装微发光二极管安装在所述PCB上，将所述P延展部、N延展部分别与对应的第三合金连接层进行加热并连接固定。
9.根据权利要求8所述的维修用倒装微发光二极管用于模组维修的方法，其特征在于：熔点关系为：所述第一合金连接层＞第二合金连接层＞第三合金连接层。
10.根据权利要求8所述的维修用倒装微发光二极管用于模组维修的方法，其特征在于：所述步骤S3中，先在PCB上涂光刻胶将所有的倒装微发光二极管覆盖，采用激光去除坏点上的光刻胶暴露出坏点与PCB的连接位，再涂刷出所述第三金属连接层。
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| CN (1) | CN111129275A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113458616A (zh) * | 2020-05-15 | 2021-10-01 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微型发光二极体显示器修复系统及修复方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100258835A1 (en) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | Chin-Yuan Hsu | Light emitting diode device having uniform current distribution and method for forming the same |
| CN103594590A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种倒装发光二极管的制造方法 |
| CN211150596U (zh) * | 2019-12-31 | 2020-07-31 | 广东晶科电子股份有限公司 | 维修用倒装微发光二极管 |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911416529.0A patent/CN111129275A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100258835A1 (en) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | Chin-Yuan Hsu | Light emitting diode device having uniform current distribution and method for forming the same |
| CN103594590A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种倒装发光二极管的制造方法 |
| CN211150596U (zh) * | 2019-12-31 | 2020-07-31 | 广东晶科电子股份有限公司 | 维修用倒装微发光二极管 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113458616A (zh) * | 2020-05-15 | 2021-10-01 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微型发光二极体显示器修复系统及修复方法 |
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