CN111106258A - 发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种发光显示装置。该发光显示装置包括:基板;在基板上的上涂层;在上涂层上的多个结构,所述多个结构的上表面具有平坦形状;在上涂层和多个结构上的反射层;以及在多个结构和反射层上的发光元件。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0130270号的优先权,其整体内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及发光显示装置,并且更具体地,涉及能够提高光提取效率、提高室外可视性并且实现微腔效应的发光显示装置。
背景技术
目前,随着社会进入全面信息时代,可视地表达电信息信号的显示装置领域已经得到快速发展,并且正在持续进行研究以提高各种显示装置的性能,例如,薄厚度、轻重量以及低功耗。
在各种显示装置中,发光显示装置是自发光显示装置,因此不需要分立的光源(例如,OLED),这与液晶显示装置不同。因此,发光显示装置可以被制造成具有轻重量和薄厚度。此外,由于发光显示装置以低电压驱动,因此不仅在功耗方面有利,而且在颜色实现、响应速度、视角、以及对比度(CR)的方面也是有利的。因此,期望在各个领域中使用。
发明内容
从发光显示装置的发光层发射的光穿过发光显示装置的各个部件以被输出至发光显示装置的外部。然而,从发光层发射的光中的一些光可能不会被输出至发光显示装置的外部,而是可能被限制在发光显示装置的内部,使得发光显示装置的光提取效率成为问题。
例如,存在如下问题:从发光层发射的光中的一些光由于全反射损耗(totalreflection loss)、波导损耗(waveguide loss)和表面等离子体损耗(surface plasmonloss)而被限制在发光显示装置中。此处,全反射损耗是指从发光层发射的光中的、由于通过基板与空气之间的界面处的全反射而被限制在发光显示装置中的光引起的光提取效率的劣化。波导损耗是指由于在发光显示装置中的部件的界面处的全反射而被限制在发光显示装置中的光引起的光提取效率的劣化。表面等离子体损耗是指由于在光进入和传播的过程期间光被吸收到金属表面上使得光不能被反射或透射的现象而引起的使金属表面的自由电子振动的光,这使光提取效率劣化。
本公开内容的发明人认识到,为了提高发光元件的光提取效率,当在形成圆形弯曲表面例如透镜结构或褶皱结构之后在透镜结构上形成发光元件时,根据圆形表面按原样形成阳极、发光层和阴极。因此,本公开内容的发明人认识到,当根据圆形表面的形状形成发光元件时,存在如下问题:在发光显示装置的关断状态下的散射反射(scatteringreflectance)增加,使得关断状态下的视感,即黑色的视感可能劣化,并且因此不仅室外可视性劣化,而且对比度也劣化。
此外,本公开内容的发明人认识到,当如上所述根据圆形表面的形状制造发光元件时,不能适当地实现微腔效应。例如,本公开内容的发明人认识到,当发光元件形成在透镜结构或褶皱结构上时,难以控制发光元件中的光程,并且因此难以保持微腔效应。
因此,本公开内容的发明人提出了一种具有新型结构的发光显示装置,其能够提高光提取效率和室外可视性并且保持微腔效应。
本公开内容的实施方式要实现的目的是提供一种可以使用多个盘形结构来提高光提取效率的发光显示装置。
此外,本公开内容的实施方式要实现的另一目的是提供一种可以通过在平坦表面上形成发光元件来提高室外可视性和对比度的发光显示装置。
此外,本公开内容的实施方式要实现的另一目的是提供一种在发光层中保持恒定光程以实现微腔效应的发光显示装置。
本公开内容的目的不限于上述目的,并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开内容的一方面,一种发光显示装置包括:基板;在基板上的上涂层;在上涂层上的多个结构,所述多个结构的上表面具有平坦形状;在上涂层和多个结构上的反射层;以及在多个结构和反射层上的发光元件。因此,多个结构被配置成提高光提取效率并且保持微腔效应。
根据本公开内容的另一方面,一种发光显示装置包括:基板;在基板上的上涂层;在上涂层上的发光元件;在上涂层与发光元件之间的反射层;以及在平坦化层与反射层之间的多个结构,所述多个结构彼此间隔开,所述多个结构被配置成增强发光元件的光提取效率,其中,多个结构具有被配置成降低发光元件的散射反射并且增强发光元件的黑色视感的形状。
实施方式的其他详细事项包括在在具体实施方式和附图中。
根据本公开内容的实施方式,使用多个结构改善等离子体损耗,从而提高光提取效率。
根据本公开内容的实施方式,多个结构的上表面具有平坦形状,使得发光显示装置的黑色视感得到改善,从而使室外可视性劣化和对比度劣化得到改善(例如,可以提供更黑的黑色)。
根据本公开内容的实施方式,发光元件的更多区域设置在平坦表面上以实现微腔效应。
根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容,并且在本说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述将更清楚地理解本公开内容的以上及其他方面、特征和其他优点。
图1示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示装置。
图2是根据本公开内容的实施方式的图1的沿线II-II'截取的发光显示装置的截面图。
图3是根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置的截面图。
图4是根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置的截面图。
图5A和图5B是用于说明比较例和本公开内容的实施方式的光效率的曲线图。
图6A至图6C是用于说明从比较例和本公开内容的实施方式的发光层发射的光的光路的示意性截面图。
图7A和图7B是用于说明比较例和本公开内容的实施方式的微腔效应的曲线图。
具体实施方式
通过参照下面结合附图的详细描述的实施方式,本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而,本公开内容不限于本文公开的实施方式,而是将以各种形式实现。实施方式仅作为示例提供,使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此,本公开内容仅由所附权利要求书的范围限定。
用于描述本公开内容的实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例,并且本公开内容不限于此。在说明书通篇中,相似的附图标记通常指示相似的元件。此外,在本公开内容的以下描述中,可以省略已知相关技术的详细说明,以避免不必要地使本公开内容的主题模糊。在本文中所使用的诸如“包含”、“具有”和“包括”的术语通常意在允许添加其他部件,除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何提及可以包括复数,除非另外明确规定。
即使没有明确规定,部件也被解释为包括常见的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“邻接”的术语来描述两个部件之间的位置关系时,除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用,否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时,另一层或另一元件可以直接置于其他元件上或直接置入其间。
尽管使用术语“第一”、“第二”等来描述各个部件,但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于使一个部件区别于其他部件。因此,下面提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
为了便于描述,示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度,但是本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或完全地彼此依附或组合且可以在技术上以各种方式紧扣和操作,并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地实施。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开内容的实施方式的发光显示装置。
图1示出了根据本公开内容的实施方式的发光显示装置。图2是图1的沿线II-II'截取的发光显示装置的截面图。
参照图1和图2,发光显示装置100包括基板110、薄膜晶体管120、多个结构140、反射层150和发光元件130。发光显示装置100实现为顶部发射型发光显示装置。
基板110是支承并保护发光显示装置100的若干部件的基板。基板110可以由具有柔性的玻璃或塑料材料形成。当基板110由塑料材料形成时,例如,基板可以由聚酰亚胺(PI)形成,但不限于此。
基板110包括显示区域A/A和非显示区域N/A。
显示区域A/A是在发光显示装置100中显示图像的区域,并且在显示区域A/A中设置有显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。例如,显示元件可以由包括第一电极131、发光层132和第二电极133的发光元件130(例如,OLED)构成。此外,用于驱动显示元件的各种驱动元件例如薄膜晶体管120、电容器或布线可以设置在显示区域A/A中。
在显示区域A/A中可以包括多个子像素SP。子像素SP是构成屏幕的最小单元,并且多个子像素SP中的每个子像素SP可以包括发光元件130和驱动电路。多个子像素SP可以发射具有不同波长的光。例如,多个子像素SP可以包括红色子像素SP、绿色子像素SP和蓝色子像素SP。然而,不限于此,并且多个子像素SP还可以包括白色子像素SP。
子像素SP的驱动电路是用于控制发光元件130的驱动的电路。例如,驱动电路可以被配置成包括薄膜晶体管120和电容器,但不限于此。
非显示区域N/A是不显示图像的区域,并且在非显示区域N/A中可以设置有用于驱动设置在显示区域A/A中的多个子像素SP的各种部件。例如,可以设置有提供用于驱动多个子像素SP的信号的驱动IC和柔性膜等。
如图1所示,非显示区域N/A可以是包围显示区域A/A的区域,但不限于此。例如,非显示区域N/A可以是从显示区域A/A延伸的区域。
参照图2,在基板110上设置有缓冲层111。缓冲层111可以提高形成在缓冲层111上的层与基板110之间的粘附性并且阻挡从基板110泄漏的碱性成分。缓冲层111可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层、或者硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的多层形成。缓冲层111可以基于基板110的类型或材料以及薄膜晶体管120的结构和类型而被省略。
在基板110上设置有薄膜晶体管120。薄膜晶体管120可以用作发光显示装置100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100中,薄膜晶体管120具有其中有源层122设置在栅电极121上并且源电极123和漏电极124设置在有源层122上的结构。因此,薄膜晶体管120具有其中栅电极121设置在最下部的底栅结构,但不限于此。
薄膜晶体管120的栅电极121设置在基板110上。栅电极121可以是多种金属材料中的任意一种,例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们中的两种或更多种的合金或者它们的多个层,但不限于此。
在栅电极121上设置有栅极绝缘层112。栅极绝缘层112是用于使栅电极121与有源层122电绝缘的层,并且可以由绝缘材料形成。例如,栅极绝缘层112可以形成为作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的多层,但不限于此。
在栅极绝缘层112上设置有有源层122。有源层122被设置成与栅电极121交叠。例如,有源层可以由氧化物半导体或非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。
在有源层122上设置有蚀刻阻止部117。蚀刻阻止部117可以是在使用蚀刻方法对源电极123和漏电极124进行图案化时为抑制由于等离子体引起的有源层122的表面损坏而形成的层。蚀刻阻止部117的一部分与源电极123交叠,并且另一部分与漏电极124交叠。然而,可以省略蚀刻阻止部117。
源电极123和漏电极124设置在有源层122和蚀刻阻止部117上。源电极123和漏电极124设置在同一层上以彼此间隔开。源电极123和漏电极124可以与有源层122接触以电连接至有源层122。源电极123和漏电极124可以是多种金属材料中的任意一种,例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们中的两种或更多种的合金或者它们的多个层,但不限于此。
在薄膜晶体管120上形成有上涂层113。上涂层113是保护薄膜晶体管120并使设置在基板110上的层的台阶平缓的绝缘层。上涂层113可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中之一形成,但不限于此。
在上涂层113上设置有多个结构140。如图2所示,多个结构140可以与上涂层113一体地形成。例如,上涂层113和多个结构140由相同的材料形成,以通过相同的工艺例如通过掩模工艺同时形成,但不限于此。
多个结构140可以具有带有平坦上表面的截头圆锥形状,例如盘状形状。例如,截头圆锥形状可以是圆形梯台形状。例如,多个结构140的截面形状可以是梯形形状,并且多个结构140的平面形状可以是圆形形状。在这种情况下,多个结构140的上表面具有平坦形状。尽管在图2中示出了多个结构140中的每个具有带有平坦上表面的截头圆锥形状,但是不限于此,并且多个结构140可以具有带有平坦上表面的圆柱形状。例如,多个结构140的截面形状可以是矩形形状,并且多个结构140的平面形状可以是圆形形状。在这种情况下,多个结构140可以周期性地设置。此外,多个结构140的尺寸可以以纳米计。
如图2所示,多个结构140设置在第一区域A1中。第一区域A1可以由堤部114限定并且是其中发光元件130发射光的发射区域。第二区域A2是其中设置有堤部114的区域并且是其中发光元件130不发射光的非发射区域。多个结构140是提高发光元件130的光提取效率、提高室外可视性并且保持微腔效应的构造,使得其可以设置在作为发射区域的第一区域A1中。下面将描述通过使用多个结构140而获得的上述效果。
尽管在图2中示出了多个结构140仅设置在第一区域A1中,但是不限于此。例如,多个结构140可以设置在第一区域A1和第二区域A2二者中。
在上涂层113和多个结构140上设置有反射层150。因为根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100是顶部发射型发光显示装置,所以反射层150用于向上反射从发光元件130发射的光。因此,反射层150可以由金属材料例如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)和镁-银合金(Mg:Ag)形成,但不限于此。反射层150形成在第二区域A2的部分区域和第一区域A1中,并且通过上涂层113中的接触孔电连接至漏电极124。然而,不限于此,并且反射层150可以电连接至源电极123。
由于在第一区域A1中反射层150设置在上涂层113和多个结构140上,因此反射层150可以沿上涂层113的上表面以及多个结构140的侧面和上表面形成。因此,反射层150在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面并且在多个结构140的侧表面上具有倾斜上表面。
参照图2,发光元件130设置在多个结构140和反射层150上。例如,发光元件130被设置成与多个结构140和反射层150二者交叠。发光元件130包括反射层150上的第一电极131、第一电极131上的发光层132和发光层132上的第二电极133。
第一电极131设置在反射层150上并且通过反射层150电连接至漏电极124,但不限于此。例如,反射层150不与漏电极124连接,而是第一电极131可以直接连接至漏电极124。第一电极131可以由具有高功函数的导电材料形成,以向发光层132提供空穴。例如,第一电极131可以由透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)形成。尽管在本公开内容中描述了第一电极131和反射层150是单独的部件,但是不限于此。例如,第一电极131可以由透明导电层和反射层150构成。
由于在第一区域A1中第一电极131设置在反射层150上,因此第一电极131也沿上涂层113的上表面以及多个结构140的侧面和上表面形成。因此,第一电极131在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面,并且在多个结构140的侧表面上具有倾斜上表面。
发光层132是用于发射具有特定颜色的光的层,并且包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层中的至少一个。此外,发光层132还可以包括诸如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层或电子传输层的各种层。发光层132可以是由有机材料形成的有机发光层,但不限于此。例如,发光层132可以是量子点发光层或微发光二极管(LED)。
由于在第一区域A1中发光层132设置在第一电极131上,因此发光层132也沿上涂层113的上表面以及多个结构140的侧表面和上表面形成。因此,发光层132在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面,并且在多个结构140的侧表面上具有倾斜上表面。
第二电极133设置在发光层132上。第二电极133向发光层132提供电子。第二电极133可以由透明导电氧化物诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)或者镱(Yb)合金形成。可替选地,第二电极133可以由金属材料诸如银(Ag)、铜(Cu)或者镁-银合金(Mg:Ag)形成。
由于在第一区域A1中第二电极133设置在发光层132上,因此第二电极133也沿上涂层113的上表面以及多个结构140的侧面和上表面形成。因此,第二电极133在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面,并且在多个结构140的侧表面上具有倾斜上表面。例如,反射层150可以遵循多个结构140的轮廓,第一电极131可以遵循反射层150的轮廓,发光层132可以遵循第一电极131的轮廓,并且第二电极133可以遵循发光层132的轮廓。
例如,根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100是顶部发射型发光显示装置,使得发光显示装置100可以被制造成实现微腔。例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100中,对反射层150与第二电极133之间的距离进行调整使得实现对从发光层132发射的光的相长干涉以提高光提取效率。
在第一电极131和上涂层113上设置有堤部114。堤部114可以覆盖发光元件130的第一电极131的一部分以限定作为发射区域的第一区域A1。堤部114可以由有机材料形成。例如,堤部114可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或苯并环丁烯树脂形成,但不限于此。
此外,在发光元件130上可以形成封装层,以保护易受水分影响的发光元件130以使其不暴露于水分。例如,封装层可以具有其中无机层和有机层交替地层叠的结构,但不限于此。
根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100使用与上涂层113一体地形成的多个结构140以提高发光元件130的光提取效率。例如,多个结构140用于在反射层150的表面上实现凹凸结构,反射层150将从发光层132发射的光反射至第二电极133(例如,多个结构140可以是多个凹凸结构或者平台形状结构)。因此,第一电极131的表面上的自由电子振动得到抑制,从而改善了表面等离子体损耗。此外,由于内部全反射引起的损耗也通过由多个结构140的凹凸结构得到改善。因此,可以增加提取到外部的光量。因此,可以降低发光显示装置100的功耗。
此外,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100中,反射层150在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面。因此,可以使在关断状态下的散射反射降低。在相关技术的发光显示装置的情况下,为了提高光提取效率,在形成圆形弯曲表面诸如透镜形状或褶皱结构之后,形成反射层和发光元件。然而,在这种情况下,当发光显示装置处于关断状态或显示黑色图像时,许多光可能从沿圆形弯曲表面诸如透镜结构或褶皱结构形成的反射层和发光元件散射。因此,可能使室外可视性降低并且还可能使对比度劣化。相比之下,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100中,反射层150在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面。因此,降低了发光显示装置100中的散射反射以改善黑色的视感(例如,能够提供更黑的黑色),从而提高了室外可视性并且抑制了对比度的降低。
此外,由于根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100是顶部发射型发光显示装置100,因此实现了微腔,使得可以借助于从发光层132发射的光之间的相长干涉来提高光提取效率。然而,在相关技术的发光显示装置的情况下,为了提高光提取效率,在形成圆形弯曲表面诸如透镜形状或褶皱结构之后,形成反射层和发光元件。在如上所述的相关技术的发光显示装置中,即使从发光层发射的光以相同的角度发射,根据反射层的表面的倾斜角度仍设置了不同的反射角。因此,以相同的角度发射的两种类型的光在第二电极与反射层之间形成不同的光路,使得难以控制发光元件中的光程,并且因此难以保持微腔效应。
相比之下,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100中,反射层150和第二电极133在上涂层113的上表面和多个结构140的上表面上具有平坦上表面。因此,与使用透镜结构或褶皱结构来提高光提取效率的示例相比,更易于控制发光元件130中的光程,并且可以提高光提取效率并保持微腔效应。
图3是根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置的截面图。
图3的发光显示装置300的上涂层313、多个结构340和反射层350与图1和图2的发光显示装置100的上涂层113、多个结构140和反射层150不同,但是其他配置基本相同,因此将省略冗余的描述。
参照图3,在上涂层313上设置有多个结构340。在这种情况下,多个结构340和上涂层313设置成彼此分离。即,多个结构340和上涂层313可以被限定成设置在不同层上的分立部件。
多个结构340可以具有带有平坦上表面的截头圆锥形状(例如,具有倾斜侧面的截头圆锥形状)。例如,截头圆锥形状可以是圆形梯台形状。但是,不限于此,并且多个结构340可以具有带有平坦上表面的圆柱形状。在这种情况下,多个结构340可以具有至少两种或更多种不同的尺寸。所有多个结构340可以具有不同的尺寸,并且多个结构340中的一些结构具有第一尺寸,而其他结构可以具有与第一尺寸不同的第二尺寸。
此外,多个结构340可以非周期性地设置在上涂层313上。例如,多个结构340不形成为具有规则图案,而是在一些区域中,多个结构340的密度可以是高的,并且在其他区域中,多个结构340的密度可以是低的。此外,多个结构340之间的距离可以变化。
如图3所示,可以使用自组装材料形成多个结构340。首先,在形成上涂层313之后,在上涂层313上形成用于形成多个结构340的材料层。接下来,在用于形成多个结构340的材料层上形成自组装材料层。接下来,以多个微小结构的形式对待设置在用于形成多个结构340的材料层上的自组装材料层进行后处理工艺。此后,以多个微小结构作为掩模对用于形成多个结构340的材料层进行干蚀刻。作为干蚀刻工艺的结果,仅保留设置在多个微小结构下方的用于形成多个结构340的材料层,从而形成多个结构340。此后,可以通过清洁工艺去除由自组装材料形成的多个微小结构。通过上述过程,可以形成具有平坦上表面的多个结构340。
因此,多个结构340可以由可干蚀刻的材料形成,并且自组装材料可以由不能在其上执行干蚀刻的材料形成。例如,多个结构340可以使用诸如氧化物、硅、氮化物或有机材料的材料。还考虑执行湿蚀刻以形成多个结构340。然而,由于使用蚀刻剂执行湿蚀刻工艺,因此蚀刻剂透过界面,使得难以精确地形成具有期望形状的多个结构340。
在上涂层313和多个结构340上设置有反射层350。由于在第一区域A1中反射层350设置在上涂层313和多个结构340上,因此反射层350可以沿上涂层313的上表面以及多个结构340的侧面和上表面形成。因此,反射层350在上涂层313的上表面和多个结构340的上表面上具有平坦上表面,并且在多个结构340的侧面上具有倾斜上表面。
因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置300中,在上涂层313上形成多个非周期性结构340,使得表面等离子体损耗和内部全反射损耗得到改善以便提高光提取的效率。因此,提高了提取到发光元件130外部的光的效率,以使功耗降低并且确保发光元件130的电稳定性。此外,反射层350具有平坦上表面,使得发光显示装置300中的散射反射降低,以改善黑色的视感。因此,提高了室外可视性并且抑制了对比度的降低。
此外,当周期性地形成多个结构使得反射层350也具有周期性凹凸结构时,可以沿从反射层350反射的光的行进方向生成相长干涉和相消干涉。因此,可能会生成衍射干涉或莫尔干涉。在这种情况下,可能存在用户可视地识别诸如波形图案的干涉条纹的问题。
因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置300中,多个结构340非周期性地设置,并且多个结构340具有各种尺寸,使得反射层350也可以具有不规则的凹凸结构。因此,根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置300可以解决用户可视地识别由于光的衍射干涉或莫尔干涉引起的干涉条纹的问题。
图4是根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置的截面图。
图4的发光显示装置400与图3的发光显示装置300的不同之处在于:还包括中间层460,并且多个结构440是不同的,而其他配置基本相同,因此将省略冗余的描述。
参照图4,在上涂层313上设置有中间层460,并且在中间层460上设置有多个结构440。因此,中间层460设置在上涂层313与多个结构440之间。
中间层460是抑制在形成多个结构440的过程期间对上涂层313的上表面的损坏并且用作蚀刻阻止部的层。如上所述,当使用自组装材料形成多个结构440时,可以对用于形成多个结构440的材料层执行干蚀刻工艺。在这种情况下,当上涂层313由在执行用于形成多个结构440的干蚀刻时被蚀刻的材料形成时,在干蚀刻工艺期间可能损坏上涂层313的上表面。因此,中间层460可以由干蚀刻条件与形成多个结构440的材料的干蚀刻条件不同的材料形成。例如,中间层460可以由金属材料形成,并且因此其在干蚀刻工艺期间不会被蚀刻并且具有平坦上表面。
在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置400中,用作蚀刻阻止部的中间层460设置在上涂层313与多个结构440之间。当不使用中间层460时,在形成多个结构440的过程期间,可能损坏上涂层313的上表面,并且因此上涂层313的上表面可能不平坦。当上涂层313的上表面不平坦时,设置在上涂层313的上表面上的反射层450和发光元件130也不会被设置成平坦的。因此,许多光可能从反射层450和发光元件130散射,使得室外可视性降低并且对比度劣化。此外,可能难以控制发光元件130中的光程。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置400中,在上涂层313与多个结构440之间设置中间层460,其由干蚀刻条件与形成多个结构440的材料的干蚀刻条件不同的材料形成。因此,可以抑制在形成多个结构440的过程期间对上涂层313的损坏,并且可以提供平坦上表面,并且可以更精确地控制多个结构440的高度(例如,因为防止凹陷或刻蚀,所以通过中间层460可以确保上涂层313的更平坦的上表面)。
图5A和图5B是用于说明比较例和本公开内容的示例的光效率的曲线图。
图5A是用于说明关于比较例和示例的根据测量位置的光效率的图,而图5B是用于说明关于比较例和示例的根据测量角度的光效率的图。示例是参照图1和图2描述的发光显示装置100,而比较例是其中从参照图1和图2描述的发光显示装置100中去除多个结构140使得反射层150和发光元件130设置在上涂层113上的示例。在图5A中,X轴表示作为亮度测量位置的、与参照图1和图2描述的第一区域A1和第二区域A2对应的位置,而Y轴表示通过将在比较例中测量的最大亮度归一化为1.00而获得的亮度的相对值。在图5B中,X轴表示亮度测量角度,即视角,而Y轴表示通过将在比较例中测量的最大亮度归一化为1.00而获得的亮度的相对值。
首先,参照图5A,比较例是顶部发射型发光显示装置,其中,将没有设置多个结构140的第一区域A1用作发射区域。因此,如图5A所示,亮度在第一区域A1和第二区域A2的边界处急剧变化。
接下来,为了解决比较例中生成的亮度的降低,在该示例中,形成多个结构140。因此,证实了通过设置在多个结构140上的反射层150的凹凸结构提高了光提取效率,使得第一区域A1中的亮度高于比较例的亮度。
接下来,参照图5B,证实了由于在该示例中提供了多个结构140,因此在80°至-80°的所有测量角度下的示例的亮度高于比较例的亮度。
图6A至图6C是用于说明从比较例和本公开内容的示例的发光层发射的光的光路的示意性截面图。
图6A是用于说明比较例1中的微腔效应和光程的截面图,图6B是用于说明比较例2中的微腔效应和光程的截面图,以及图6C是用于说明示例中的微腔效应和光程的截面图。例如,该示例是参照图1和图2描述的发光显示装置100。比较例1是其中从参照图1和图2描述的发光显示装置100中去除多个结构140并且在上涂层113上设置有反射层650A和发光元件630A的示例。比较例2是其中从参照图1和图2描述的发光显示装置100中去除多个结构140并且使用透镜结构的示例。在图6A至图6C中,仅示意性地示出了反射层150、650A和650B以及发光元件130、630A和630B。此外,为了便于描述,在图6B中,未示出透镜结构,并且假设反射层650B的上表面具有与透镜结构对应的形状。此外,在图6C中,未示出多个结构140,并且假设反射层150的上表面具有与多个结构140对应的形状。假设图6A至图6C中所示的第一光L1和第二光L2是以同一角度从发光层132、632A和632B发射的光。还假设第一光L1从发光层132、632A和632B发射,然后立即发射到外部。还假设第二光L2从发光层132、632A和632B发射,然后在发光层132、632A和632B与第二电极133、633A和633B的界面处反射一次,并且在第一电极131、631A和631B与反射层150、650A和650B的界面处反射一次,然后发射到外部。
首先,参照图6A,在比较例1中,由于反射层650A、第一电极631A、发光层632A和第二电极633A具有平坦形状,因此以同一角度发射的第一光L1和第二光L2的光程差可以始终保持为2X。因此,在比较例1中,最容易控制发光元件630A中的光程,并且可以实现最强的微腔效应。然而,由于在比较例1中不包括多个结构,因此反射层650A和发光元件630A二者具有平坦形状,从而可能降低光提取效率。
接下来,参照图6B,在比较例2中,反射层650B的上表面具有与透镜结构对应的形状,使得第一电极631B、发光层632B和第二电极633B也具有与透镜结构对应的形状。因此,如图6B所示,以同一角度发射的第一光L1和第二光L2的光程差没有保持为2X,而是可以被限定为X+Y。此外,在第二电极633B与发光层632B的界面处以及在第一电极631B与反射层650B的界面处反射的角度根据每次第一光L1和第二光L2的初始发射角度而变化。因此,X和Y在每个发射角度和每个发射位置处也具有不同的值。因此,在比较例2中,很难控制发光元件630B中的光程,并且可能实现最弱的微腔效应。然而,在比较例2中包括透镜结构,使得与比较例1相比可以提高光提取效率。
接下来,参照图6C,在该示例中,反射层150具有与多个结构140对应的形状,使得第一电极131、发光层132和第二电极133也具有与多个结构140对应的形状。因此,以同一角度发射的第一光L1和第二光L2的光程差始终保持为2X的概率可以高于比较例2中的概率。同样在该示例中,不容易控制在发光元件130中入射至反射层150的倾斜部分上的光的光程。然而,与比较例2不同,在该示例中,反射层150具有平坦上表面,使得相较于比较例2中的光程,可以更容易地控制发光元件130中的光程。此外,在该示例中,反射层150具有根据多个结构140的凹凸结构,从而可以提高光提取效率。
在下文中,可以参照图7A和图7B更详细地描述微腔效应。
图7A和图7B是用于说明比较例和本公开内容的实施方式的示例的微腔效应的曲线图。
图7A是用于说明比较例1和比较例2中的微腔效应的曲线图,以及图7B是用于说明比较例1和示例中的微腔效应的曲线图。在这种情况下,比较例1、比较例2和示例与参照图6A至图6C描述的比较例1、比较例2和示例相同。在图7A和图7B中,X轴表示波长,以及Y轴是通过将最大亮度归一化为1.00而获得的值。
首先,参照图7A,在比较例1中,如上所述,反射层650A和发光元件630A使得易于控制要保持的发光元件630A中的光程。因此,比较例1最有利于实现微腔效应并且具有最小半宽度的光谱。
然而,在比较例2中,如上所述,反射层650B的上表面具有与透镜结构对应的形状,使得第一电极631B、发光层632B和第二电极633B也具有与透镜结构对应的形状。因此,很难控制要保持的发光元件630B中的光程。因此,在比较例2中,微腔特性被破坏,从而如图7A所示,比较例2的光谱的半宽度远大于比较例1的半宽度的。
接下来,参照图7B,在该示例中,反射层150具有与多个结构140对应的形状,使得第一电极131、发光层132和第二电极133也具有与多个结构140对应的形状。因此,发光元件130中的光程的控制比比较例2的光程的控制容易得多。因此,如图7B所示,该示例的光谱可以具有与比较例1基本相同的半宽度。
本公开内容的实施方式还可以如下描述:
根据本公开内容的一个实施方式,一种发光显示装置包括:基板;在基板上的上涂层;在上涂层上的多个结构,多个结构中的每个包括平坦上表面;在多个结构上的反射层;以及在多个结构和反射层上的发光元件。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构中的每个可以具有包括平坦顶表面和倾斜侧面的平台形状。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,反射层的上表面可以具有平坦形状。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以与上涂层一体地形成。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以在上涂层上与上涂层分离。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以由可干蚀刻材料形成。
例如,根据本公开内容的实施方式的发光显示装置还可以包括在上涂层与多个结构之间的中间层。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,中间层可以由干蚀刻条件与形成多个结构的材料的干蚀刻条件不同的的材料形成。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,中间层的上表面可以具有平坦形状。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以包括截头圆锥形状和圆柱形状中之一。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以是非周期性地设置的。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以包括至少两种或更多种尺寸。
根据本公开内容的另一实施方式,一种发光显示装置包括:基板;在基板上的上涂层;在上涂层上的发光元件;在上涂层与发光元件之间的反射层;以及在上涂层与反射层之间的多个结构,多个结构彼此间隔开并且被配置成增强发光元件的光提取效率,其中,所述多个结构中的每个具有被配置成在发光元件被关断时使发光元件的黑色视感增强并且使发光元件的散射反射降低的形状。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构中的每个可以具有包括平坦顶表面和倾斜侧面的平台形状。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构中的每个的上表面可以是平坦的。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,多个结构可以与上涂层分离。
例如,根据本公开内容的实施方式的发光显示装置还可以包括:在上涂层与多个结构之间的蚀刻阻止部,所述蚀刻阻止部被配置成减少在使用可同时蚀刻的材料对上涂层和多个结构进行干蚀刻时对上涂层的损坏。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,刻蚀阻止部可以由干蚀刻的蚀刻比与多个结构的干蚀刻的蚀刻比不同的材料形成,并且刻蚀阻止部具有平坦上表面。
例如,在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中,反射层可以在多个结构中的每个的上表面和通过多个结构暴露的刻蚀阻止部的上表面上具有平坦形状,并且反射层被配置成保持发光元件的微腔效应。
根据本公开内容的又一实施方式,一种发光显示装置包括:布置在基板上的子像素;布置在子像素的侧面上的堤部;布置在基板和子像素之间的上涂层;以及布置在子像素下面和堤部之间的多个平台形状,多个平台形状中的每个具有平坦上表面和倾斜侧表面。
尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的实施方式,但是本公开内容不限于此,并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此,提供本公开内容的实施方式仅仅是出于说明目的,而非意在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此,应当理解,上述实施方式在所有方面都是说明性的,而不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求书来解释,并且在其等同范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开内容的范围内。
Claims (20)
1.一种发光显示装置,包括:
基板;
在所述基板上的上涂层;
在所述上涂层上的多个结构,所述多个结构中的每个结构包括平坦上表面;
在所述多个结构上的反射层;以及
在所述多个结构和所述反射层上的发光元件。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述多个结构中的每个结构具有包括平坦顶表面和倾斜侧面的平台形状。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述反射层的上表面具有平坦形状。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述多个结构与所述上涂层一体地形成。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置,其中,所述多个结构与所述上涂层分离。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述多个结构由可干蚀刻材料形成。
7.根据权利要求5所述的发光显示装置,还包括:
在所述上涂层与所述多个结构之间的中间层。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述中间层由干蚀刻条件与形成所述多个结构的材料的干蚀刻条件不同的材料形成。
9.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述中间层的上表面具有平坦形状。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述多个结构包括截头圆锥形状和圆柱形状中之一。
11.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述多个结构是非周期性地设置的。
12.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述多个结构具有至少两种或更多种尺寸。
13.一种发光显示装置,包括:
基板;
在所述基板上的上涂层;
在所述上涂层上的发光元件;
在所述上涂层与所述发光元件之间的反射层;以及
在所述上涂层与所述反射层之间的多个结构,所述多个结构彼此间隔开并且被配置成增强所述发光元件的光提取效率,
其中,所述多个结构中的每个结构具有被配置成在所述发光元件被关断时使所述发光元件的黑色视感增强并且使所述发光元件的散射反射降低的形状。
14.根据权利要求13所述的发光显示装置,其中,所述多个结构中的每个结构具有包括平坦顶表面和倾斜侧面的平台形状。
15.根据权利要求13所述的发光显示装置,其中,所述多个结构中的每个结构的上表面是平坦的。
16.根据权利要求13所述的发光显示装置,其中,所述多个结构与所述上涂层分离。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置,还包括:
在所述上涂层与所述多个结构之间的蚀刻阻止部,所述蚀刻阻止部被配置成减少在使用可同时蚀刻的材料对所述上涂层和所述多个结构进行干蚀刻时对所述上涂层的损坏。
18.根据权利要求17所述的发光显示装置,其中,所述刻蚀阻止部由干蚀刻的蚀刻比与所述多个结构的干蚀刻的蚀刻比不同的材料形成,以及其中所述刻蚀阻止部具有平坦上表面。
19.根据权利要求18所述的发光显示装置,其中,所述反射层在所述多个结构中的每个结构的上表面和通过所述多个结构暴露的所述刻蚀阻止部的上表面上具有平坦形状,以及其中所述反射层被配置成保持所述发光元件的微腔效应。
20.一种发光显示装置,包括:
布置在基板上的子像素;
布置在所述子像素的侧面上的堤部;
布置在所述基板和所述子像素之间的上涂层;以及
布置在所述子像素下面和所述堤部之间的多个平台形状,
其中所述多个平台形状中的每个平台形状具有平坦上表面和倾斜侧表面。
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