CN111092030A - 接合零件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种通过摩擦搅拌焊接来焊接被接合部件而成的接合零件。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过摩擦搅拌焊接而焊接的供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件。
背景技术
在对半导体基板或玻璃等沉积薄膜的技术中,使用利用化学反应进行沉积的化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)或原子层沉积法(Atomic LayerDeposition,ALD)。
像这种化学气相沉积或原子层沉积等一样执行薄膜沉积的装备用于制造半导体元件。于这种薄膜沉积装备中,为了供给在晶片上沉积薄膜所需的反应处理流体而在腔室内主要具备簇射头。簇射头发挥将反应处理流体以薄膜沉积所要求的适当的分布喷射到晶片上的作用。
作为这种簇射头,公知有韩国注册专利第10-0769522号(以下,称为“专利文献1”)中所记载的簇射头。
专利文献1可通过导引槽将流入在主孔及辅助孔的反应气体喷射到晶片表面。
另一方面,在用以制造显示器的真空腔室内部具有使气体均匀地喷射到玻璃上的导流器(diffuser)。显示器是向阵列基板与彩色滤光片基板之间注射液晶而利用其特性获得图像效果的非发光元件。这种阵列基板及彩色滤光片基板分别通过在包括玻璃等材质的透明玻璃上进行数次薄膜沉积、图案化及蚀刻制程而制造。在此情况下,在反应物质及源物质以气态流入到真空腔室内部而想要进行沉积制程时,所流入的气体通过导流器而沉积到设置在基座上的玻璃上并形成膜质。
作为这种导流器,公知有韩国注册专利第10-1352923号(以下,称为“专利文献2”)中所记载的导流器。
在专利文献2中,所述导流器配置到腔室内的上部区域,向玻璃基板的表面提供沉积物质。
如专利文献1的簇射头及专利文献2的导流器的流体透过部件会受到密闭的制程腔室内的温度的影响。在流体透过部件受到温度的影响的情况下,流体透过部件本身会产生温度偏差而发生变形。因此,产生处理流体分配方向及密度不均匀的问题。换句话说,具有如下问题:在流体透过部件受到制程腔室内的温度的影响的情况下,产品发生变形,对产品的功能造成不良影响。
另一方面,为了弥补流体透过部件根据温度受到的不良影响,可考虑通过像图1一样在流体透过部件的内部形成可调节温度的空间而调节温度。作为用以制造在内部具备可调节温度的空间的流体透过部件的方法,可利用熔融金属填充材料进行焊接或接合的方式。图1是表示成为本发明的构思背景的技术的图,其是将利用熔融金属填充材料进行焊接或接合的方式制造的流体透过部件局部放大而表示的图。图1的(a)是表示利用熔融金属填充材料进行焊接或接合的方式前的被接合部件1的图,图1的(b)是表示利用熔融金属填充材料进行焊接或接合的方式后制造的流体透过部件的一部分的图。
如图1的(a)所示,可在各被接合部件1的界面对向地形成用以形成温度调节空间的沟槽2。熔融金属填充材料而焊接或接合形成有沟槽2的被接合部件1,在焊接或接合后,可通过穿孔方式在未形成温度调节空间的区域形成孔4。
然而,上述背景技术是利用金属填充材料(例如,在焊接的情况下为焊材(fillermetal))在熔融状态下进行焊接或接合的方式,因此会产生如下问题:在通过孔4注入处理流体的情况下,作为焊接或接合部位的焊接部或接合部3的金属填充材料暴露到处理流体而腐蚀加深。具体而言,背景技术呈在孔4的内壁也存在焊接部或接合部3的状态,因此会产生如下问题:因通过孔4的内壁的处理流体而焊接部或接合部3露出,从而发生腐蚀。
这种问题会通过作为被接合部件1间的界面的焊接部或接合部3传达到如沟槽2的温度调节空间而对温度调节空间造成不良影响。其结果,会导致温度调节空间产生严重的功能误差。在产生温度调节空间的功能误差的情况下,会产生如下问题:流体透过部件的温度变得不均匀而孔4的位置发生变形,产品本身发生变形。因此,具有会产生流体透过部件的功能误差的问题。
如上所述,根据成为本发明的构思背景的技术,现有的熔融接合方式具有会引起各种问题的缺点。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)韩国注册专利第10-0769522号
(专利文献2)韩国注册专利第10-1352923号
发明内容
[发明欲解决的课题]
本发明是为了解决上述问题而提出,其目的在于提供一种通过摩擦搅拌焊接制成可调节温度的构造,从而可确保温度的均匀性,将产品的变形最小化的接合零件。
[解决课题的手段]
本发明的一特征的供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于包括:中空通道,形成到所述接合零件的内部,具备温度调节单元;以及孔,上下贯通所述被接合部件,供所述处理流体通过;且通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
本发明的另一特征的供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于包括:中空通道,形成到所述接合零件的内部,具备温度调节单元;以及孔,上下贯通通过所述摩擦搅拌焊接形成的焊接区域的至少一部分重叠而成的重叠部,供所述处理流体通过;且通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
另外,所述供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件的特征在于:通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域沿所述中空通道形成。
另外,所述供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件的特征在于:所述温度调节单元为流体。
另外,所述供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件的特征在于:所述温度调节单元为热线。
另外,所述供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件的特征在于:按照3mm以上且15mm以下的相隔距离形成多个所述孔。
另外,所述供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件的特征在于:所述接合零件具备到蚀刻装备、清洗装备、热处理装备、离子注入装备、溅镀装备或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)装备。
本发明的另一特征的供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于包括:多个孔,上下贯通所述被接合部件,供所述处理流体通过;以及中空通道,具备到所述孔与孔之间,具备温度调节单元;且按照3mm以上且15mm以下的相隔距离形成所述孔,通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
本发明的另一特征的供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过的接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于包括:多个中空通道,形成到所述接合零件的内部,具备温度调节单元;以及至少两个孔,在所述中空通道与中空通道之间上下贯通所述被接合部件,供所述处理流体通过;且按照3mm以上且15mm以下的相隔距离形成所述孔,通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
[发明效果]
如上所述,本发明的接合零件可发挥如下效果:阻断中空通道与孔之间的不良的相互作用而有效地确保产品本身的温度均匀性,因此可将产品变形最小化且不产生功能误差。
附图说明
图1是概略性地表示本发明的背景的图。
图2是概略性地表示通过作为本发明的技术特征的摩擦搅拌焊接而焊接的本发明的优选的第一实施例的图。
图3(a)及图3(b)是表示本发明的第一实施例的接合零件的图。
图4是概略性地表示图3(a)及图3(b)的制造顺序的图。
图5是概略性地表示本发明的第二实施例的制造顺序的图。
图6是概略性地表示本发明的第二实施例的第一变形例的制造顺序的图。
图7是概略性地表示本发明的第二实施例的第二变形例的制造顺序的图。
图8是表示中空通道为一层构造的情况下的冷却流体或加热流体的流动方向的图。
图9是概略性地表示本发明的第三实施例的制造顺序的图。
图10是表示本发明的第三实施例的变形例的图。
图11(a)到图11是表示中空通道为多层构造的情况下的冷却流体或加热流体的流动方向的图。
图12是概略性地表示半导体制程装备的图。
图13是概略性地表示显示器制程装备的图。
具体实施方式
以下内容仅例示发明的原理。因此,虽未在本说明书中明确地进行说明或图示,但本领域技术人员可实现发明的原理而发明包括在发明的概念与范围内的各种装置。另外,应理解,本说明书中所列举的所有附有条件的术语及实施例在原则上仅明确地用于理解发明的概念,并不限制于像这样特别列举的实施例及状态。
上述目的、特征及优点根据与附图相关的以下的详细说明而变得更明确,因此发明所属的技术领域内的普通技术人员可容易地实施发明的技术思想。
参考作为本发明的理想的例示图的剖面图及/或立体图,对本说明书中所记述的实施例进行说明。为了有效地说明技术内容,夸张地表示这些附图中所示的部件及区域的厚度及孔的直径等。例示图的形态会因制造技术及/或容许误差等而变形。另外,附图中所示的孔的个数仅例示性地在附图中表示一部分。因此,本发明的实施例也包括根据制程发生的形态的变化,并不限制于所图示的特定形态。
在对各种实施例进行说明时,即便实施例不同,方便起见而也对执行相同的功能的构成要素赋予相同的名称及相同的参照符号。另外,方便起见,省略已在其他实施例中说明的构成及动作。
以下,参照附图,详细地对本发明的优选实施例进行说明。
图2是将通过作为本发明的技术特征的摩擦搅拌焊接而焊接的本发明的优选的第一实施例的接合零件100的焊接部位局部放大而概略性地表示的图。如图2的(a)所示,可通过摩擦搅拌焊接而焊接至少两个被接合部件1。在图2中,作为一例,表示为至少两个被接合部件1上下积层而通过摩擦搅拌焊接来焊接,但并不限定于此。
如图2所示,接合零件100包括:至少两个被接合部件1;中空通道200,形成到接合零件100的内部,具备温度调节单元;以及孔4,上下贯通被接合部件1,供处理流体通过。在被接合部件1上下积层而焊接的情况下,被接合部件1可包括在图中位于下部的第一被接合部件1a、及位于第一被接合部件1a的上部面的第二被接合部件1b。
如图2的(a)所示,可通过摩擦搅拌焊接而焊接第一被接合部件1a与第二被接合部件1b。被接合部件1的界面的至少一部分作为接触部位而通过摩擦搅拌焊接彼此接合来形成焊接区域w,除形成焊接区域w的接触部位以外的至少一部分可不接合。
例如,在焊接两个被接合部件的整个界面的情况下,两个被接合部件根据温度梯度而一体地进行动作。相反地,如本发明的优选实施例,在通过摩擦搅拌焊接而焊接至少两个被接合部件1的界面的至少一部分且未焊接至少一部分的情况下,被接合部件1在除焊接区域w以外的区域单独地进行动作。在局部焊接被接合部件1的构成中,截面面积上下分为两部分而通过弯曲力单独地进行动作,与此相反,在焊接整个被接合部件的构成中,截面面积通过弯曲力一体地进行动作。因此,与至少两个被接合部件1彼此整体焊接的构成相比,像本发明的实施例一样至少两个被接合部件1彼此局部地焊接的构成可更迅速地实现由温度调节单元进行的弯曲变形修正。
摩擦搅拌焊接为不使原材料熔融而进行焊接的方式,因此与现有的熔融焊接或接合方式相比,较少地产生因从液态变成固态产生的如气孔、凝固龟裂、残余应力等的缺陷。在被接合部件1的界面形成的接触部位通过摩擦搅拌焊接彼此接合的情况下,接触工具10b而产生热。此后,接触结合在工具10b的上部的焊料10a而扩大加热区域,之后因工具10b或被接合部件1移动而工具下方的原材料塑性流动,从而形成摩擦搅拌焊接焊块区(nuggetzone),由此实现接合。焊块区是因较高的热量及变形量而发生恢复与再结晶的部分,也将焊块区称为动态再结晶部。
以如下方式形成焊块区:不同于通过热进行熔融的普通焊接,通过摩擦热及搅拌而在熔点以下的固态下,原材料实现动态再结晶。焊块区的直径大于工具10b的直径且小于焊料10a的直径。焊块区的尺寸根据包括工具10b及焊料10a的焊接工具10的旋转速度而发生变化,如果旋转速度较快,则焊块区的尺寸减小。然而,如果旋转速度过快,则晶粒的形状变得不完整,会在晶粒不完整的部分产生缺陷。在摩擦搅拌焊接被接合部件1而混合而成的焊块区的周边,形成包覆焊块区周边形成的热-机械影响区(thermo-mechanicallyaffected zone,TMAZ)及包覆所述热-机械影响区形成的热影响区(heat affected zone,HAZ)。
热-机械影响区作为在与焊接工具10的焊料10a的接触面因摩擦引起的塑性变形而发生局部再结晶的部位,其是因摩擦而同时发生热变形及焊料10a的机械变形的区域。在热-机械影响区倾斜地分布因原材料的极其严重的塑性流动及变形而软化的结晶组织。
热影响区作为较热-机械影响区更受热影响的部分,产生斜线形状的晶粒,形成多个气孔。
通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w可包括所述焊块区、热-机械影响区及热影响区。优选地,焊接区域w中焊块区及热-机械影响区形成至被接合部件1的界面下方,但可为焊块区形成至被接合部件1的界面下方。
被接合部件1的材质只要为如下材质,则可包括任一材质:因高速旋转的工具10b与被接合部件1相互摩擦而产生摩擦热,因这种摩擦热而工具10b周边的被接合部件1软化,通过工具10b的搅拌,因被接合部件1塑性流动而可强制性地混合接合面的被接合部件1。构成接合零件100的被接合部件1的材质可包括铝、铝合金、钛、钛合金、镁、镁合金、碳钢或不锈钢中的至少一种。被接合部件1的材质可包括包含铝、铝合金、钛、钛合金、镁、镁合金等非铁金属及碳钢或不锈钢中的至少一种,材质并不限定于此。
在摩擦搅拌焊接至少两个被接合部件1的情况下,至少两个被接合部件1可包括异种的金属材质。例如,在第一被接合部件1a包括作为如上所述的材质的构成之一的铝的情况下,第二被接合部件1b可包括不锈钢。另一方面,被接合部件1也可包括同种的金属材质。例如,在第一被接合部件1a包括铝材质的情况下,第二被接合部件1b也可包括铝材质,在第一被接合部件1a为不锈钢的情况下,第二被接合部件1b也可包括不锈钢。摩擦搅拌焊接是以固态实现接合,因此可稳定地接合熔融点不同的部件。换句话说,可稳定地接合异种的金属材质。尤其,焊接区域w中包括的焊块区作为发生动态再结晶的区域,具有抗外部振动或冲击较强的构造。另外,焊接区域w中包括的热-机械影响区作为两个部件一同旋转而接合的区域,混合被接合部件1,因此可表现出抗外部冲击及振动较强的构造特征。与如在熔融状态下接合金属填充材料的焊接或接合方式的其他焊接相比,摩擦搅拌焊接无需热源、焊条、焊材(filler metal)等,因此在焊接过程中,不排出有害光线及有害物质。另外,由于发生动态再结晶,因此可防止会在熔融接合时产生的凝固龟裂,几乎不变形而机械性质优异。
如上所述,本发明在接合零件100的内部形成具有高强度及高焊接性的焊接区域w,去除具备温度调节单元的中空通道200与供处理流体通过的孔4之间的水平界面的至少一部分,从而可将在孔4的内部产生的颗粒向中空通道200移动的情况防患于未然。另外,防止通过孔4的处理流体沿水平界面渗入而到达中空通道200,防止通过中空通道200的如温度调节用流体的温度调节单元沿水平界面渗入而到达孔4。
被接合部件1可在至少任一界面形成沟槽2。因此,在第一被接合部件1a及第二被接合部件1b通过摩擦搅拌焊接彼此接合而形成为接合零件100时,在接合零件100的内部形成中空通道200。在界面形成沟槽2的情况下,被接合部件1可具备形成有沟槽2的沟槽区域及未形成沟槽2的非沟槽区域2'。例如,在第一被接合部件1a的界面形成沟槽2的情况下,第一被接合部件1a可具备沟槽区域及非沟槽区域2'。在此情况下,相互对向的第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的一区域不相互焊接,相互对向的第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的另一区域通过摩擦搅拌焊接而焊接,从而可形成焊接区域w。在此情况下,相互对向的第一被接合部件1a的非沟槽区域2'与第二被接合部件1b的另一区域的至少一部分通过摩擦搅拌焊接而焊接,从而可形成焊接区域w。
另一方面,在相互对向的第一被接合部件1a的非沟槽区域2'与第二被接合部件1b的另一区域中的未形成焊接区域w的位置,可上下贯通被接合部件1而形成孔4。如上所述的孔4供处理流体通过。孔4形成到相互对向的第一被接合部件1a的非沟槽区域2'与第二被接合部件1b的另一区域且未形成焊接区域w的位置,可优选为以可在中空通道200与孔4之间形成焊接区域w的方式形成。因此,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分,从而不产生因中空通道200与孔4间泄漏或腐蚀导致颗粒泄漏的影响等不良的相互作用。
如图2所示,被接合部件1形成为可嵌合的形态,从而可在通过摩擦搅拌焊接而接合前进行一次嵌合。可嵌合的形态的被接合部件1可在至少任一被接合部件1的界面形成如沟槽2的凹陷部,在其余任一被接合部件1的界面形成突起部7。在本发明中,作为一例,表示为在第一被接合部件1a的界面形成沟槽2且在第二被接合部件1b的界面形成突起部7而嵌合,但被接合部件1的形状并不限定于此。换句话说,被接合部件1可呈除嵌合形状以外的其他形状。另外,在本发明中,作为一例,表示为沟槽2及突起部7形成为上宽下窄的形态,但沟槽2及突起部7的形状并不限定于此。以下,表示为被接合部件1形成为可嵌合的形态而构成接合零件100来进行说明。
在第一被接合部件1a的界面可具备形成沟槽2的沟槽区域及未形成沟槽的非沟槽区域2'。另一方面,在第二被接合部件1b的界面可具备形成突起部7的突起部区域及未形成突起部7的非突起部区域7'。在此情况下,第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的突起部区域可相互对向,第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域相互对向。
形成到第一被接合部件1a的界面的沟槽2能够以深于突起部7的深度形成,以便在嵌合第二被接合部件1b的突起部7时,不使突起部7的下表面与沟槽2的下表面接触。因此,如果在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,则会在第一被接合部件1a的沟槽2与第二被接合部件1b的突起部7之间形成温度调节空间。在第一被接合部件1a与第二被接合部件1b通过摩擦搅拌焊接而焊接形成为接合零件100时,如上所述的温度调节空间可在接合零件100的内部形成中空通道200。
嵌合被接合部件1而会形成接触部位。接触部位通过摩擦搅拌焊接彼此接合,因此可形成焊接区域w。如图2的(a)所示,可在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b。在此情况下,可在第一被接合部件1a的沟槽2嵌合第二被接合部件1b的突起部7。第二被接合部件1b的突起部7的下表面不与第一被接合部件1a的沟槽2的下表面接触,第二被接合部件1b的突起部7的宽度方向上的左右外侧可与第一被接合部件1a的沟槽2的宽度方向上的左右内侧的至少一部分接触而嵌合。因此,在沟槽2与突起部7之间的水平界面形成接触部位。以下,作为一例,说明为以嵌合形态形成被接合部件1而通过摩擦搅拌焊接来焊接,因此以下提及的接触部位可指沟槽2与突起部7之间的界面。另外,在接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w,因此可在焊接区域w的范围内包括被接合部件1的水平界面的至少一部分。
在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,第一被接合部件1a的沟槽2的宽度方向上的左右内侧的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7的宽度方向上的左右外侧接触而形成的接触部位通过摩擦搅拌焊接彼此接合,因此可形成焊接区域w。具体而言,第一被接合部件1a的沟槽2的宽度方向左侧的内侧(图中)与第二被接合部件1b的突起部7的宽度方向左侧的外侧(图中)接触而在沟槽2与突起部7之间的水平界面形成接触部位,通过摩擦搅拌焊接接合如上所述的左侧接触部位的至少一部分,从而可形成焊接区域w。另外,第一被接合部件1a的沟槽2的宽度方向右侧的内侧与第二被接合部件1b的突起部7的宽度方向右侧的外侧接触而形成接触部位,通过摩擦搅拌焊接接合如上所述的右侧接触部位的至少一部分,从而可形成焊接区域w。分别通过摩擦搅拌焊接接合所嵌合的被接合部件1的左侧接触部位的至少一部分与右侧接触部位的至少一部分而形成焊接区域w,因此接合零件100可呈在至少一部分形成有多个焊接区域w的形态。
在第一实施例的接合零件100中,作为一例,表示为焊接区域w分别形成到如上所述的左侧接触部位、右侧接触部位的至少一部分来进行了说明,但焊接区域w将左侧接触部位的至少一部分、右侧接触部位的至少一部分包括到一个焊接区域w的范围内,因此宽于第一被接合部件1a的沟槽2及第二被接合部件1b的突起部的宽度,能够以低于中空通道200与孔4之间的水平界面,并且不超过第二被接合部件1b的突起部的高度的深度形成。
如上所述,由第一被接合部件1a的沟槽2及第二被接合部件1b的突起部7构成的温度调节空间、即接合零件100的中空通道200在被接合部件1的接触部位形成焊接区域w,由此可形成贯通接合零件100的内部的形态。可通过如下方式形成上述形态:在与中空通道200邻接的部位,由焊接区域w去除被接合部件1的界面。因此,可阻断可沿被接合部件1的界面流向中空通道200的颗粒及不良影响。
如图2的(b)所示,可在相互对向的第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域的至少一部分形成上下贯通被接合部件1且供处理流体通过的孔4。具体而言,在第一被接合部件1a的界面隔开地形成多个沟槽2,从而可形成为沟槽区域与非沟槽区域2'交错的形态。另外,在第二被接合部件1b的界面隔开地形成多个突起部7,从而可形成为突起部区域与非突起部区域7'交错的形态。在此情况下,第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的突起部区域相互对向,第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域相互对向。如上所述的第一被接合部件1a及第二被接合部件1b一次嵌合而形成接触部位,在接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的多个焊接区域w。
如图2的(b)所示,在接触部位的至少一部分及被接合部件1的水平界面的至少一部分形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w。因此,在第一被接合部件1a的沟槽2的左右侧内侧界面(图中)与第二被接合部件1b的突起部7的左右侧外侧界面(图中)之间形成非焊接部位。在具备到中空通道200的如冷却流体或加热流体(液体或气体)的温度调节单元在接合零件100的内部移动时,因如上所述的非焊接部位而所述温度调节单元的表面积A会变广。因非焊接部位而温度调节单元可移动的面积变广,从而可进一步提高接合零件100的温度调节效果。非焊接部位呈形成到焊接区域w的下部的形态,因此可由焊接区域w阻断流入因摩擦搅拌焊接产生的颗粒及不良颗粒的问题。
孔4是通过上下贯通相互对向的第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域的至少一部分而形成,因此可呈形成到焊接区域w与焊接区域w之间的形态。
在焊接区域w与焊接区域w之间上下贯通被接合部件1而形成的孔4可按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成多个。换句话说,孔4形成到焊接区域w与焊接区域w之间,可按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成多个。按照3mm以上至15mm以下的相隔距离保持适当间隔而形成孔4,由此更有效地达成作为温度调节空间的中空通道200的温度调节功能。
另一方面,可在接合零件100具备上下贯通被接合部件1的多个孔4,在孔4与孔4之间具备中空通道200。在此情况下,可按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成孔4。在如上所述的接合零件100中,以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w。因此,可阻断中空通道200与孔4间的不良的相互作用,可有效地执行具备在中空通道200的温度调节单元的功能。另外,由于按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成孔4,因此可更有效地执行中空通道200的温度调节功能。具体而言,如果孔4间的相隔距离过宽,则会产生具备在中空通道200的温度调节单元的温度调节功能下降的问题,如果孔4间的相隔距离过窄,则会难以在中空通道200具备温度调节单元。因此,优选为将孔4的相隔距离设为3mm以上至15mm以下。
孔4因焊接区域w而不与中空通道200产生不良的相互作用。具体而言,焊接区域w形成到被接合部件1的接触部位,由此形成为去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的形态。因此,即便不焊接形成孔4的部位的被接合部件1的界面,也可防止通过孔4的处理流体沿界面对中空通道200造成不良影响的情况。
图3(a)是表示本发明的优选的第一实施例的接合零件100的立体图,图3(b)是表示沿图3(a)的线A-A'切割的剖面的图。如图3(a)及图3(b)所示,接合零件100包括第一被接合部件1a及第二被接合部件1b、中空通道200、孔4。以下,表示为接合零件100呈具有四边剖面的形状,但接合零件100的剖面形状并不限定于此,可根据构成而具有适当的剖面形状。
如图3(a)所示,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w沿中空通道200形成,因此可去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分。
可在中空通道200具备温度调节单元(未图示)。
温度调节单元具备到形成到被接合部件1的界面中的至少任一界面的沟槽2,因此可呈具备在形成在接合零件100的内部的中空通道200的形态。因此,接合零件100可执行通过温度调节单元调节接合零件100本身的温度的功能。接合零件100具备温度调节单元,由此可获得如下效果:可确保温度的均匀性,将因产品变形而导致丧失功能的问题最小化。
温度调节单元可为流体。在此情况下,流体可为包括冷却流体(液体、气体)或加热流体(液体、气体)在内的任一种流体。在温度调节单元为流体的情况下,接合零件100可根据流体而执行作为冷却区块或加热区块的功能。另一方面,也可具备热线作为温度调节单元。具备流体或热线作为温度调节单元,由此接合零件100具有冷却及/或加热功能。
孔4可由通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w包围而上下贯通被接合部件1来形成。在此情况下,能够以多个孔按照3mm以上至15mm以下的相隔距离由焊接区域w包围的方式形成所述孔4。
接合零件100的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分。因此,阻断中空通道200与孔4间的相互物理、化学作用。
在利用如图1所示的焊接或接合方式接合被接合部件1的情况下,如图1的(b)所示,在第一被接合部件1a与第二被接合部件1b的接触部位形成焊接部或接合部3。并且,这种焊接部或接合部3暴露到向孔4注入的处理流体。这种情况引发腐蚀孔4的内壁及产生颗粒的问题,颗粒沿焊接部或接合部3向中空通道200移动而对中空通道200的功能造成不良影响。
然而,在本发明的接合零件100中,被接合部件1的通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的一部分,因此可呈中空通道200与孔4间阻隔的形态。因此,在孔4产生的腐蚀或泄漏问题沿界面流入到中空通道200前在焊接区域w阻断,因此阻断中空通道200与孔4间的相互物理、化学作用。
换句话说,在本发明中,接合零件100的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的一部分,因此在中空通道200与孔4之间形成去除至少一部分的界面而成的无交界区域。因此,不产生中空通道200与孔4间的不良的相互作用。
图4是概略性地表示本发明的第一实施例的接合零件100的制造顺序的图。
首先,如图4的(a)所示,具备位于图中下部的第一被接合部件1a,在第一被接合部件1a的上部面具备第二被接合部件1b。在第一被接合部件1a具备沟槽区域及非沟槽区域,在第二被接合部件1b具备突起部区域及非突起部区域。在此情况下,第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的突起部区域相互对向,第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域相互对向。
此后,如图4的(b)所示,在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,在嵌合形成的接触部位执行通过摩擦搅拌焊接进行的焊接而形成焊接区域。在此情况下,以深于第二被接合部件1b的突起部区域的深度形成第一被接合部件1a的沟槽区域,从而在形成为接合零件100时,会在内部形成中空通道200。
此后,可执行对通过摩擦搅拌焊接而焊接的焊接区域w进行平坦加工的过程。可通过平坦加工对焊接区域w的至少一部分进行加工。
如图4的(c-1)所示,可在以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的上方进行平坦加工。此后,形成上下贯通被接合部件1的孔4,从而能够以如图4的(d-1)的形态形成接合零件100。
或者,如图4的(c-2)所示,平坦加工执行至以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的下方,能够以图中的下方向为基准而在不脱离焊接区域w的范围进行所述平坦加工。此后,形成上下贯通被接合部件1的孔4,从而可形成如图4的(d-2)的形态的接合零件100。
在图4的(d-1)中,在孔4与中空通道200之间存在水平界面。
相反地,与图4的(d-1)不同,在图4的(d-2)的构造中,在孔4与中空通道200之间不存在水平界面。由此,可将会在水平界面产生的颗粒问题防患于未然。
以下,对本发明的优选的第二实施例的接合零件100进行说明。
第二实施例的接合零件100在形成孔4的位置为通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w的重叠部11的方面与第一实施例存在差异,而其余构成相同,因此省略相同的说明。
图5是概略性地表示本发明的第二实施例的制造顺序的图。
第二实施例的接合零件100通过摩擦搅拌焊接而焊接至少两个被接合部件1,包括:中空通道200,形成到接合零件100的内部,具备温度调节单元;以及孔4,上下贯通通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w的至少一部分重叠而成的重叠部11,供处理流体通过。在此情况下,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分。
首先,如图5的(a)所示,具备位于图中下部的第一被接合部件1a,在第一被接合部件1a的上部面具备第二被接合部件1b。在第一被接合部件1a具备沟槽区域及非沟槽区域,在第二被接合部件1b具备突起部区域及非突起部区域。在此情况下,第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的突起部区域相互对向,第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域相互对向。
此后,在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,从而可形成接触部位。如图5的(b)所示,在如上所述的接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w。以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w。在此情况下,焊接区域w可形成为大于第一被接合部件1a的沟槽2及第二被接合部件1b的突起部7的宽度。另外,焊接区域w的深度形成至中空通道200与孔4之间的水平界面的下方,能够以不超过第二被接合部件1b的突起部7的高度的方式形成。因此,可将通过非焊接部位流入焊接区域w的颗粒而产生中空通道200的功能误差的问题防患于未然。
焊接区域w以如上所述的宽度及深度形成,从而可将第一被接合部件1a的沟槽2的左侧内侧(图中)的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7左侧外侧(图中)接触而形成的左侧接触部位及第一被接合部件1a的沟槽2的右侧内侧(图中)的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7的左侧外侧接触而形成的右侧接触部位包括到焊接区域w的范围内。因此,焊接区域w可去除第一被接合部件1a的沟槽2的左右侧界面及第二被接合部件1b的突起部7的左右侧界面的至少一部分,去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分。
在包括如上所述的左侧接触部位及右侧接触部位的至少一部分、以及中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分而形成焊接区域w的情况下,邻接在图5的(b)中形成在最左侧的第一焊接区域的周边的第二焊接区域与第一焊接区域的至少一部分重叠而形成重叠部11。焊接区域w包括焊块区、热-机械影响区及热影响区。因此,可通过重叠构成焊接区域w的区的至少一部分而形成重叠部11。重叠部11可为会在形成到接合零件100的内部的中空通道200的间隔相对较窄的情况下形成的部位,且可为如下部位:在中空通道200的间隔相对较大,但较深地插入执行摩擦搅拌焊接的焊接工具10的焊料10a及工具10b而形成焊接区域w的情况下,可根据插入深度而形成。
如果在被接合部件1的接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w,则可执行对焊接区域w进行平坦加工的过程。可通过平坦加工对焊接区域w的至少一部分进行加工。
如图5的(c-1)所示,可在以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的上方进行平坦加工。换句话说,可在被接合部件1的水平界面的上侧执行平坦加工。
此后,形成上下贯通重叠部11的孔4,从而可形成如图5的(d-1)的形态的接合零件100。
以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w,因此形成在重叠部11的孔4与中空通道200可通过焊接区域w阻断不良的相互作用。换句话说,可通过焊接区域w阻断通过孔4的流体沿被接合部件1的界面向中空通道200移动的情况。因此,可保护具备在中空通道200的温度调节单元不受不良影响而使其有效地执行功能。另外,因形成焊接区域w而形成到第一被接合部件1a的沟槽2与第二被接合部件1b的突起部7的界面之间的至少一部分的非焊接部位而温度调节单元与第一被接合部件1a间的接触面积A变得更广,从而可进一步提高温度调节功能。因此,形成均匀的温度的接合零件100可将产品发生变形的情况最小化。
或者,如图5的(c-2)所示,平坦加工执行至以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的下方,能够以图中的下方向为基准而在不脱离焊接区域w的范围进行所述平坦加工。换句话说,平坦加工可执行至被接合部件1的水平界面的下方。进行平坦加工的平坦加工面可位于焊接区域w的深度与水平界面之间。此后,形成上下贯通被接合部件1的孔4,从而可形成如图5的(d-2)的形态的接合零件100。
在图5的(d-1)中,在孔4与中空通道200之间存在水平界面。
相反地,与图5的(d-1)不同,在图5的(d-2)的构造中,孔4与中空通道200之间不存在水平界面。由此,可将会在水平界面产生的颗粒问题防患于未然。
图6是概略性地表示第二实施例的接合零件100的第一变形例的制造顺序的图。与第二实施例相比,第一变形例的接合零件100在多个中空通道200间的相隔距离相对较大而不形成重叠部11,在多个中空通道200之间形成孔4的方面存在差异。
首先,如图6的(a)所示,在图中下部具备具有沟槽区域及非沟槽区域的第一被接合部件1a,在第一被接合部件1a的上部面具备第二被接合部件1b。在此情况下,第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的突起部区域相互对向,第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域相互对向。
此后,在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,从而可形成接触部位。如图6的(b)所示,在如上所述的接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w。以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w。在此情况下,焊接区域w的宽度可形成为大于第一被接合部件1a的沟槽2及第二被接合部件1b的突起部7的宽度。另外,焊接区域w的深度形成至中空通道200与孔4之间的水平界面的下方,能够以不超过第二被接合部件1b的突起部7的高度的方式形成。因此,可将通过非焊接部位流入焊接区域w的颗粒而产生中空通道200的功能误差的问题防患于未然。
焊接区域w以如上所述的宽度及深度形成,从而可将第一被接合部件1a的沟槽2的左侧内侧(图中)的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7的左侧外侧(图中)接触而形成的左侧接触部位及第一被接合部件1a的沟槽2的右侧内侧(图中)的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7的左侧外侧接触而形成的右侧接触部位包括到焊接区域w的范围内。因此,焊接区域w可去除第一被接合部件1a的沟槽2的左右侧界面及第二被接合部件1b的突起部7的左右侧界面的至少一部分,去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分。
图6的第二变形例的接合零件100表示为相对较宽地形成中空通道200的相隔距离而不形成重叠部11,在中空通道200与中空通道200之间形成孔4,但在第一被接合部件1a的沟槽区域的沟槽2的深度较深且第二被接合部件1b的突起部区域的突起部7的高度较高而接触部位的深度较深的情况下,可较深地插入执行摩擦搅拌焊接的焊接工具10的焊料10a及工具10b而形成焊接区域w。
如果在被接合部件1的接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w,则可执行对焊接区域w进行平坦加工的过程。可通过平坦加工对焊接区域w的至少一部分进行加工。
如图6的(c-1)所示,可在以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的上方进行平坦加工。换句话说,可在被接合部件1的水平界面的上侧执行平坦加工。
此后,在中空通道200与中空通道200之间形成上下贯通被接合部件1的孔4,从而可形成如图6的(d-1)的形态的接合零件100。
或者,如图6的(c-2)所示,平坦加工执行至以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的下方,能够以图中的下方向为基准而在不脱离焊接区域w的范围内进行所述平坦加工。换句话说,平坦加工可执行至被接合部件1的水平界面的下方。进行平坦加工的平坦加工面可位于焊接区域w的深度与水平界面之间。此后,在中空通道200与中空通道200之间形成上下贯通被接合部件1的孔4,从而可形成如图6的(d-2)的形态的接合零件100。
在图6的(d-1)中,在孔4与中空通道200之间存在水平界面。
相反地,与图6的(d-1)不同,在图6的(d-2)的构造中,孔4与中空通道200之间不存在水平界面。由此,可将会在水平界面产生的颗粒问题防患于未然。
以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w,因此孔4与中空通道200可通过焊接区域w阻断不良的相互作用。换句话说,可通过焊接区域w阻断通过孔4的流体沿被接合部件1的界面向中空通道200移动的情况。因此,可保护具备在中空通道200的温度调节单元不受因与孔4的相互关系引起的不良影响而使其有效地执行功能。另外,因形成焊接区域w而形成到第一被接合部件1a的沟槽2与第二被接合部件1b的突起部7的界面之间的至少一部分的非焊接部位而温度调节单元与第一被接合部件1a间的接触面积A进一步变广,从而可进一步提高温度调节功能。因此,形成均匀的温度的接合零件100可将产品发生变形的情况最少化。
图7是概略性地表示第二实施例的第二变形例的接合零件100的制造顺序的图。第二变形例的接合零件100在不形成重叠部11,在多个中空通道200之间形成至少两个孔4的方面与第二实施例存在差异。
第二变形例的接合零件100可在内部形成多个中空通道200,在中空通道200具备温度调节单元。另外,在中空通道200与中空通道200之间形成上下贯通被接合部件1且供处理流体通过的至少两个孔4。在此情况下,可按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成孔4。以下,参照图7的制造顺序具体地进行说明。
首先,如图7的(a)所示,在图中下部具备具有沟槽区域及非沟槽区域的第一被接合部件1a,在第一被接合部件1a的上部面具备第二被接合部件1b。在此情况下,第一被接合部件1a的沟槽区域与第二被接合部件1b的突起部区域相互对向,第一被接合部件1a的非沟槽区域与第二被接合部件1b的非突起部区域相互对向。
此后,在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,从而可形成接触部位。如图7的(b)所示,在如上所述的接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w。以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w。在此情况下,焊接区域w可形成为大于第一被接合部件1a的沟槽2及第二被接合部件1b的突起部7的宽度。另外,焊接区域w的深度形成至中空通道200与孔4之间的水平界面的下方,能够以不超过第二被接合部件1b的突起部7的高度的方式形成。因此,可将通过非焊接部位流入焊接区域w的颗粒而产生中空通道200的功能误差的问题防患于未然。
焊接区域w以如上所述的宽度及深度形成,从而可将第一被接合部件1a的沟槽2的左侧内侧(图中)的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7的左侧外侧(图中)接触而形成的左侧接触部位及第一被接合部件1a的沟槽2的右侧内侧(图中)的至少一部分与第二被接合部件1b的突起部7的左侧外侧接触而形成的右侧接触部位包括到焊接区域w的范围内。因此,焊接区域w可去除第一被接合部件1a的沟槽2的左右侧界面及第二被接合部件1b的突起部7的左右侧界面的至少一部分,去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分。
如果在被接合部件1的接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w,则可执行对焊接区域w进行平坦加工的过程。可通过平坦加工对焊接区域w的至少一部分进行加工。
如图7的(c-1)所示,可在以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的上方进行平坦加工。换句话说,可在被接合部件1的水平界面的上侧执行平坦加工。
此后,在中空通道200与中空通道200之间形成上下贯通被接合部件1的至少两个孔4,从而可形成如图7(d-1)的形态的接合零件100。在此情况下,可按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成孔4。如果孔4的相隔距离过宽,则具备在中空通道200的温度调节单元的温度调节功能会下降。相反地,如果孔4的相隔距离过窄,则会难以在中空通道200具备温度调节单元。因此,可优选为按照3mm以上至15mm以下的相隔距离形成孔4。在按照如上所述的相隔距离形成孔4的情况下,可进一步提高接合零件100的温度均匀度。
或者,如图7的(c-2)所示,平坦加工执行至以虚线表示的位置即被接合部件1的水平界面的下方,能够以图中的下方向为基准而在不脱离焊接区域w的范围内进行所述平坦加工。换句话说,平坦加工可执行至被接合部件1的水平界面的下方。平坦加工的平坦加工面可位于焊接区域w的深度与水平界面之间。此后,在中空通道200与中空通道200之间形成上下贯通被接合部件1的至少两个孔4,从而可形成如图6的(d-2)的形态的接合零件100。
在图7的(d-1)中,在孔4与中空通道200之间存在水平界面。
相反地,与图7的(d-1)不同,在图7的(d-2)的构造中,孔4与中空通道200之间不存在水平界面。由此,可将会在水平界面产生的颗粒问题防患于未然。
以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w,因此孔4与中空通道200可通过焊接区域w阻断不良的相互作用。换句话说,可通过焊接区域w阻断通过孔4的流体沿被接合部件1的界面向中空通道200移动的情况。因此,可保护具备在中空通道200的温度调节单元不受不良影响而使其有效地执行功能。另外,因形成焊接区域w而形成到第一被接合部件1a的沟槽2与第二被接合部件1b的突起部7的界面之间的至少一部分的非焊接部位而温度调节单元与第一被接合部件1a间的接触面积A进一步变广,从而可进一步提高温度调节功能。因此,形成均匀的温度的接合零件100可将产品发生变形的情况最小化。
图8是表示在像第一实施例及第二实施例的接合零件100一样中空通道200为一层构造的情况下,在中空通道200具备如冷却流体或加热流体的温度调节用介质作为温度调节单元时的冷却流体或加热流体的流动方向的图。在对冷却流体或加热流体的流动进行说明前,对在具备如冷却流体或加热流体的温度调节用介质作为温度调节单元的情况下需具备到第二被接合部件1b的构成的形状进行说明。
如上所述,可在中空通道200具备温度调节单元。
在具备温度调节用介质作为温度调节单元的情况下,温度调节用介质可通过中空通道200在接合零件100的内部移动。在此情况下,为了向中空通道200注入温度调节用介质,可在第二被接合部件1b形成主孔6。主孔6上下贯通第二被接合部件1b,能够以上下贯通下文叙述的连通沟槽5的方式形成。在第二被接合部件1b中,能够以与沟槽区域交叉的方式沿水平界面形成连通沟槽5。连通沟槽5以与沟槽区域交叉的方式形成,可分别形成到与沟槽区域的一端及另一端对应的位置。参照图8,图8的(a)所示的部件为第二被接合部件1b。可在第二被接合部件1b形成连通沟槽5及主孔6。连通沟槽5以与沟槽区域交叉的方式形成到第二被接合部件1b的下表面,所述连通沟槽分别形成到与沟槽区域的一端及另一端对应的位置,因此可形成到第二被接合部件1b的图中上侧及下侧。与沟槽区域的一端对应的形成在第二被接合部件1b的界面的上侧的连通沟槽5与沟槽区域的最上部交叉,与另一端对应的形成在第二被接合部件1b的界面的下侧的连通沟槽5与沟槽区域的最下部交叉。如上所述,可呈如下形态:在形成在第二被接合部件1b的界面的上侧及下侧的连通沟槽5之间,沟槽区域以与连通沟槽5连通的方式存在。主孔6上下贯通第二被接合部件1b,以上下贯通连通沟槽5的方式形成。因此,主孔6能够以分别在第二被接合部件1b的上侧及下侧上下贯通第二被接合部件1b的方式形成。
以下,参照图8,对像第一实施例的接合零件100一样中空通道200为一层构造时的冷却流体或加热流体的流动进行说明。
图8的(a)是从上方观察第二被接合部件1b而表示的图,图8的(b)是以箭头表示第一被接合部件1a上的冷却流体或加热流体的流动方向的图。
如图8的(a)所示,可在第二被接合部件1b的界面的上侧及下侧形成连通沟槽5,在形成连通沟槽5的位置形成上下贯通第二被接合部件1b的主孔6。连通沟槽5可与第一被接合部件1a的沟槽区域交叉,并且与沟槽区域连通。注入在主孔6的冷却流体或加热流体可因连通沟槽5而均匀地扩散到整个沟槽区域。因此,可调节接合零件100内的温度。
连通沟槽5包括形成在第二被接合部件1b的界面的上侧的第一连通沟槽5a、及形成在下侧的第二连通沟槽5b。另外,主孔6包括贯通第一连通沟槽5a的第一主孔6a及贯通第二连通沟槽5b的第二主孔6b。在此情况下,如果温度调节用介质注入到第一主孔6a,则温度调节用介质通过第一连通沟槽5a扩散到多个沟槽区域整体,从而可通过沟槽区域调节接合零件100的内部温度。如图8的(b)所示,通过第一主孔6a注入的温度调节用介质可朝向下方向流动而通过第二主孔6b排出。注入温度调节用介质的主孔6可为第一主孔6a或第二主孔6b,流体的流动可根据注入温度调节用介质的位置而变为下方向或上方向。其结果,因温度调节用介质朝一方向流动而可获得在接合零件100的内部调节温度的效果。
或者,可交替地执行向第一主孔6a及第二主孔6b注入温度调节用介质及从所述第一主孔及第二主孔排出所述温度调节用介质。例如,可反复执行如下过程:注入到第一主孔6a而向第二主孔6b排出,其次注入到第二主孔6b而向第一主孔6a排出。另一方面,主孔6及连通沟槽5可适当地变形,以便可使如冷却流体或加热流体的温度调节用介质同时交替地流动。温度调节用介质水平且彼此交替地在中空通道200内移动,从而可调节接合零件100的温度。
图9是概略性地表示本发明的第三实施例的接合零件100的制造顺序的图。第三实施例的接合零件100在被接合部件1的个数及被接合部件1中的一部分的形状不同,且形成到接合零件100的内部的中空通道200为多层构造的方面与第一实施例及第二实施例存在差异。与第一实施例相同,第三实施例在第一被接合部件1a的上部面积层第二被接合部件1b。然而,具备形成第二突起部9的第二突起部区域及未形成第二突起部9的第二非突起部区域9'的第三被接合部件1c积层到第二被接合部件1b的上部面。在此情况下,被接合部件1的形状及被接合部件1的积层形态为例示性地表示的形状及形态,因此并不限定于此,可构成为如下适当的形态:形成中空通道200,冷却流体或加热流体(液体、气体)等通过被接合部件1的中空通道200移动而可调节温度。
第三实施例的接合零件100可包括:第一被接合部件1a,具备形成有第一沟槽2a的第一沟槽区域及未形成第一沟槽2a的第一非沟槽区域2a';第二被接合部件1b,具备形成有第一突起部8的第一突起部区域及未形成第一突起部8的第一非突起部区域8';以及第三被接合部件1c,具备形成有第二突起部9的第二突起部区域及未形成第二突起部9的第二非突起部区域9'。另外,可包括:第一中空通道201及第二中空通道202,形成到接合零件100的内部,具备温度调节单元;以及孔4,上下贯通被接合部件1,供处理流体通过。
在像第三实施例的接合零件100一样具备至少三个以上的被接合部件1,且这种被接合部件1上下积层而通过摩擦搅拌焊接来焊接的情况下,可首先通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件(例如,第一被接合部件1a、第二被接合部件1b),之后将其余一个被接合部件(例如第三被接合部件1c)焊接到首先通过摩擦搅拌焊接而焊接的被接合部件1a、1b。在此情况下,首先摩擦搅拌焊接的至少两个被接合部件1a、1b并不受限定,可首先通过摩擦搅拌焊接来焊接三个以上的被接合部件1中的至少两个被接合部件,之后将其余一个被接合部件焊接到首先摩擦搅拌焊接的被接合部件。以下,作为一例,说明为首先摩擦搅拌焊接第一被接合部件1a与具备到第一被接合部件1a的上部面的第二被接合部件1b,之后将第三被接合部件1c摩擦搅拌焊接到摩擦搅拌焊接的第一被接合部件1a与第二被接合部件1b。
首先,如图9的(a)所示,在第一被接合部件1a嵌合第二被接合部件1b,在接触部位形成通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w。在此情况下,第三实施例的接合零件100表示为相对较窄地形成多个中空通道200间的相隔距离而形成焊接区域w重叠的重叠部11,但也可不形成重叠部11。
通过摩擦搅拌焊接来焊接第一被接合部件1a与第二被接合部件1b而形成焊接区域w,可在如图9的(a)所示的虚线的位置执行平坦加工。换句话说,虚线可指平坦加工的平坦加工面的位置。可在被接合部件1的水平界面的上方执行平坦加工。或者,如图9的(a)所示,所述平坦加工可执行至被接合部件1的水平界面的下方。因此,成为如下形态:通过摩擦搅拌焊接而焊接的第一被接合部件1a与第二被接合部件1b像图9的(b)所示一样去除被接合部件1a、1b的界面,在接触部位的至少一部分存在焊接区域w。
通过平坦加工对通过摩擦搅拌焊接而焊接的第一被接合部件1a与第二被接合部件1b的焊接区域w的至少一部分进行平坦加工,去除第一被接合部件1a与第二被接合部件1b的水平界面。因此,形成为如下形态:如图9的(b)所示,在第一被接合部件1a存在因至少一部分的焊接区域w与第二被接合部件1b的第一突起部8的至少一部分嵌合且第一被接合部件1a与第二被接合部件1b嵌合而形成的第一层中空通道201。第一层中空通道201可通过焊接区域w阻断沿被接合部件1a、1b的界面移动的颗粒等功能阻碍要素的流入。因此,可更有效地执行具备到第一层中空通道201的温度调节单元的功能。另外,因非焊接部位而温度调节单元与第一被接合部件1a间的接触面积A扩大,从而可提高温度调节功能的效率。
其次,如图9的(c)所示,在至少一部分通过平坦加工而实现平坦加工的焊接区域w的至少一部分形成第二沟槽2b。第二沟槽2b形成到焊接区域w的至少一部分,可形成到焊接区域w的范围内。在未形成第二沟槽2b的区域形成第二非沟槽区域2b'。形成到焊接区域w的至少一部分的第二沟槽2b可形成到与第三被接合部件1c的第二突起部9对应的位置。
其次,如图9的(c)所示,可嵌合具备第二突起部9的第三被接合部件1c。具体而言,第三被接合部件1c的第二突起部9可嵌合到形成到焊接区域w的至少一部分的第二沟槽2b。因此,形成第二层中空通道202。因形成到焊接区域w的范围内的第二沟槽2b而形成的第二层中空通道202可呈由至少一部分的焊接区域w包围周边的形态。
此后,如图9的(d)所示,可在第三被接合部件1c的第二突起部9嵌合到第二沟槽2b而形成的接触部位执行摩擦搅拌焊接。在此情况下,在图9的(d)中,表示为分别对左侧接触部位(图中)及右侧接触部位(图中)的至少一部分执行摩擦搅拌焊接而分别在左右侧接触部位的至少一部分形成焊接区域w,但可将左右侧接触部位包括到一个焊接区域w的范围内而较第三被接合部件1c的第二突起部9及第二沟槽2b的宽度更大地形成焊接区域w。
如图9的(d)所示,第二层中空通道202可因包围第二层中空通道202的至少一部分的焊接区域w及形成在左右侧接触部位的至少一部分的焊接区域w而阻断因沿被接合部件1的界面移动的颗粒引起的不良影响。因此,可更有效地执行具备到第二层中空通道202的温度调节单元。另外,在第二层中空通道202内移动的温度调节单元与被接合部件1间的接触面积A因非焊接部位而扩大,从而可提高温度调节效果。
如图9的(d)所示,在第二沟槽2b嵌合第三被接合部件1c的第二突起部9而通过摩擦搅拌焊接来焊接后,可执行第二次平坦加工。在将图9的(b)所示的平坦加工称为第一次平坦加工的情况下,像图9的(d)一样执行第二次平坦加工。通过摩擦搅拌焊接将第三被接合部件1c焊接到经第一次平坦加工的第一被接合部件1a及第二被接合部件1b,因此,所形成的焊接区域w完成第二次平坦加工。可在如图9的(d)所示的虚线的位置执行第二次平坦加工。换句话说,虚线可指进行平坦加工的平坦加工面的位置。可在被接合部件1的水平界面的上方执行平坦加工。或者,如图9的(d)所示,所述平坦加工可执行至被接合部件1的水平界面的下方。因此,可去除通过摩擦搅拌焊接而焊接的第一被接合部件1a与第三被接合部件1c的界面。由此,可事先防止会在水平界面产生的颗粒问题。
此后,如图9的(e)所示,在中空通道200与中空通道200之间形成上下贯通被接合部件1的孔4,从而形成接合零件100。
图10是表示第三实施例的接合零件100的变形例的图。变形例的接合零件100在被接合部件1中的一部分的形状不同的方面与第三实施例存在差异。与第三实施例相同,变形例在第一被接合部件1a的上部面积层第二被接合部件1b。然而,第三被接合部件1c具备到第一被接合部件1a的下部面。在此情况下,被接合部件1的形态及被接合部件1的积层形态为例示性地表示的形态,因此并不限定于此,可构成为如下适当的形态:形成中空通道200,冷却流体或加热流体(液体、气体)等通过被接合部件1的中空通道200移动而可调节温度。由变形例的沟槽及突起部形成的被接合部件1可与第三实施例的被接合部件1的沟槽及突起部不同,且其位置可不同。然而,方便起见,标注相同的符号进行说明。
变形例的接合零件100可具备:第一被接合部件1a,具备在上部界面(图中)形成有第一沟槽2a的第一沟槽区域与未形成第一沟槽2a的第一非沟槽区域2a'、及在下部界面(图中)形成有第二沟槽2b的第二沟槽区域与未形成第二沟槽2b的第二非沟槽区域2b';第二被接合部件1b,位于第一被接合部件1a的上部面,具备形成有第一突起部8的第一突起部区域及未形成第一突起部8的第一非突起部区域8';以及第三被接合部件1c,位于第一被接合部件1a的下部面,具备形成有第二突起部9的第二突起部区域及未形成第二突起部9的第二非突起部区域9'。另外,可包括:第一中空通道201及第二中空通道202,形成到接合零件100的内部,具备温度调节单元;以及孔4,上下贯通被接合部件1,供处理流体通过。
第一被接合部件1a的第一沟槽区域及第一非沟槽区域可形成到第一被接合部件1a的上部界面(图中)。另一方面,第一被接合部件1a的第二沟槽区域及第二非沟槽区域可形成到第一被接合部件1a的下部界面(图中)。这种情况作为一例而并不受限定,形成第一沟槽区域及第一非沟槽区域、与第二沟槽区域及第二非沟槽区域的界面的位置可发生变化。
第一被接合部件1a的第一沟槽区域及第二沟槽区域与第二被接合部件1b的第一突起部区域及第三被接合部件1c的第二突起部区域可形成到相互对应的位置。在此情况下,第一被接合部件1a在上部面积层第二被接合部件1b,在下部面具备第三被接合部件1c,由此第一被接合部件1a可介置到第二被接合部件1b与第三被接合部件1c之间。因此,第二被接合部件1b的第一突起部区域及第三被接合部件1c的第二突起部区域可呈隔以第一被接合部件1a的第一沟槽区域及第二沟槽区域而相互对向的形态。
在像变形例的接合零件100一样具备三个以上的被接合部件1并上下积层而通过摩擦搅拌焊接来焊接的情况下,可首先通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件(例如1a、1b),之后将其余一个被接合部件1c焊接到首先通过摩擦搅拌焊接而焊接的被接合部件1a、1b。在此情况下,首先摩擦搅拌焊接的至少两个被接合部件1a、1b并不受限定,可首先摩擦搅拌焊接三个以上的被接合部件1中的至少两个被接合部件1,之后将其余一个被接合部件1焊接到首先摩擦搅拌焊接的被接合部件1。以下,作为一例,说明为首先摩擦搅拌焊接第一被接合部件1a与具备到第一被接合部件1a的上部面的第二被接合部件1b,之后将第三被接合部件1c摩擦搅拌焊接到摩擦搅拌焊接的第一被接合部件1a与第二被接合部件1b。
接合零件100可通过摩擦搅拌焊接形成焊接区域w。在此情况下,焊接区域w可去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分而形成。如图10所示,在接合零件100形成多个焊接区域w。焊接区域w可形成到被接合部件1的接触部位。
首先,第二被接合部件1b嵌合到第一被接合部件1a,从而可形成第一被接合部件1a与第二被接合部件1b的接触部位。在此情况下,第二被接合部件1b的第一突起部8与第一被接合部件1a的第一沟槽2a的至少一部分接触而嵌合,从而可形成接触部位。如图10所示,第二被接合部件1b的第一突起部8的宽度方向上的左右外侧(图中)与第一被接合部件1a的第一沟槽2a的宽度方向上的左右内侧(图中)的至少一部分接触。因此,在第一被接合部件1a的第一沟槽2a与第二被接合部件1b的第一突起部8的左右侧界面(图中)形成接触部位。可在如上所述的接触部位执行摩擦搅拌焊接。
可在形成在左侧界面的接触部位(图中)的至少一部分执行摩擦搅拌焊接而形成焊接区域w,在形成在右侧界面的接触部位(图中)的至少一部分执行所述摩擦搅拌焊接而形成焊接区域w。换句话说,可分别在左侧接触部位(图中)及右侧接触部位(图中)的至少一部分形成焊接区域w。在此情况下,焊接区域w形成至中空通道200与孔4之间的水平界面,能够以不超过第二被接合部件1b的第一突起部8的高度的范围形成。因此,第一被接合部件1a及第二被接合部件1b的焊接区域w可去除在各接触部位嵌合的第一被接合部件1a的第一沟槽2a与第二被接合部件1b的第一突起部8的左右侧界面(图中)的至少一部分、及第一被接合部件1a与第二被接合部件1b的水平界面的至少一部分。
此后,可在第一被接合部件1a的下部面具备第三被接合部件1c而通过摩擦搅拌焊接进行焊接。在此情况下,形成在第一被接合部件1a的下部界面的第二沟槽2b的至少一部分与第三被接合部件1c的第二突起部9接触而嵌合,从而可形成接触部位。如图6所示,第三被接合部件1c的第二突起部9的宽度方向上的左右外侧(图中)与第一被接合部件1a的第二沟槽2b的宽度方向上的左右内侧(图中)的至少一部分接触。因此,在第一被接合部件1a的第二沟槽2b与第三被接合部件1c的第二突起部9的左右侧界面(图中)形成接触部位。可在如上所述的接触部位执行摩擦搅拌焊接。
可在形成在左侧界面的接触部位(图中)的至少一部分执行摩擦搅拌焊接而形成焊接区域w,在形成在右侧界面的接触部位(图中)的至少一部分执行所述摩擦搅拌焊接而形成焊接区域w。换句话说,可分别在左侧接触部位(图中)及右侧接触部位(图中)的至少一部分形成焊接区域w。在此情况下,焊接区域w形成至中空通道200与孔4之间的水平界面的下方,能够以不超过第三被接合部件1c的第二突起部9的高度的范围形成。因此,第一被接合部件1a及第三被接合部件1c的焊接区域w可去除在各接触部位嵌合的第一被接合部件1a的第二沟槽2b与第三被接合部件1c的第二突起部9的左右侧界面(图中)的至少一部分、及第一被接合部件1a与第二被接合部件1b的水平界面的至少一部分。此后,对上表面、下表面进行平坦加工。
在如上所述的接触部位形成焊接区域w,从而形成非焊接部位。因非焊接部位而在包括下文叙述的第一中空通道201及第二中空通道202的中空通道200中温度调节单元与被接合部件1间的接触面积A扩大,从而可更有效地确保接合零件100的温度均匀性。
可在如上所述的被接合部件1形成上下贯通被接合部件1且供处理流体通过的孔4。在此情况下,以去除沟槽及突起部的左右侧界面的至少一部分,并且去除被接合部件1的水平界面的至少一部分的方式形成焊接区域w,因此可在中空通道200与孔4之间存在至少一部分的焊接区域w。因此,不产生中空通道200与孔4间的不良的相互作用,从而可防止接合零件100的功能误差。
在图10的第三实施例的变形例的接合零件100中,表示为焊接区域w分别形成到左右侧界面以可去除沟槽及突起部的左右侧界面的至少一部分,并且去除被接合部件1的水平界面的至少一部分来进行了说明,但这种情况作为一例而不受限定。
如图9及图10所示,第三实施例的接合零件100及变形例的接合零件100可形成多层构造的中空通道200。具体而言,可形成两层构造的中空通道200。在具有如上所述的多层构造的中空通道200的接合零件100中,在中空通道200内移动的如冷却流体或加热流体(液体、气体)的温度调节用介质的流动方向可根据接合零件100内部的中空通道200的形成形态而不同。
图11(a)到图11是表示像第三实施例及第三实施例的变形例的接合零件100一样中空通道200为多层构造时的冷却流体或加热流体的流动方向的图。在此情况下,第一层中空通道201包括形成有第一被接合部件1a的第一沟槽2a的第一沟槽区域,第二层中空通道202包括形成有第二被接合部件1b的第二沟槽2b的第二沟槽区域。
图11(a)左侧所示的图是表示两层构造的中空通道200的剖面的图,图11(a)右侧所示的图是表示像图11(a)的左侧图一样形成两层构造的中空通道200时的冷却流体或加热流体的流动方向的俯视图。
如图11(a)的左侧图所示,在两层构造的中空通道200在接合零件100的内部分别形成为第一层中空通道201及第二层中空通道202的情况下,冷却流体或加热流体可通过中空通道200而分别在第一层中空通道201及第二层中空通道202内沿一方向朝向相同的方向移动。在图11(a)的右侧图中,以虚线表示的箭头可指冷却流体或加热流体在第一层中空通道201内的流动方向,以实线表示的箭头是指冷却流体或加热流体在第二层中空通道202内的流动方向。因此,如图11(a)的左侧图所示,在第一层中空通道201及第二层中空通道202在接合零件100的内部分别形成到各层的情况下,冷却流体或加热流体在各层中向相同的方向移动,从而可使接合零件100的温度变均匀。在此情况下,冷却流体或加热流体进行流动的一方向也可为与图11(a)所示的方向相反的方向。
在以图11(a)的左侧图为基准而将第一层中空通道201与第二层中空通道202配对成一体的情况下,可存在邻接在第一层中空通道201及第二层中空通道202的周边的第1-1层中空通道200及第2-1层中空通道200。在此情况下,邻接在第一层中空通道201及第二层中空通道202的周边的第1-1层中空通道200及第2-1层中空通道200可使流体向与冷却流体或加热流体在第一层中空通道201及第二层中空通道202内的流动方向相反的方向流动而使流体在平面上交替地流动。接合零件100可通过如上所述的交替的流动来调节温度而均匀地形成温度。
如图11(b)的左侧图所示,在具备两层构造的中空通道200的接合零件100的内部分别形成第一层中空通道201及第二层中空通道202的情况下,如图11(b)的右侧图所示,冷却流体或加热流体在第一层中空通道201内的流动与冷却流体或加热流体在第二层中空通道202内的流动可为相反的方向。例如,如图11(b)的右侧图所示,虚线箭头是指冷却流体或加热流体在第一层中空通道201内的流动方向,实线箭头是指冷却流体或加热流体在第二层中空通道202内的流动方向。在此情况下,如果冷却流体或加热流体在第一层中空通道201内的流动方向为从左侧向右侧流动,则冷却流体或加热流体在第二层中空通道202内的流动方向可为从右侧向左侧流动。因此,可调节温度的冷却流体或加热流体分别在第一层中空通道201及第二层中空通道202内向相反的方向流动,从而可更均匀地调节具有第二层中空通道202的构造的接合零件100的温度。
图11(c)是表示在像图中的左侧图所示一样在具备两层构造的中空通道200的接合零件100的内部彼此连通形成第一层中空通道201与第二层中空通道202时的冷却流体或加热流体的流动方向的图。如图11(c)所示,冷却流体或加热流体可在第一层中空通道201与第二层中空通道202连通的部位掉头而向与一个中空通道200的冷却流体或加热流体的方向相反的方向流动。换句话说,在多层中空通道200以连通的方式形成到接合零件100的内部的情况下,至少一个中空通道200的冷却流体或加热流体的流动可在连通部位掉头而在其余一个中空通道200内向相反的方向流动。接合零件100具备如上所述的两层构造的中空通道200,由此可确保温度的均匀性。
图12是概略性地表示具备本发明的第一实施例的接合零件100的半导体制程装备1000的图。在此情况下,在图中表示为具备第一实施例的接合零件100,但也可具备如第二实施例、第三实施例及变形例的接合零件100。
如图12所示,接合零件100可构成半导体制程装备1000。半导体制程装备1000可利用通过接合零件100的孔4供给的流体制造构成半导体的一部分构成。半导体制程装备1000包括以下说明的蚀刻装备、清洗装备、热处理装备、离子注入装备、溅镀装备、CVD装备等。
接合零件100包括:中空通道200,在被接合部件1的界面沿界面形成,在内部具备温度调节单元;以及孔4,上下贯通被接合部件1。通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分,由此可阻断中空通道200与孔4间的不良的相互作用。
具备到接合零件100的温度调节单元可为包括冷却流体或加热流体的流体或热线。接合零件100可根据具备的温度调节单元执行冷却功能或加热功能来调节温度。因此,可将接合零件100的变形最小化。
具备接合零件100的半导体制程装备可为蚀刻装备。具备接合零件100的蚀刻装备可利用通过接合零件100的孔4的处理流体将晶片上的一部分图案化。蚀刻装备可为湿式蚀刻(wet etch)装备、干式蚀刻(dry etch)装备、等离子体蚀刻装备或反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching,RIE)装备。在具备接合零件100的半导体制程装备为蚀刻装备的情况下,接合零件100可对被处理物供给用以进行蚀刻制程的处理流体。在此情况下,处理流体通过孔4,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分而形成,因此不产生通过孔4的处理流体向中空通道200泄漏的问题。通过焊接区域w阻断不良影响的中空通道200可利用具备在内部的温度调节单元确保接合零件100的温度均匀性而将变形最小化。接合零件100因焊接区域w而不产生中空通道200与孔4间的不良的相互作用,因此可防止接合零件100的功能误差。
具备接合零件100的半导体制程装备可为清洗装备。在具备接合零件100的半导体制程装备为清洗装备的情况下,具备接合零件100的清洗装备可利用通过接合零件100的孔4的处理流体清洗在生产制程中引发缺陷的粒子杂质或化学杂质。清洗装备可为清洁器(cleaner)或晶片洗涤器(wafer scrubber)。接合零件100可对被处理物供给用以进行清洗制程的处理流体。在此情况下,处理流体通过孔4而供给,去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的焊接区域w可阻断通过孔4的处理流体向中空通道200泄漏。因此,具备在中空通道200的温度调节单元可有效地执行其功能,可使接合零件100的温度变均匀而将产品的变形最小化。
具备接合零件100的半导体制程装备可为热处理装备。在具备接合零件100的半导体制程装备为热处理装备的情况下,接合零件100可对被处理物供给用以进行热处理制程的处理流体。处理流体通过孔4而供给。在此情况下,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的接合界面的一部分而形成。因此,可通过焊接区域w阻断通过孔4的处理流体向中空通道200移动。通过焊接区域w阻断孔4间的不良的相互作用的中空通道200可利用具备在内部的温度调节单元有效地执行确保接合零件100的温度均匀性的功能。因此,可将接合零件100的变形最小化,减少接合零件100的功能误差。
具备接合零件100的半导体制程装备可为离子注入装备。在具备接合零件100的半导体制程装备为离子注入装备的情况下,接合零件100通过孔4对被处理物供给用以进行离子注入制程的处理流体。在此情况下,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的一部分而形成,从而可阻断孔4与中空通道200间的不良的相互作用。不良的相互作用可指孔4的处理流体向中空通道200泄漏而对具备在中空通道200的温度调节单元造成不良影响。中空通道200因焊接区域w而以孤立的形态受到保护,从而可利用具备在内部的温度调节单元有效地执行接合零件100的温度调节功能。因此,可获得将接合零件100的变形最小化且减少功能误差的效果。
具备接合零件100的半导体制程装备可为溅镀装备。在具备接合零件100的半导体制程装备为溅镀装备的情况下,接合零件100通过孔4对被处理物供给用以进行溅镀制程的处理流体。接合零件100以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的一部分的方式形成焊接区域w,从而可防止孔4的处理流体向中空通道200泄漏的问题。因此,具备在中空通道200的温度调节单元可有效地执行其功能,可将产品的变形最小化。另外,可实现确保温度均匀性的接合零件100。
具备到接合零件100的半导体制程装备1000可为CVD装备。具备接合零件100的CVD装备可通过在利用热等离子体放电光等能量激发包括元素的反应处理流体而在晶片的基板表面形成薄膜的电子或气相中发生的化学反应来沉积薄膜。CVD装备可为常压CVD装备、减压CVD装备、等离子体CVD装备、光CVD装备、有机金属化学气相沉积(Metal Organic-Chemical Vapor Deposition,MO-CVD)装备。在具备接合零件100的半导体制程装备1000为CVD装备的情况下,接合零件100可为利用在半导体制程的簇射头。接合零件100通过孔4对被处理物供给用以进行CVD制程的处理流体。在此情况下,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分而形成到接合零件100,从而阻断中空通道200与孔4间的不良的相互作用。通过焊接区域w阻断来自孔4的不良影响的中空通道200可利用具备在内部的温度调节单元确保接合零件100的温度均匀性。因此,可获得将产品的变形最小化,减少功能误差的效果。
如图13所示,接合零件100可构成显示器制程装备2000。显示器制程装备2000可利用通过接合零件100的孔4供给的流体制造构成显示器的一部分构成。在此情况下,在图中表示为具备第一实施例的接合零件100,但也可具备如第二实施例、第三实施例及变形例的接合零件100。另一方面,与第一实施例、第二实施例、第三实施例及变形例的孔4不同地表示构成显示器制程装备2000的接合零件100的孔4的形状。在此情况下,构成显示器制程装备2000的接合零件100的孔4可不同地形成供处理流体通过的各位置的宽度,因此可为例示性地表示的形状。以与之前说明的第一实施例、第二实施例、第三实施例及变形例的孔4不同的形状表示构成显示器制程装备2000的接合零件100的孔4,但孔4的形状并不限定于此,供处理流体通过的孔4的功能可相同。
显示器制程装备2000包括蚀刻装备、清洗装备、热处理装备、溅镀装备、CVD装备等。例如,具备在CVD装备的接合零件可为导流器(diffuser)。
在接合零件100构成显示器制程装备2000的情况下,与构成所述半导体制程装备1000的接合零件100相同,可通过孔4供给处理流体而执行制程。在此情况下,通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域w以去除中空通道200与孔4之间的水平界面的至少一部分的方式形成,从而可阻断中空通道200与孔4间的不良的相互作用。通过焊接区域w阻断不良影响的中空通道200可利用具备在内部的温度调节单元有效地执行接合零件100的温度调节功能。因此,可确保接合零件100的温度均匀性而将产品的变形最小化。另外,在具备所述接合零件作为显示器制程装备2000的构成中的一个构成时,可发挥减少功能误差而提高制程效率的效果。
接合零件100可构成如上所述的半导体制程装备或显示器制程装备2000,通过接合零件100获得的效果可相同。
如上所述,参照本发明的优选实施例进行了说明,但本技术领域内的普通技术人员可在不脱离随附的权利要求书中所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明进行各种修正或变形而实施。
Claims (9)
1.一种接合零件,供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过,所述接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于,包括:
中空通道,形成到所述接合零件的内部,所述中空通道具备温度调节单元;以及
孔,上下贯通所述被接合部件,所述孔供所述处理流体通过;且
通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的接合零件,其特征在于,
通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域沿所述中空通道形成。
3.根据权利要求1所述的接合零件,其特征在于,
所述温度调节单元为流体。
4.根据权利要求1所述的接合零件,其特征在于,
所述温度调节单元为热线。
5.根据权利要求1所述的接合零件,其特征在于,
按照3mm以上且15mm以下的相隔距离形成多个所述孔。
6.根据权利要求1所述的接合零件,其特征在于,
所述接合零件具备到蚀刻装备、清洗装备、热处理装备、离子注入装备、溅镀装备或化学气相沉积装备。
7.一种接合零件,供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过,所述接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于,包括:
中空通道,形成到所述接合零件的内部,所述中空通道具备温度调节单元;
孔,上下贯通通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域的至少一部分重叠而成的重叠部,所述孔供所述处理流体通过;且
通过摩擦搅拌焊接形成的所述焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
8.一种接合零件,供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过,所述接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于,包括:
多个孔,上下贯通所述被接合部件,所述多个孔供所述处理流体通过;以及
中空通道,具备到所述孔与所述孔之间,所述中空通道具备温度调节单元;且
按照3mm以上且15mm以下的相隔距离形成所述孔,
通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
9.一种接合零件,供半导体制程用处理流体或显示器制程用处理流体通过,所述接合零件是通过摩擦搅拌焊接来焊接至少两个被接合部件而成,其特征在于,包括:
多个中空通道,形成到所述接合零件的内部,所述多个中空通道具备温度调节单元;以及
至少两个孔,在所述中空通道与所述中空通道之间上下贯通所述被接合部件,所述至少两个孔供所述处理流体通过;且
按照3mm以上且15mm以下的相隔距离形成所述孔,
通过摩擦搅拌焊接形成的焊接区域去除所述中空通道与所述孔之间的水平界面的至少一部分。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020117400A1 (en) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | A component, method of manufacturing a component, and method of cleaning a component |
CN113857607B (zh) * | 2021-10-19 | 2022-12-02 | 哈尔滨理工大学 | 一种约束加压钻卡头焊具及摩擦动压焊植柱方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6460482B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
CN101678497A (zh) * | 2007-06-06 | 2010-03-24 | 艾克斯特朗股份公司 | 包括多个扩散焊接板的气体分布器以及制造这种气体分布器的方法 |
JP5095843B1 (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-12 | シャープ株式会社 | シャワープレートの製造方法、シャワープレート及びこれを用いた気相成長装置 |
CN104576883A (zh) * | 2013-10-29 | 2015-04-29 | 普因特工程有限公司 | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 |
CN104972713A (zh) * | 2014-04-02 | 2015-10-14 | Jx日矿日石金属株式会社 | 具有附载体的金属箔的层压体 |
CN105209213A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-12-30 | 亚伊色尔株式会社 | 构造体的制造方法、构造体和热交换体 |
US20170301515A1 (en) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Lam Research Corporation | Baffle plate and showerhead assemblies and corresponding manufacturing method |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5819434A (en) * | 1996-04-25 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Etch enhancement using an improved gas distribution plate |
KR100769522B1 (ko) | 2006-10-25 | 2007-11-06 | 주식회사 유진테크 | 화학기상증착장치의 샤워헤드 |
KR101352923B1 (ko) | 2011-09-16 | 2014-01-22 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
US10557197B2 (en) * | 2014-10-17 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6460482B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
CN101678497A (zh) * | 2007-06-06 | 2010-03-24 | 艾克斯特朗股份公司 | 包括多个扩散焊接板的气体分布器以及制造这种气体分布器的方法 |
JP5095843B1 (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-12 | シャープ株式会社 | シャワープレートの製造方法、シャワープレート及びこれを用いた気相成長装置 |
TW201305382A (zh) * | 2011-06-09 | 2013-02-01 | Sharp Kk | 噴淋板之製造方法、噴淋板及使用其之氣相沉積裝置 |
CN104576883A (zh) * | 2013-10-29 | 2015-04-29 | 普因特工程有限公司 | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 |
CN105209213A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-12-30 | 亚伊色尔株式会社 | 构造体的制造方法、构造体和热交换体 |
CN104972713A (zh) * | 2014-04-02 | 2015-10-14 | Jx日矿日石金属株式会社 | 具有附载体的金属箔的层压体 |
US20170301515A1 (en) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Lam Research Corporation | Baffle plate and showerhead assemblies and corresponding manufacturing method |
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