CN111087515A - 树脂化合物、含其的光刻胶组合物及其合成方法 - Google Patents

树脂化合物、含其的光刻胶组合物及其合成方法 Download PDF

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CN111087515A CN201911403644.4A CN201911403644A CN111087515A CN 111087515 A CN111087515 A CN 111087515A CN 201911403644 A CN201911403644 A CN 201911403644A CN 111087515 A CN111087515 A CN 111087515A
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Abstract

本申请涉及一种树脂化合物，其至少包括衍生自羟基苯乙烯的第一重复单元和衍生自丙烯酸酯的第二重复单元。本申请还涉及上述树脂化合物的合成方法。本申请还涉及一种包含如上所述的树脂化合物的光刻胶组合物。本申请的光刻胶组合物可用于解决KrF厚膜光刻胶应用过程中出现的胶膜开裂、侧边形貌差及底部缝隙等问题，膜厚范围可达8‑20μm。

Description

树脂化合物、含其的光刻胶组合物及其合成方法
技术领域
本申请涉及KrF厚膜光刻胶技术领域，具体来说，涉及一种树脂化合物、包含该树脂化合物的光刻胶组合物以及该树脂化合物的合成方法。
背景技术
光刻技术包括在基材顶部形成由光刻胶构成的抗蚀剂膜，通过具有预定图案的光掩模用光或电子束等选择性地照射，然后显影处理，从而在光刻胶中形成规定形状的图案。其中曝光部分变得可溶于显影液的光刻胶组合物被称为正性光刻胶，而曝光部分变得不溶于显影液的光刻胶组合物被称为负性光刻胶。
光刻技术的进步已导致微型化领域的快速发展，这些微型化技术通常涉及缩短曝光光波的波长。例如，以g线和i线辐射为代表的紫外线辐射，到KrF准分子激光器(248nm)、ArF准分子激光器(193nm)。此外，还研究使用甚至更短的波长，例如F2准分子激光(157nm)、极紫外辐射(EUV)、电子束和X射线等。这些为了实现非常精细尺寸的图案的光刻技术，需要具有高分辨率的光刻胶材料。化学放大型光刻胶是主要的这些类型的光刻胶材料。
在半导体元器件生产过程中，随着集成电路的微型化的需求，使得光刻胶抗蚀剂层膜厚通常在100至3000nm，以达到高分辨的要求。同时，近年来随着3D NAND(3D闪存)需求大增，促进它的多层刻蚀工艺的趋向成熟，也面临着光刻胶更高膜厚的需求，目前已达8μm以上。可预见性随着多层刻蚀工艺的成熟，必然面临更高膜厚的需求。传统薄膜光刻胶为了追求高分辨率，通常侧边形貌要求陡直，但是随着3D NAND(3D闪存)的发展，过程中常采用的测蚀工艺(Trimming工艺)，所以在光刻胶选择上更倾向于侧边形貌平滑且存在一定的角度的KrF厚膜光刻胶。
在比较传统的Novolak正性光刻胶之后，基于化学放大(或化学增幅)概念、t-BOC保护的对羟基苯乙烯类树脂(PHS树脂)的KrF光刻胶掀起了光刻胶材料的革命，极大地推动了IC的高速进展。由于其较低的UV吸收(248nm)、较高的耐热性及良好的附着力等，已成为了目前KrF应用树脂的首选。特别是基于PHS的ESCAP类型树脂，其高的Tg、优异的热稳定性，更好的契合了KrF厚膜光刻胶的应用，结构通式如下：
Figure BDA0002348054070000021
美国专利US7297616就基于这类ESCAP类型树脂，对其组成做了部分优化，以此来降低体系的释气(outgassing)，但是其报道的最佳模式的膜厚只达到3.5μm，没有膜厚超过5μm、特别是8μm以上的报道。美国专利US 8133653同样采用ESCAP类型树脂(或者Acetal类型树脂)加二乙烯基醚作为交联剂，尽管其权利要求中显示膜厚为1-15μm，但实际实施例中最佳模式的膜厚仅为5μm；同时采用乙烯基醚交联剂的配方，胶膜的内应力较大，有易导致底部缝隙的风险。美国专利申请US2019/0235382A1中，报道采用ESCAP类型树脂，通过苯乙烯单体调节Tg，调控树脂亲水亲油平衡，同时提高了树脂的耐刻蚀性。但由于苯环在248nm处吸收较强，最大膜厚也只能做到7.5μm，很难实现更高膜厚的需求。有关化学放大型光刻胶的文献，可参阅：H.Ito,Adv.Polym.Sci.,Vol.172,37,2005。有关ESCAP光刻胶的文献，可参阅：H.Ito,等，J.Photopolym.Sci.&Tech.,Vol.7,No.3,433,1994。
发明内容
传统的KrF光刻胶，包括ESCAP类型化学放大光刻胶，具备优异的光刻性能和热稳定性等，但其应用主要是高分辨的薄胶，大部分应用的膜厚远小于3μm。由于树脂本身结构的限制，在KrF厚膜光刻胶应用过程中UV吸收过高，致使光刻胶曝光时透过率低，底部形貌较差，所以很难实现在更厚(>8μm)光刻胶工艺中的应用。
本申请之目的在于提供一种树脂化合物，从而解决上述现有技术中的技术问题。具体来说，本申请的树脂化合物至少包括衍生自羟基苯乙烯的第一重复单元和衍生自丙烯酸酯的第二重复单元。
本申请之目的还在于提供一种如上所述的树脂化合物的合成方法。
本申请之目的还在于提供一种包含如上所述的树脂化合物的光刻胶组合物。
为了解决上述技术问题，本申请提供下述技术方案。
在第一方面中，本申请提供一种树脂化合物，其特征在于，所述树脂化合物至少包括衍生自羟基苯乙烯的第一重复单元和衍生自丙烯酸酯的第二重复单元；
其中以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第一重复单元的量为30摩尔％至80摩尔％；
其中所述第二重复单元包括能在酸性条件下脱保护使所述树脂化合物极性发生改变的第一功能重复单元以及能提高所述树脂化合物耐刻蚀性同时降低深紫外UV吸收的第二功能重复单元；
且以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第二重复单元的量为20摩尔％至70摩尔％。
在第一方面的一种实施方式中，以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第一重复单元的量为40摩尔％至80摩尔％，优选地为50摩尔％至75摩尔％；
以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第二重复单元的量为20摩尔％至60摩尔％，优选地为25摩尔％至50摩尔％；
和/或，以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第一功能重复单元的量为5摩尔至50摩尔％，优选地为10至30摩尔％，且所述第二功能重复单元的量为0摩尔至35摩尔％，优选地为10至30摩尔％。
在第一方面的一种实施方式中，所述树脂化合物的重均分子量为20,000-80，000，且所述树脂化合物的分子量分布系数小于或等于3.5。
在第一方面的一种实施方式中，所述第一重复单元具有结构通式(1)表示的结构：
Figure BDA0002348054070000031
其中，R1表示氢原子或者C1-C5烷基；
所述第二重复单元具有结构通式(2)表示的结构：
Figure BDA0002348054070000032
其中，R2表示氢原子或者C1-C5烷基，R3表示直链或支化C1-C10脂肪族基团、C1-C10脂环族基团或者C1-C10杂环基团；
其中，p和q分别表示相应的重复单元占树脂化合物的摩尔比。
在第一方面的一种实施方式中，所述第二重复单元的第一功能重复单元选自下述中的一种或几种：
Figure BDA0002348054070000041
所述第二重复单元的第二功能重复单元选自下述中的一种或几种：
Figure BDA0002348054070000051
在第二方面中，本申请提供一种如第一方面所述的树脂化合物的合成方法，其特征在于，所述方法包括：
S1：在惰性气氛下，在有机溶剂中混合对羟基苯乙烯类单体和丙烯酸酯类单体，得到第一混合物；
S2：在存在引发剂的情况下，使所述第一混合物在适于其聚合的反应温度下进行聚合，得到所述树脂化合物。
在第二方面的一种实施方式中，所述对羟基苯乙烯类单体包括但不限于下述结构中的一种或几种：乙酰氧基苯乙烯、乙酰氧基甲基苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯；
所述丙烯酸酯类单体包括但不限于下述结构中的一种或几种：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸环己烷酯、(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸甲基环己酯、1-乙基环戊基(甲基)丙烯酸酯、1-乙基环己基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸双环戊烯酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、4-叔丁基环己基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸金刚烷-1-基酯、2-甲基-2-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯及2-乙基-2-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯、柏木醇(甲基)丙烯酸酯、2-异丙基-2-金刚烷醇(甲基)丙烯酸酯。
在第三方面中，本申请提供一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包含以下组分：a)如第一方面所述的树脂化合物；b)光致产酸剂；c)含氮碱性化合物；以及d)有机溶剂。
在第三方面的一种实施方式中，所述光致产酸剂包括但不限于下述结构中的一种或几种：
Figure BDA0002348054070000061
在第三方面的一种实施方式中，所述含氮碱性化合物包括但不限于下述结构中的一种或几种：
Figure BDA0002348054070000071
在第三方面的一种实施方式中，所述有机溶剂包括下述中的一种或几种：丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇、γ-丁内脂。
与现有技术相比，本发明的积极效果在于：包含本申请的树脂化合物的光刻胶组合物可用于解决胶膜开裂、侧边形貌差及底部缝隙的KrF厚膜光刻胶等问题，膜厚范围可达8-20μm。
附图说明
图1显示厚膜16μm以上光刻胶配方实施例1切片示意图。
图2显示厚膜15μm光刻胶配方评估实施例1切片示意图。
图3显示厚膜15μm光刻胶配方评估实施例1切片角度示意图。
图4显示厚膜15μm光刻胶配方评估比较例1切片示意图。
图5显示厚膜15μm光刻胶配方评估比较例2切片示意图。图5中右下角的插图为图中圆圈区域的局部放大图，其中的底部缝隙(胶条与基材之间的小缝隙)清晰可见。
图6显示厚膜15μm光刻胶配方评估比较例3切片示意图。
图7显示厚膜12μm光刻胶配方评估实施例2切片示意图。
具体实施方式
在一种具体实施方式中，本申请提出一种厚膜KrF正性光刻胶树脂合成设计及配方的优化，提出解决胶膜开裂、侧边形貌差及底部缝隙的厚膜光刻胶方案，膜厚范围可达8-20μm。
该光刻胶树脂组合物的主要组成包括：树脂化合物(A)；其中，为达到上述性能，树脂化合物(A)中至少包含第一重复单元和第二重复单元。
光致产酸剂(B)：其在曝光的情况下产生质子酸(H+)，结构上主要包括阳离子结构的鎓盐部分及阴离子结构的RnSO3部分(其中：Rn代表着n个C原子结构线性或者非线性含F结构化合物)，同时也包括一些非离子型结构光酸；
含氮碱性化合物(C)：包括脂肪族(或芳香族)叔胺化合物等。
树脂化合物(A)
为保证厚膜工艺过程中不出现开裂情况及良好的机械性能，树脂化合物(A)必须重均分子量至少在20k-80k。树脂化合物(A)中至少包含第一重复单元和第二重复单元，其中所述第一重复单元具有结构通式(1)表示的结构：
Figure BDA0002348054070000081
其中，R1表示氢原子或者C1-C5烷基；
所述第二重复单元具有结构通式(2)表示的结构：
Figure BDA0002348054070000082
其中，R2表示氢原子或者C1-C5烷基，R3表示直链或支化C1-C10脂肪族基团、C1-C10脂环族基团或者C1-C10杂环基团。
在一种实施方式中，第一重复单元是衍生自羟基苯乙烯的结构单元；为保证厚膜与基底良好的附着力，基于构成上述树脂化合物的所有结构单元的总和的第一重复单元的量优选为30至80摩尔％，更优选为40至80摩尔％。过高的摩尔含量，可以提高树脂的粘附性，但UV吸收增加，降低了树脂的透明度(248nm)。但是摩尔含量过低，会大大降低树脂化合物粘附性，导致出现底部缝隙，所以最优选为50至75摩尔％。
通过使第一重复单元的量落入上述范围内，可以获得合适的碱溶解度水平及粘附性能，并且可以利用其他结构单元实现良好的平衡。
在一种实施方式中，第二重复单元是衍生自丙烯酸酯的结构单元，这类酯结构单元包括第一功能重复单元和第二功能重复单元，其分别具备以下功能：
第一功能重复单元能酸性条件下脱保护使极性发生改变；
第二功能重复单元能提高树脂耐刻蚀性同时降低深紫外UV吸收(248nm)。
在一种实施方式中，基于构成上述树脂化合物的所有结构单元总和的第二重复单元的量优选为20至70摩尔％，更优选为20至60摩尔％，最优选为25至50摩尔％。通过使第二重复单元的量落入上述范围内，可以获得合适的碱溶解度水平、耐刻蚀性能及透明度，并且可以利用其他结构单元实现良好的平衡。
在一种实施方式中，第二重复单元中能在酸性条件下脱保护使极性发生改变，通过引入适当的上述功能单元，可明显提高树脂对比度，改善树脂的碱溶解度水平。同时，树脂化合物可以展现出良好的感光性。第一功能重复单元的主要结构包括但不限制如下：
Figure BDA0002348054070000091
Figure BDA0002348054070000101
基于构成上述树脂化合物的所有结构单元总和的上述功能单元的量优选为5至50摩尔％，更优选为10至30摩尔％。
在一种实施方式中，第二重复单元中的第二功能重复单元能提高树脂耐刻蚀性同时降低深紫外UV吸收(248nm)，通过引入适当的上述功能单元，可明显降低树脂的UV吸收(248nm)，同时保持良好的耐刻蚀性。第二功能重复单元的主要结构包括但不限制如下：
Figure BDA0002348054070000111
基于构成上述树脂化合物的所有结构单元总和的上述功能单元的量优选为0至35摩尔％，更优选为10至30摩尔％。
光致产酸剂(B)
光致产酸剂(B)以下实例中称为光酸，其在曝光的情况下产生质子酸(H+)，促使树脂化合物(A)具有酸性条件下脱保护使极性发生改变的功能单元的去保护。结构上主要包括阳离子结构的鎓盐部分及阴离子结构的RnSO3部分(其中：Rn代表着n个C原子结构线性或者非线性含F结构化合物)，同时也包括一些非离子型结构光酸，其主要结构包括但不限制如下：
Figure BDA0002348054070000112
Figure BDA0002348054070000121
含氮碱性化合物(C)
以下实例中称为碱，此类化合物主要为了控制酸扩散，增加对比度，提高分辨率。可以使用已经提出用于在KrF准分子激光器和ArF准分子激光器的光刻胶中的众多组中的任何一种或多种的混合。其主要结构包括但不限制如下：
Figure BDA0002348054070000122
Figure BDA0002348054070000131
其中，上述含氮碱性化合物优选包括三辛胺、三(3、6二氧杂庚基)胺、三乙醇胺、联苯咪唑，其中优先选择三辛胺、三(3、6二氧杂庚基)胺及联苯咪唑，更加优先的选择三辛胺、三(3、6二氧杂庚基)胺。
实施例
下面将结合本申请的实施例，对本申请的技术方案进行清楚和完整的描述。如无特别说明，所用的试剂和原材料都可通过商业途径购买。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
树脂合成实施例
树脂合成1：
在装置搅拌器、冷凝器及氮气保护的500ml干燥的四口烧瓶中，加入90g乙酰氧基苯乙烯单体、38.5g丙烯酸异冰片酯单体、23.7g丙烯酸叔丁酯单体及150g溶剂甲醇，反应溶液密闭搅拌混溶后冷却到0℃左右，减压抽真空后氮气置换3次，然后加入3g的引发剂V601(偶氮二异丁酸二甲酯)，搅拌10min后体系开始升温到65℃左右反应18h，然后反应产物去保护后，得到对应聚合物溶液，缓慢的滴加聚合物溶液到5L的去离子水中沉降化合物，通过40#滤纸收集固体产物，后使用四氢呋喃将固体产物溶解到20％左右，再次使用5L的去离子水中沉降化合物，重复上述操作两次，收集固体产物置于45℃真空烘箱中干燥48h，得最终固体树脂产物收率92％，树脂命名A-1。
树脂合成2：
基于树脂合成1步骤，保持单体类型及投料比不变的情况下，增加引发剂V601的量到8.5g，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-2。
树脂合成3：
基于树脂合成1步骤，改变单体的投料比，80g乙酰氧基苯乙烯单体、51.4g丙烯酸异冰片酯单体、31.6g丙烯酸叔丁酯单体及160g溶剂甲醇，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-3。
树脂合成4：
基于树脂合成1步骤，改变单体的投料比及引发剂量，90g乙酰氧基苯乙烯单体、26.7g丙烯酸异冰片酯单体、21.8g丙烯酸叔丁酯单体、140g溶剂甲醇及4g引发剂V601，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-4。
树脂合成5：
基于树脂合成1步骤，改变单体的类型及引发剂量，90g乙酰氧基苯乙烯单体、31.1g甲基丙烯酸环己酯单体、21.8g丙烯酸叔丁酯单体、140g溶剂甲醇及8g引发剂V601，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-5。
树脂合成6：
基于树脂合成1步骤，改变单体的类型及引发剂量，100g乙酰氧基苯乙烯单体、21.4g苯乙烯单体、26.3g丙烯酸叔丁酯单体、150g溶剂甲醇及14g引发剂V601，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-6。
树脂合成7：
基于树脂合成1步骤，改变单体的类型及引发剂量，80g乙酰氧基苯乙烯单体、61g丙烯酸双环戊烯酯、25.3g丙烯酸叔丁酯单体、160g溶剂甲醇及3g引发剂V601，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-7。
树脂合成8：
基于树脂合成1步骤，改变单体的类型及引发剂量，60g乙酰氧基苯乙烯单体、38.1g丙烯酸双环戊烯酯、40.7g的2-甲基-2-金刚烷基丙烯酸酯单体、23.7g丙烯酸叔丁酯单体、160g溶剂甲醇及8.5g引发剂V601，其他实验条件不变，所得的固体树脂命名A-8。
光刻胶组成物
基于上述合成步骤的一系列实施例所用树脂的更详细描述如下，但本发明的范围决不受这些实施例的限制。以下实施例和比较例中使用的材料如下所示：
树脂名称 树脂通式 组成比例(摩尔比) 分子量Mw 分布PDI
A-1 通式(1) x：y：z＝60：20：20 46k 2.2
A-2 通式(1) x：y：z＝60：20：20 33k 2.2
A-3 通式(1) x：y：z＝50：25：25 49k 2.1
A-4 通式(1) x：y：z＝65：15：20 42k 2.3
A-5 通式(2) x：y：z＝60：20：20 33k 2.1
A-6 通式(3) x：y：z＝60：20：20 25k 2.4
A-7 通式(4) x：y：z＝50：30：20 40k 2.4
A-8 通式(5) x：y：z：k＝40：20：20：20 34k 1.9
树脂结构通式如下：
Figure BDA0002348054070000151
[光致产酸剂(B)]
Figure BDA0002348054070000152
[含氮碱性化合物(C)]
三(3、6二氧杂庚基)胺 C-1
[溶剂]
丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA) S-1
丙二醇甲醚(PGME) S-2
光刻工艺
在SiN基材上经过匀胶机不同转速涂胶处理，在140℃热盘上前烘150S，后采用KrF曝光机NSR-S204(NA(numerical aperture)＝0.55，σ＝0.6)选择性的曝光(5μm Line/Space)，然后在120℃热盘上后烘90S，待SiN晶片冷却到室温后使用2.38％的TMAH显影液显影120S，最后用去离子水冲洗30S，形成所需要的光刻图案。
本专利所述厚膜光刻胶配方组成物实例包括如下，但是不限制于以下实例；在以下实例表格中，所有提到的质量单位为g，所涉及的比例均是质量比；
厚膜16μm以上光刻胶配方评估
Figure BDA0002348054070000161
光刻结果
Figure BDA0002348054070000162
厚膜15μm光刻胶配方评估
Figure BDA0002348054070000163
光刻结果
Figure BDA0002348054070000171
厚膜12μm光刻胶配方评估
Figure BDA0002348054070000172
光刻结果
Figure BDA0002348054070000173
Figure BDA0002348054070000181
<注>是否开裂：反映的是胶膜在扫描电子显微镜下膜层的开裂情况(参见图4)；
底部缝隙：是指光刻工艺后曝光图形切片时，用电子显微镜观察看到的胶膜与底部基底之间的微小缝隙(参见图5)；
“-”：表示没有测试结果。
实施例结果显示，采用本专利所述的光刻胶配方，优化树脂组成及分子量、光酸类型的基础上，提出了一系列不同膜厚下防开裂、防底部缝隙的光刻胶方案。通过不同的分子量解决不同膜厚下抗开裂情况；不同的树脂单体组成改善对基材的粘附能力，解决底部缝隙；同时控制树脂单体组成调节树脂的UV吸收，改善光刻图形形貌等。
上述对实施例的描述是为了便于本技术领域的普通技术人员能理解和应用本申请。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其它实施例中而不必付出创造性的劳动。

Claims (10)

1.一种树脂化合物，其特征在于，所述树脂化合物至少包括衍生自羟基苯乙烯的第一重复单元和衍生自丙烯酸酯的第二重复单元；
其中以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第一重复单元的量为30摩尔％至80摩尔％；
其中所述第二重复单元包括能在酸性条件下脱保护使所述树脂化合物极性发生改变的第一功能重复单元以及能提高所述树脂化合物耐刻蚀性同时降低深紫外吸收的第二功能重复单元；
且以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第二重复单元的量为20摩尔％至70摩尔％。
2.如权利要求1所述的树脂化合物，其特征在于，以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第一重复单元的量为40摩尔％至80摩尔％，优选地为50摩尔％至75摩尔％；
以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第二重复单元的量为20摩尔％至60摩尔％，优选地为25摩尔％至50摩尔％；
和/或，以构成所述树脂化合物的所有重复单元的总和为基准计，所述第一功能重复单元的量为5摩尔至50摩尔％，优选地为10至30摩尔％，且所述第二功能重复单元的量为0摩尔至35摩尔％，优选地为10至30摩尔％。
3.如权利要求1所述的树脂化合物，其特征在于，所述树脂化合物的重均分子量为20,000-80,000，且所述树脂化合物的分子量分布系数小于或等于3.5。
4.如权利要求1所述的树脂化合物，其特征在于，所述第一重复单元具有结构通式(1)表示的结构：
Figure FDA0002348054060000021
其中，R1表示氢原子或者C1-C5烷基；
所述第二重复单元具有结构通式(2)表示的结构：
Figure FDA0002348054060000022
其中，R2表示氢原子或者C1-C5烷基，R3表示直链或支化C1-C10脂肪族基团、C1-C10脂环族基团或者C1-C10杂环基团；
其中，p和q分别表示相应的重复单元占树脂化合物的摩尔比。
5.如权利要求4所述的树脂化合物，其特征在于，所述第二重复单元的第一功能重复单元选自下述中的一种或几种：
Figure FDA0002348054060000023
Figure FDA0002348054060000031
所述第二重复单元的第二功能重复单元选自下述中的一种或几种：
Figure FDA0002348054060000032
Figure FDA0002348054060000041
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的树脂化合物的合成方法，其特征在于，所述方法包括：
S1：在惰性气氛下，在有机溶剂中混合对羟基苯乙烯类单体和丙烯酸酯类单体，得到第一混合物；
S2：在存在引发剂的情况下，使所述第一混合物在适于其聚合的反应温度下进行聚合，得到所述树脂化合物。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对羟基苯乙烯类单体包括但不限于下述结构中的一种或几种：乙酰氧基苯乙烯、乙酰氧基甲基苯乙烯，叔丁氧基苯乙烯；
所述丙烯酸酯类单体包括但不限于下述结构中的一种或几种：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸环己烷酯、(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸甲基环己酯、1-乙基环戊基(甲基)丙烯酸酯、1-乙基环己基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸双环戊烯酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、4-叔丁基环己基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸金刚烷-1-基酯、2-甲基-2-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯及2-乙基-2-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯、柏木醇(甲基)丙烯酸酯、2-异丙基-2-金刚烷醇(甲基)丙烯酸酯。
8.一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包含以下组分：a)如权利要求1-5中任一项所述的树脂化合物；b)光致产酸剂；c)含氮碱性化合物；以及d)有机溶剂。
9.如权利要求8所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光致产酸剂包括但不限于下述结构中的一种或几种：
Figure FDA0002348054060000051
10.如权利要求8所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述含氮碱性化合物包括但不限于下述结构中的一种或几种：
Figure FDA0002348054060000061
所述有机溶剂包括下述中的一种或几种：丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇和γ-丁内脂。
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