CN111120769A - 缓冲件、半导体制造设施内的配置及侦测缓冲件的磨耗的方法 - Google Patents

缓冲件、半导体制造设施内的配置及侦测缓冲件的磨耗的方法 Download PDF

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Abstract

本揭露的实施例提供了一种缓冲件、半导体制造设施内的配置及侦测缓冲件磨耗的方法，特别是用于容纳适用于输送流体的管件的缓冲件。缓冲件包括一基座，多个指状部从基座的第一侧向外延伸。多个指状部的第一指状部和多个指状部的第二指状部限定用于容纳管件的孔洞。缓冲件还包括在基座上与所述第一侧相对的第二侧上的至少一个滚轮。

Description

缓冲件、半导体制造设施内的配置及侦测缓冲件的磨耗的 方法
技术领域
本揭露关于一种半导体制造设施内用于支撑管件的缓冲件及侦测该缓冲件磨耗的方法。
背景技术
在集成电路的制造中，使用包括沉积、微影、化学机械平坦化(chemicalmechanical planarization，CMP)、离子植入、扩散、蚀刻和清洁的数百个加工步骤在半导体晶片上以制造电路部件。在集成电路的制造过程中使用了许多半导体加工工具。
发明内容
本揭露部分内容关于一种用于夹持一适用于传送流体的管件的缓冲件。缓冲件包括：一基座及多个指状部，自基座的一第一侧向外延伸。指状部的一第一指状部以及指状部的一第二指状部定义一接收管件的孔洞。缓冲件还包括至少一滚轮，位于基座上与第一侧相对的一第二侧上。
本揭露更关于一种在半导体制造设施内的配置。上述配置包括一半导体加工系统，包括一加工腔、一流体供应系统，包括连接至加工腔并用于输送流体的一管件、一电源，包括连接至加工腔的一电线及一缓冲件，放置在一支撑板之上并适用于自支撑板提高管件及电线。缓冲件包括一基座、多个指状部位于基座的一第一侧及一滚轮位于基座上与第一侧相对的一第二侧上并与支撑板接触。指状部包括自基座的一第一端向外延伸的第一指状部、自基座的一中央部向外延伸的一第二指状部及自基座上相反于第一端的一第二端向外延伸的一第三指状部。第一指状部以及第二指状部定义一接收管件的一第一孔洞，且第二指状部及第三指状部定义有接收电线的一第二孔洞。所述配置还包括一声响感测器，适用于侦测滚轮所产生的声波。
本揭露的另一层面是关于一种侦测一缓冲件的磨耗的方法。所述方法包括提供放置在一支撑板上的一缓冲件以支撑用于输送流体的一管件和一电线，缓冲件将管件及电线自一支撑板分开。缓冲件包括一基座、多个指状部，位于基座的一第一侧及一滚轮，位于基座上与第一侧相对的一第二侧上并与支撑板接触。指状部包括自基座的一第一端向外延伸的第一指状部、自基座的一中央部向外延伸的一第二指状部及自基座上相反于第一端的一第二端向外延伸的一第三指状部。第一指状部以及第二指状部定义一接收管件的一第一孔洞，且第二指状部及第三指状部定义有接收电线的一第二孔洞。所述方法还包括侦测在支撑板上的滚轮所产生的声波。所述方法还包括分析声波随时间在频率上的改变以判断滚轮的磨耗程度。所述方法还包括当声波的频率的增加超过一既定阀值时，触发一警报。
附图说明
当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。
图1是部分实施例中用于夹持管件以减少管件因摩擦引起的破裂的缓冲件的透视图；
图2是部分实施例中缓冲件在支撑板上夹持流体输送管件和电线的透视图；
图3是部分实施例中用于监测缓冲件的一个或多个滚轮随时间产生的磨耗的系统的示意图；
图3A是部分实施例中当缓冲件磨耗时声波强度的变化的图；
图4是部分实施例中半导体制造设施中使用缓冲件的配置的示意图；
图5是部分实施例中用于监测缓冲件中的一个或多个滚轮的磨耗的方法的流程图；
图6是部分实施例中控制系统的示意图。
【符号说明】
100 缓冲件
102 支撑板
110 基座
110a 第一端
110b 中央部
110c 第二端
122 指状部(第一指状部)
122a 自由端
124 指状部(第二指状部)
126 指状部(第三指状部)
132 桥接部
134 桥接部
136 孔洞
136a 开口端
138 孔洞
138a 开口端
142 管件(流体输送管件)
144 电线
152 滚轮
154 环状物
300 系统
310 声响感测器
320 感测器控制单元
330 通讯网络
340 曲线
350 曲线
400 配置
410 半导体加工系统
412 加工腔
420 流体供应系统
422 流体输送管件
430 电源
432 电线
434 电线
436 电线
500 方法
502、504、506、508 操作
600 控制系统
602 处理器
604 I/O装置
606 记忆体
608 网络接口
609 网络
610 总线
612 指令
具体实施方式
以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实现各个实施例的不同特征。下文描述部件及排列的特定实例以简化本揭示内容。当然，这些实例仅为实例且不意欲为限制性。举例而言，在随后描述中在第二特征上方或在第二特征上第一特征的形成可包括第一及第二特征形成为直接接触的实施例，以及亦可包括额外特征可形成在第一及第二特征之间，使得第一及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案在各实例中可重复元件符号及/或字母。此重复为出于简单清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或配置之间的关系。
此外，其与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。
管件，例如由TeflonTM含氟聚合物制成的塑料管件，在整个半导体制造设施中被广泛用于分配流体。含氟聚合物是化学惰性的，因此降低了与金属管件相关的污染和晶圆上缺陷的风险。在一些情况下，在用于形成集成电路的各种制造步骤中，利用了包括流体气体和流体液体在内的加工流体。加工流体储存在槽中，然后加工流体通过管件的使用从槽传输到半导体加工工具中。在一些情况下，在集成电路的制造中，在半导体加工工具中进行各种制造加工。这些半导体加工工具包括用于化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)或沈积自然氧化物(例如:氧化硅)的加工腔。在沉积过程中，加工腔内部的组件会被加热为了保持加工腔中的温度，提供了冷却系统以控制加工腔中的温度。冷却系统使冷却液(例如:水或水和乙二醇的混合物)通过管件循环，以从加工腔中带走热量。
设定初始，将管件保持在沿直线排列的状态。但是，随着管件使用时间的增加，管件会老化。管件由于重力或其他力而发生下垂或掉落，而管件的过度下垂或掉落导致管件接触放置有半导体加工工具的支撑板(例如：金属板)。当流体通过管件传输时，管件振动并在摩擦系数高的支撑板表面上摩擦。随时间增加，管件和支撑板表面之间的摩擦导致管件破裂，造成管件的流体泄漏。流体泄漏使工人暴露于泄漏的流体中或导致半导体制造设备中电子组件的短路，从而损害集成电路的制造。
为此，本揭露提供一种缓冲件提供用于帮助防止对半导体制造设备中使用的流体输送管件的摩擦引起的损坏。缓冲件配置成支撑并撑高流体输送管件，从而有助于防止流体输送管件与放置有半导体加工工具的支撑板摩擦。缓冲件包括摩擦系数小于支撑板的表面材料的摩擦系数的材料，从而在管件和缓冲件之间提供低摩擦接触。使用低摩擦系数的缓冲件将流体输送管件与支撑板分开，从而有助于提高流体输送管件的耐用性。缓冲件的底部提供一个或多个滚轮，使缓冲件可以在支撑板上沿任何方向移动。一个或多个滚轮减少缓冲件与支撑板之间的接触面积，从而有助于减小缓冲件与支撑板之间的摩擦。如此一来，延长了缓冲件的使用寿命。一个或多个滚轮的磨耗由声响感测器监控，声响感测器配置用于检测当一个或多个滚轮在支撑板上移动时所产生的声波。当通过声响感测器检测到由一个或多个滚轮的磨耗引起的异常声波时，在管件的任何损坏发生前，通知操作人员确定何时更换磨损的滚轮。
图1是缓冲件100的透视图，根据部分实施例，缓冲件100可用于夹持管件以减少管件因摩擦引起的破裂。在部分实施例中，管件适用于在半导体制造设施中的流体供应系统中输送流体。
参照图1，缓冲件100包括一个基座110、多个指状部(例如：指状部122、124和126)从基座110的一侧向外延伸并彼此间隔设置以及基座110上在多个指状部122、124和126的相对侧设置的一个或多个滚轮152。滚轮152的数量由基座110的大小决定。在部分实施例中，多个指状部122、124和126以及一个或多个滚轮152与基座110一体制成，即，基座110、多个指状部122、124和126和一个或多个滚轮152相互整合。
在一些实施例中，多个指状部包括从基座110的第一端110a向外延伸的第一指状部122、从基座110的中央部110b向外延伸的第二指状部124及从基座110的第二端110c与第一端110a相对地向外延伸的第三指状部126。第一指状部122配置成具有较第二指状部124和第三指状部126短的长度。在部分实施例中，第二指状部124和第三指状部126具有相同的长度。在部分实施例中，第二指状部124和第三指状部126具有不同的长度。第一指状部122包括从第一指状部122的自由端122a朝向第二指状部124突出的桥接部132。第二指状部124包括从第一指状部122突出并朝向第一指状部122的桥接部134。桥接部132和134彼此面对，并界定孔洞136的开口端136a。孔洞136是由基座110的第一指状部122、基座110的第一部分(在此称作第一基部)与一部分的第二指状部124所形成。孔洞136配置为在缓冲件100使用时，容纳用于输送流体的管件142(也称为流体输送管件)(图2)。在部分实施例中，孔洞136为C形且具有弯曲内表面。孔洞136的尺寸是根据要容纳在其中的流体输送管件142的尺寸决定。在部分实施例中，孔洞136的尺寸适合于一英吋的管件。在部分实施例中，孔洞136的尺寸适合四分之三英吋的管件。在部分实施例中，孔洞136对于不同直径的管件具有更大或更小的尺寸。孔洞136的开口端136a(配置有流体输送管件142从中插入)的尺寸小于流体输送管件142的直径，故流体输送管件142推入孔洞136之后，孔洞136将流体输送管件142牢固地保持在适当的位置。孔洞136的开口端136a的尺寸由桥接部132和134的高度确定。第二指状部124，第三指状部126和基座110的第二部分(在此为称为第二基部114)定义了一个孔洞138。在部分实施例中，第二基部114具有曲面。当使用缓冲件100时，孔洞138的尺寸配置成容纳电线144(图2)。在部分实施例中，孔洞138具有小于电线144直径的一致尺寸，使得一旦电线144推送进入孔洞138中，电线144被第二指状部124和第三指状部126按压，进而防止了电线144从孔洞138中滑出。在部分实施例中，孔洞138倾斜成使得孔洞138的尺寸朝第二指状部124和第三指状部126的自由端逐渐减小。在部分实施例中，孔洞138的开口端138a的尺寸配置成小于电线144的直径。孔洞138的开口端138a的较小尺寸有助于在电线144收纳至孔洞138的内部后防止电线144从孔洞138滑出。第三指状部126是选择性设置的，并且在一些实施例中，省略设置第三指状部126。在省略第三指状部126的实施例中，第二指状部124位于基座110的第二端110c。
一个或多个滚轮152是自缓冲件100的基座110突出的突出部，并且适用于允许缓冲件100在任何方向上移动。一个或多个滚轮152被配置为减小缓冲件100和放置有缓冲件100的支撑板102(图2)之间的摩擦。在部分实施例中，一个或多个滚轮152中的每个滚轮152是半球形的突出部，其具有圆形的底侧，该底侧适用于在使用缓冲件100时接触支撑板102。圆形的底侧减小了缓冲件100与支撑板102之间的接触面积，从而有助于减小缓冲件100与支撑板102之间的摩擦并增加缓冲件100的耐用性。缓冲件100还包括围绕每个滚轮152的环状物154。环状物154是选择性设置的，并且在一些实施例中，省略设置环状物154。
在一些实施例中，缓冲件100包括具有比下方支撑板的材料低的摩擦系数的材料。于本揭露中，摩擦系数是指动摩擦系数，其定义为维持在给定表面上滑动的物体的稳态运动所需的法向力的比值。在部分实施例中，支撑板包括例如铁的金属。在部分实施例中，支撑板包括木材或胶合板。在部分实施例中，缓冲件100的低摩擦材料的摩擦系数小于0.1。在部分实施例中，缓冲件100包括聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、全氟烷氧基(perfluoroalkoxy，PFA)、氟化物聚乙烯丙烯(fluorinated poly ethylene propylene，FPEP)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚砜(polysulfone)或聚醚醚酮(polyether ether ketone，PEEK)。
图2是缓冲件100的透视图，根据部分实施例，缓冲件100在支撑板102上夹持流体输送管件142和电线144。在图2中，缓冲件100配置成分别将流体输送管件142和电线144夹设在孔洞136和138中。因此，缓冲件100用作缓冲垫，以避免流体输送管件142和电线144与支撑板102直接接触，这有助于消除支撑件102施加在流体输送管件142和电线144上的高摩擦力的影响。在流体输送管件142和电线144分别容纳在缓冲件100的孔洞136和孔洞138中时，用于缓冲件100的低摩擦材料提供低摩擦接触表面。因此，减少了因流体输送管件142或电线144的摩擦所引起的磨耗，并且增加了流体输送管件142或电线144的使用时间。
图3是根据一些实施例的系统300的示意图，系统300是用于监测缓冲件100中的一个或多个滚轮152随时间产生的磨耗。
参照图3，系统300包括声响感测器310和感测器控制单元320。声响感测器310用于检测在使用缓冲件100时产生的声波。声波是由于一个或多个滚轮152与支撑板102之间的摩擦力引起的一个或多个滚轮152的振动所造成。随着滚轮152的磨耗，滚轮152的高度由于滚轮152和支撑板102(图2)之间的摩擦而减小。因此，滚轮152和支撑板102之间的接触面积随时间增加。随着滚轮152与支撑板102之间的接触面积的增加，由声响感测器310测量的声波的频率随时间变化。声波的频率变化可用于评估滚轮152的磨耗量。
图3A显示根据部分实施例当缓冲件100磨耗时声波强度的变化的图。曲线340显示缓冲件100的初始声波强度随时间的变化。曲线350显示当缓冲件100已经使用了一定时间时，在滚轮152开始磨耗之后，缓冲件100的声波强度随时间的变化。与初始声波的曲线340的强度相比，在使用缓冲件100一定时间后，声波的曲线350的强度增加了大约10赫兹(Hz)。
声响感测器310放置在靠近缓冲件100的位置，使得声响感测器310能够接收到来自一个或多个滚轮152与支撑板102之间的摩擦力的声波。在部分实施例中，声响感测器310放置在距缓冲件100约30厘米(cm)的位置。如果声响感测器310与缓冲件100之间的距离太大，则会增加声响感测器310无法检测到声波的风险。在部分实施例中，声响感测器310是超声波传感器，可用于侦测超出人耳可听频率范围的声波，通常高于20kHz(kHz)。超声传感器在高频下工作，因此在检测由一个或多个滚轮152与支撑板之间的接触产生的声波时具有高灵敏度。
感测器控制单元320适用于分析由声响感测器310检测到的声波的频率变化。一旦声波信号的强度超过与一个或多个滚轮152的正常运行状况相关的阈值，通知操作员更换缓冲件100，以避免缓冲件100和支撑板102之间的过度磨损。在部分实施例中，阈值设置为3300Hz。在部分实施例中，感测器控制单元320是多通道控制单元。感测器控制单元320例如经由通讯网络330进行无线通信。在部分实施例中，感测器控制单元320经由有线连接与声响感测器310进行通信。在部分实施例中，感测器控制单元320由控制系统600(图6)操控，通讯网络330由控制系统600(图6)中的网络接口608操控。
图4是部分实施例中半导体制造设施中使用图1的缓冲件100以减少摩擦件所引起流体输送管件的磨耗的配置400的示意图。
参照图4，配置400包括一半导体加工系统410、一流体供应系统420、一电源430和一控制系统600。
半导体加工系统410包括至少一个加工腔412。至少一个加工腔412被设计为执行应用于一个或多个半导体晶片的一个或多个半导体制造加工。在部分实施例中，加工腔412用于执行半导体制造加工，例如沉积、热氧化、注入、微影曝光、离子植入或蚀刻。在部分实施例中，加工腔412是沉积工具，例如化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工具或物理气相沉积(physical vapor deposition PVD)工具。在部分实施例中，加工腔412是可用于在半导体基底上形成用于隔离的介电层的CVD工具。在部分实施例中，加工腔412是可用于形成金属层的PVD工具。在部分实施例中，加工腔412是一种离子植入工具，可用于执行离子植入加工以形成半导体晶片的一个或多个掺杂特征，例如N型井或P型井的源极区/漏极区。在一些实施例中，加工腔412是化学机械抛光(chemical mechanicalpolishing，CMP)工具，可用于抛光半导体晶片以减小厚度变化并提供平坦化的表面。在部分实施例中，加工腔412是微影工具，用于使用辐射能在半导体晶片上曝光光阻层，以在其他加工步骤(例如:蚀刻、沉积或离子植入)的辅助下形成图案化的光阻层。在部分实施例中，半导体加工系统410是具有多个加工腔的集群系统，该多个加工腔被配置为执行相同的加工功能或不同的加工功能(未示出)。图4所示的加工腔412是集群工具中多个加工腔中的一个加工腔。在部分实施例中，多个加工腔中的一些加工腔用于沉积不同的材料，诸如氮化钛(TiN)，钛(Ti)和铝(Al)之类的金属，以及多个加工腔中的一些加工腔被用于脱气(degassing)，预清洁和冷却。
流体供应系统420适用于供应用于半导体加工操作的流体。在部分实施例中，流体供应系统420将浆料供给至加工腔412以进行CMP操作。在部分实施例中，流体供应系统420向加工腔412供给加工气体或加工液以进行沉积操作。在部分实施例中，流体供应系统420向加工腔412供给水以冷却加工腔412的部件。
流体通过流体输送管件422供应到加工腔412。流体输送管件422由缓冲件100支撑。在部分实施例中，流体输送管件422由化学惰性材料制成，例如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)。在部分实施例中，流体输送管件422设置为线性管件，用于将加工流体传输到加工腔412。在部分实施例中，流体输送管件422设置为线圈型管件，用于将冷却液分配到加工腔412或热源(未示出)。
电源430可用于向半导体加工系统410、流体供应系统420和声响感测器310的组件提供电力。电源430分别通过电线432、434和436电性连接到半导体加工系统410、流体供应系统420和声响感测器310。在缓冲件100(图1)的孔洞138中容纳有将半导体加工系统410电连接至电源430的电线432。
控制系统600(在图6中详细描述)适用于控制半导体加工系统410、流体供应系统420和声响感测器310的操作。
缓冲件100将放置在支撑板上的流体输送管件422和电线432自支撑板分离。缓冲件100由具有比支撑板的摩擦系数更低的材料制成，从而有助于减少流体输送管件422和电线432的摩擦所引起的磨耗。使用缓冲件100可以增加流体输送管件422和电线432的使用寿命。如此一来，减少了因更换磨损管件而导致的半导体加工系统410的停机时间。缓冲件100还将电线432与支撑板分开，从而有助于减少当流体输送管件422破裂时由泄漏的液体引起的短路的风险。
图5是部分实施例中用于监测缓冲件100中的一个或多个滚轮152的磨耗的方法500的流程图。在图5的方法500之前，当中和/或之后执行附加操作，并且在一些实施例中替换或消除本文描述的一些操作。
在操作502中，提供缓冲件100以将流体输送管件142和/或电线144与支撑板102分开。支撑板102由摩擦系数高于缓冲件100的材料制成。流体输送管件142和电线144连接到半导体制造设备中的半导体加工系统410上。
在操作504中，使用声响感测器310连续监视由设置在缓冲件100底部的一个或多个滚轮152的振动产生的声波。
在操作506中，使用感测器控制单元320分析声波的频率随时间的改变，以确定一个或多个滚轮152的磨损物态。
在操作508中，在由于一个或多个滚轮152的磨耗引起的声波强度的增加超过与一个或多个滚轮152的正常工作状态相关的阈值之后，感测器控制单元320触发警报，以通知操作员缓冲件100磨损并且需要更换。在部分实施例中，当声波强度的增加超过3300Hz时，将触发警报。
图6是部分实施例中控制系统600的示意图。根据部分实施例，控制系统600产生输出控制信号，以控制加工腔412和半导体加工系统410，流体供应系统420，电源430以及声响感测器310的其他组件的操作。根据部分实施例，控制系统600从半导体加工系统410的加工腔412和流体供应系统420，电源430和声响感测器310的其他组件中接收输入信号。
控制系统600包括处理器602、I/O装置(输入/输出装置)604、记忆体606及网络接口608。处理器602、I/O装置604、记忆体606及网络接口608的每一者经由总线610或其他互连通信机制可通信地耦合。
处理器602被配置为执行和/或解释存储在存记忆体606中的一组或多条指令612。在部分实施例中，处理器602是中央处理器(central processing unit，CPU)，多工处理器、分布式处理系统(distributed processing system)、专用集成电路(specificintegrated circuit，ASIC)和/或合适的处理单元。
I/O装置604耦合到外部电路。在部分实施例中，I/O装置604包括用于传达信息和命令到处理器602的键盘、按键、鼠标、轨迹球、轨迹板和/或光标方向键。
记忆体606(也称为计算机可读媒体)包括随机访问的记忆体或其他动态储存设备，其通信地耦合到总线610，用于储存数据和/或由处理器执行的指令602。在部分实施例中，记忆体606用于在执行由处理器602执行的指令期间储存临时变量或其他中间信息。在部分实施例中，记忆体606还包括只读记忆体或其他静态存储设备，其耦合到总线610，用于存储用于处理器602的静态信息和指令。记忆体606为电子、磁性、光学、电磁、红外线和/或半导体系统(或装置或设备)。例如，记忆体606包括半导体或固态记忆体、磁带、可移动计算机磁片、随机存取记忆体(random access memory，RAM)、只读记忆体(read-only memory，ROM)、刚性记忆体磁盘和/或光盘。在使用光盘的一些实施例中，记忆体606包括光盘只读存储器(CD-ROM)、光盘读/写(CD-R/W)和/或数字影盘(DVD)。
记忆体606被编码(即存储)计算机程序码，即一组可执行指令612，用于控制半导体加工系统410，流体供应系统420，电源430以及声响感测器310的一个或多个组件，并使控制系统600执行方法500。在部分实施例中，记忆体606还存储执行方法500所需的信息以及在执行方法500期间生成的信息。
网络接口608包括用于连接到一个或多个其他计算机系统所连接的网络609的机制。在部分实施例中，网络接口608包括有线和/或无线连接机制。网络接口608包含无线网络接口，例如BLUETOOTH、WIFI、WIMAX、GPRS或WCDMA；或有线网络接口，例如ETHERNET、USB或IEEE-1394。在部分实施例中，控制系统600通过网络接口608与半导体加工系统410、流体供应系统420、电源430和声响感测器310中的一个或多个组件耦合。在部分实施例中，控制系统600与半导体加工系统410、流体供应系统420、电源430和声响感测器310中的一个或多个组件直接耦合，例如与总线610的组件耦合，而不是通过网络接口608。
本揭露部分内容关于一种用于夹持一适用于传送流体的管件的缓冲件。缓冲件包括：一基座；多个指状部，自基座的一第一侧向外延伸。指状部的一第一指状部以及指状部的一第二指状部定义一接收管件的孔洞。缓冲件还包括至少一滚轮，位于基座上与第一侧相对的一第二侧上。在部分实施例中，第一指状部的长度较第二指状部的长度短。在部分实施例中，第二指状部包括一桥接部。桥接部朝第一指状部凸出，其中桥接部与第一指状部定义孔洞的一开口端。在部分实施例中，第一指状部自基座的一第一端向外延伸，且第二指状部自基座的一中央部向外延伸。在部分实施例中，指状部的一第三指状部自基座上相反于第一端的一第二端向外延伸。第二指状部位于第一指状部及第三指状部之间。在部分实施例中，第二指状部及第三指状部具有相同的长度。在部分实施例中，第二指状部及第三指状部具有不同的长度。在部分实施例中，第二指状部及第三指状部定义有另一接收电线的孔洞，另一孔洞的尺寸小于孔洞的尺寸。在部分实施例中，至少一滚轮为多向滚轮用于使缓冲件在任何方向上移动。在部分实施例中，至少一滚轮包括一圆形的底侧。在部分实施例中，缓冲件包括一材料，材料的摩擦系数小于0.1。在部分实施例中，缓冲件包括聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、全氟烷氧基(perfluoroalkoxy，PFA)、氟化物聚乙烯丙烯(fluorinated poly ethylene propylene，FPEP)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidenefluoride，PVDF)、聚砜(polysulfone)或聚醚醚酮(polyether ether ketone，PEEK)。
本揭露更关于一种在半导体制造设施内的配置。上述配置包括一半导体加工系统，包括一加工腔；一流体供应系统，包括连接至加工腔并用于输送流体的一管件；一电源，包括连接至加工腔的一电线；一缓冲件，放置在一支撑板之上并适用于自支撑板提高管件及电线。缓冲件包括一基座、多个指状部位于基座的一第一侧及一滚轮位于基座上与第一侧相对的一第二侧上并与支撑板接触。指状部包括自基座的一第一端向外延伸的第一指状部、自基座的一中央部向外延伸的一第二指状部及自基座上相反于第一端的一第二端向外延伸的一第三指状部。第一指状部以及第二指状部定义一接收管件的一第一孔洞，且第二指状部及第三指状部定义有接收电线的一第二孔洞。所述配置还包括一声响感测器，适用于侦测滚轮所产生的声波。在部分实施例中，第二指状部包括一桥接部，桥接部朝第一指状部凸出。桥接部与第一指状部定义第一孔洞的一开口端。在部分实施例中，支撑板包括一金属、一木材或一胶合板。在部分实施例中，缓冲件包括一材料，材料具有的摩擦系数低于支撑板的摩擦系数。在部分实施例中，声响感测器为超声波感测器。在部分实施例中，所述配置还包括一感测器控制单元，感测器控制单元适用于分析声波频率变化。
本揭露的另一层面是关于一种侦测一缓冲件的磨耗的方法。所述方法包括提供放置在一支撑板上的一缓冲件以支撑用于输送流体的一管件和一电线，缓冲件将管件及电线自一支撑板分开。缓冲件包括一基座；多个指状部，位于基座的一第一侧；及一滚轮，位于基座上与第一侧相对的一第二侧上并与支撑板接触。指状部包括自基座的一第一端向外延伸的第一指状部、自基座的一中央部向外延伸的一第二指状部及自基座上相反于第一端的一第二端向外延伸的一第三指状部。第一指状部以及第二指状部定义一接收管件的一第一孔洞，且第二指状部及第三指状部定义有接收电线的一第二孔洞。所述方法还包括侦测在支撑板上的滚轮所产生的声波。所述方法还包括分析声波随时间在频率上的改变以判断滚轮的磨耗程度。所述方法还包括当声波的频率的增加超过一既定阀值时，触发一警报。在部分实施例中，所述方法还包括在警报触发之后更换缓冲件。
上文概述若干实施例的特征或实例，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭示案的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭示案作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例或实例的相同目的及/或实现相同优势。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭示案的精神及范畴，且可在不脱离本揭示案的精神及范畴的情况下产生本文的各种变化、替代及更改。

Claims (10)

1.一种缓冲件，适用于夹持传送流体的管件，其特征在于，包括：
一基座；
多个指状部，自该基座的一第一侧向外延伸，其中所述多个指状部的一第一指状部以及所述多个指状部的一第二指状部定义一接收该管件的孔洞；以及
至少一滚轮，位于该基座上与该第一侧相对的一第二侧上。
2.根据权利要求1所述的缓冲件，其特征在于，该第二指状部包括一桥接部，该桥接部朝该第一指状部凸出，其中该桥接部与该第一指状部定义该孔洞的一开口端。
3.根据权利要求1所述的缓冲件，其特征在于，该第一指状部自该基座的一第一端向外延伸，且该第二指状部自该基座的一中央部向外延伸。
4.根据权利要求1所述的缓冲件，其特征在于，该至少一滚轮为多向滚轮用于使该缓冲件在任何方向上移动。
5.一种在半导体制造设施内的配置，其特征在于，包括
一半导体加工系统，包括一加工腔；
一流体供应系统，包括连接至该加工腔并用于输送流体的一管件；
一电源，包括连接至该加工腔的一电线；
一缓冲件，放置在一支撑板之上并适用于自该支撑板提高该管件及该电线，该缓冲件包括：
一基座；
多个指状部，位于该基座的一第一侧，其中所述多个指状部包括自该基座的一第一端向外延伸的第一指状部、自该基座的一中央部向外延伸的一第二指状部及自该基座上相反于该第一端的一第二端向外延伸的一第三指状部，其中该第一指状部以及该第二指状部定义一接收该管件的一第一孔洞，且该第二指状部及该第三指状部定义有接收该电线的一第二孔洞；
一滚轮，位于该基座上与该第一侧相对的一第二侧上并与该支撑板接触；以及
一声响感测器，适用于侦测该滚轮所产生的声波。
6.根据权利要求5所述的半导体制造设施内的配置，其特征在于，该第二指状部包括一桥接部，该桥接部朝该第一指状部凸出，其中该桥接部与该第一指状部定义该第一孔洞的一开口端。
7.根据权利要求5所述的半导体制造设施内的配置，其特征在于，该缓冲件包括一材料，该材料具有的摩擦系数低于该支撑板的摩擦系数。
8.根据权利要求5所述的半导体制造设施内的配置，其特征在于，该配置还包括一感测器控制单元，该感测器控制单元适用于分析该声波频率变化。
9.一种侦测缓冲件的磨耗的方法，其特征在于，包括：
提供一缓冲件以接收用于输送流体的一管件和一电线，该缓冲件将该管件及该电线自一支撑板分开，并包括：
一基座；
多个指状部，位于该基座的一第一侧，其中所述多个指状部包括自该基座的一第一端向外延伸的第一指状部、自该基座的一中央部向外延伸的一第二指状部及自该基座上相反于该第一端的一第二端向外延伸的一第三指状部，其中该第一指状部以及该第二指状部定义一接收该管件的一第一孔洞，且该第二指状部及该第三指状部定义有接收该电线的一第二孔洞；以及
一滚轮，位于该基座上与该第一侧相对的一第二侧上并与该支撑板接触；
侦测在该支撑板上的该滚轮所产生的声波；
分析该声波随时间在频率上的改变以判断该滚轮的磨耗程度；以及
当该声波的该频率的增加超过一既定阀值时，触发一警报。
10.根据权利要求9所述的侦测缓冲件的磨耗的方法，其特征在于，该方法还包括在该警报触发之后更换该缓冲件。
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