CN115312565A - 显示设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示设备，该显示设备包括：基板，其具有多个子像素；平坦化层，其设置在基板上，包括形成突起的第一区域和位于突起之间的第二区域；第一电极，其设置在平坦化层上；发光层，其设置在第一电极上；第二电极，其设置在发光层上；以及第一凹槽，其设置在突起的上部上，其中，突起被设置在两个相邻子像素之间，并且第一电极覆盖第二区域的整个表面和突起的一部分。

Description

显示设备

技术领域

本公开涉及一种显示设备。

背景技术

随着信息时代的进步，用于显示图像的显示设备的需求以各种形式增加。因此，近来已经使用了诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器(ELD)之类的各种类型的显示设备。电致发光显示设备可以包括诸如有机发光显示器(OLED)和量子点发光显示器(QLED)之类的显示设备。

在显示设备当中，电致发光显示设备为自发光类型并且具有以下优点：视角和对比度比液晶显示器(LCD)的视角和对比度更优异。此外，因为电致发光显示设备不需要单独的背光，所以有利的是电致发光显示设备能够较薄且轻量化并且具有低功耗。另外，电致发光显示设备具有以下优点：它可以以低直流电压进行驱动，具有快速响应速度，并且特别地具有低制造成本。

此外，当电致发光显示设备被设置为光被发出到上部方向的顶部发光类型时，基板的所有区域理论上可以用作发光区域。

然而，为了防止设置在每个发光区域中的像素电极之间的短路，相邻的像素电极可以被形成为彼此间隔开多达预定距离。因此，出现了以下问题：减小发光区域的尺寸以减小显示设备的开口率。

发明内容

因此，本公开的实施方式涉及基本消除由于相关技术的限制和缺陷导致的一个或更多个问题的显示设备。

本公开的一方面是提供一种电致发光显示设备，其通过使相邻像素电极之间的间隔最小化而具有增加的开口率。

附加的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分地将从说明书中显而易见，或者可以通过本文提供的发明构思的实践而获知。发明构思的其它特征和方面将由在书面描述中具体指出(或者可从中推导)的结构以及所附权利要求和附图而实现和获知。

为了实现发明构思的这些和其它方面，如所实施和广泛描述地，一种显示设备包括：基板，其具有多个子像素；平坦化层，其设置在基板上，包括形成突起的第一区域和位于突起之间的第二区域；第一电极，其设置在平坦化层上；发光层，其设置在第一电极上；第二电极，其设置在发光层上；以及第一凹槽，其设置在突起的上部上，其中，突起被设置在两个相邻子像素之间，并且第一电极覆盖第二区域的整个表面和突起的一部分。

要理解的是，上述一般描述和以下详细描述二者都是示例性和说明性的并且旨在提供所要求保护的发明构思的进一步说明。

附图说明

附图被包括以提供本发明的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式并且与说明书一起用于解释各种原理。在图中：

图1是例示根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素的示例的示意性平面图；

图2是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的沿着图1的线A-A’截取的示意性截面图；

图3是例示根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素的边界区域的截面图；

图4是例示根据本公开的第二实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素的边界区域的截面图；

图5是例示根据本公开的第三实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素的边界区域的截面图；以及

图6是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的沿着图1的线B-B'截取的示意性截面图。

具体实施方式

通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。另外，本公开仅由权利要求的范围限定。

在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，并且因此，本公开不限于所例示的细节。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。在以下描述中，当相关的已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的要点时，将省略详细描述。在使用本公开中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一部件。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释元件时，尽管没有明确的描述，但元件被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“挨着…”时，一个或更多个部分可以被布置在两个其它部分之间，除非使用“仅”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、“跟随在…之后”、“下一个”和“在…之前”时，除非使用“仅”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。

将理解的是，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

本公开的各种实施方式的特征可以彼此部分地或整体地联接或组合，并且可以彼此以各种方式互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以互相关的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例实施方式。

图1是例示根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素P1和P2的示例的示意性平面图。

如图1所示，在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中，一个子像素包括用于发出光的开口OP和围绕开口OP的堤部BNK。两个子像素P1和P2中的每一个可以被设置为发出红色、绿色、蓝色或白色光中的任一个，但不限于此。此外，堤部BNK可以包括第一堤610和第二堤620。另外，可以在平坦化层400上设置堤部BNK，并且平坦化层400可以包括设置在第一堤610下方的第一区域410和位于与第一区域410相邻的第二区域420。第二区域420可以设置在第一区域410之间。参照图1，第一区域410可以被设置为围绕第二区域420。第一区域410可以设置有在垂直方向上从平坦化层400的上表面突出的突起415，并且第一堤610可以形成为覆盖突起415。因此，第一堤610的宽度可以大于包括突起415的第一区域410的宽度。

第一实施方式

图2是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的沿着图1的线A-A’截取的示意性截面图，并且图3是例示根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素P1和P2的边界区域的截面图。

如图2和图3所示，根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备可以包括基板100、电路元件层200、平坦化层400、发光元件500、第一堤610、第二堤620和封装层700。发光元件500可以包括第一电极510、发光层520和第二电极530。

基板100可以由玻璃或塑料制成，但不限于此，并且可以由诸如硅晶圆之类的半导体材料制成。基板100设置有发出不同颜色的光的第一子像素P1和第二子像素P2。

根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备以所谓的顶部发光类型提供，在顶部发光类型中光被发出到上部方向，因此不透明材料以及透明材料可以用作基板100的材料。

在基板100上形成电路元件层200。

电路元件层200设置有针对子像素P1和P2中的每一个的电路元件，电路元件包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器。信号线可以包括选通线、数据线、电源线和参考线，并且薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。

根据提供到选通线的选通信号来对开关薄膜晶体管进行开关，以将从数据线提供的数据电压提供给驱动薄膜晶体管。

根据从开关薄膜晶体管提供的数据电压来对驱动薄膜晶体管进行开关以根据从电力线提供的电源产生数据电流并且将数据电流提供到第一电极510。

感测薄膜晶体管用于感测驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差，该阈值电压偏差导致图像质量的劣化，并且响应于从选通线或单独的感测线提供的感测控制信号而将驱动薄膜晶体管的电流提供到参考线。

电容器可以用于在一帧内保持提供给驱动薄膜晶体管的数据电压，并且连接到驱动薄膜晶体管的栅极端子和源极端子中的每一个。

可以在电路元件层200上形成平坦化层400。平坦化层400可以补偿设置在电路元件层200中的各种信号线、薄膜晶体管和电容器之间的台阶差异。平坦化层400可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。另选地，平坦化层400可以由堆叠的由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层制成。

参照图2和图3，平坦化层400可以包括第一区域410和第二区域420，第一区域410具有在垂直方向上从平坦化层400的上表面突出的突起415，第二区域420设置在突起415之间。对应于第二区域420的平坦化层400的上表面可以是平坦的。显示设备可以包括与其中发光元件500的第一电极510和发光层520彼此直接接触的区域对应的开口OP，以及其中设置有第一堤610的堤部BNK。开口OP可以被定义为发光元件500的发光区域。

参照图2，突起415可以形成在两个相邻子像素P1和P2的边界区域中。另外，突起415可以形成为使得上表面的宽度小于其下表面的宽度。因此，突起415的侧面与突起415的下表面之间的角度可以是锐角。

发光元件500的第一电极510可以形成于平坦化层400上。可以形成第一电极510以覆盖平坦化层400的第二区域420的整个表面和突起415的一部分。另外，第一电极510可以用作电致发光显示设备的阳极，并且连接到设置在电路元件层200中的驱动薄膜晶体管。

突起415可以包括第一凹槽H1，并且第一电极510可以形成为覆盖平坦化层400的整个表面。为了防止两个相邻子像素P1和P2之间发生短路，可以去除形成在两个相邻子像素P1和P2的边界区域中的第一电极510或其一部分。因此，如图2和图3所示，第一电极510可以形成为在两个相邻子像素P1和P2的边界区域中彼此间隔开多达预定距离。参照图2和图3，第一电极510可以在突起415上彼此间隔开。在蚀刻第一电极510的工艺中，可以将设置在第一电极510下方的平坦化层400的突起415一起蚀刻。因此，突起415的上部区域可以被部分地蚀刻，使得可以提供第一凹槽H1。另外，第一凹槽H1的深度可以小于突起415的高度。此外，第一凹槽H1的下表面可以被定位为高于平坦化层400的与第二区域410相对应的上表面。

参照图2和图3，位于与第二区域420对应的区域中的平坦化层400的厚度可以小于位于与第一区域410对应的区域中的平坦化层400的厚度。此外，位于与第二区域420对应的区域中的平坦化层400的厚度可以小于从位于与第一区域410的突起415对应的区域中的平坦化层400的下表面到突起415的下表面的距离。此外，第一电极510可以不形成在第一凹槽H1的内侧面和下表面上。

因此，在根据本公开的第一实施方式的显示设备中，设置在两个相邻子像素P1和P2中的第一电极510可以通过平坦化层400的突起415和设置在突起415中的第一凹槽H1彼此间隔开多达预定距离。在相关技术中，公开了如下结构：其中设置在两个相邻子像素中的每个子像素中的第一电极510在具有平面形状的平坦化层上与另一第一电极间隔开多达预定距离。相比之下，根据本公开的第一实施方式的结构，由于通过设置在突起415中的第一凹槽H1在两个相邻子像素P1和P2之间附加地形成了备用空间，所以分别设置在两个相邻子像素P1和P2中的第一电极510之间的水平距离减小，并且分别设置在两个相邻子像素P1和P2中的第一电极510之间的实质有效距离可以增加。因此，本公开可以防止发生两个相邻子像素P1和P2之间的短路并且减小了两个相邻子像素P1和P2之间的距离。因此，可以改进根据本公开的第一实施方式的显示设备的开口率。

第一堤610可以限定两个子像素P1和P2中的每一个的发光区域，并且可以形成为在两个相邻子像素P1和P2之间的边界区域中与突起415交叠。详细地，第一堤610可以形成为覆盖设置在突起415的上表面和外侧面上的第一电极510，同时填充第一凹槽H1的内部空间。此外，第一堤610可以覆盖位于与突起415相邻的区域中的第一电极510的一部分。例如，第一堤610可以覆盖设置在与突起415相邻的第二区域420上的第一电极510的一部分。

可以通过在设置在第一区域410和第二区域420中的第一电极510上涂覆堤材料并且然后通过掩模工艺去除涂覆在第二区域420上的堤材料来形成第一堤610。此时，平坦化层400的台阶差异由突起415形成，涂覆在突起415的与突起415的上表面相邻的外侧面上的堤材料的厚度可以大于涂覆在突起415的与第二区域420相邻的外侧面上的堤材料的厚度。也就是说，突起415的外侧面上设置的第一堤610的与突起415的上表面相邻的部分的厚度可以大于突起415的外侧面上设置的第一堤610的与第二区域420相邻的另一部分的厚度。因此，当在去除第二区域420上的堤材料期间在超出设计范围的外部区域上设置掩模时，即使涂覆在突起415的与第二区域420相邻的侧面上的堤材料的一部分被部分地去除，涂覆在突起415的与突起415的相对厚的上表面相邻的外侧面上的堤材料不被去除，由此第一堤610可以稳定地形成在第一区域410上。

此外，在相关技术中，掩模的尺寸被设计为使得：考虑到掩模的布置误差，理论上可以蚀刻比蚀刻所需的区域小的区域。然而，如上所述，在本公开的第一实施方式中，由于即使通过在设置掩模的位置中发生误差，也可以在第一区域410中稳定地形成第一堤610，所以掩模可以被设计为具有类似于理论值的尺寸，由此可以最小化掩模的不必要的裕度区域。

因此，可以最小化其中第一堤610与位于第二区域420上的第一电极510交叠的区域，以增加发光面积。例如，当第一堤610和第一电极510彼此交叠的区域被最小化时，开口OP的与第一电极510和发光层520直接接触的区域可以增加。因此，随着开口OP的区域增加，发光区域的尺寸可以增加。

第一堤610可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机层形成。另选地，第一堤610可以由诸如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛之类的无机层形成。另选地，第一堤610可以包括黑色材料以吸收从外部入射的光。

发光层520形成在第一电极510上。发光层520也可以形成在第一堤610上。可以在子像素P1和P2中的每一个以及子像素P1和P2之间的边界区域中形成发光层520。

发光层520可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，当电压被施加到第一电极510和第二电极530时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在发光层中彼此复合以发光。发光层还可以包括空穴注入层和电子注入层。

可以设置发光层520以发出白色(W)光。为此，发光层520可以包括发出不同颜色的光的多个堆叠体。详细地，发光层520可以包括第一堆叠体、第二堆叠体和设置在第一堆叠体和第二堆叠体之间的电荷产生层。第一堆叠体可以包括但不限于顺序堆叠的第一空穴传输层、黄绿色或蓝色的第一发光层和第一电子传输层。电荷产生层可以包括向第一堆叠体提供电子的N型电荷产生层和向第二堆叠体提供空穴的P型电荷产生层。第二堆叠体可以包括但不限于顺序堆叠的第二空穴传输层、蓝色或黄绿色的第二发光层和第二电子传输层。另外，针对子像素P1和P2中的每一个，发光层520可以由相同的材料形成，或者可以具有相同的厚度。

第二电极530形成在发光层520上。第二电极530可以用作电致发光显示设备的阴极。以与发光层520相同的方式，第二电极530可以形成在子像素P1和P2以及子像素P1和P2之间的边界区域中。参照图2和图3，第二电极530可以形成为与第一电极510和第一堤610交叠。如图2所示，第二电极530可以在子像素P1和P2以及子像素P1和P2之间的边界区域中彼此连接而不彼此间隔开。

根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备可以设置为顶部发光类型。在显示设备设置为顶部发光类型的情况下，第二电极530由诸如ITO或IZO之类的透明金属材料制成，以便将从发光层520发出的光透射到上部方向。然而，本公开不限于此。例如，本公开的电致发光显示设备也可以设置为底部发光类型或双面发光类型，并且第一电极510和第二电极520的材料可以相应地改变。

在第二电极530上形成封装层700以防止外部湿气渗透到发光层520中。封装层700可以由无机绝缘材料制成，或者可以为其中无机绝缘体和有机绝缘体交替堆叠的结构，但不限于此。

尽管未示出，但是可以在封装层700上形成与子像素P1和P2中的每一个相对应的滤色器，并且可以在滤色器上附加地设置保护膜。

第二实施方式

图4是例示根据本公开的第二实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素P1和P2的边界区域的截面图。图4的显示设备已经从图2和图3中示出的显示设备改变了第一堤610的结构。在下文中，将描述改变的结构。

图4例示了其中第一堤610仅形成在平坦化层400的突起415的上部上的电致发光显示设备。例如，第一堤610不形成在第二区域420的上表面和突起415的外侧面上。第一堤610可以形成为在填充第一凹槽H1的内部空间的同时与突起415的上表面交叠。另外，第一堤610可以形成为覆盖设置在突起415的上表面上的第一电极510的一部分。

因此，由于设置在突起415的外侧面上的第一电极510未被第一堤610覆盖，所以设置在突起415的外侧面上的第一电极510的区域也可以用作发光区域。因此，在第二实施方式的结构中，与第一实施方式的结构相比，第一电极510的被第一堤610覆盖的区域减小，并且第一电极510的与发光层520直接接触的区域增加，由此电致发光显示设备的开口率可以进一步增加。

参照图4，由于第一堤610仅形成在第一区域410的突起415上，所以其中第一堤610和第一电极510彼此交叠的区域可以被最小化。因此，如图4所示，可以增加其中第一电极510和发光层520彼此直接接触的开口OP的尺寸。此外，由于开口OP的尺寸增加，发光区域的尺寸可以增加。

第三实施方式

图5是例示根据本公开的第三实施方式的电致发光显示设备中的两个相邻子像素P1和P2的边界区域的截面示意图。根据图5的显示设备已经从图4的显示设备改变了第一堤610的结构。在下文中，将描述改变的结构。

图5例示了具有第二凹槽H2的第一堤610。如上面在第二实施方式中所述，第一堤610可以不形成在第二区域420的上表面上和突起415的侧面上。第一堤610可以形成为在填充第一凹槽H1的内部空间的同时与突起415的上表面的一部分交叠。另外，与第一凹槽H1交叠的第二凹槽H2可以形成在第一堤610上。第二凹槽H2可以形成为使得形成在突起415的上表面上的第一电极510不暴露于外部。也就是说，第二凹槽H2的深度可以小于设置在突起415的上表面上的第一堤610的高度。另外，与第二凹槽H2交叠的第二电极530和发光层520的一部分可以具有沿着第二凹槽H2的形状的凹面形状。

由于第二凹槽H2形成在突起415上方，所以可以附加地在分别设置在两个相邻子像素P1和P2中的第一电极510之间形成备用空间。结果，可以增加两个相邻子像素P1和P2之间的泄漏电流所流经的路径的距离。详细地，在第二实施方式中，泄漏电流的路径的实质距离可以被视为第一堤610的两个外侧面的长度与第一堤610的上表面的宽度的总和值。在第三实施方式中，泄漏电流的路径的距离可以实质增加多达附加设置的第二凹槽H2的两个内侧面的高度。因此，由于在第三实施方式中泄漏电流所流经的路径的实质有效距离比第二实施方式更大地增加，所以可以减少从一个像素流向另一像素的泄漏电流。要注意的是，尽管第二凹槽H2形成在图5所示的结构中，但本公开的实施方式不限于此。例如，第二凹槽H2也可以形成在图3所示的结构中。

图6是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示设备中的沿着图1的线B-B’截取的示意性截面图。根据图6的显示设备可以包括与根据图2的显示设备的基板100、电路元件层200、平坦化层400、发光元件500、第一堤610、第二堤620和封装层700相同的元件。

如从图6所指出的，详细示出了电路元件层200的驱动薄膜晶体管TFT和层间绝缘层300。

薄膜晶体管TFT可以包括有源层210、栅极绝缘层220、栅电极230、源电极241和漏电极242。

有源层210设置在基板100上。有源层210可以由诸如In-Ga-Zn-O(IGZO)之类的氧化物半导体制成，但不限于此，并且可以由硅基半导体制成。

可以在有源层210上形成栅极绝缘层220以使栅电极230与有源层210绝缘。栅极绝缘层220可以由诸如氧化硅或氮化硅之类的无机绝缘材料或诸如光亚克力或苯并环丁烯(BCB)之类的有机绝缘材料制成，但不限于此。

栅电极230形成在栅极绝缘层220上。栅电极230可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金之类的金属制成，或者可以由金属或合金的单层或者两层或更多层的多层制成。

在栅极绝缘层220和栅电极230上形成层间绝缘层300。层间绝缘层300可以由诸如氧化硅或氮化硅之类的无机绝缘材料或诸如光亚克力或苯并环丁烯(BCB)之类的有机绝缘材料制成，但不限于此。

源电极241和漏电极242彼此面对并且设置在层间绝缘层300上。另外，源电极241和漏电极242中的每一个可以通过形成在层间绝缘层300中的接触孔连接到有源层210。源电极241和漏电极242可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金之类的金属制成，或者可以由金属或合金的单层或者两层或更多层的多层制成。

根据本公开的第一实施方式的驱动薄膜晶体管TFT被设置为其中栅电极230形成在有源层210上的顶部栅极结构，但是可以设置为其中栅电极230形成在有源层210下方的底部栅极结构。

在层间绝缘层300、源电极241和漏电极242上设置平坦化层400，并且在平坦化层400上形成第一电极510。第一电极510可以通过接触孔连接到源电极241或漏电极242，并且图6例示了第一电极510连接到漏电极242的结构。

第二堤620可以形成在与漏电极242连接的第一电极510上。可以形成第二堤620以填充平坦化层400的其中第一电极510和漏电极242彼此连接的接触孔区域。形成在接触孔的内侧面上的第一电极510的厚度可以小于位于第二区域420中的第一电极510的厚度。因此，形成在接触孔的内侧面上的第一电极510的电阻可以大于位于第二区域420中的第一电极510的电阻。因此，可以从接触孔区域发出更亮的光，使得显示设备可以不均匀地发光。为了避免该问题，可以形成第二堤620。

根据本公开，可以获得以下有利效果。

根据本公开，由于凹槽形成在设置于平坦化层中的突起中，所以相邻像素电极之间的间隔可以被最小化，由此可以改进显示设备的开口率。

对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本公开的技术思想或范围的情况下，可以在本公开的显示设备中进行各种修改和变型。因此，本公开旨在覆盖本公开的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年4月30日递交的韩国专利申请No.10-2021-0056432的权益，其通过引用合并于此，如同在本文中完全阐述一样。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：

基板，所述基板具有多个子像素；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述基板上，所述平坦化层包括第一区域和第二区域，突起形成在所述第一区域中并且所述第二区域位于所述突起之间；

第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化层上；

发光层，所述发光层设置在所述第一电极上；

第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上；以及

第一凹槽，所述第一凹槽设置在所述突起的上部上，

其中，所述突起被设置在两个相邻子像素之间，并且

所述第一电极覆盖所述突起的一部分和所述第二区域。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突起被设置在所述两个相邻子像素之间的边界区域中。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述两个相邻子像素的所述第一电极在所述突起上彼此间隔开。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述平坦化层在与所述第二区域对应的区域中的厚度小于所述平坦化层在与所述第一区域对应的区域中的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述平坦化层的所述第二区域的上表面是平坦的。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突起的外侧面与所述突起的下表面之间的角度形成锐角。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极未形成在所述第一凹槽的内侧面和下表面上。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一凹槽的深度小于所述突起的高度。

9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一凹槽的下表面被设置在高于所述平坦化层的所述第二区域的上表面的位置处。

10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述第一电极上的堤，

其中，所述堤被形成为在填充所述第一凹槽的内部时与所述突起交叠。

11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，设置在所述突起的外侧面上的所述堤的与所述突起的上表面相邻的部分的厚度大于设置在所述突起的所述外侧面上的所述堤的与所述第二区域相邻的另一部分的厚度。

12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述堤包括第一堤和第二堤，所述第一堤与所述突起交叠并且所述第二堤被形成为填充所述平坦化层的接触孔区域，在所述接触孔区域中驱动薄膜晶体管的漏电极和所述第一电极彼此连接。

13.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述堤覆盖设置在所述突起的上表面和外侧面上的所述第一电极。

14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述堤覆盖位于与所述突起相邻的区域中的所述第一电极的一部分。

15.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述堤仅被设置在所述突起的所述上部上。

16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述堤未被设置在所述第二区域的上表面和所述突起的外侧面上。

17.根据权利要求10所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述堤的上部上的第二凹槽。

18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，与所述第二凹槽交叠的所述第二电极和所述发光层的一部分具有沿着所述第二凹槽的形状的凹面形状。

19.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二凹槽被形成为与所述第一凹槽交叠。

20.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二凹槽的深度小于设置在所述突起的上表面上的所述堤的高度。

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