CN107887330A - 一种硅片圆片切割前准备工艺 - Google Patents

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徐志华
张彦
陈玲
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Abstract

本发明涉及一种硅片圆片切割前准备工艺,包括如下步骤:步骤1、根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号;步骤2、操作员在切割前应该检查载物台。如果载物台上有杂质,操作员应该用气枪吹去这些杂质;步骤3、点击“刀片状况资料”,读取刀刃露出量;步骤4、纯水检测:检查内容:1.纯水阻值、2.纯水PH值,频率:每班一次,早晚班上班时进行。本发明的一种硅片圆片切割前准备工艺,再进行圆片切割前,对相关设备和圆片进行全方位的检测,确保切割时的安全和切割的准确性,降低废品发生率,降低企业的生产成本。

Description

一种硅片圆片切割前准备工艺
技术领域
本发明涉及芯片切割行业,具体涉及一种硅片圆片切割前准备工艺。
背景技术
随着科技发展,电子产业突飞猛进,各种集成、控制电路需求急剧增长,对芯片封装的需求也增长迅猛。
芯片封装是指,将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上,然后利用引线将芯片与框架引脚相连接,最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来,外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封,使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时,不受外界湿度、灰尘的影响,同时提供良好的抗机械振动或冲击保护,提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上,增加了散热面积,提高了芯片的运行可靠性。
硅片在进行切割时,前期如果没有对相应的设备,产品进行准备,很容易照成后续出现废品,这样增加了企业的生产成本,现有技术中没有相关工艺的详细说明。
现需要一种硅片圆片切割前准备工艺,以期可以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅片圆片切割前准备工艺,以弥补现有生产过程中的不足。
为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片圆片切割前准备工艺,步骤如下:
步骤1、根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号;
步骤2、操作员在切割前应该检查载物台,如果载物台上有杂质,操作员应该用气枪吹去这些杂质;
步骤3、点击“刀片状况资料”, 读取刀刃露出量;
步骤4、纯水检测: 检查内容:纯水阻值 ; 纯水PH值,频率:每班一次,早晚班上班时进行。
优选地,在步骤2中,当此数据小于刀刃最小露出量时,需更换划片刀,刀刃最小露出量=圆片厚度+切入膜量+50um,若划片刀露出量没有达到规定的使用下限但刀痕不符合规范时也需要更换划片刀。
优选地,在进行硅片圆片切割前准备工艺时,操作员必须戴上防静电手套、指套、防静电腕带。
优选地,在步骤4中,纯水发生处阻值要大于14 MΩ·cm,纯水PH值正常范围为6-8。
本发明的一种硅片圆片切割前准备工艺,再进行圆片切割前,对相关设备和圆片进行全方位的检测,确保切割时的安全和切割的准确性,降低废品发生率,降低企业的生产成本。
具体实施方式
本发明主要针对芯片封装过程中的装片工序,提供了一种硅片圆片切割前准备工艺,具体步骤如下:
步骤1、根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号;
步骤2、操作员在切割前应该检查载物台,如果载物台上有杂质,操作员应该用气枪吹去这些杂质;
步骤3、点击“刀片状况资料”, 读取刀刃露出量;
步骤4、纯水检测: 检查内容:纯水阻值;纯水PH值,频率:每班一次,早晚班上班时进行。
其中,在步骤2中,当此数据小于刀刃最小露出量时,需更换划片刀,刀刃最小露出量=圆片厚度+切入膜量+50um,若划片刀露出量没有达到规定的使用下限但刀痕不符合规范时也需要更换划片刀。
其中,在进行硅片圆片切割前准备工艺时,操作员必须戴上防静电手套、指套、防静电腕带。
其中,在步骤4中,纯水发生处阻值要大于14 MΩ·cm,纯水PH值正常范围为6-8。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种硅片圆片切割前准备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号;
步骤2、操作员在切割前应该检查载物台,如果载物台上有杂质,操作员应该用气枪吹去这些杂质;
步骤3、点击“刀片状况资料”, 读取刀刃露出量;
步骤4、纯水检测: 检查内容:纯水阻值 ; 纯水PH值,频率:每班一次,早晚班上班时进行。
2.根据权利1所述的一种硅片圆片切割前准备工艺,其特征在于,在步骤2中,当此数据小于刀刃最小露出量时,需更换划片刀,刀刃最小露出量=圆片厚度+切入膜量+50um,若划片刀露出量没有达到规定的使用下限但刀痕不符合规范时也需要更换划片刀。
3.根据权利1所述的一种硅片圆片切割前准备工艺,其特征在于,在进行硅片圆片切割前准备工艺时,操作员必须戴上防静电手套、指套、防静电腕带。
4.根据权利1所述的一种硅片圆片切割前准备工艺,其特征在于,在步骤4中,1纯水发生处阻值要大于14 MΩ·cm,纯水PH值正常范围为6-8。
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