CN112117306A - 显示装置 - Google Patents

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CN112117306A
CN112117306A CN202010564272.XA CN202010564272A CN112117306A CN 112117306 A CN112117306 A CN 112117306A CN 202010564272 A CN202010564272 A CN 202010564272A CN 112117306 A CN112117306 A CN 112117306A
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朴埈亨
金相佑
辛在敏
朱惠珍
洪钟昊
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括岛部和从岛部在彼此不同的方向上延伸的连接部；显示单元，位于岛部上，显示单元包括至少一个显示元件；以及封装层，覆盖至少一个显示元件，并且包括无机封装层和有机封装层，其中，显示单元包括：至少一个有机绝缘层；以及无机绝缘层，位于至少一个有机绝缘层上，无机绝缘层具有尖端，尖端在与基底的上表面平行的方向上突出超过至少一个有机绝缘层的侧表面，并且无机封装层与无机绝缘层的尖端并排。

Description

显示装置
本申请要求于2019年6月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0074116号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置及用于该显示装置的构造，其封装所包括的显示元件以防止杂质的引入并且即使在显示装置可能经历其形状的改变时也保持显示装置的最优的分辨率。
背景技术
随着可视地显示电信号的显示装置发展，已经引入了具有优异特性(诸如减小的厚度、低重量和低功耗)的这样的装置中的各种装置。可以弯曲或卷曲的柔性显示装置已成为研究和开发的焦点，可拉伸显示装置也是如此。
发明内容
在其形状可以被改变的显示装置的情况下，分辨率可能会由于形状的改变而劣化。一个或更多个实施例可以包括其中显示装置可以能够根据改变的形状实现高分辨率的方面。然而，公开可以不限于这些和其他方面。
附加的方面将在以下描述中被部分地阐述，并且将通过描述而明显，或者可以通过公开的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，包括岛部和从岛部在彼此不同的方向上延伸的连接部；显示单元，位于岛部上，显示单元包括至少一个显示元件；以及封装层，覆盖至少一个显示元件，并且包括无机封装层和有机封装层，其中，显示单元包括：至少一个有机绝缘层；以及无机绝缘层，位于至少一个有机绝缘层上，无机绝缘层具有尖端，尖端在与基底的上表面平行的方向上突出超过至少一个有机绝缘层的侧表面，并且无机封装层可以与无机绝缘层的尖端并排。
无机封装层可以与无机绝缘层的尖端的底表面并排。
无机封装层的一部分可以从尖端的底表面延伸，并且可以覆盖至少一个有机绝缘层的侧表面和基底的侧表面。
至少一个显示元件可以包括发射红光的第一显示元件、发射蓝光的第二显示元件和发射绿光的第三显示元件，根据平面图，无机绝缘层的尖端可以位于第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件周围。
至少一个显示元件可以包括：像素电极，位于无机绝缘层上；像素限定层，位于像素电极上，像素限定层具有与像素电极叠置的开口；中间层，具有与像素电极叠置的发射层；以及对电极，位于中间层上。
对电极可以覆盖岛部。
中间层可以包括位于像素电极与对电极之间的至少一个功能层。
无机封装层和无机绝缘层的尖端彼此并排处的区域可以是无机接触区域，无机接触区域位于至少一个显示元件周围。
显示装置还可以包括位于岛部上的间隔件，其中，无机接触区域的一部分位于间隔件与至少一个显示元件之间。
在平面图中，无机绝缘层可以具有突出超过至少一个有机绝缘层的侧表面的第二尖端，无机封装层可以与无机绝缘层的第二尖端并排，并且无机封装层和无机绝缘层的第二尖端彼此并排处的区域可以是第二无机接触区域，第二无机接触区域可以与无机接触区域分开，并且位于间隔件周围。
显示装置还可以包括位于岛部上的电源电压供应线，其中，对电极与电源电压供应线之间的接触部分可以位于无机接触区域内侧的区域内部。
电源电压供应线可以从岛部延伸到连接部之中的至少一个连接部上。
显示装置还可以包括位于岛部与至少一个连接部之间的第二无机绝缘层，其中，第二无机绝缘层覆盖电源电压供应线的上表面的一部分，并且第二无机绝缘层可以与无机接触区域叠置。
基底可以包括重复地布置的基本单元，基本单元均包括岛部和连接部，闭合线可以形成在基本单元之中的相邻基本单元之间，其中，闭合线限定其中可以不存在岛部的部分和连接部的部分的间隔区域。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置可以包括：基底；显示单元，位于基底上，并且彼此分开；以及封装层，位于显示单元上，封装层可以包括无机封装层和有机封装层，其中，基底可以包括彼此分开的岛部和连接岛部之中的相邻的岛部的连接部，并且显示单元均布置在岛部之中的对应的岛部上，其中，可以布置在岛部之中的第一岛部上的第一显示单元可以包括：像素电路，可以包括薄膜晶体管和存储电容器；至少一个有机绝缘层，位于像素电路上；无机绝缘层，位于至少一个有机绝缘层上；以及显示元件，可以电连接到像素电路，并且可以包括像素电极、包含发射层的中间层以及对电极，其中，无机绝缘层可以包括尖端，尖端在与基底的上表面平行的方向上突出超过至少一个有机绝缘层的侧表面，尖端可以与无机封装层并排。
无机封装层可以与无机绝缘层的尖端的底表面并排。
无机封装层可以从尖端的底表面延伸，并且可以覆盖至少一个有机绝缘层的侧表面和第一岛部的侧表面。
至少一个有机绝缘层的在厚度方向上的凹陷可以位于无机绝缘层的尖端下方。
显示装置还可以包括可以与凹陷叠置的第二无机绝缘层。
凹陷的底表面可以与第二无机绝缘层的上表面位于同一平面上。
无机绝缘层的尖端和无机封装层可以彼此并排处的区域可以是显示元件周围的无机接触区域。
连接部可以包括连接第一岛部和与第一岛部相邻的第二岛部的第一连接部，电连接第一显示单元和第二岛部上的第二显示单元的线可以布置在第一连接部上。
线可以与无机接触区域的一部分叠置。
线可以包括电连接到对电极的电源电压供应线。
电源电压供应线与对电极之间的接触部分可以位于无机接触区域内侧的区域内部。
显示装置还可以包括位于第一岛部上的间隔件，其中，无机接触区域的一部分可以位于间隔件与显示元件之间。
无机绝缘层的可以位于无机接触区域与间隔件之间的部分可以包括第二尖端，第二尖端在与基底的上表面平行的方向上突出超过至少一个有机绝缘层的侧表面，并且无机封装层可以直接接触第二尖端以形成第二无机接触区域。
在平面图中，第二无机接触区域可以与无机接触区域分开，并且位于间隔件周围。
显示装置还可以包括位于无机接触区域与第二无机接触区域之间的凹槽。
尖端和第二尖端中的每者可以朝向凹槽的中心突出，并且对电极和可以包括在中间层中的至少一个有机材料层均可以被尖端和第二尖端分开。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，公开的实施例的以上和其他方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
图1示出了根据实施例的显示装置的平面图；
图2示出了图1的放大部分的示意性平面图；
图3示出了根据实施例的显示装置的基本单元的构造的平面图；
图4示出了根据实施例的显示装置的任何像素的等效电路的示意图；
图5示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线V-V'截取的剖面对应；
图6A示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线VI-VI'截取的剖面对应；
图6B示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线VI-VI'截取的剖面对应；
图7示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线VII-VII'截取的剖面对应；
图8示出了根据实施例的显示装置的一部分的放大平面图；
图9示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线IX-IX'截取的剖面对应；
图10示出了根据实施例的显示装置的无机接触区域和第二无机绝缘层的平面图；
图11是根据实施例的显示装置的基本单元的结构的平面图；
图12示出了沿着图11的线XII-XII'截取的剖面的示意性剖视图；
图13是根据实施例的显示装置的基本单元的结构的平面图；
图14示出了沿着图13的线XIV-XIV'截取的剖面的示意性剖视图；
图15是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；以及
图16是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例可以在附图中被示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就这一点而言，实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面可以通过参照附图来描述实施例以解释描述的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。
将理解的是，术语“第一”、“第二”等在这里可以用来描述各种组件，这些组件不应该受这些术语限制。这些术语可以仅用来将一个组件与另一组件区分开。
如在这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一”、“一个(种)(者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，由于可以为了便于说明而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例可以不限于此。
当可以不同地实施实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在下文的实施例中，将理解的是，当元件、区域或层被称为连接到另一元件、区域或层时，该元件、区域或层可以直接地或间接地连接到所述另一元件、区域或层。例如，在本说明书中将理解的是，当元件、区域或层被称为与另一元件、区域或层接触或电连接时，该元件、区域或层可以直接地或间接地与所述另一元件、区域或层接触或电连接。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”是指当从上方观察对象部分时，短语“在剖视图中”是指当从侧面观察通过竖直切割元件部分所截取的剖面时。此外，术语“叠置”或其变型是指第一对象可以在第二对象上方或下方或侧面，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层、堆叠、面对或其变型、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。术语“面对”及其变型是指第一元件可以直接地或间接地与第二元件相对。在其中第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。当元件被描述为与另一元件“不叠置”或采用类似表述时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。当层、区、基底或区域被称为“在”另一层、区、基底或区域“上”时，该层、区、基底或区域可以直接在所述另一层、区、基底或区域上，或者其间可以存在中间层、区、基底或区域。相反，当层、区、基底或区域被称为“直接在”另一层、区、基底或区域“上”时，其间不会存在中间层、区、基底或区域。此外，当层、区、基底或区域被称为“在”另一层、区、基底或区域“下方”时，该层、区、基底或区域可以直接在所述另一层、区、基底或区域下方，或者其间可以存在中间层、区、基底或区域。相反，当层、区、基底或区域被称为“直接在”另一层、区、基底或区域“下方”时，其间不会存在中间层、区、基底或区域。此外，“在……之上”或“在……上”可以包括定位在对象上或下方，并且不必意指基于重力的方向。
为了易于描述，这里可以使用“在……下方”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等空间相对术语来描述如在附图中示出的一个元件或组件与另一元件或组件的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的除了在附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，在其中附图中示出的装置被翻转的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以被定位“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下面的位置和上面的位置两者。装置也可以在其他方向上定位，因此根据定位可以不同地解释空间相对术语。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在描述中明确定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与其在相关领域的背景下的意思一致的意思，而将不以理想化的或过度形式化的含义来解释。
图1示出了根据实施例的显示装置1的平面图，并且图2是图1的放大部分的示意性平面图。
参照图1，显示装置1可以包括基底100和基底100上的显示单元200。
基底100可以包括各种材料，诸如玻璃、金属或有机材料。根据实施例，基底100可以包括柔性材料。例如，基底100可以包括超薄柔性玻璃(例如，几十μm至几百μm的厚度)或聚合物树脂。当基底100可以包括聚合物树脂时，基底100可以包括聚酰亚胺(PI)。作为另一示例，基底100可以包括聚醚砜(PES)、聚芳酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
基底100可以包括可以彼此分开的岛部101、连接岛部101的连接部102以及位于连接部102之间并且穿过基底100的间隔区域V。
岛部101可以布置为平面网格图案以在第一方向(即，x方向)和与第一方向不同的第二方向(即，y方向)上重复地布置。第一方向和第二方向可以彼此交叉。第一方向和第二方向可以形成钝角或锐角。
显示单元200可以设置在岛部101中的每个上并且可以限定至少一个像素，像素可以包括发射可见光区的光的显示元件。例如，红色像素、绿色像素和蓝色像素可以布置在岛部101中的每个上。红色像素、绿色像素、蓝色像素和白色像素可以布置在岛部101中的每个上。对应的像素的构造如下参照图5。
连接部102可以连接彼此相邻的岛部101。例如，四个连接部102可以连接到每个岛部101。连接到一个岛部101的四个连接部102可以各自在不同的方向上延伸，并且每个连接部102可以连接到设置为与前面提及的岛部101相邻的另一个岛部101。例如，一个岛部101可以分别经由四个连接部102连接到沿着前面提及的岛部101的周围方向定位的四个其他的岛部101。
岛部101和连接部102可以由相同的材料形成。例如，岛部101和连接部102可以一体地形成为一体构造。
一个岛部101和连接到其的连接部102可以被称为基本单元U。基本单元U可以在第一方向和第二方向上重复地布置。例如，基底100可以包括重复地布置并彼此连接的基本单元U。两个相邻的基本单元U可以是对称的。例如，在图1中的左右方向上彼此相邻的两个基本单元U可以基于对称轴竖直对称，该对称轴可以位于两个基本单元U之间并且与y方向平行。相似地，在图1中的上下方向上彼此相邻的两个基本单元U可以基于对称轴AX水平对称，该对称轴AX可以位于两个基本单元U之间并且与x方向平行。
相邻的基本单元U(例如，图1中示出的四个基本单元U)可以在四个基本单元U之间形成闭合线CL。闭合线CL可以是基底100的可以沿着相邻的岛部101和至少一个连接部102的边缘的区域或部分。闭合线CL可以限定间隔区域V，间隔区域V可以是空的空间，即，其中岛部101和/或连接部102的部分不会存在的空间。即，间隔区域V可以由闭合线CL限定，使得间隔区域V由闭合线CL界定。
每个间隔区域V可以穿过基底100的上表面和下表面。由于在间隔区域V内不会存在岛部101和连接部102，所以每个间隔区域V可以提供岛部101之间的间隔区域，减轻基底100的重量，并且增加基底100的柔性。在外力(例如，卷绕力、弯曲力或拉力等)可以施加到基底100的情况下，间隔区域V的形状可以改变以方便地减小在基底100的构造可以根据其形状改变的情况下可能会发生到显示装置1上的应力。结果，可以防止基底100异常变形，并且基底100可以具有提高的耐久性。因此，可以改善关于显示装置1的使用的用户便利性。以上的许多优点之中可以有将显示装置1方便地应用于可穿戴装置的能力。
包括在一个基本单元U中的岛部101的边缘与包括在基本单元U中的每个连接部102的边缘之间的角θ可以是锐角。如图2中所示，在可以施加外力(例如，拉动基底100的力)的情况下，岛部101的边缘与每个连接部102的边缘之间的角θ'可以增大(θ'>θ)，并且间隔区域V'的面积或形状可以与岛部101的位置一起改变。图2示出了在第一方向和第二方向上延展的基底100的平面图。在所描述的力可以施加到基底100的情况下，作为角度θ'的改变、间隔区域V'的增加的面积和/或形状的改变的结果，每个岛部101可以旋转预定角度。由于每个岛部101的旋转，岛部101之间的距离(例如，第一距离d1'和第二距离d2')可以根据每个岛部101的位置而改变。
在拉力可以施加到基底100的情况下，应力可能会集中在连接到岛部101的边缘的连接部102处。因此，为了防止对基底100的损坏，限定间隔区域V的闭合线CL可以包括曲线部分。
图3示出了根据实施例的显示装置的基本单元的构造的平面图，图4示出了根据实施例的显示装置的任何像素的等效电路的示意图。
参照图3，像素可以布置在基底100的岛部101上，并且每个像素可以包括显示元件。从显示元件发射的光可以通过在平面图中具有预定面积的发射区域来提供。关于这个方面，图3示出了每个像素的发射区域。例如，红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg可以定位在岛部101上。
如图4中所示，红色像素、绿色像素和蓝色像素均可以包括像素电路PC和作为与像素电路PC连接的显示元件的发光二极管LED。发光二极管LED可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。在下文中，为了便于说明，将描述的是，每个像素的发光二极管LED可以包括有机发光二极管。
像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素可以通过发光二极管LED发射例如红光、绿光或蓝光或者红光、绿光、蓝光或白光。第二薄膜晶体管T2可以包括开关薄膜晶体管，并且可以连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以根据可以从扫描线SL输入的开关电压将可以从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以包括驱动薄膜晶体管，并且可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst。此外，第一薄膜晶体管T1可以与存储在存储电容器Cst中的电压值对应地控制从驱动电压线PL流过发光二极管LED的驱动电流。发光二极管LED可以基于驱动电流发射具有预定亮度的光。发光二极管LED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
图4示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况。然而，公开可以不限于此。可以根据像素电路PC的设计以各种方式修改薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量。
再次参照图3，红色像素的红色发射区域EAr、蓝色像素的蓝色发射区域EAb和绿色像素的绿色发射区域EAg可以在给定方向上彼此分开地布置。例如，红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg可以在第二方向(即，y方向)上彼此分开地布置，并且相邻发射区域之间的距离可以基本上相同。例如，红色发射区域EAr与蓝色发射区域EAb之间的距离d3可以与蓝色发射区域EAb与绿色发射区域EAg之间的距离d4基本上相同。
岛部101上的红色像素、蓝色像素和绿色像素可以被无机接触区域ICA完全围绕。换句话说，红色像素、蓝色像素和绿色像素可以由无机接触区域ICA界定，使得无机接触区域ICA可以在岛部101的外围周围，以将像素包含在无机接触区域ICA内。关于这个方面，图3示出了红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg在平面图中被无机接触区域ICA完全围绕或界定。
无机接触区域ICA可以通过包括至少两个层来形成，所述至少两个层包括无机材料并且彼此直接接触。换句话说，包括无机材料的至少两个层可以彼此并排。无机接触区域ICA可以防止外部湿气渗透到包括在每个像素中的显示元件中。无机接触区域ICA可以沿着岛部101的边缘延伸以沿着那些边缘形成边界，并且像素可以布置在通过且由无机接触区域ICA形成的边界内侧。
在平面图中，用于向每个显示元件的对电极施加预定电压的对电极接触部CECNP(在下文中被称为接触部)可以设置在无机接触区域ICA的环内侧。间隔件217可以在平面图中定位在无机接触区域ICA的环外侧。间隔件217可以由无机接触区域ICA'(在下文中被称为第二无机接触区域)完全界定，该无机接触区域ICA'与围绕像素的无机接触区域ICA不同。换句话说，第二无机接触区域ICA'可以全部位于间隔件217的外围周围。
图5示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线V-V'截取的剖面对应。
参照图5，像素电路PC和可以作为电连接到像素电路PC的显示元件的发光二极管LED可以布置在基底100的岛部101上。如参照图4描述的，像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。
缓冲层201可以布置在基底100与像素电路PC之间，并且可以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT中。缓冲层201可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiOx))，并且可以包括包含以上描述的无机绝缘材料的单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图5示出了顶栅型薄膜晶体管TFT，在顶栅型薄膜晶体管TFT中，栅电极GE可以布置在半导体层Act上，且栅极绝缘层203在其间。然而，根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以包括底栅型薄膜晶体管TFT。
半导体层Act可以包括多晶硅。半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料并且可以包括包含以上描述的导电材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。栅极绝缘层203可以包括包含以上描述的材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以定位在同一层(例如，第二层间绝缘层207)上，并且可以包括彼此相同的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括高导电材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。根据实施例，源电极SE和漏电极DE可以具有包括钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的多层构造。
存储电容器Cst可以包括彼此叠置或面对的下电极CE1和上电极CE2，且第一层间绝缘层205在其间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置或面对。图5示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以是存储电容器Cst的下电极CE1。根据另一实施例，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置或面对。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx和SiON。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含以上描述的材料的单层或多层。
缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的外围部分可以被有机材料层220覆盖。例如，有机材料层220可以覆盖缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的边缘，所述边缘可以相对于基底100的上表面具有台阶差，即，高度差。有机材料层220可以减小由于无机绝缘材料层在基底100的边缘(即，岛部101的边缘)周围彼此接触而导致的应力的量。有机材料层220可以包括诸如PI的有机绝缘材料，并且可以定位在第二层间绝缘层207与第一无机绝缘层208之间。
薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst可以被第一有机绝缘层209覆盖，并且第一无机绝缘层208可以定位在第一有机绝缘层209下方。第一无机绝缘层208可以包括包含无机绝缘材料(诸如SiNx、SiOx和SiON)的无机绝缘层。
驱动电压线PL可以包括彼此电连接的下驱动电压线PL1和上驱动电压线PL2，且第一有机绝缘层209在下驱动电压线PL1与上驱动电压线PL2之间。下驱动电压线PL1可以与源电极SE和漏电极DE定位在同一层上并且可以包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料。在驱动电压线PL可以形成为如以上描述的包括绝缘层的多层构造的情况下，可以防止驱动电压线PL的电阻的增加，并且可以减小驱动电压线PL的宽度。根据另一实施例，驱动电压线PL可以包括仅下驱动电压线PL1或仅上驱动电压线PL2。
第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213可以顺序地布置在第一有机绝缘层209上。第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括例如通用聚合物(诸如PMMA或PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其共混物。
第三无机绝缘层214可以定位在第三有机绝缘层213上，像素电极221可以布置在第三无机绝缘层214上。第三无机绝缘层214可以包括包含无机绝缘材料(诸如SiNx、SiOx和SiON)的无机绝缘层。
像素电极221可以电连接到像素电路PC的薄膜晶体管TFT。图5示出了薄膜晶体管TFT和像素电极221可以经由第一有机绝缘层209上的第一接触金属CM1和第二有机绝缘层211上的第二接触金属CM2彼此电连接。
像素电极221可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据另一实施例，像素电极221可以包括反射层，该反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其混合物。根据另一实施例，像素电极221可以包括在以上描述的反射层上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。例如，像素电极221可以包括其中可以堆叠有ITO层、Ag层和ITO层的三层构造。
像素限定层215可以覆盖像素电极221的边缘，并且可以具有与像素电极221的中心部分叠置或面对的开口215OP。像素限定层215的开口215OP可以限定发射区域。例如，像素限定层215的开口215OP的宽度可与参照图3描述的红色发射区域EAr的宽度对应。同样地，作为另外的示例，蓝色发射区域EAb(图3)和绿色发射区域EAg(图3)中的每者可以通过像素电极221上的像素限定层215的开口215OP的宽度来限定。
像素限定层215可以包括诸如PI的有机绝缘材料。作为另一示例，像素限定层215可以包括无机绝缘材料。作为另一示例，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以布置在像素限定层215上。中间层222可以包括发射层222b。发射层222b可以包括有机发射材料，诸如发射预定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。作为另一示例，发射层222b可以包括无机发射材料或量子点。
图5示出了沿着穿过图3中的红色发射区域EAr的线V-V'截取的剖面，因此，图5的发射层222b可以发射红光。图5中示出的发光二极管LED的构造可以统一地应用于包括在其他像素中的发光二极管。然而，通过每个像素中的发射层发射的光的颜色可以不同，因此，每个像素中的发射层的具体材料可以不同。
第一功能层222a和第二功能层222c可以分别布置在发射层222b下方和上方。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，第一功能层222a可以包括具有单层构造的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙撑-二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。作为另一示例，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
图5示出了中间层222可以包括第一功能层222a和第二功能层222c两者。然而，根据另一实施例，中间层222可以选择性地包括第一功能层222a和第二功能层222c。例如，中间层222可以不包括第二功能层222c。
中间层222的发射层222b可以布置在每个像素中。然而，第一功能层222a和第二功能层222c可以形成为单个主体以遍及多个像素。例如，第一功能层222a和第二功能层222c可以形成为单个主体以遍及红色像素区域、蓝色像素区域和绿色像素区域(例如，图3中的EAr、EAb和EAg)。
对电极223可以包括具有低的逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和/或其合金的(半)透明层。作为另一示例，对电极223还可以包括在包含以上描述的材料的(半)透明层上的层，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3。对电极223可以形成为单个主体以遍及以上提及的例如红色像素区域、蓝色像素区域和绿色像素区域(即，图3中的EAr、EAb、EAg)的像素。例如，对电极223可以完全覆盖基底100的岛部101。对电极223的面积可以与以上描述的第一功能层222a和第二功能层222c的面积不同。
封装层300可以覆盖对电极223的上部。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据实施例，封装层300可以包括可以顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每者可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锌、SiOx、SiNx和/或SiON。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI、聚乙烯等。丙烯酸类树脂可以包括例如PMMA、聚丙烯酸等。有机封装层320可以仅定位在基底100的相应的岛部101上。因此，可以理解的是，参照图1和图2描述的显示装置1可以包括布置为在岛部101上彼此分开的有机封装层320。
封装层300的至少一个无机封装层可以在岛部101的外围区域处直接接触第三无机绝缘层214的一部分以彼此并排并且形成无机接触区域ICA。
第三无机绝缘层214的一部分可以在水平方向(即，与基底100的上表面平行的方向)上延伸，并且可以在水平方向上比直接设置在第三无机绝缘层214下方的至少一层的侧表面更突出以形成尖端PT。所述至少一层可以是第三有机绝缘层213。可以作为相对于第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213下沉的空间的凹陷R可以形成在尖端PT下方，凹陷R的深度dR可以与可以至少穿透第三有机绝缘层213的深度对应。
作为示例，凹陷R的深度dR可以与第三有机绝缘层213的厚度t1、第二有机绝缘层211的厚度t2和第一有机绝缘层209的厚度t3的总和基本上相同。凹陷R可以通过去除设置在第三无机绝缘层214下方的至少一层来形成。例如，图5示出了凹陷R可以通过去除第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的外围部分来形成。
第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的外围部分可以通过蚀刻工艺来去除。第一无机绝缘层208可以设置在第一有机绝缘层209下方并且可以用作蚀刻停止件。第一无机绝缘层208的上表面可以与凹陷R的底表面对应。第三无机绝缘层214的端部(诸如尖端PT)可以比第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的侧表面在水平方向上更远离发射区域突出。
由于由突出超过第三有机绝缘层213的侧表面的第三无机绝缘层214的端部形成的悬垂部(例如，檐部和/或底切部)，包括在中间层222中的至少一个有机材料层(诸如第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以从像素限定层215上断开。以上描述的悬垂部可以在可以形成中间层222之前形成。由于悬垂部，发光二极管LED的有机材料层(诸如第一功能层222a和第二功能层222c)可以从像素限定层215上断开，所述有机材料层可以一体地形成以覆盖如图3中所示的发射区域。例如，第一功能层222a和第二功能层222c中的每个的大部分可以定位在像素限定层215上，而第一功能层222a和第二功能层222c中的每者的剩余部分可以变得设置为与凹陷R的底表面相邻。例如，第一功能层222a和第二功能层222c中的每者的剩余部分可以在第一功能层222a和第二功能层222c的形成期间变得设置在第一无机绝缘层208上。
相似地，由于悬垂部，对电极223可以从像素限定层215断开。与第一功能层222a和第二功能层222c一样，对电极223的大部分可以定位在像素限定层215上。然而，对电极223的外围部分可以变得设置为与凹陷R的底表面相邻。例如，对电极223的外围部分可以在对电极223的形成期间变得设置在第一无机绝缘层208上。
第三无机绝缘层214的形成悬垂部的端部的底表面(即，尖端PT的底表面214B)可以直接接触包括在封装层300中的至少一个无机封装层。换句话说，尖端PT的底表面214B可以与包括在封装层300中的至少一个无机封装层并排。例如，无机接触区域ICA可以在封装层300的第一无机封装层310直接接触第三无机绝缘层214的尖端PT的底表面214B的情况下形成。换句话说，无机接触区域ICA可以形成为使得第一无机封装层310覆盖尖端PT且与第三无机绝缘层214的尖端PT并排，并且与第三有机绝缘层213的侧面相接。
如以上参照图3所描述的，无机接触区域ICA可以延伸以在平面图中(同样地，在相对于基底100的上表面的竖直视角中)完全围绕发射区域或者位于发射区域周围。第三无机绝缘层214的尖端PT可以沿着岛部101的外围区域延伸以完全围绕发射区域或者位于发射区域周围。换句话说，尖端PT的形成提供了沿着岛部101的外围区域的接合点，使得无机接触区域ICA成为岛部101的最外面的边界，发射区域包含在岛部101的最外面的边界内。无机接触区域ICA的宽度可以取决于第三无机绝缘层214的尖端PT的宽度α。根据实施例，尖端PT的宽度α可以小于约2μm。
与第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223不同，通过使用化学气相沉积形成的第一无机封装层310可以具有相对优异的台阶覆盖性。因此，第一无机封装层310可以相对于基底100的表面形成在底表面214B上。如图5中所示，第一无机封装层310可以在向下方向(即，-z方向)上从有机封装层320的端部朝向基底100延伸，并且可以连续地延伸以覆盖尖端PT的底表面214B、第一有机绝缘层至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面以及基底100的侧表面。
与第一无机封装层310一样，第二无机封装层330可以从显示装置1的上表面在显示装置1的横向方向上连续地延伸到显示装置1的侧表面以覆盖那些表面中的每者以防止例如水被引入。例如，第二无机封装层330可以防止水渗透通过有机材料层220的侧表面和/或第一有机绝缘层至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面。
图6A和图6B示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线VI-VI'截取的剖面对应。
参照图6A和图6B，第一电源电压供应线WLD和第二电源电压供应线WLS可以布置在基底100的岛部101上。第一电源电压供应线WLD可以提供第一电源电压ELVDD(见图4)，第二电源电压供应线WLS可以提供第二电源电压ELVSS。
第一电源电压供应线WLD和第二电源电压供应线WLS可以定位在不同的层上。例如，第一电源电压供应线WLD可以定位在第一有机绝缘层209上，第二电源电压供应线WLS可以定位在第二有机绝缘层211上。在第一电源电压供应线WLD和第二电源电压供应线WLS可以布置在不同层上的情况下，可以使基底100上的相对于这些线和中间层的设置的空间使用相对于显示装置1的制造最优化。
尽管未示出，但是第一电源电压供应线WLD可以电连接到以上参照图5描述的驱动电压线PL，并且可以供应第一电源电压EVLDD。
第二电源电压供应线WLS可以电连接到对电极223。参照图3、图6A和图6B，第二电源电压供应线WLS可以电连接到对电极223以形成接触部CECNP。接触部CECNP可以定位在其周围设置有无机接触区域ICA的岛部101的内部区域中。
第二电源电压供应线WLS与对电极223之间的层可以包括孔以形成接触部CECNP。例如，第三有机绝缘层213可以包括与第二电源电压供应线WLS叠置或面对的第一孔213H。第三无机绝缘层214可以包括第二孔214H，像素限定层215可以包括第三孔215H。第一孔213H、第二孔214H和第三孔215H可以彼此叠置或面对。
连接电极225可以布置在第三无机绝缘层214上，并且第二电源电压供应线WLS和对电极223可以经由连接电极225彼此电连接。连接电极225可以经由第三有机绝缘层213的第一孔213H和第三无机绝缘层214的第二孔214H连接到第二电源电压供应线WLS，对电极223可以经由像素限定层215的第三孔215H连接到连接电极225。
接触部CECNP的宽度可以根据具有第一孔213H、第二孔214H和第三孔215H的宽度之中的较小宽度的孔来限定。根据实施例，图6A示出了第二孔214H可以具有比第三孔215H的宽度小的宽度，并且第三孔215H可以具有比第一孔213H的宽度小的宽度。根据另一实施例，如图6B中所示，第二孔214H可以具有可以比第一孔213H的宽度大的宽度。在第二孔214H可以具有如此大的宽度的情况下，连接电极225可以直接接触限定第一孔213H的第三有机绝缘层213的侧表面。根据另一实施例，第二孔214H可以具有比第三孔215H的宽度大的宽度，并且第三孔215H的宽度可以比第一孔213H的宽度大。
均位于对电极223下方的第一功能层222a和第二功能层222c可以不覆盖接触部CECNP。例如，第一功能层222a的边缘222ae和第二功能层222c的边缘222ce可以与无机接触区域ICA分开一定距离，且接触部CECNP在其间。
图7示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且与沿着图3的线VII-VII'截取的剖面对应，图8示出了根据实施例的显示装置的一部分的放大平面图。
参照图3和图7，间隔件217可以定位在基底100的岛部101上。间隔件217可以定位在无机接触区域ICA与岛部101的边缘之间。间隔件217可以防止显示装置1的包括设置在间隔件217下方的层的构造被可以在形成中间层222和对电极223的工艺中使用的掩模损坏。
用于形成中间层222的掩模的开口区域的尺寸和用于形成对电极223的掩模的开口区域的尺寸可以彼此不同。例如，用于形成第一功能层222a和第二功能层222c的掩模的开口区域可以比用于形成对电极223的掩模的开口区域小。如以上参照图6A和图6B所描述的，第一功能层222a和第二功能层222c中的每者可以具有覆盖基底100的岛部101上的发射区域的区域。例如，如图7中所示，第一功能层222a的边缘222ae和第二功能层222c的边缘222ce中的每者可以定位在间隔件217的上表面上，并且对电极223的端部可以比第一功能层222a的边缘222ae和第二功能层222c的边缘222ce更朝向基底100的边缘延伸。
间隔件217可以包括诸如PI的有机绝缘材料。间隔件217可以包括与像素限定层215的材料相同的材料，并且可以在可以用于形成像素限定层215的相同的掩模工艺中形成。间隔件217可以如图3中所示被第二无机接触区域ICA'围绕。换句话说，第二无机接触区域ICA'可以位于间隔件217的外围周围。第二无机接触区域ICA'可以与以上参照图5描述的无机接触区域ICA相似地形成。
例如，第三无机绝缘层214的端部可以在间隔件217的宽度方向(即，与基底100的上表面平行的水平方向)上延伸，并且可以在水平方向上比第三无机绝缘层214下方的至少一层更突出以形成尖端PT'。例如，如图7的间隔件217的左部处所示，第三无机绝缘层214的端部可以在水平方向上延伸得比第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213的侧表面更远离间隔件217以形成悬垂部。此外，如图7的间隔件217的右部处所示，第三无机绝缘层214的端部可以在水平方向上延伸得比第三有机绝缘层213的侧表面更远离间隔件217以形成悬垂部。换句话说，第三无机绝缘层214可以延伸超过第三有机绝缘层213的侧表面的面对部分以形成尖端PT'。第三无机绝缘层214的端部(例如，尖端PT'的底表面214B')可以直接接触第一无机封装层310以形成第二无机接触区域ICA'。换句话说，尖端PT'的底表面214B'可以与第一无机封装层310并排以形成第二无机接触区域ICA'。
无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'可以如图3和图7中所示彼此分开，并且在无机接触区域ICA与第二无机接触区域ICA'之间可以存在间隙部GP。间隙部GP可以相对于经过间隙部GP的中心的假想线VL形成凹槽，在凹槽的两侧处形成有无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'的悬垂部。如图8中所示，间隙部GP可以沿着无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'的边缘延伸，并且在无机接触区域ICA与第二无机接触区域ICA'之间延伸。
如图7中所示，悬垂部可以形成在间隙部GP的每侧处。例如，由于第三无机绝缘层214的端部可以比第三无机绝缘层214下方的第三有机绝缘层213的侧表面更朝向间隙部GP的中心突出，所以可以形成尖端PT和PT'。由于尖端PT的底表面214B和尖端PT'的底表面214B'可以直接接触第一无机封装层310，所以可以分别形成无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'。换句话说，由于尖端PT的底表面214B和尖端PT'的底表面214B'可以与第一无机封装层310并排，所以可以分别形成无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'。
如以上描述的，由于间隙部GP的两侧处的悬垂部，第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以从像素限定层215上断开。
与间隙部GP的两侧处的悬垂部中的每者对应的凹陷R'和沿着岛部101的边缘形成的凹陷R可以一起(即，同时)形成。然而，由于间隙部GP处的第二无机绝缘层212的形成，可以防止与间隙部GP的两侧处的悬垂部对应的凹陷R'完全延伸穿过第三有机绝缘层213。第二无机绝缘层212可以具有比间隙部GP的底表面的宽度GP-W大的宽度。第二无机绝缘层212可以在形成悬垂部和凹陷R'的工艺中用作例如蚀刻停止件。第二无机绝缘层212可以包括包含无机绝缘材料(诸如SiNx、SiOx和SiON)的无机绝缘层。
图9示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图并且与沿着图3的线IX-IX'截取的剖面对应，图10示出了根据实施例的显示装置的无机接触区域和第二无机绝缘层的平面图。
参照图9，基底100的岛部101和连接部102可以与如图3和图7中相似地一体地形成。分别向岛部101上的像素电路PC和对电极223提供第一电源电压和第二电源电压的第一电源电压供应线WLD和第二电源电压供应线WLS可以延伸到连接部102上。信号线WL可以连接到像素电路PC，并且可以在从岛部101延伸到连接部102上的同时将数据信号和/或扫描信号施加到像素电路PC。例如，信号线WL可以包括数据线和/或扫描线。
第一有机绝缘层209可以支撑第一电源电压供应线WLD，并且可以从岛部101延伸到连接部102上。同样地，第二有机绝缘层211可以支撑第二电源电压供应线WLS，并且可以从岛部101延伸到连接部102上。信号线WL可以定位在第一有机绝缘层209下方。
岛部101上的无机绝缘层可以不延伸到连接部102上。例如，缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的边缘可以定位在岛部101上，并且可以被有机材料层220覆盖。相似地，第一无机绝缘层208和第三无机绝缘层214可以不延伸到连接部102上。
如图3和图9中所示，无机接触区域ICA可以定位在岛部101上与连接部102相邻。如以上参照图5的放大图所描述的，因为第三无机绝缘层214的具有悬垂部的端部(例如，尖端PT的底表面214B)接触第一无机封装层310，所以可以形成无机接触区域ICA。第三无机绝缘层214可以不定位在连接部102上。
第一功能层222a和第二功能层222c可以定位在岛部101上并且可以不延伸到连接部102上。然而，对电极223可以定位在岛部101和连接部102上，并且可以由于由第三无机绝缘层214的尖端PT形成的悬垂部而从像素限定层215上断开。根据另一实施例，在用于形成对电极223的掩模的开口区域的尺寸可以被调整为不覆盖连接部102的情况下，对电极223可以不定位在连接部102上。
为了防止在用于在第三无机绝缘层214的端部突出超过第三有机绝缘层213的侧表面处形成悬垂部的工艺(例如，蚀刻工艺)中对第二电源电压供应线WLS的损坏，第二无机绝缘层212可以定位在第二电源电压供应线WLS上。第二无机绝缘层212的至少一部分可以与无机接触区域ICA叠置或面对。例如，如图10中所示，第二无机绝缘层212可以定位在岛部101与每个连接部102之间，并且第二无机绝缘层212的一部分可以与无机接触区域ICA叠置或面对。
虽然封装层300的有机封装层320仅定位在每个岛部101上，但是第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地形成为定位在岛部101和连接部102上。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以接触尖端PT的底表面214B并且与尖端PT的底表面214B并排以形成无机接触区域ICA，并且可以连续地延伸以在连接部102上彼此接触。
根据参照图1至图9描述的实施例，封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320。然而，在实施例中，封装层300的有机封装层320可以被省略。例如，封装层300可以包括仅一个或更多个无机封装层。然而，封装层300的实施例不限于此。
图9示出了图3中示出的岛部101与四个连接部102中的任一个之间的示意性剖面构造。然而，实施例可以不限于此。图3中示出的岛部101与其他连接部102之间的构造可以与以上参照图9描述的构造相同。
图11是根据实施例的显示装置的基本单元的结构的平面图。
参照图11，像素可以布置在基底100的岛部101上，并且每个像素可以包括显示元件。从显示元件发射的光可以通过在平面视角中具有预定面积的发射区域来提供。例如，如图11中所示，红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg可以彼此以预定的距离定位或设置在岛部101上。
基底100可以包括连接部102，连接部102可以与以上描述的岛部101一体地形成并且从岛部101的边缘或多个边缘延伸。其详细结构如以上描述。
在平面视角中，岛部101可以被间隔件217完全围绕，间隙部GP可以布置在间隔件217内侧或与间隔件217并排布置。
无机接触区域(在下文中，被称为第一无机接触区域ICA)可以布置在间隙部GP内侧或与间隙部GP并排布置，另一无机接触区域(在下文中，被称为第二无机接触区域ICA')可以布置在间隙部GP外侧。第一无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'可以彼此间隔开，且间隙部GP在其间。
第三无机接触区域ICA”可以与第二无机接触区域ICA'间隔开，且间隔件217在其间。发射区域(例如，红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg)可以被第一无机接触区域ICA、第二无机接触区域ICA'和第三无机接触区域ICA”围绕或完全围绕。
如以上描述的，发射区域之间的距离可以是恒定的，用于将预定或选择的电压施加到每个显示元件的对电极的接触部(或者，例如，对电极接触部CECNP)可以设置在无机接触区域ICA内侧。例如，红色发射区域EAr与蓝色发射区域EAb之间的距离d3可以与蓝色发射区域EAb与绿色发射区域EAg之间的距离d4基本上相等。然而，距离不限于此。对电极接触部CECNP可以定位或设置在岛部101内部，与第一无机接触区域ICA相邻。
图12是根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且可以与沿着图11的线XII-XII'截取的剖面对应。
参照图12，绝缘层(诸如缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第一无机绝缘层208、第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213)可以形成或设置在基底100的岛部101上。
缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每个的边缘可以从岛部101的边缘向内定位或设置，并且可以被有机材料层220覆盖。
间隙部GP可以定位或设置在第一无机接触区域ICA与第二无机接触区域ICA'之间。间隙部GP可以是这样一种类型的凹槽：在该凹槽中，在剖视图中，悬垂结构或多个悬垂结构可以关于穿过间隙部GP的中心的虚拟竖直线形成在其相对侧上。
悬垂结构可以相对于间隙部GP的中心形成在侧面处。例如，第三无机绝缘层214的端部可以比第三有机绝缘层213的侧表面更朝向间隙部GP的中心突出以形成尖端PT和PT'，第三有机绝缘层213可以定位或设置在第三无机绝缘层214下方，并且可以限定凹陷R'。如以上描述的，第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以通过定位或设置在间隙部GP的侧面处的悬垂结构或多个悬垂结构而断开或分离。
如图12中所示，第三有机绝缘层213的与间隙部GP对应的凹陷R'可以在第三有机绝缘层213的厚度方向上具有凹入形状。如图12中所示，凹陷R'可以不穿透第三有机绝缘层213，凹陷R'的深度可以比第三有机绝缘层213的厚度小。根据另一实施例，例如，如以上参照图7描述的，凹陷R'可以穿透第三有机绝缘层213。
第一无机封装层310可以直接接触尖端PT的底表面214B1和尖端PT'的底表面214B2以分别形成第一无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'。
例如，第三无机绝缘层214的与定位或设置在间隙部GP内侧的尖端PT对应的底表面214B1可以接触或直接接触第一无机封装层310，因此可以形成第一无机接触区域ICA。第三无机绝缘层214的与定位或设置在间隙部GP外侧的尖端PT'对应的底表面214B2可以接触或直接接触第一无机封装层310，因此可以形成第二无机接触区域ICA'。
在第三无机绝缘层214的在远离岛部101的中心的方向上突出的尖端PT”的底表面214B3接触第一无机封装层310的同时，可以形成关于间隔件217与第二无机接触区域ICA'间隔开的第三无机接触区域ICA”。第三无机绝缘层214的远离岛部101的中心延伸的尖端PT”可以在水平方向上比第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213的侧表面更突出，第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213可以布置在第三无机绝缘层214下方，并且可以限定凹陷R。
对电极223可以通过第三无机接触区域ICA”下方的凹陷R断开。就这一点而言，图12示出了对电极223的一部分可以布置在第一无机绝缘层208上。
封装层300的有机封装层320可以填充间隙部GP的至少一部分。有机封装层320的边缘可以定位或设置在间隔件217内侧。第二无机封装层330可以朝向第一无机封装层310的边缘延伸超过有机封装层320的边缘。第二无机封装层330和第一无机封装层310可以在间隔件217上和/或在显示装置的侧面上彼此接触。
发光二极管LED可以具有包括像素电极221、中间层222和对电极223的堆叠结构。布置在中间层222的发射层222b下方和上方的第一功能层222a的边缘222ae和第二功能层222c的边缘222ce可以布置在间隔件217上。例如，以上参照图7描述了其详细的描述。
如图12中所示，封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320。然而，在其他实施例中，封装层300的有机封装层320可以被省略。例如，封装层300可以包括仅一个或更多个无机封装层。然而，实施例不限于此。
图13是根据实施例的显示装置的基本单元的结构的平面图，图14示出了沿着图13的线XIV-XIV'截取的剖面的示意性剖视图。
参照图13，红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg可以定位或设置在基底100的岛部101上。如以上描述的，岛部101可以通过连接部102连接到相邻的岛部101，连接部102可以与岛部101一体地形成，并且从岛部101的边缘或多个边缘延伸。
在平面视角中，岛部101可以被间隔件217围绕或完全围绕，间隙部GP可以布置在间隔件217内侧或与间隔件217并排布置。
第一无机接触区域ICA可以布置在间隙部GP的内侧或与间隙部GP并排布置，第二无机接触区域ICA'可以布置在间隙部GP外侧或与间隙部GP并排布置。第一无机接触区域ICA和第二无机接触区域ICA'可以彼此间隔开，间隙部GP在其间。
与参照图11描述的显示装置不同，图13中示出的显示装置可以不包括如图11中示出的第三无机接触区域ICA”。
根据实施例，如图14中所示，例如，布置在基底100上的绝缘层的边缘可以与基底100的岛部101的边缘布置在同一竖直线上。基底100的侧表面(例如，岛部101的侧表面)、基底100上的绝缘层的侧表面(例如，有机材料层220的侧表面、第一有机绝缘层至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面以及第三无机绝缘层214的侧表面)以及像素限定层215的侧表面可以覆盖有第一无机封装层310和第二无机封装层330。与参照图12描述的显示装置不同，图14中示出的显示装置可以不包括如图12中示出的第三无机接触区域ICA”。然而，其他组件的特征可以与参照图12描述的其他组件的特征相同或相似。就这一点而言，在图14中，相同的附图标记用于与图12中示出的组件相同的组件。
图15是根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且可以与沿着图11的线XII-XII'截取的示意性剖面对应。
参照图15，与第三无机接触区域ICA”相关的结构可以与参照图12描述的结构不同。在下文中，在图15的组件之中，与图12的组件相同的组件在图15中使用相同的附图标记示出，为了便于描述，将基于差异做出下面的描述。
参照图15，第三无机接触区域ICA”可以使用基底100的岛部101与像素电极221之间的层219形成。层219可以包括与有机材料不同的材料。层219可以包括包含无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅)的无机绝缘层，或者可以包括包含金属的金属层。包括在层219中的金属层可以包括金属元素(例如，钼、钛和/或铝)，金属元素不会包括碳。金属层可以因为其不会包括碳而被分类为无机材料层。
可以蚀刻第一有机绝缘层209的一部分以形成凹陷R。凹陷R可以布置在层219下方。层219可以比可以限定凹陷R的第一有机绝缘层209的侧表面在水平方向上更突出以形成尖端PT”。
对电极223可以通过形成为层219的一部分的悬垂结构或多个悬垂结构而断开，例如，层219的边缘可以比第一有机绝缘层209的侧表面更突出。就这一点而言，图15示出了对电极223的一部分可以布置在凹陷R的底表面上，例如，布置在第一无机绝缘层208上。
层219的尖端PT”的底表面219B3可以接触或直接接触第一无机封装层310。层219的底表面219B3与第一无机封装层310之间的接触部分可以形成第三无机接触区域ICA”。当层219包括无机绝缘材料时，层219与第一无机封装层310之间的接触部分(例如，第三无机接触区域ICA”)可以包括无机绝缘材料之间的接触。层219可以包括如以上描述的金属。金属可以因为其不会包括碳而被分类为无机材料，因此，层219与第一无机封装层310之间的接触部分(例如，第三无机接触区域ICA”)可以包括无机绝缘材料与金属之间的接触。
图15示出了朝向间隙部GP的中心突出的尖端PT和PT'可以是第三无机绝缘层214的部分，并且第三无机绝缘层214的尖端PT和PT'可以接触第一无机封装层310。作为实施例，参照图16，朝向间隙部GP的中心突出的尖端PT和PT'可以是层219的部分。
图16是根据实施例的显示装置的示意性剖视图，并且可以与沿着图11的线XII-XII'截取的示意性剖面对应。在下文中，在图16的组件之中，与图12的组件相同的组件可以在图16中使用相同的附图标记示出，为了便于描述，将基于差异做出下面的描述。
参照图16，层219可以包括与间隙部GP叠置的孔。层219限定层219中的孔，并且可以包括朝向间隙部GP的中心延伸的尖端PT和PT'。
例如，层219可以具有朝向间隙部GP的中心延伸的一对尖端PT和PT'以及朝向基底100(例如，岛部101)的边缘延伸的尖端PT”。朝向岛部101的边缘延伸(或者在远离岛部101的中心的方向上水平延伸)的尖端PT”的结构如参照图15描述的。
朝向间隙部GP的中心延伸的一对尖端PT和PT'在水平方向上延伸，并且可以比直接布置在尖端PT和PT'下方的至少一层(例如，第一有机绝缘层209)的侧表面更朝向间隙部GP的中心突出。这里，第一有机绝缘层209的侧表面可以表示第一有机绝缘层209的限定凹陷R'的侧表面。
设置在中间层222中的至少一个有机层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以通过形成为层219的部分的悬垂结构或多个悬垂结构而断开，例如，所述一对尖端PT和PT'可以比第一有机绝缘层209的侧表面更突出。相似地，对电极223也可以通过以上描述的悬垂结构或多个悬垂结构而断开。
在第一有机绝缘层209的至少一部分可以在第一有机绝缘层209的厚度方向上被去除的同时，可以形成第一有机绝缘层209的凹陷R和R'。根据第一有机绝缘层209的在厚度方向上的去除程度，凹陷R和R'的深度可以等于或小于第一有机绝缘层209的厚度。
在包括第一有机绝缘层209、层219、第二有机绝缘层211、第三有机绝缘层213、第三无机绝缘层214和像素限定层215的堆叠结构可以在堆叠结构的厚度方向上被去除的同时，可以形成间隙部GP。在实施例中，间隙部GP可以具有其中第一有机绝缘层209的凹陷R'、穿过层219的孔、穿过第二有机绝缘层211的孔、穿过第三有机绝缘层213的孔、穿过第三无机绝缘层214的孔和穿过像素限定层215的孔可以在竖直方向上彼此叠置的结构。
封装层300的第一无机封装层310可以接触或直接接触层219的尖端PT的底表面219B1、尖端PT'的底表面219B2和尖端PT”的底表面219B3以分别形成第一无机接触区域ICA、第二无机接触区域ICA'和第三无机接触区域ICA”。
图15和图16示出了层219可以布置在像素电极221下方并且可以布置在第一有机绝缘层209上。然而，在其他实施例中，层219可以布置在第二有机绝缘层211上或布置在第三有机绝缘层213上。
图15和图16示出了第一无机接触区域ICA、第二无机接触区域ICA'和第三无机接触区域ICA”。然而，在其他实施例中，第一无机接触区域ICA、第二无机接触区域ICA'和第三无机接触区域ICA”中的一个可以被省略。例如，如以上参照图13和图14描述的，第三无机接触区域ICA”可以被省略。
图15和图16示出了封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320。然而，在其他实施例中，封装层300的有机封装层320可以被省略。例如，封装层300可以包括仅一个或更多个无机封装层。然而，公开不限于此。
根据一个或更多个描述的实施例，可以提供用于封装显示单元的构造。因此，无机绝缘层的一部分可以具有悬垂部。此外，可以改善基底的空间可用性。
应该理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性的含义考虑，并且不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施例中的其他相似的特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (23)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括岛部和从所述岛部在彼此不同的方向上延伸的多个连接部；
显示单元，位于所述岛部上，所述显示单元包括至少一个显示元件；以及
封装层，覆盖所述至少一个显示元件，并且包括无机封装层和有机封装层，
其中，所述显示单元包括：
至少一个有机绝缘层；以及
无机绝缘层，位于所述至少一个有机绝缘层上，所述无机绝缘层具有尖端，所述尖端在与所述基底的上表面平行的方向上突出超过所述至少一个有机绝缘层的侧表面，并且
所述无机封装层与所述无机绝缘层的所述尖端并排。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机封装层与所述无机绝缘层的所述尖端的底表面并排。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述无机封装层的一部分从所述尖端的所述底表面延伸，并且覆盖所述至少一个有机绝缘层的所述侧表面和所述基底的侧表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个显示元件包括发射红光的第一显示元件、发射蓝光的第二显示元件和发射绿光的第三显示元件，并且
根据平面图，所述无机绝缘层的所述尖端位于所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件周围。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个显示元件包括：
像素电极，位于所述无机绝缘层上；
像素限定层，位于所述像素电极上，所述像素限定层具有与所述像素电极叠置的开口；
中间层，具有与所述像素电极叠置的发射层；以及
对电极，位于所述中间层上，
其中，所述对电极覆盖所述岛部。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述中间层包括位于所述像素电极与所述对电极之间的至少一个功能层。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述无机封装层和所述无机绝缘层的所述尖端彼此并排处的区域是无机接触区域，所述无机接触区域位于所述至少一个显示元件周围。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
间隔件，位于所述岛部上，
其中，所述无机接触区域的一部分位于所述间隔件与所述至少一个显示元件之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，在平面图中，所述无机绝缘层具有突出超过所述至少一个有机绝缘层的所述侧表面的第二尖端，所述无机封装层与所述无机绝缘层的所述第二尖端并排，并且所述无机封装层和所述无机绝缘层的所述第二尖端彼此并排处的区域是第二无机接触区域，所述第二无机接触区域与所述无机接触区域分开，并且位于所述间隔件周围。
10.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
电源电压供应线，位于所述岛部上，
其中，所述对电极与所述电源电压供应线之间的接触部分位于所述无机接触区域内侧的区域内部。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述电源电压供应线从所述岛部延伸到所述多个连接部之中的至少一个连接部上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二无机绝缘层，位于所述岛部与所述至少一个连接部之间，
其中，所述第二无机绝缘层覆盖所述电源电压供应线的上表面的一部分，并且与所述无机接触区域叠置。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底包括重复地布置的基本单元，所述基本单元均包括所述岛部和所述多个连接部，并且
闭合线形成在所述基本单元之中的相邻基本单元之间，其中，所述闭合线限定其中不存在所述岛部的部分和所述多个连接部的部分的间隔区域。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
多个显示单元，位于所述基底上，并且彼此分开；以及
封装层，位于所述多个显示单元上，所述封装层包括无机封装层和有机封装层，
其中，所述基底包括彼此分开的多个岛部和连接相邻的岛部的多个连接部，并且
所述多个显示单元均布置在对应的岛部上，其中，布置在所述多个岛部之中的第一岛部上的第一显示单元包括：
像素电路，包括薄膜晶体管和存储电容器；
至少一个有机绝缘层，位于所述像素电路上；
无机绝缘层，位于所述至少一个有机绝缘层上；以及
显示元件，电连接到所述像素电路，并且包括像素电极、包含发射层的中间层以及对电极，
其中，所述无机绝缘层包括尖端，所述尖端在与所述基底的上表面平行的方向上突出超过所述至少一个有机绝缘层的侧表面，所述尖端与所述无机封装层并排。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述无机封装层与所述无机绝缘层的所述尖端的底表面并排。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述无机封装层从所述尖端的所述底表面延伸，并且覆盖所述至少一个有机绝缘层的所述侧表面和所述第一岛部的侧表面。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述至少一个有机绝缘层的在厚度方向上的凹陷位于所述无机绝缘层的所述尖端下方。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二无机绝缘层，与所述凹陷叠置，
其中，所述凹陷的底表面与所述第二无机绝缘层的上表面位于同一平面上。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层的所述尖端和所述无机封装层彼此并排处的区域是所述显示元件周围的无机接触区域。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述多个连接部包括第一连接部，所述第一连接部连接所述第一岛部和与所述第一岛部相邻的第二岛部，并且
电连接所述第一显示单元和所述第二岛部上的第二显示单元的线布置在所述第一连接部上，
其中，所述线与所述无机接触区域的一部分叠置。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述线包括电连接到所述对电极的电源电压供应线，
其中，所述电源电压供应线与所述对电极之间的接触部分位于所述无机接触区域内侧的区域内部。
22.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
间隔件，位于所述第一岛部上，
其中，所述无机接触区域的一部分位于所述间隔件与所述显示元件之间，
其中，所述无机绝缘层的位于所述无机接触区域与所述间隔件之间的部分包括第二尖端，所述第二尖端在与所述基底的所述上表面平行的所述方向上突出超过所述至少一个有机绝缘层的所述侧表面，并且
所述无机封装层与所述第二尖端并排以形成第二无机接触区域，并且
其中，在平面图中，所述第二无机接触区域与所述无机接触区域分开，并且位于所述间隔件周围。
23.根据权利要求22所述的显示装置，所述显示装置还包括：
凹槽，位于所述无机接触区域与所述第二无机接触区域之间，
其中，所述尖端和所述第二尖端中的每者朝向所述凹槽的中心突出，并且
所述对电极和包括在所述中间层中的至少一个有机材料层均被所述尖端和所述第二尖端分开。
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