CN111128288A - 温度控制输出驱动电路、驱动方法和存储器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种温度控制输出驱动电路、驱动方法和存储器，驱动电路中配置了用于调整电阻的电阻调整模块，通过温度传感器感应的温度数据计算当前驱动模块电阻值，再通过逻辑控制模块来调节电阻调整模块的电阻，从而通过并入驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电阻。本发明可以进行实时检测和调整，减弱了输出驱动电阻阻值随温度的变化，使输出驱动电阻始终稳定在预设值，确保了电路的性能。

Description

温度控制输出驱动电路、驱动方法和存储器

技术领域

本发明涉及集成电路领域，具体而言，涉及一种温度控制输出驱动电路，还涉及该电路的驱动方法，以及包含该电路的存储器。

背景技术

DDR4芯片的输出驱动电路通常由多个输出驱动单元配置而成。如图1所示，对于DDR4芯片的输出驱动电路，有七个上拉和下拉驱动单元，通过上拉和下拉信号来对七个驱动单元做选择，以配置成阻值达到需要的输出驱动电阻。

在芯片的工作过程中，当温度有变化的时候，由于电阻随温度变化的特性，驱动单元内的电阻会随着温度而产生变化，导致驱动单元的阻值和240ohms不完全匹配，所以最后输出驱动的电阻会和预期值有一定的误差。

因此，需要对输出驱动电阻进行调节，以将输出驱动电阻的阻值控制在一定的范围内，减弱或消除阻值随温度的变化，使输出驱动电阻稳定。

发明内容

本发明的目的在于提供一种温度控制输出驱动电路、驱动方法及存储器，解决现有驱动电阻的阻值容易随温度变化而变化的问题。

根据本发明的一个方面，提供一种温度控制输出驱动电路，包括：

驱动模块，包括若干电阻元件，所述电阻元件与电源端和输出端连接；所述驱动模块接收输出驱动信号；

电阻调整模块，包括若干调整电阻元件，所述调整电阻元件与所述电源端和输出端连接，还与所述驱动模块的电阻元件并联；所述电阻调整模块响应电阻调整信号而导通或关断，以调整所述驱动电路的电阻值；

温度传感器，用于感应所述输出驱动电路的温度；

逻辑控制模块，连接所述温度传感器，用于根据所述温度传感器的温度数据，向所述电阻调整模块输出电阻调整信号。

在本发明的一种示例性实施方式中，所述驱动模块包括主驱动模块和辅助驱动模块；

所述主驱动模块包括上拉主驱动模块和下拉主驱动模块，所述上拉主驱动模块包括若干上拉主电阻元件，下拉主驱动模块包括若干下拉主电阻元件；

所述辅助驱动模块包括上拉辅助驱动模块和下拉辅助驱动模块，所述上拉驱动模块若干上拉辅助电阻元件，上拉辅助驱动模块包括若干下拉辅助电阻元件；

其中，所述上拉主电阻元件和上拉辅助电阻元件并联，所述下拉主电阻元件和下拉辅助电阻元件并联。

在本发明的一种示例性实施方式中，所述上拉辅助驱动模块还包括N个并联的上拉晶体管开关元件，所述N个上拉晶体管开关元件的控制端用于接收对应的N个上拉驱动信号，所述N个上拉晶体管开关元件的第一端共同与所述电源端连接，第二端共同与所述上拉辅助电阻元件连接；

所述下拉辅助驱动模块还包括M个并联的下拉晶体管开关元件，所述M个下拉晶体管开关元件的控制端用于接收对应的M个下拉驱动信号，所述M个下拉晶体管开关元件的第一端共同与所述接地端连接，第二端共同与所述下拉辅助电阻元件连接；

其中，N、M都为正整数。

在本发明的一种示例性实施方式中，所述电阻调整模块包括上拉电阻调整模块和下拉电阻调整模块，所述调整电阻元件为晶体管开关元件；所述逻辑控制模块包括P个上拉信号端口和Q个下拉信号端口，P和Q均为正整数；

所述上拉电阻调整模块包括P个与所述上拉晶体管开关元件并联的上拉调整晶体管开关元件，所述P个上拉调整晶体管开关元件的控制端与所述P个上拉信号端口一一对应连接，所述P个上拉调整晶体管开关元件的第一端共同与所述电源端连接，第二端共同与所述上拉辅助电阻元件连接；

所述下拉电阻调整模块包括Q个与所述下拉晶体管开关元件并联的下拉调整晶体管开关元件，所述Q个上拉调整晶体管开关元件的控制端与所述Q个下拉信号端口一一对应连接，所述Q个下拉调整晶体管开关元件的第一端共同与所述接地端连接，第二端共同与所述下拉辅助电阻元件连接。

在本发明的一种示例性实施方式中，所述上拉晶体管开关元件和上拉调整晶体管开关元件为PMOS晶体管，所述下拉晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件为NMOS晶体管。

在本发明的一种示例性实施方式中，所述上拉晶体管开关元件、下拉晶体管开关元件、上拉调整晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件的阻值相等或不相等。

根据本发明的另一个方面，提供一种温度控制输出驱动电路的方法，其特征在于，包括：

利用温度传感器获取输出驱动电路的温度值；

根据所述温度值确定所述驱动电路需要的电阻值；

根据需要的电阻值向所述驱动电路中并联若干电阻元件，对所述驱动电路的电阻值进行调整。

在本发明的一种示例性实施方式中，所述电阻元件为晶体管开关元件。

在本发明的一种示例性实施方式中，通过逻辑控制电路将所述驱动电路需要的电阻值转化为所述晶体管开关元件的开关控制信号，以控制所述驱动电路的电阻值。

根据本发明的再一个方面，提供一种存储器，包括以上任一项所述的温度控制输出驱动电路。

本发明的温度控制输出驱动电路，配置了用于调整电阻的电阻调整模块，通过温度传感器感应的温度数据计算当前驱动模块电阻值，再通过逻辑控制模块来调节电阻调整模块的电阻，从而通过并入驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电阻。一方面，减弱或消除了输出驱动电阻阻值随温度变化而引起的变化，使其输出驱动电阻稳定在预设值，确保芯片性能稳定；另一方面，该方法仅需要获取电路温度就可以进行实时检测和调整，可以在较大范围内将电阻阻值调整至预期值，调整方式简单而准确。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为DDR4芯片的输出驱动电路图；

图2为上拉驱动电阻变化情况；

图3为下拉驱动电阻变化情况。

图4为本发明温度控制输出驱动电路电路图；

图中，1、上拉主驱动模块；2、下拉主驱动模块；3、上拉辅助驱动模块；4、下拉辅助驱动模块；5、上拉电阻调整模块；6、下拉电阻调整模块；7、温度传感器；8、逻辑控制模块。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

图1为常见的DDR4芯片的输出驱动电路，其由七个上拉和下拉驱动单元组成，通过上拉和下拉信号来对七个驱动单元做选择，以配置成阻值达到需要的输出驱动电阻。其中pupM表示上拉驱动，pdnM表示下拉驱动。由于该电路的电阻通常是固定的，芯片温度有变化的时候，由于电阻随温度变化的特性，驱动模块内的电阻会随着温度而产生变化，由图2、3可以看出，目前的输出驱动电路在不同温度条件下，其阻值和预期的240ohms相差甚远，存在较大范围的波动(约150～400ohms)，所以最后输出驱动的电阻会和预期值有一定的误差。

本发明实施方式中提供了一种温度控制输出驱动电路，用于将上述偏差的电阻值调整至预期值。该电路广泛用于芯片接口，如DDR2/DDR3/DDR4/LPDDR2/LPDDR3/等，在此不再一一列举。

本发明实施方式的温度控制输出驱动电路，包括：驱动模块、电阻调整模块、温度传感器和逻辑控制模块。其中，驱动模块包括若干电阻元件，电阻元件与电源端和输出端连接，驱动模块接收输出驱动信号；电阻调整模块包括若干调整电阻元件，调整电阻元件与电源端和输出端连接，还与驱动模块的电阻元件并联；电阻调整模块响应电阻调整信号而导通或关断，以调整驱动电路的电阻值；温度传感器用于感应驱动模块的温度；逻辑控制模块连接温度传感器，用于根据温度传感器的温度数据，向电阻调整模块输出电阻调整信号。

当温度发生变化时，温度传感器输出实时变化，将此变化通过一个控制逻辑来调节电阻调整模块的电阻，从而通过并入驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电阻，最终输出驱动的内阻会稳定在所需电阻大小而不受温度的影响，由此配置的阻值也会达到需要的输出驱动电阻。

下面对本发明实施方式的温度控制输出驱动电路进行详细说明：

驱动模块分为上拉驱动和下拉驱动，上拉驱动和下拉驱动都包括若干电阻元件，电阻元件分别与电源端、接地端和输出端连接。上拉电阻和下拉电阻是协调作用，上拉电阻的功能主要是为增强充电电流能力；下拉电阻是为了增强放电电流能力。

本发明的电阻调整模块包括若干调整电阻元件，调整电阻元件实质为一电阻，调整电阻元件与驱动模块的电阻元件并联。控制并联入驱动电路的调整电阻元件的个数，可以改变整个驱动电路的总电阻。调整电阻元件可以为晶体开关元件，可以响应电阻调整信号而导通或关断；也可以为固定电阻，通过导通与其串联的开关元件接入电路。

本发明的温度传感器5可以直接安装在芯片上，也可以作为芯片的一部分。由于上拉驱动和下拉驱动的温度值基本一致，因此温度传感器5可以只设置一个，当然，也可以出于高精度的要求，设置多个，用于独立感应各模块的温度，并分别与逻辑控制电路6连接。本发明的温度传感器5可以采用常见的电阻温度计、热敏电阻等多种温度传感器，本发明不限制温度传感器的种类、个数和安装方式。

本发明的逻辑控制模块6可以根据温度传感器的温度数据进行逻辑运算，当检测到温度数值超过预设范围时，逻辑控制模块则根据该数值确定需要并入的调整电阻元件并发送控制信号。其可以采用以二进制为原理实现数字信号逻辑运算和操作的电路，本领域技术人员知晓，为了实现本发明目的应当采用何种具体电路结构，本发明不在此赘述，也不进行具体限定。

在一种示例性实施例中，驱动模块包括主驱动模块和辅助驱动模块。主驱动模块包括上拉主驱动模块和下拉主驱动模块，上拉主驱动模块包括若干上拉主电阻元件，下拉主驱动模块包括若干下拉主电阻元件；辅助驱动模块包括上拉辅助驱动模块和下拉辅助驱动模块，上拉驱动模块若干上拉辅助电阻元件，上拉辅助驱动模块包括若干下拉辅助电阻元件；其中，上拉主电阻元件和上拉辅助电阻元件并联，下拉主电阻元件和下拉辅助电阻元件并联。通过辅助驱动模块可以对主驱动模块进行补充，以提高输出驱动能力。

举例而言，如图4所示，上拉主驱动模块1包括一上拉主电阻元件Rop，上拉主电阻元件Rop一端串联一PMOS管，另一端连接至可控制输入/输出端口Pad，该端口作为输出端。该PMOS管的栅极接收控制信号PupMain，漏极连接至电源端，源极连接电阻元件Rop。相应的，下拉主驱动模块2包括一下拉主电阻元件Ron，下拉主电阻元件Ron一端串联一NMOS管，另一端连接至可控制输入/输出端口Pad，该端口作为输出端。该NMOS管的栅极接收控制信号PdnMain，漏极连接至接地端，源极连接电阻元件Ron。

上拉辅助驱动模块3包括一上拉辅助电阻元件R1，R1和Rop并联，下拉辅助驱动模块4包括一下拉辅助电阻元件R2，R2和Ron并联。R1和R2都通过开关元件控制其接入。

在本示例性实施例中，开关元件采用晶体管开关元件。具体而言，上拉辅助驱动模块3还包括N个并联的上拉晶体管开关元件，N个上拉晶体管开关元件的控制端用于接收对应的N个上拉驱动信号，N个上拉晶体管开关元件的第一端共同与电源端连接，第二端共同与上拉辅助电阻元件连接。下拉辅助驱动模块4还包括M个并联的下拉晶体管开关元件，M个下拉晶体管开关元件的控制端用于接收对应的M个下拉驱动信号，M个下拉晶体管开关元件的第一端共同与接地端连接，第二端共同与下拉辅助电阻元件连接；其中，N、M都为正整数。

各晶体管开关元件的控制端可以为栅极、第一端可以为源极、第二端可以为漏极；或者，各晶体管开关元件的控制端可以为栅极、第一端可以为漏极、第二端可以为源极。例如，在晶体管开关元件为N型晶体管时，开关元件的第一端为漏极，开关元件的第二端为源极，开关元件的控制端为栅极。再例如，在晶体管开关元件为P型晶体管时，开关元件的第一端为源极，开关元件的第二端为漏极，开关元件的控制端为栅极。

举例而言，如图4所示，本示例实施方式中，上拉辅助驱动模块3包括五个并联的PMOS管，五个PMOS管的栅极分别接收各自对应的控制信号Zqpup[0]、Zqpup[1]、Zqpup[2]、Zqpup[3]、Zqpup[4]，Zqpup[4:0]表示并联的五个PMOS管，通过对应的控制信号控制相应PMOS管的导通或关断。五个PMOS管的漏极共同连接电源端，源极共同连接上拉辅助电阻元件R1。

相对应的，下拉辅助驱动模块4包括五个并联的NMOS管，五个NMOS管的栅极分别接收各自对应的控制信号Zqpup[0]、Zqpdn[1]、Zqpdn[2]、Zqpdn[3]、Zqpdn[4]，Zqpdn[4:0]表示并联的五个NMOS管，通过对应的控制信号控制相应NMOS管的导通或关断。这五个NMOS管的源极共同接地，另一端也共同连接至下拉辅助电阻元件R2。

通过将若干MOS管和电阻串联，以形成驱动电阻单元，可根据实际工作需要组合配置成不同的输出驱动电阻阻值，这样，可以在保证输出驱动电阻大小要求及阻值线性度要求的前提下，大幅减小串联电阻数量，从而减少该输出驱动电阻所占用的芯片面积，节省芯片成本。

在本示例实施方式中，上拉辅助驱动模块3和下拉辅助驱动模块4的PMOS管和NMOS管的个数均为5，即N、M都为5，本领域技术人员可以知晓的是，根据电阻需要的初始设计，N、M还可以取其他值，N、M可以相等，也可以不相等。上拉主电阻元件、上拉辅助电阻元件、下拉主电阻元件和下拉辅助电阻元件包括但不限于Rop、R1、Ron和R2，电阻的个数可以根据需要有所改变。上拉驱动和下拉驱动中的电阻个数可以相同，也可以不同，各电阻的阻值大小也可以相同或不同，根据需要设置，例如其可以设置为Ron＝Rop＝200，R1＝R2＝50。

在本示例实施方式中，电阻调整模块包括上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6，逻辑控制模块8连接温度传感器7，逻辑控制模块8包括P个上拉信号端口和Q个下拉信号端口，P和Q均为正整数。

调整电阻元件也采用晶体管开关元件，即上拉电阻调整模块5包括P个与上拉晶体管开关元件并联的上拉调整晶体管开关元件，P个上拉调整晶体管开关元件的控制端与P个上拉信号端口一一对应连接，P个上拉调整晶体管开关元件的第一端与电源端连接，第二端与上拉辅助电阻元件连接；下拉电阻调整模块6包括Q个与下拉晶体管开关元件并联的下拉调整晶体管开关元件，Q个上拉调整晶体管开关元件的控制端与Q个下拉信号端口一一对应连接，每个下拉调整晶体管开关元件的第一端与接地端连接，第二端与下拉辅助电阻元件连接。通过控制上拉调整晶体管开关元件的导通或关断，改变并联入上拉驱动电路的电阻，以实现对上拉驱动阻值的调整。通过控制下拉调整晶体管开关元件的导通或关断，改变并联入下拉驱动电路的电阻，以实现对下拉驱动阻值的调整。

本实施方式的上拉调整晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件的设置方式上拉驱动模块和下拉驱动模块中的晶体管开关元件同理，只需保证电阻调整模块的晶体管开关元件类型需与驱动模块的晶体管开关元件匹配，且端口相互匹配。

举例而言，在本示例性实施方式中，P＝Q＝3，逻辑控制模块8包括3个上拉信号端口和3个下拉信号端口。

上拉电阻调整模块5包括三个并联的PMOS管，三个PMOS管的栅极分别接收各自对应的控制信号Tpup[0]、Tpup[1]、Tpup[2]，Tpup[2:0]用于表示并联的三个PMOS管，这三个PMOS管均与上拉辅助驱动模块3的五个PMOS管Zqpup[4:0]并联，即这八个PMOS管的一端共同连接电源，另一端共同连接上拉辅助电阻元件R1。Tpup[2:0]三个PMOS管的栅极分别与逻辑控制模块8的三个上拉信号端口一一对应连接，通过各自端口发送对应的控制信号控制相应PMOS管的导通或关断，由此改变上拉电阻调整模块5自身的电阻值，进而改变上拉驱动整体的电阻值。

相对应的，下拉辅助电阻调整模块4包括三个并联的NMOS管的栅极分别接收各自对应的控制信号Tpdn[0]、Tpdn[1]、Tpdn[2]，Tpdn[2:0]用于表示并联的三个NMOS管，这三个NMOS管均与下拉驱动模块的五个NMOS管Zqpdn[4:0]并联，其一端共同接地，另一端共同连接下拉辅助电阻元件R2。Tpdn[2:0]三个NMOS管的栅极分别与逻辑控制模块8的三个下拉信号端口一一对应连接，通过各自端口发送对应的控制信号控制相应NMOS管的导通或关断，由此改变下拉电阻调整模块6自身的电阻值，进而改变下拉驱动整体的电阻值。

逻辑控制模块8根据温度传感器7感应的实时温度数据计算出当前上拉驱动(上拉主驱动和上拉辅助驱动)和下拉驱动(下拉主驱动和下拉辅助驱动)的电阻值，将其分别与预定值(如240ohms)做比较，计算上拉驱动和下拉驱动各自电阻的调整值，确定需要并入的PMOS管和NMOS管，并分别向上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6输出电阻调整信号。六个MOS管接收各自对应的上拉或下拉信号，相互独立控制各自的导通与关断，以改变驱动电路整体的阻值，使其维持在预定值(240ohms)。

在本示例实施方式中，上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6的PMOS管和NMOS管的个数均为3，即P、Q都为3，本领域技术人员可以知晓的是，根据电阻需要的初始设计，P、Q还可以取其他值，P、Q可以相等，也可以不相等。

相应的，逻辑控制模块8的上拉信号端口和下拉信号端口的个数也随着上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6中PMOS管和NMOS管的个数而定，只要保证端口能与MOS管一一对应连接即可。因此，对应于上拉信号端口和下拉信号端口，P、Q还可以取其他值，P、Q可以相等，也可以不相等。

另外，在本示例实施方式中，无论是驱动模块还是电阻调整模块，各晶体管开关元件的阻值可以相等，也可以不相等，这样可根据实际工作需要组合配置成不同的输出驱动电阻阻值，以适应更多的调整情况。

在本示例实施方式中，上拉晶体管开关元件、下拉晶体管开关元件、上拉调整晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件均采用了MOS管，本领域技术人员可以知晓的是，开关元件还可以为其他开关元件，如三极管等。

本发明实施方式还提供一种温度控制输出驱动方法，以上述电路为例，该方法可以按照以下步骤实施：

S110，利用温度传感器7获取输出驱动电路的温度值；

S210，根据温度值确定驱动电路需要的电阻值；

S310，根据需要的电阻值向驱动电路中并联若干电阻元件，对驱动电路的电阻值进行调整。

通过温度传感器7感应的温度数据判断当前驱动电路的电阻值，再通过并入驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电阻，最终输出驱动的内阻会稳定在所需电阻大小而不受温度的影响，由此配置的阻值也会达到需要的输出驱动电阻，减弱或消除了输出驱动电阻阻值随温度、工艺、压力的变化而引起的变化，使其输出驱动电阻稳定在预设值，确保芯片性能稳定。

步骤S210和S310中，可以利用一控制逻辑根据温度传感器7获取的输出驱动电路的温度值计算当前驱动电路的电阻值，然后算出需要并入电路的电阻元件，以对整个输出驱动电路的电阻进行调整。

在本示例性实施方式中，并入电路用于调整阻值的电阻元件采用晶体管开关元件，即上拉晶体管开关元件并联若干上拉调整晶体管开关元件，下拉晶体管开关元件并联若干下拉调整晶体管开关元件。利用晶体管开关元件本身具有的阻值特性对上拉和下拉驱动电路的阻值进行调整，晶体管开关元件可以方便的进行选择和控制。通过控制上拉调整晶体管开关元件的导通或关断，改变并联入上拉驱动电路的电阻，以实现对上拉驱动阻值的调整。通过控制下拉调整晶体管开关元件的导通或关断，改变并联入下拉驱动电路的电阻，以实现对下拉驱动阻值的调整。

上拉和下拉驱动电路的结构以及用于调整阻值的电路结构参照本发明温度控制输出驱动电路中的相关描述，此处不再一一赘述。

在本示例性实施方式中，通过逻辑控制电路将驱动电路需要的电阻值转化为晶体管开关元件的开关控制信号，以控制驱动电路的电阻值。

逻辑控制模块8根据驱动电路的温度计算其各自需要的电阻调整值，并生成上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6的开关管控制信号，由各端口输出，以控制信号导通或关断相应的晶体管开关，使得并联入驱动电路的阻值发生变化，达到控制驱动模块整体的电阻值维持在预定值的目的。

本发明的方法的执行可以随着工作的进行不断重复进行，根据需求设置执行间隔，以保证持续对驱动电路的电阻进行调整，使其始终稳定在预设值。

以上实施方式的温度控制输出驱动电路和驱动方法，配置了用于调整电阻的电阻调整模块，通过温度传感器感应的温度数据计算当前驱动模块电阻值，再通过逻辑控制模块来调节电阻调整模块的电阻，从而通过并入驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电阻。一方面，减弱或消除了输出驱动电阻阻值随温度、工艺、压力的变化而引起的变化，使其输出驱动电阻稳定在预设值，确保芯片性能稳定；另一方面，该方法仅需要获取电路温度就可以进行实时检测和调整，可以在较大范围内将电阻阻值调整至预期值，调整方式简单而准确。

本发明实施方式还提供一种存储器，包括以上任一项所述的温度控制输出驱动电路。本发明所指存储器包括但不限于动态随机存取存储器、双倍速率同步动态随机存储器等，凡是包含输出驱动电路的存储器均可以采用本发明的温度控制输出驱动电路，以确保其驱动能力，使芯片性能稳定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种温度控制输出驱动电路，其特征在于，包括：

驱动模块，包括若干电阻元件，所述电阻元件与电源端和输出端连接；所述驱动模块接收输出驱动信号；

电阻调整模块，包括若干调整电阻元件，所述调整电阻元件与所述电源端和输出端连接，还与所述驱动模块的电阻元件并联；所述电阻调整模块响应电阻调整信号而导通或关断，以调整所述驱动电路的电阻值；

温度传感器，用于感应所述输出驱动电路的温度；

逻辑控制模块，连接所述温度传感器，用于根据所述温度传感器的温度数据，向所述电阻调整模块输出电阻调整信号。

2.根据权利要求1所述的温度控制输出驱动电路，其特征在于，所述驱动模块包括主驱动模块和辅助驱动模块；

所述主驱动模块包括上拉主驱动模块和下拉主驱动模块，所述上拉主驱动模块包括若干上拉主电阻元件，下拉主驱动模块包括若干下拉主电阻元件；

所述辅助驱动模块包括上拉辅助驱动模块和下拉辅助驱动模块，所述上拉驱动模块包括若干上拉辅助电阻元件，上拉辅助驱动模块包括若干下拉辅助电阻元件；

其中，所述上拉主电阻元件和上拉辅助电阻元件并联，所述下拉主电阻元件和下拉辅助电阻元件并联。

3.根据权利要求2所述的温度控制输出驱动电路，其特征在于，

所述上拉辅助驱动模块还包括N个并联的上拉晶体管开关元件，所述N个上拉晶体管开关元件的控制端用于接收对应的N个上拉驱动信号，所述N个上拉晶体管开关元件的第一端共同与所述电源端连接，第二端共同与所述上拉辅助电阻元件连接；

所述下拉辅助驱动模块还包括M个并联的下拉晶体管开关元件，所述M个下拉晶体管开关元件的控制端用于接收对应的M个下拉驱动信号，所述M个下拉晶体管开关元件的第一端共同与所述接地端连接，第二端共同与所述下拉辅助电阻元件连接；

其中，N、M都为正整数。

4.根据权利要求3所述的温度控制输出驱动电路，其特征在于，所述电阻调整模块包括上拉电阻调整模块和下拉电阻调整模块，所述调整电阻元件为晶体管开关元件；所述逻辑控制模块包括P个上拉信号端口和Q个下拉信号端口，P和Q均为正整数；

所述上拉电阻调整模块包括P个与所述上拉晶体管开关元件并联的上拉调整晶体管开关元件，所述P个上拉调整晶体管开关元件的控制端与所述P个上拉信号端口一一对应连接，所述P个上拉调整晶体管开关元件的第一端共同与所述电源端连接，第二端共同与所述上拉辅助电阻元件连接；

所述下拉电阻调整模块包括Q个与所述下拉晶体管开关元件并联的下拉调整晶体管开关元件，所述Q个上拉调整晶体管开关元件的控制端与所述Q个下拉信号端口一一对应连接，所述Q个下拉调整晶体管开关元件的第一端共同与所述接地端连接，第二端共同与所述下拉辅助电阻元件连接。

5.根据权利要求4所述的温度控制输出驱动电路，其特征在于，所述上拉晶体管开关元件和上拉调整晶体管开关元件包括PMOS晶体管，所述下拉晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件包括NMOS晶体管。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的温度控制输出驱动电路，其特征在于，所述上拉晶体管开关元件、下拉晶体管开关元件、上拉调整晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件的阻值相等或不相等。

7.一种温度控制输出驱动电路的方法，其特征在于，包括：

利用温度传感器获取输出驱动电路的温度值；

根据所述温度值确定所述驱动电路需要的电阻值；

根据需要的电阻值向所述驱动电路中并联若干电阻元件，对所述驱动电路的电阻值进行调整。

8.根据权利要求7所述的温度控制输出驱动电路的方法，其特征在于，所述电阻元件为晶体管开关元件。

9.根据权利要求8所述的温度控制输出驱动电路的方法，其特征在于，通过逻辑控制电路将所述驱动电路需要的电阻值转化为所述晶体管开关元件的开关控制信号，以控制所述驱动电路的电阻值。

10.一种存储器，包括权利要求1-6中任一项所述的温度控制输出驱动电路。

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