CN111081574A - 一种硅片晶圆划片后检测工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺,包括以下步骤:步骤1、当第一片划完后,操作者应立即取出,在显微镜下检查或目视检查,划片槽是否偏斜,是否全划穿,蓝膜上是否有刀痕,有无芯片脱落,有效电路区中是否有缺角,裂缝,钝化层受损,擦伤和沾污等的芯片;步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查,在划片过程中,每三十刀检查一次,检查内容包括切割槽宽度、切割位置等;步骤3、切割刀痕的测量:操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据,并且记录;步骤4、对于已完成检查的圆片,则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺,检测内容全面先进,提高了产品质量,降低企业的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及芯片划片行业,具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺。
背景技术
随着科技发展,电子产业突飞猛进,各种集成、控制电路需求急剧增长,对芯片封装的需求也增长迅猛。
芯片封装是指,将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上,然后利用引线将芯片与框架引脚相连接,最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来,外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封,使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时,不受外界湿度、灰尘的影响,同时提供良好的抗机械振动或冲击保护,提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上,增加了散热面积,提高了芯片的运行可靠性。
硅片在进行划割后时,需要对原片进行系统全面的检查,以确保产品的质量。
现需要一种硅片晶圆划片后检测工艺,以期可以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅片晶圆划片后检测工艺,以弥补现有检测过程中的不足。
为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片晶圆划片后检测工艺,步骤如下:
步骤1、当第一片划完后,操作者应立即取出,在显微镜下检查或目视检查,划片槽是否偏斜,是否全划穿,蓝膜上是否有刀痕,有无芯片脱落,有效电路区中是否有缺角, 裂缝,钝化层受损,擦伤和沾污等的芯,如果第一片有问题,应立即采取措施,然后再检查紧跟切割的一片,直到正常;
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查,在划片过程中,每三十刀检查一次,检查内容包括切割槽宽度、切割位置等;
步骤3、切割刀痕的测量:操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据,并且记录;
步骤4、对于已完成检查的圆片,则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
优选地,在步骤2中,划片后须用清洗机清洗,清洗时间设定为三分钟。
优选地,操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。
本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺,检测内容全面先进,大大提高了产品质量,大大降低企业的生产成本。
具体实施方式
为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片晶圆划片后检测工艺,步骤如下:
步骤1、当第一片划完后,操作者应立即取出,在显微镜下检查或目视检查,划片槽是否偏斜,是否全划穿,蓝膜上是否有刀痕,有无芯片脱落,有效电路区中是否有缺角, 裂缝,钝化层受损,擦伤和沾污等的芯片,如果第一片有问题,应立即采取措施,然后再检查紧跟切割的一片,直到正常;
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查,在划片过程中,每三十刀检查一次,检查内容包括切割槽宽度、切割位置等;
步骤3、切割刀痕的测量:操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据,并且记录;
步骤4、对于已完成检查的圆片,则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
其中,在步骤2中,划片后须用清洗机清洗,清洗时间设定为三分钟。
其中,操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。。
本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺,检测内容全面先进,大大提高了产品质量,大大降低企业的生产成本。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.一种硅片晶圆划片后检测工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、当第一片划完后,操作者应立即取出,在显微镜下检查或目视检查,划片槽是否偏斜,是否全划穿,蓝膜上是否有刀痕,有无芯片脱落,有效电路区中是否有缺角, 裂缝,钝化层受损,擦伤和沾污等的芯片,所述如果第一片有问题,应立即采取措施,然后再检查紧跟切割的一片,直到正常;
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查,在划片过程中,每三十刀检查一次,检查内容包括切割槽宽度、切割位置等;
步骤3、切割刀痕的测量:操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据,并且记录;
步骤4、对于已完成检查的圆片,则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺,其特征在于,在步骤2中,划片后须用清洗机清洗,清洗时间设定为三分钟。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺,其特征在于,操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200428 |
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |