CN111081575A - 一种硅片晶圆划片后检测工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺，包括以下步骤：步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角,裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，提高了产品质量，降低企业的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及芯片划片行业，具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺。
背景技术
随着科技发展，电子产业突飞猛进，各种集成、控制电路需求急剧增长，对芯片封装的需求也增长迅猛。
芯片封装是指，将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上，然后利用引线将芯片与框架引脚相连接，最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来，外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封，使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时，不受外界湿度、灰尘的影响，同时提供良好的抗机械振动或冲击保护，提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上，增加了散热面积，提高了芯片的运行可靠性。
硅片在进行划割后时，需要对原片进行系统全面的检查，以确保产品的质量。
现需要一种硅片晶圆划片后检测工艺，以期可以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅片晶圆划片后检测工艺，以弥补现有检测过程中的不足。
为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片晶圆划片后检测工艺，步骤如下：
步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角, 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟；
步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；
步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
优选地，在步骤1中，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常。
优选地，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。
本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，大大提高了产品质量，大大降低企业的生产成本。
具体实施方式
为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片晶圆划片后检测工艺，步骤如下：
步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角, 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟；
步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；
步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
其中，在步骤1中，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常。
其中，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。。
本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，大大提高了产品质量，大大降低企业的生产成本。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角, 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等，所述划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟；
步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；
步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，在步骤1中，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。
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| CN201811218209.XA CN111081575A (zh) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | 一种硅片晶圆划片后检测工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN111081575A true CN111081575A (zh) | 2020-04-28 |
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Family Applications (1)
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| CN201811218209.XA Withdrawn CN111081575A (zh) | 2018-10-19 | 2018-10-19 | 一种硅片晶圆划片后检测工艺 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN111081575A (zh) |
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2018
- 2018-10-19 CN CN201811218209.XA patent/CN111081575A/zh not_active Withdrawn
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
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| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |