CN115715118A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示装置。根据本公开的一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；在所述基板上的外覆层，所述外覆层包括基部和具有凹槽的多个突起；第一电极，其对应于所述多个子像素中的每一个，并覆盖所述基部和所述多个突起；在所述第一电极的一部分上的堤部；所述第一电极和所述堤部上的有机层；有机层上的第二电极；以及所述凹槽中的虚设有机层和虚设导电层，其中，所述凹槽设置在所述多个子像素之间，并且其中，所述堤部的端部与所述凹槽交叠。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，且更特别的，涉及一种能够使其侧部处的漏电流最小化的显示装置。

背景技术

近来，随着我们的社会向信息化社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域已经迅速地发展。相应地，正在开发在薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。

在这些各种显示装置中，与具有单独光源的液晶显示装置不同，发光显示装置是自发光显示装置，并且由于不需要单独的光源，因此可以制造成轻且薄。此外，发光显示装置在由于低电压驱动的功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，期望在各种领域中使用发光显示装置。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种显示装置，当驱动该显示装置时，该显示装置能够最小化传输到其侧部的漏电流。

本公开的另一方面是提供一种显示装置，其中由于漏电流，具有公共层的多个发光元件中的一些发光元件的光发射被最小化。

本公开的另一方面是提供一种能够以低灰度改善图像显示质量的显示装置。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上文未提及的其他目的。

根据本公开的示例性实施方式的显示装置包括基板，该基板包括多个子像素；在所述基板上的外覆层，所述外覆层包括基部和具有凹槽的多个突起；第一电极，其对应于所述多个子像素中的每一个，并覆盖所述基部和所述多个突起；在所述第一电极的一部分上的堤部；所述第一电极和所述堤部上的有机层；有机层上的第二电极；以及所述凹槽中的虚设有机层和虚设导电层，其中所述凹槽设置在所述多个子像素之间，并且其中所述堤部的端部与所述凹槽交叠。

根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置包括基板，该基板包括多个子像素；外覆层，所述外覆层在所述基板上并且包括基部和多个突起；第一电极，其对应于所述多个子像素中的每一个，并覆盖所述基部和所述多个突起；在所述第一电极的一部分上且由无机材料形成的堤部；所述第一电极和所述堤部上的有机层；以及在所述有机层上的第二电极，其中所述多个突起的一部分包括在所述多个子像素之间的凹槽，并且其中所述堤部的端部设置成在所述凹槽的外侧覆盖所述凹槽。

示例性实施方式的其它详细内容包括在详细描述和附图中。

根据本公开，可以改善通过多个发光元件的公共层的电流泄漏。

根据本公开，当驱动显示装置时，通过最小化非预期发光元件的光发射，可以改善颜色再现性。

根据本公开，当显示低灰度图像时，可以通过最小化颜色异常或可见点的视觉识别来提高显示质量。

根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且更多的各种效果包括在本说明书中。

附图说明

图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图。

图2是沿图1的线II-II'截取的显示装置的截面图。

图3A至图3F是依序说明根据本发明示例性实施方式的制造显示装置的方法的横截面图。

具体实施方式

通过结合附图参考以下详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于这里公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的术语例如“包括”、“具有”和“由……组成”通常旨在允许添加其它组分，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及可包括复数。

组件被解释为包括普通误差范围，即使没有明确说明。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下面”和“相邻”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或多个部件可以位于两个部件之间，除非该术语与术语“紧”或“直接”一起使用。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可直接插在另一元件上或其间。

虽然术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件与其它组件。因此，以下将提及的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此粘附或结合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或相关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述本公开。

图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图。图2是沿图1的II-II′截取的显示装置的截面图。

参考图1和图2，显示装置100包括基板110、晶体管120、第一外覆层130、辅助电极140、第二外覆层150、发光元件160和堤部170。显示装置100可以实现为顶部发光型显示装置，但不限于此。

基板110是用于支撑和保护显示装置100的各种部件的基板。基板110可以由具有柔性的玻璃或塑料材料形成。当基板110由塑料材料形成时，其可以由例如聚酰亚胺(PI)形成。然而，本公开不限于此。

基板110包括有效区域A/A和非有效区域N/A。

有效区域A/A是在显示装置100中显示图像的区域，并且显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件可以设置在有效区域A/A中。例如，显示元件可以配置为包括第一电极161、有机层162和第二电极163的发光元件160。此外，用于驱动显示元件的各种驱动元件，例如晶体管120、电容器和线可以设置在有效区域A/A中。

在有效区域A/A中可以包括多个子像素SP。子像素SP是构成屏幕的最小单元，并且多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件160和驱动电路。多个子像素SP中的每一个可以发射不同波长的光。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。此外，多个子像素SP还可以包括白色子像素。

子像素SP的驱动电路是用于控制发光元件160的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置为包括晶体管120和电容器，但不限于此。

非有效区域N/A是其中不显示图像的区域，并且用于驱动布置在有效区域A/A中的多个子像素SP的各种部件可以布置在非有效区域N/A中。例如，可以设置提供用于驱动多个子像素SP的信号的驱动器IC、柔性膜等。

非有效区域N/A可以是围绕有效区域A/A的区域，如图1所示。然而，本公开不限于此。例如，非有效区域N/A可以是从有效区域A/A延伸的区域。

在下文中，将参照图2更详细地描述设置在有效区域A/A中的多个子像素SP。

缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111可用于改善形成在缓冲层111上的层和基板110之间的粘附性，并阻止碱性组分等从基板110泄漏。缓冲层111可以由单层氮化硅(SiNx)或单层氧化硅(SiOx)，或氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的多层形成，但不限于此。缓冲层111不是必要部件，并且可以基于基板110的类型和材料、晶体管120的结构和类型等而被省略。

晶体管120设置在缓冲层111上。晶体管120可以用作驱动有效区域A/A的发光元件160的驱动元件。晶体管120包括有源层121、栅极122、源极123和漏极124。图2所示的晶体管120是驱动晶体管，并且是具有顶栅结构的薄膜晶体管，其中栅极122设置在有源层121上。然而，本公开不限于此，并且晶体管120可以实现为具有底栅结构的晶体管。

有源层121设置在缓冲层111上。有源层121是当驱动晶体管120时在其中形成沟道的区域。有源层121可以由氧化物半导体形成，或者可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。

栅极绝缘层112设置在有源层121上。栅极绝缘层112是用于使有源层121和栅极122电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以由作为无机材料的单层氮化硅(SiNx)或单层氧化硅(SiOx)，或氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的多层形成，但不限于此。

在栅极绝缘层112中，形成源极123和漏极124分别接触有源层121的源极区和漏极区的接触孔。如图2所示，栅极绝缘层112可以形成在基板110的整个表面上，或者可以被图案化以具有与栅极122相同的宽度，但不限于此。

栅极122设置在栅极绝缘层112上。栅极122设置在栅极绝缘层112上以与有源层121的沟道区交叠。栅极122可以由各种金属材料中的任何一种形成，例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或其多层，但不限于此。

层间绝缘层113设置在栅极122上。层间绝缘层113可以由作为无机材料的单层氮化硅(SiNx)或单层氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的多层形成，但不限于此。在层间绝缘层113中，形成源极123和漏极124分别接触有源层121的源极区和漏极区的接触孔。

源极123和漏极124设置在层间绝缘层113上。源极123和漏极124在同一层上彼此间隔开。源极123和漏极124通过栅极绝缘层112和层间绝缘层113的接触孔电连接到有源层121。源极123和漏极124可以由各种金属材料中的任何一种形成，例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或其多层，但不限于此。

在图2中，仅示出了包括在显示装置100中的各种类型的晶体管120中的驱动晶体管，但是也可以诸如开关晶体管等的其它晶体管。

第一外覆层130设置在层间绝缘层113和晶体管120上。第一外覆层130是用于保护晶体管120并使晶体管120的上部平坦化的绝缘层。在第一外覆层130中形成用于暴露晶体管120的源极123的接触孔。虽然在图2中示出了在第一外覆层130中形成用于暴露源极123的接触孔，但是本公开不限于此。例如，可以在第一外覆层130中形成用于暴露漏极124的接触孔(未示出)。

第一外覆层130可以由丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚亚苯基类树脂、聚苯硫醚类树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但不限于此。

同时，覆盖层间绝缘层113和晶体管120的钝化层可以进一步设置在第一外覆层130之下。钝化层可以由单层氮化硅(SiNx)或单层氧化硅(SiOx)，或氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的多层形成，但不限于此。

辅助电极140设置在第一外覆层130上。辅助电极140可用于电连接晶体管120和发光元件160。辅助电极140通过形成在第一外覆层130中的接触孔电连接到晶体管120的源极123。辅助电极140可以形成为由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金中的任一种形成的单层或多层。

第二外覆层150设置在第一外覆层130上。第二外覆层150是用于平坦化第一外覆层130和辅助电极140的上部的绝缘层。在第二外覆层150中形成用于暴露辅助电极140的接触孔。

第二外覆层150可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚亚苯基类树脂、聚苯硫醚类树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但不限于此。

第二外覆层150包括基部151和多个突起152。基部151和多个突起152可以如图2所示一体形成。例如，基部151和多个突起152可以由相同的材料形成，并且可以通过相同的工艺例如掩模工艺同时形成，但不限于此。

基部151设置在第一外覆层130上。基部151的上表面具有平行于基板110的表面。因此，基部151可以平坦化由于设置在其下方的部件而可能发生的台阶。

多个突起152设置在基部151上。多个突起152与基部151一体形成，并具有从基部151突出的形状。多个突起152可以具有其上表面小于其下表面的形状，但不限于此。

多个突起152中的每一个包括上表面和侧表面。突起152的上表面是位于突起152的最上部的表面，并且可以是基本平行于基部151或基板110的表面。突起152的侧表面可以是连接突起152的上表面和基部151的表面。突起152的侧表面可以具有从其上表面朝向基部151倾斜的形状。

多个突起152的一部分可以包括凹槽H。特别地，凹槽H可以设置在多个子像素SP之间。凹槽H可以形成为其宽度向下减小的，其中其宽度向下减小。基部151的上表面可以通过凹槽H暴露，但不限于此。然而，优选地，凹槽H不形成至基部151的内部。如果凹槽H设置至基部151的内部部分区域上，则根据显示装置100的设计，在基部151下方的布线中可能发生干涉，这不是优选的。

可以通过使用第一电极161和堤部170作为掩模蚀刻突起152的一部分来形成凹槽H。凹槽H可以包括在第一电极161和堤部170下面的底切区域UC。底切区域UC可以是通过对突起152的材料进行蚀刻而形成在第一电极161和堤部170的下部的区域。也就是说，凹槽H可以形成为使得突起152的侧表面比第一电极161和堤部170的端部更向内进入。因此，有机层162和第二电极163可以形成为在对应于凹槽H的区域中具有断开结构。

发光元件160设置在第二外覆层150上。发光元件160包括电连接到晶体管120的源极123的第一电极161、设置在第一电极161上的有机层162和形成在有机层162上的第二电极163。

第一电极161被设置为对应于多个子像素SP中的每一个。第一电极161设置成覆盖基部151和多个突起152。具体地，第一电极161可以设置在基部151的未设置突起152的上表面上和多个突起152的侧表面上。即，第一电极161沿着基部151和突起152的形状设置。而且，第一电极161可以形成在多个突起152的上表面的部分区域上。

第一电极161可以是发光元件160的阳极。第一电极161通过形成在第二外覆层150中的接触孔电连接到辅助电极140。第一电极161可以通过辅助电极140电连接到晶体管120的源极123。然而，根据晶体管120的类型和驱动电路的设计方法，第一电极161可以被配置为电连接到晶体管120的漏极124(未示出)。

尽管在图2中将第一电极161图示为单层，但是第一电极161可以被配置为多层。例如，第一电极161可以包括用于将从有机层162发射的光反射到第二电极163的反射层和用于向有机层162提供空穴的透明导电层。

反射层可以设置在第二外覆层150上并且向上反射从发光元件160发射的光。在发光元件160的有机层162中产生的光可以不仅向上发射，还可以横向发射。横向发射的光可以被引导到显示装置100中，并且可以由于全反射而被捕获在显示装置100内部，并且还可以在沿显示装置100的向内方向行进时消失。因此，反射层设置在有机层162下方以覆盖多个突起152的侧部，并且可以将朝向有机层162的侧部行进的光的行进方向改变为前方向。

反射层可以由金属材料形成，例如，可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、镁-银合金(Mg)的金属材料形成。Ag)等，但不限于此。

透明导电层设置在反射层上。透明导电层可以由具有高功函数的导电材料形成，以便向有机层162提供空穴。例如，透明导电层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(TO)基透明导电氧化物形成，但不限于此。

第一电极161的端部可以与凹槽H交叠。换句话说，第一电极161可以在突起152的上表面的延长线上突出以部分覆盖凹槽H。第一电极161可以沉积在突起152的上表面的部分区域上。此后，可以使用第一电极161作为掩模来蚀刻突起152的一部分，从而可以形成凹槽H。因此，第一电极161可以不设置在凹槽H中，而是可以在凹槽H的外侧与凹槽H交叠。

堤部170设置在第二外覆层150和第一电极161上。堤部170可以覆盖第一电极161的一部分并且限定发光区域和非发光区域。发光区域可以是指多个子像素SP的每一个中的有机层162基本上产生光的区域。堤部170不设置在发光区域中，并且有机层162直接位于第一电极161上以产生光。非发光区域可以是指不产生光的区域。然而，非发光区域不允许从其产生光，而是可以具有反射光的光反射区域，使得光被提取到前方。光反射区域可以对应于与作为突起152的侧表面的倾斜表面相对应的区域。在光反射区域中，可以将由沿着突起152的倾斜表面设置的第一电极161从发光元件160横向发射的光提取到前方。此外，对应于凹槽H的区域也可以对应于非发光区域，在凹槽H中，在多个子像素SP之间根本没有布置堤部170。

同时，第一电极161可根据发光区域、非发光区域和光反射区域划分为第一区域、第二区域和第三区域。例如，第一电极161的第一区域可以对应于发光区域并且有助于光发射。第一电极161的第二区域可以沿着突起152的倾斜表面设置并且有助于光反射。第一电极161的第三区域可以设置为覆盖突起152的上表面和突起152的上表面的延长线上的凹槽H。第一电极161的第一区域、第二区域和第三区域可以通过相同的工艺以一种配置沉积。

堤部170的端部可以与凹槽H交叠。换句话说，堤部170可以从第一电极161的上表面延伸以覆盖与凹槽H相对应的第一电极161的侧表面。因此，堤部170可以突出以覆盖突起152的上表面的延长线或第一电极161的上表面的延长线上的凹槽H。可以沉积堤部170以覆盖突起152的上表面上的第一电极161。此后，可以使用第一电极161和堤部170作为掩模来蚀刻突起152的一部分，从而可以形成凹槽H。因此，堤部170可以不设置在凹槽H中，并且可以在凹槽H的外侧与凹槽H交叠。

堤部170可以由无机材料形成。例如，堤部170可以由单层氮化硅(SiNx)或单层氧化硅(SiOx)，或氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的多层形成。

第一电极161和堤部170都可以由无机材料形成，并且多个突起152可以由有机材料形成。因此，当蚀刻多个突起152时，不去除第一电极161和堤部170，并且可以仅容易地且部分地去除多个突起152。特别地，使用氧气(O2)的干蚀刻可用于蚀刻多个突起152。因此，可以仅选择性地蚀刻构成多个突起152的有机材料，从而可以形成凹槽H。在这种情况下，凹槽H可以形成为使得其内侧表面比第一电极161和堤部170的端部更向内进入。也就是说，底切区域UC可以形成在第一电极161和堤部170之下。由于底切区域UC，第一电极161的下表面和堤部170的下表面可以通过凹槽H暴露。

在对应于凹槽H的区域中，分别设置在彼此相邻的子像素SP中的堤部170可以彼此间隔开。此外，在对应于凹槽H的区域中，分别设置在彼此相邻的子像素SP中的第一电极161可以彼此间隔开。设置在凹槽H的一侧上的堤部170与设置在凹槽H的另一侧上的堤部170之间的距离可以小于凹槽H的宽度。此外，设置在凹槽H的一侧上的第一电极161与设置在凹槽H的另一侧上的第一电极161之间的距离可以小于凹槽H的宽度。这里，凹槽H的宽度可以是包括在对应于凹槽H的入口的最大宽度和对应于凹槽H的底表面的最小宽度之间的凹槽H的所有内部宽度的概念。

当第一电极161和堤部170比凹槽H的内侧表面突出以与凹槽H交叠时，设置在第一电极161上的有机层162和第二电极163可以具有断开的结构。也就是说，由于阴影效应，可能难以在第一电极161和堤部170下方的底切区域UC中沉积有机层162和第二电极163。因此，在多个子像素SP之间的至少部分区域中的相邻子像素SP的有机层162和第二电极163可以彼此电绝缘。

有机层162设置在第一电极161和堤部170上。例如，有机层162设置在发光区域中的第一电极161上，并且设置在非发光区域中的堤部170上。有机层162可以沿着第一电极161和堤部170的形状设置。有机层162包括发光层和公共层。

发光层是用于发射特定颜色的光的有机层。可以在多个子像素SP的每一个中设置不同的发光层，或者可以在多个子像素SP的全部中设置相同的发光层。例如，当在多个子像素SP的每一个中设置不同的发光层时，红色发光层可以设置在红色子像素中，绿色发光层可以设置在绿色子像素中，蓝色发光层可以设置在蓝色子像素中。当发光层在多个子像素SP上形成为相同层时，来自发光层的光可以通过单独的光转换层、滤色器等转换成各种颜色的光。

公共层是为了提高发光层的发光效率而设置的有机层。公共层可以形成为多个子像素SP上的同一层。即，多个子像素SP中的每一个的公共层可以由相同的材料并通过相同的工艺同时形成。公共层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和电荷产生层，但不限于此。

第二电极163设置在有机层162上。第二电极163可以沿着有机层162的形状设置。由于第二电极163向有机层162提供电子，它可以由具有低功函数的导电材料形成。第二电极163可以是发光元件160的阴极。第二电极163可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料或诸如Mgag或镱(Yb)合金的金属合金形成，并且可以进一步包括金属掺杂层，但不限于此。同时，尽管在图中未示出，第二电极163可以电连接到低电势电力线并接收低电势电力信号。

同时，在凹槽H中，设置虚设有机层162a和虚设导电层163a。虚设有机层162a可以是当沉积有机层162时与有机层162不连续的层，并且设置在凹槽H的底表面上。虚设导电层163a可以是当沉积第二电极163时与第二电极163不连续并且设置在凹槽H的底表面上的层。虚设有机层162a可以在多个子像素SP之间与每个子像素SP的有机层162间隔开。虚设导电层163a可以在多个子像素SP之间与每个子像素SP的第二电极163间隔开。

有机层162和第二电极163可以具有在多个子像素SP之间断开的结构。即，在对应于凹槽H的区域中，设置在凹槽H的一侧上的子像素SP的有机层162、设置在凹槽H的底表面上的虚设有机层162a以及设置在凹槽H的另一侧上的子像素SP的有机层162可以形成为不连续地断开。因此，彼此相邻的各个子像素SP的有机层162可以彼此电绝缘。此外，在对应于凹槽H的区域中，设置在凹槽H的一侧上的子像素SP的第二电极163、设置在凹槽H的底表面上的虚设导电层163a以及设置在凹槽H的另一侧上的子像素SP的第二电极163可以形成为不连续地断开。因此，彼此相邻的各个子像素SP的第二电极163可以彼此电绝缘。这里，当在多个子像素SP的每一个上沉积不同的发光层时，断开的有机层162可以仅包括公共层。如果在多个子像素SP的全部上沉积相同的发光层，则断开的有机层162可以包括发光层和公共层。

具体地，第一电极161的端部和堤部170的端部突出以与凹槽H交叠，使得底切区域UC可以形成在第一电极161和堤部170之下。因此，在有机层162和第二电极163的沉积工艺中，由于阴影效应，可能难以在底切区域UC中沉积有机层162和第二电极163。即，有机层162和第二电极163不沉积在凹槽H的内表面中由第一电极161和堤部170覆盖的区域中。换言之，有机层162和第二电极163不沉积在与凹槽H交叠的第一电极161的下表面、与凹槽H交叠的堤部170的下表面、凹槽H的侧表面以及凹槽H的面向第一电极161和堤部170的底表面上。因此，有机层162和第二电极163可以具有在多个子像素SP之间断开的结构。因此，可以最小化特定子像素SP的电流流向与其相邻的子像素SP的电流泄漏现象。

同时，凹槽H可以被配置为围绕多个子像素SP中的每一个。然而，凹槽H不完全包围多个子像素SP，并且在一些区域中可以仅存在突起152而没有凹槽H。也就是说，在一些区域中，可以连接彼此相邻的各个子像素SP的一些堤部170、有机层162和第二电极163。如果凹槽H完全包围多个子像素SP中的每一个，则有机层162和/或第二电极163在每个子像素SP中完全分离，因此，多个发光元件160可能难以发光。因此，凹槽H可以形成为围绕多个发光元件160中的每一个的开放曲线。

可替换地，凹槽H可以仅设置在发射不同颜色的光的子像素SP之间。例如，在红色子像素之间、绿色子像素之间以及蓝色子像素之间，不设置凹槽，并且可以连续地形成有机层162和第二电极163。此外，在红色子像素和绿色子像素之间、红色子像素和蓝色子像素之间以及绿色子像素和蓝色子像素之间形成凹槽，并且有机层162和第二电极163可以具有断开的结构。然而，本公开不限于此，并且有机层162和第二电极163的断开的结构以及凹槽H可以形成在任何区域中，只要该区域用于防止漏电流。

同时，尽管图中未示出，封装单元可以形成在发光元件160上以保护易受湿气影响的发光元件160免于暴露于湿气。封装单元可以阻止氧气和湿气从外部渗入显示装置100。封装单元可以具有其中无机层和有机层交替堆叠的结构，但不限于此。

通常，多个发光元件的有机层中的公共层在多个子像素的整体上形成为一层。由于多个子像素的发光元件形成在共享公共层的结构中，当特定子像素的发光元件发光时，可能发生电流泄漏现象，其中电流流向与特定子像素相邻的子像素的发光元件。例如，当多个子像素中只有红色子像素发光时，用于驱动红色子像素的发光元件的电流的一部分可能通过公共层泄漏到与红色子像素相邻的绿色子像素和蓝色子像素。也就是说，其它非预期子像素的发光元件由于电流泄漏现象而发光，导致多个子像素之间的颜色混合，并增加功耗。此外，由于漏电流，可能在视觉上识别出颜色异常和可见斑点，从而可能降低显示质量。

此外，当发光层分别设置在多个子像素的每一个中时，各个发光层具有彼此不同的导通电压。例如，用于驱动其上设置有蓝色发光层的蓝色子像素的导通电压可以是最高的，而用于驱动其上设置有红色发光层的红色子像素的导通电压可以是最低的。此外，由于在导通电压低的红色子像素或绿色子像素中电流可以流过的势垒比在导通电压最高的蓝色子像素中的低，所以通过公共层泄漏的电流可以容易地从导通电压最高的蓝色子像素流向导通电压低的绿色子像素或红色子像素。因此，当驱动蓝色子像素时，导通电压低的红色子像素和绿色子像素可能一起发光。

特别地，在低灰度驱动期间，从被驱动的子像素SP发射的光的亮度低，从而可以更容易地识别从相邻子像素SP发射的光。也就是说，在低灰度驱动期间，可以更容易地识别由于漏电流引起的色彩异常和可见斑点，并且因此可能严重降低显示质量。此外，当显示低灰度白光时，通过公共层具有最低导通电压的红色子像素首先发光，从而可能发生其中显示具有红色的白色光而不是纯白色的微红色现象。

因此，在根据本公开的显示装置100中，由于有机层162具有在多个子像素SP之间断开的结构，所以可以最小化通过公共层的漏电流。具体地，凹槽H形成在多个子像素SP之间的突起152的一部分中，并且第一电极161的端部和堤部170的端部可以设置成与凹槽H交叠。在这种情况下，在对应于凹槽H的区域中相邻的各个子像素SP的第一电极161和堤部170彼此间隔开。因此，当有机层162被沉积在第一电极161和堤部170上时，有机层162可以被沉积为不连续的，而不是在相邻的子像素SP之间连续。也就是说，在与凹槽H相对应的区域中，有机层162可以沉积到与凹槽H交叠的堤部170的端部，并且虚设有机层162a可以沉积在凹槽H的底表面上。这里，彼此相邻的各个子像素SP的有机层162可以彼此间隔开。此外，突起152上的有机层162和基部151上的虚设有机层162a可以彼此间隔开。因此，可以减少通过有机层162的公共层的漏电流的流动。

此外，不仅有机层162而且有机层162上的第二电极163可以形成为具有断开结构。也就是说，第二电极163可以被沉积为在相邻子像素SP之间的部分区域中是不连续的。具体地，在与凹槽H相对应的区域中，第二电极163可以沉积到有机层162的与凹槽H交叠的端部，并且虚设导电层163a可以沉积在凹槽H的底表面上。这里，彼此相邻的各个子像素SP的第二电极163可以彼此间隔开。此外，突起152上的第二电极163和基部151上的虚设导电层163a可以彼此间隔开。因此，可以最小化可能通过第二电极163发生的电流泄漏现象。

也就是说，在多个子像素SP之间的突起152的至少一些区域中彼此相邻的各个子像素SP的公共层和第二电极163可以具有它们彼此间隔开的结构。即，可以断开漏电流流过的路径，因此，可以阻断漏电流流过的至相邻子像素SP的路径。因此，可以最小化当驱动一个子像素SP时，因漏电流流向与该一个子像素SP相邻的子像素SP，而导致非预期子像素SP发光的现象。此外，可以最小化由于漏电流引起的混色而识别可见斑点并降低色域的缺陷，并且可以提高显示质量。

在根据本公开的显示装置100中，第一电极161和堤部170可以由无机材料形成，并且第二外覆层150的突起152可以由有机材料形成。因此，当使用第一电极161和堤部170作为掩模蚀刻突起152的一部分时，可以容易地仅去除突起152，从而可以形成凹槽H。此外，由于第一电极161和堤部170用作掩模，所以当形成凹槽H时，可以蚀刻突起152以在第一电极161和堤部170下面形成底切区域UC。因此，当有机层162和第二电极163沉积在堤部170上时，有机层162和第二电极163的分离结构可以更容易地由底切区域UC形成。

在与凹槽H交叠的区域中，堤部170可以形成为覆盖第一电极161的侧表面。因此，可以防止第二电极163和第一电极161之间的短路。尽管在图2中示出第二电极163仅设置在有机层162的上表面上，但是第二电极163也可以设置在有机层162的侧表面和堤部170的侧表面的一部分上。具体地，第二电极163可以由具有比有机层162更好的阶梯覆盖的材料形成。因此，当有机层162仅沉积在堤部170的上表面上时，第二电极163不仅可以沉积在有机层162的上表面上，而且可以沉积在有机层162的侧表面和堤部170的侧表面上。在这种情况下，当堤部170没有覆盖第一电极161的侧表面时，第二电极163被沉积到第一电极161的侧表面，并且在第一电极161和第二电极163之间可能发生短路。因此，在本公开中，布置堤部170以覆盖第一电极161的侧表面，以防止第一电极161和第二电极163彼此接触，并且可以防止显示装置100的缺陷。

图3A到图3F是依次说明制造根据本发明示例性实施方式的显示装置的方法的横截面图。

参照图3A，形成缓冲层111、晶体管120、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、第一外覆层130、辅助电极140和第二外覆层150。在这种情况下，第二外覆层150包括基部151和从基部151突出的多个突起152。基部151可以对应于发光元件160将被设置在多个子像素SP的每一个中的区域。多个突起152可以对应于发光元件160之间的非发光区域。此外，可以在多个突起152的与辅助电极140相对应的部分区域中形成用于暴露辅助电极140的接触孔。

第二外覆层150可以由有机材料形成。具体地，第二外覆层150可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚亚苯基类树脂、聚苯硫醚类树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但不限于此。

参照图3B，第一电极161设置在第二外覆层150的部分区域上。第一电极161可以被图案化以对应于多个子像素SP中的每一个。即，设置在多个子像素SP的每一个中的第一电极161可以彼此间隔开。第一电极161可设置成覆盖基部151和多个突起152。具体地，第一电极161可设置成覆盖从基部151的上表面延伸的多个突起152的侧表面。因此，可以通过将从发光元件160发射的光的行进方向改变为前方向来提高光提取效率。

第一电极161可以包括反射层和透明导电层。反射层可以由金属材料形成，例如，可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、镁-银合金(Mg)的金属材料形成。Ag)等，但不限于此。透明导电层可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(TO)基透明导电氧化物形成，但不限于此。

参照图3C，堤部170设置在第一电极161的一部分上。堤部170可以设置成暴露设置在基部151的上表面上的第一电极161。而且，堤部170可以设置成覆盖设置在多个突起152上的第一电极161。特别地，堤部170可以设置在多个突起152上以覆盖第一电极161的端部。也就是说，堤部170可以覆盖第一电极161的侧表面，从而防止第一电极161电连接到其它部件。

同时，堤部170可设置成暴露多个突起152的上表面的部分区域。具体地，堤部170可以暴露多个子像素SP之间的与非发光区域相对应的突起152的一部分。因此，堤部170可以不完全设置在基板110上，而是可以在多个子像素SP之间的部分区域中具有不连接的结构。

堤部170可以由无机材料形成。例如，堤部170可以由单层氮化硅(SiNx)或单层氧化硅(SiOx)，或氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的多层形成。

参照图3D，蚀刻由堤部170暴露的多个突起152中的一些以形成凹槽H。也就是说，凹槽H可以形成在多个突起152的部分区域中。凹槽H可以设置在多个子像素SP之间。凹槽H可以形成为露出基部151的上表面，但不限于此。

凹槽H可以通过使用氧气的干蚀刻形成。当使用这种蚀刻方法时，可以仅选择性地去除有机材料。也就是说，可以通过使用由无机材料形成的第一电极161和堤部170作为掩模来去除由有机材料形成的突起152的部分区域。具体地，可以蚀刻形成突起152的材料，直到第一电极161的端部和堤部170的端部的相应下表面暴露。也就是说，由于由无机材料形成的第一电极161和堤部170与由有机材料形成的突起152之间的材料差异，构成突起152的材料可以比第一电极161的端部和堤部170的端部更向内蚀刻。因此，第一电极161和堤部170具有从突起152的上表面突出以与凹槽H交叠的结构。此外，底切区域UC可以形成在第一电极161和堤部170之下。因此，随后沉积的有机层162和第二电极163不沉积在由第一电极161和堤部170覆盖的底切区域UC中。因此，有机层162和第二电极163可以具有不连接的结构。

参照图3E，在第一电极161和堤部170上形成有机层162。彼此相邻的各个子像素SP的有机层162可以彼此间隔开。具体地，在与凹槽H相对应的区域中，彼此相邻的各个子像素SP的堤部170可以彼此间隔开，并且底切区域UC可以形成在堤部170的下方。因此，有机层162可以仅设置在第一电极161和堤部170上，并且可以不形成在由第一电极161和堤部170覆盖的底切区域UC中。即，有机层162不沉积在凹槽H的侧表面和凹槽H的面对第一电极161和堤部170的底表面上。

虚设有机层162a可以沉积在凹槽H的底表面的未被第一电极161和堤部170覆盖的区域上。虚设有机层162a可以形成在与发光区域中的第一电极161相同的层上。虚设有机层162a是由与有机层162相同的材料同时形成的层。例如，当在多个子像素SP的每一个上沉积不同的发光层时，虚设有机层162a可以由与有机层162的公共层相同的材料同时形成。如果在多个子像素SP的全部上沉积同一发光层，则虚设有机层162a可以由与发光层和有机层162的公共层相同的材料同时形成。有机层162和虚设有机层162a可以彼此间隔开。此外，设置在凹槽H的一侧上的子像素SP的有机层162和设置在凹槽H的另一侧上的子像素SP的有机层162可以彼此间隔开。

通过堤部170的端部和第一电极161的端部，设置在凹槽H的一侧上的子像素SP的有机层162、设置在凹槽H的底表面上的虚设有机层162a以及设置在凹槽H的另一侧上的子像素SP的有机层162可以形成为不连续，而不是连续的。即，有机层162和虚设有机层162a可以通过堤部170的端部和第一电极161的端部在多个子像素SP之间断开。因此，可以最小化由于有机层162的公共层而可能发生的电流泄漏现象。

参照图3F，在有机层162上形成第二电极163。彼此相邻的各个子像素SP的第二电极163可以彼此间隔开。具体地，第二电极163可以仅设置在有机层162上，并且可以不形成在由第一电极161和堤部170覆盖的底切区域UC中。也就是说，第二电极163不沉积在凹槽H的侧表面和凹槽H的面对第一电极161和堤部170的底表面上。

虚设导电层163a可以沉积在凹槽H的底表面的未被第一电极161和堤部170覆盖的区域上。可以设置虚设导电层163a以覆盖虚设有机层162a。虚设导电层163a是同时由与第二电极163相同的材料形成的层。第二电极163和虚设导电层163a可以彼此间隔开。此外，设置在凹槽H的一侧上的子像素SP的第二电极163和设置在凹槽H的另一侧上的子像素SP的第二电极163可以彼此间隔开。

通过堤部170的端部和第一电极161的端部，设置在凹槽H的一侧上的子像素SP的第二电极163、设置在凹槽H的底表面上的虚设导电层163a以及设置在凹槽H的另一侧上的子像素SP的第二电极163可以形成为不连续地断开。即，第二电极163和虚设导电层163a可以通过堤部170的端部和第一电极161的端部在多个子像素SP之间断开。因此，可以最小化由于有机层162的公共层而可能发生的电流泄漏现象。

本公开的示例性实施方式还可以描述如下：

根据本公开的一方面，一种显示装置包括基板，该基板包括多个子像素；在所述基板上的外覆层，所述外覆层包括基部和具有凹槽的多个突起；第一电极，其对应于所述多个子像素中的每一个，并覆盖所述基部和所述多个突起；在所述第一电极的一部分上的堤部；所述第一电极和所述堤部上的有机层；有机层上的第二电极；以及所述凹槽中的虚设有机层和虚设导电层，其中，所述凹槽设置在所述多个子像素之间，并且其中，所述堤部的端部与所述凹槽交叠。

第一电极的一端可以与凹槽交叠。

堤部的端部可以覆盖第一电极的侧表面。

有机层和第二电极可以与虚设有机层和虚设导电层间隔开。

有机层可以通过堤部的端部与虚设有机层断开，并且第二电极可以通过堤部的端部与虚设导电层断开。

所述堤部可以由无机材料形成，并且所述多个突起由有机材料形成。

堤部的下表面和第一电极的下表面可以通过凹槽暴露。

设置在凹槽一侧上方的堤部和设置在凹槽另一侧上方的堤部可以彼此间隔开。

设置在凹槽一侧上方的堤部与设置在凹槽另一侧上方的堤部之间的距离可以小于凹槽的宽度。

第一电极和堤部可以不设置在凹槽中。

有机层可以包括发光层和公共层。虚设有机层可以包括与公共层相同的材料。虚设导电层可以包括与第二电极相同的材料。

根据本公开的另一方面，显示装置包括基板，该基板包括多个子像素；外覆层，所述外覆层在所述基板上并且包括基部和多个突起；第一电极，其对应于所述多个子像素中的每一个，并覆盖所述基部和所述多个突起；在所述第一电极的一部分上且由无机材料形成的堤部；所述第一电极和所述堤部上的有机层；以及在所述有机层上的第二电极，其中所述多个突起的一部分包括在所述多个子像素之间的凹槽，并且其中所述堤部的端部设置成在所述凹槽的外侧覆盖所述凹槽。

第一电极的一端可设置成在凹槽的外侧覆盖凹槽。

堤部的端部可以覆盖第一电极的侧表面。

设置在凹槽一侧上方的有机层和设置在凹槽另一侧上方的有机层可以彼此间隔开。

设置在凹槽一侧上方的第二电极和设置在凹槽另一侧上方的第二电极可以彼此间隔开。

有机层可以包括发光层和公共层。所述显示装置还可以包括虚设有机层，所述虚设有机层包括与所述公共层相同的材料并且设置在所述凹槽中；以及虚设导电层，所述虚设导电层包括与所述第二电极相同的材料并且被设置为覆盖所述凹槽中的所述虚设有机层。

虚设有机层和有机层可以彼此间隔开，并且虚设导电层和第二电极可以彼此间隔开。

凹槽可以包括暴露第一电极的下表面和堤部的下表面的底切区域。

设置在凹槽一侧上的堤部与设置在凹槽另一侧上的堤部之间的距离可以小于凹槽的宽度。

虽然已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式来实现。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本发明的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，而不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且其等同范围内的所有技术概念应被解释为落入本公开的范围内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月18日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2021-0108795的权益和优先权，其全部内容通过引用明确地结合到本申请中。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板包括多个子像素；

外覆层，所述外覆层位于所述基板上，并且所述外覆层包括基部和具有凹槽的多个突起；

第一电极，所述第一电极与所述多个子像素中的每一个相对应，并且覆盖所述基部和所述多个突起；

堤部，所述堤部位于所述第一电极的一部分上；

有机层，所述有机层位于所述第一电极和所述堤部上；

第二电极，所述第二电极位于所述有机层上；以及

虚设有机层和虚设导电层，所述虚设有机层和所述虚设导电层位于所述凹槽中，

其中，所述凹槽被设置在所述多个子像素之间，并且

其中，所述堤部的端部与所述凹槽交叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极的端部与所述凹槽交叠。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部的所述端部覆盖所述第一电极的侧表面。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层和所述第二电极与所述虚设有机层和所述虚设导电层间隔开。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述有机层通过所述堤部的所述端部与所述虚设有机层断开，并且

其中，所述第二电极通过所述堤部的所述端部与所述虚设导电层断开。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部由无机材料形成，并且所述多个突起由有机材料形成。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部的下表面和所述第一电极的下表面通过所述凹槽暴露。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，设置在所述凹槽的一侧上方的所述堤部和设置在所述凹槽的另一侧上方的所述堤部彼此间隔开。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，设置在所述凹槽的一侧上方的所述堤部与设置在所述凹槽的另一侧上方的所述堤部之间的距离小于所述凹槽的宽度。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述堤部不设置在所述凹槽中。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括发光层和公共层，

其中，所述虚设有机层包括与所述公共层相同的材料，并且

其中，所述虚设导电层包括与所述第二电极相同的材料。

12.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板包括多个子像素；

外覆层，所述外覆层位于所述基板上并且包括基部和多个突起；

第一电极，所述第一电极与所述多个子像素中的每一个相对应，并且覆盖所述基部和所述多个突起；

堤部，所述堤部位于所述第一电极的一部分上并且由无机材料形成；

有机层，所述有机层位于所述第一电极和所述堤部上；以及

第二电极，所述第二电极位于所述有机层上，

其中，所述多个突起的一部分包括所述多个子像素之间的凹槽，并且

其中，所述堤部的端部被设置为在所述凹槽的外侧覆盖所述凹槽的一部分。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一电极的端部被设置为在所述凹槽的外侧覆盖所述凹槽的一部分。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述堤部的所述端部覆盖所述第一电极的侧表面。

15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，设置在所述凹槽的一侧上方的所述有机层和设置在所述凹槽的另一侧上方的所述有机层彼此间隔开。

16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，设置在所述凹槽的一侧上方的所述第二电极和设置在所述凹槽的另一侧上方的所述第二电极彼此间隔开。

17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述有机层包括发光层和公共层，

其中，所述显示装置还包括，

虚设有机层，所述虚设有机层包括与所述公共层相同的材料并且设置在所述凹槽中；以及

虚设导电层，所述虚设导电层包括与所述第二电极相同的材料并且设置为覆盖所述凹槽中的所述虚设有机层。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述虚设有机层与所述有机层彼此间隔开，并且所述虚设导电层与所述第二电极彼此间隔开。

19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述凹槽包括暴露所述第一电极的下表面和所述堤部的下表面的底切区域。

20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，设置在所述凹槽的一侧上方的所述堤部与设置在所述凹槽的另一侧上方的所述堤部之间的距离小于所述凹槽的宽度。

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