CN111065697B - 可光交联的含氟聚合物涂料组合物和由其形成的涂层 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及可光交联的含氟聚合物涂料组合物，包含光交联的含氟聚合物的涂层和用于形成所述涂层的方法。包含交联的含氟聚合物的涂层具有低介电常数、低吸水性、对常规电子器件基板的良好粘附性，并且能够被光成像以便提供现代电子器件所需的非常精细的特征。

Description

可光交联的含氟聚合物涂料组合物和由其形成的涂层
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年7月21日提交的美国临时专利申请号62/535,546的权益，该申请全文以引用方式并入本文。
技术领域
本公开涉及包含光交联的含氟聚合物的涂层，用于形成所述涂层的组合物和方法以及包含所述涂层的制品。含氟聚合物是由氟代烯烃、烷基或芳基乙烯基醚以及烯基硅烷的聚合制得的共聚物。
背景技术
聚合物用于电子器件中以提供结构支撑和绝缘以及保护该器件免受物理损伤和防水。如果聚合物是可光成像的，即可光交联的从而允许形成具有限定尺寸的图案，则这些聚合物在这些应用中的价值极大地增加，从而提供用于互连多个电子部件和层的三维架构。
随着电子器件变得越来越小，移动到更高的频率并具有更低的功耗，用于制造电子器件的常规材料(诸如聚酰亚胺)不能满足对具有较低介电常数、较低损耗角正切值、较低吸湿性、以及对基板的粘附性的新材料的要求。在该领域中用于电子器件钝化的此类常规聚合物具有例如在3.0至3.3的范围内的介电常数，以及例如在0.8％至1.7％的范围内的吸水性。吸水性是电子器件应用中常规聚酰亚胺的一个重大缺陷，并且可导致形成酸，所述酸导致装置中金属和无机物的腐蚀。此类腐蚀是不可取的，因为其可通过侵蚀信号传输质量和钝化层与被涂覆表面的分层而导致器件失效。此外，从介电常数的角度来看，钝化层的吸水性是不可取的，其对构成包含钝化层的聚合物的水含量增加非常敏感并且由于水含量增加而不可取地升高。这些缺陷在其中以高频率传输数据的新型电子器件中是尤其令人关注的。装置的操作频率越高，其对由所吸收的水导致的性能下降越敏感。
持续需要用作电子器件中的涂层的聚合物材料，所述聚合物材料具有较低的介电常数、较低的吸水性、对基板的更好的粘附性，并且可光成像以生产电子部件和层。
发明内容
本公开涉及一种涂层，其包含设置在基板的至少一部分上的光交联的涂料组合物层，其中所述涂料组合物包含：i)可光交联的含氟聚合物，其具有源自单体的重复单元，所述单体包括：(a)氟代烯烃，其选自四氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙烯、全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、以及全氟(丙基乙烯基醚)；(b)烷基乙烯基醚，其中所述烷基基团为C1至C6直链饱和烃基团或C3至C6支链或环状饱和烃基团、或芳基乙烯基醚，其中所述芳基基团为未取代的或取代的；以及(c)式SiR1R2R3R4的烯基硅烷，其中R1为烯键式不饱和烃基团，R2为芳基、芳基取代的烃基团、支链C3-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团，并且R3和R4独立地选自直链或支链C1-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团；ii)光致酸产生剂；以及iii)任选的光敏剂；其中所述可光交联的含氟聚合物具有10,000道尔顿至350,000道尔顿的数均分子量，并且其中当在1MHz下测量时，所述光交联的涂料组合物具有2.0至3.0的介电常数，并且其中所述光交联的涂料组合物层具有0.5微米至15微米的厚度并且具有0.5微米或更大宽度的光交联特征。
本公开还涉及一种用于制造前述涂层的方法，包括；(1)提供前述可光交联的涂料组合物，其还包含载体介质；(2)将还包含载体介质的可光交联的涂料组合物层施加到基板的至少一部分上；(3)移除所述载体介质的至少一部分；(4)用紫外光照射所述可光交联的涂料组合物层的至少一部分；(5)加热所施加的可光交联的涂料组合物层；以及(6)移除所述未交联的可光交联的含氟聚合物的至少一部分。
本公开还涉及包含前述可光交联的涂料组合物的组合物。
本发明的涂层解决了工业需要，因为它们具有低介电常数、低吸水性、对常规电子器件基板的良好粘附性，并且能够被光成像以便提供现代电子器件中所需的非常精细的特征。
附图说明
本文所述的附图仅出于说明的目的。附图不一定按比例绘制，重点放在示出以下公开内容的原理上。附图不旨在以任何方式限制本公开的范围。
图1示出了包含涂料组合物层的基板的横截面图。
图2示出了根据本发明的一个实施方案的具有图案化涂层的晶片的平面图的显徼照片(具有20微米比例尺)。
图3示出了根据本发明的一个实施方案的具有图案化涂层的晶片的平面图的显徼照片(具有添加的测量条)。
图4示出了根据本发明的一个实施方案的具有图案化涂层的晶片的平面图的显微照片(具有添加的测量条)。
图5示出了根据本发明的一个实施方案的具有图案化涂层的晶片的平面图的显徼照片(具有添加的测量条)。
图6示出了根据本发明的一个实施方案的具有图案化涂层的晶片的平面图的显徼照片(具有添加的测量条)。
具体实施方式
通过阅读下列详细描述，本领域普通的技术人员将能更容易地理解本公开的特征和优点。应理解，为清楚起见在以上和以下单独的实施方案内容中所述的本公开的某些特征，也可在单个元素中以组合的方式来提供。相反地，为了简化而在单个实施方案的上下文中描述的本公开的各种特征也可单独地或者以任何次级的组合方式来提供。此外，除非上下文特别地另外指明，涉及的单数也可包括复数(例如“一个”和“一种”可指一个(种)或多个(种))。
除非另外明确指出，本专利申请中指定的各种范围内数值的使用是作为近似值来陈述的，恰如所述范围的最小值和最大值之前都有词语“大约”。这样，在所述范围的之上和之下的轻微变化可用于实现与该范围内的值基本相同的结果。另外，这些范围的公开意在作为包括最小值与最大值之间每个值的连续范围。
如本文所用：
术语“光交联的”意指交联的含氟聚合物，其中聚合物网络内的交联由于光的作用而形成。例如，包含可光交联的含氟聚合物的组合物还包含光致酸产生剂中的一种或多种和任选的光敏剂。用适当波长的光照射组合物产生与含氟聚合物上的硅烷基团反应的酸官能分子，从而导致含氟聚合物交联。
短语“可光交联的含氟聚合物”意指当在一种或多种光致酸产生剂和任选地光敏剂存在下被适当波长的光照射时能够光交联的未交联的含氟聚合物。
短语“光交联特征”是指可根据本公开的方法制备的结构的尺寸。光交联特征由所形成特征的宽度和光交联的涂料组合物层的厚度限定。例如，所公开的方法可在2微米厚的涂层中形成4微米线。应当指出的是，光交联特征是指当移除未交联的含氟聚合物时形成的空隙。例如，在形成一系列线的情况下，光交联特征是指当将未交联的含氟聚合物材料移除从而形成空隙时所产生的空隙的宽度。可通过照射涂料组合物层的一部分，加热所施加的涂料组合物层，然后例如通过溶解并在溶剂中带走来移除涂料组合物的未交联的部分，来形成光交联特征。
短语“钝化层”意指提供其所附接的下面基板免受环境损害的层。例如，水的损害、氧化和化学降解。钝化层既具有阻隔特性又在基板上形成电介质层，所述电介质层可用于将两个导体层或两个半导体层或导电层与半导体层分隔开。钝化层还可用作发光二极管结构中的堤层，其将发光二极管材料的各个阱分开从而防止彼此接触。
短语“非反应性溶剂”意指用于可光交联的含氟聚合物或包含该可光交联的含氟聚合物的涂料组合物的一种或多种溶剂，其中非反应性溶剂不由于与可光交联的含氟聚合物光交联而成为最终交联的网络的一部分。
本公开涉及包含光交联的涂料组合物的涂层，其中所述光交联的涂料组合物包含光交联的含氟聚合物。在一个实施方案中，涂层为钝化层。涂层可用作薄膜晶体管、有机场效应晶体管、半导体、半导体氧化物场效应晶体管、集成电路、发光二极管(LED)、LED(包括有机LED)的堤层、显示装置、柔性电路、焊接掩模、光伏器件、印刷电路板、层间电介质、光波导、微机电系统(MEMS)、电子显示装置层、或微流体器件或芯片层中的阻挡层和/或绝缘层。涂层还可形成呈用于电润湿应用的图案化表面形式的层。交联的涂料组合物可提供非常小的光交联特征，并且提供低介电常数、低吸水性、以及对电子器件基板的良好粘附性。
该涂层包含设置在基板的至少一部分上的光交联的涂料组合物层，并且所述涂料组合物包含i)可光交联的含氟聚合物，ii)光致酸产生剂，以及iii)任选的光敏剂，其中可光交联的含氟聚合物具有10,000道尔顿至350,000道尔顿的数均分子量，并且其中当在1MHz下测量时，所述光交联的涂料组合物具有2.0至3.0的介电常数，并且其中所述光交联的涂料组合物层具有0.5微米至15微米的厚度并且具有0.5微米或更大宽度的光交联特征。在其他实施方案中，光交联特征的宽度(分辨率)为1微米至10微米。
电子器件中的涂层的重要特性是具有少量吸水性。本发明的涂层具有极低的吸水性。在一个实施方案中，吸水性在标准温度下在90％至10％相对湿度下通过动态气相吸附(DVS)方法使光交联的涂料组合物的样品经历受控湿度室中的测量来评估。本发明光交联的涂料组合物的典型吸水率值在0.01重量％至0.8重量％的范围内。在其他实施方案中，吸水性为0.05重量％至0.2重量％，并且在另一实施方案中，为0.1重量％。
本发明的可光交联的含氟聚合物包括源自氟代烯烃单体的重复单元。氟代烯烃是选自四氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙烯、全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、以及全氟(丙基乙烯基醚)的至少一种单体。在一些实施方案中，除这些氟代烯烃之外，可光交联的含氟聚合物还可包含源自能够共聚成本发明的含氟聚合物的其他氟化单体的重复单元，所述其他氟化单体包括：三氟乙烯、氟乙烯、偏二氟乙烯、全氟二甲基间二氧杂环戊烯、三氟丙烯、全氟(2-亚甲基-4-甲基-1，3-二氧戊环、六氟异丁烯、3-[1-[二氟[(三氟乙烯基)氧基]甲基]-1，2，2，2-四氟乙氧基]-2，2，3，3-四氟丙酸甲酯、2-[1-[二氟[(1，2，2-三氟乙烯基)氧基]甲基]-1，2，2，2-四氟乙氧基]-1，1，2，2-四氟-乙磺酰氟、或它们的组合。在一些实施方案中，形成可光交联的含氟聚合物的氟代烯烃单体可由或基本上由前述氟代烯烃组成。
将氟代烯烃以基于含氟聚合物中重复单元的总量计40摩尔％至60摩尔％的量引入可光交联的含氟聚合物中。在一些实施方案中，将氟代烯烃以42摩尔％至58摩尔％的量引入含氟聚合物中。在其他实施方案中，将氟代烯烃以45摩尔％至55摩尔％的量引入含氟聚合物中。
本发明的可光交联的含氟聚合物包括源自至少一种烷基乙烯基醚单体和/或芳基乙烯基醚单体的重复单元。如本文所用，烷基乙烯基醚是其中烷基基团为C1至C6直链饱和烃基团或C3至C6支链或环状饱和烃基团的那些。示例性烷基乙烯基醚包括甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、异丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、仲丁基乙烯基醚、叔丁基乙烯基醚、正戊基乙烯基醚、异戊基乙烯基醚、己基乙烯基醚、以及环己基乙烯基醚。在一些实施方案中，烷基乙烯基醚由或基本上由甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、异丙基乙烯基醚或它们的组合组成。如本文所用，芳基乙烯基醚是其中芳基基团为未取代的(苯基)或取代的(例如烷基苯基(例如甲苯基、二甲苯基、-C6H4(CH2CH3))、卤代苯基、氨基苯基)的那些。示例性芳基乙烯基醚包括苯基乙烯基醚。
将烷基和/或芳基乙烯基醚以基于含氟聚合物中重复单元的总量计40摩尔％至60摩尔％的量引入可光交联的含氟聚合物中。在一些实施方案中，将烷基或芳基乙烯基醚以42摩尔％至58摩尔％的量引入含氟聚合物中。在其他实施方案中，将烷基和/或芳基乙烯基醚以45摩尔％至55摩尔％的量引入含氟聚合物中。
本发明的可光交联的含氟聚合物包括源自至少一种烯基硅烷单体的重复单元。如本文所用，烯基硅烷对应于通式SiR1R2R3R4，其中R1为烯键式不饱和烃基团，R2为芳基、芳基取代的烃基团、支链C3-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团，并且R3和R4独立地选自直链或支链C1-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团。
烯基硅烷的R1烯键式不饱和烃基团是能够与氟代烯烃和烷基或芳基乙烯基醚一起有效地共聚为可光交联的含氟聚合物主链的不饱和烃基团。在一些实施方案中，烯键式不饱和烃基团是具有2至5个碳原子的那些。在一些实施方案中，烯键式不饱和烃基团是次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、1-丙烯基、2-丁烯基、1，3-丁二烯基、2-戊烯基等。在一个优选的实施方案中，烯键式不饱和烃基团是乙烯基。
烯基硅烷的R2基团为芳基、芳基取代的烃基团、支链C3-C6烷氧基基团或者取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团。R2基团可被本发明人选择成键合到硅烷的硅原子上的空间体积相对大的取代基。本发明人发现这使得烯基硅烷能够通过烯键式不饱和烃基团有效共聚并引入可光交联的含氟聚合物主链中，并且还产生具有相稳定储存期的含氟聚合物，例如使得其仍保持溶解于有机溶剂中，并且在环境温度下且在不具有特别预防措施的情况下不会不可取地不形成凝胶并持续至少3个月(例如不通过硅烷烷氧基基团水解，然后进行硅-氧交联(例如-Si-O-Si-)形成凝胶)。在一个实施方案中，R2为芳基，例如苯基、萘基等。在另一个实施方案中，R2为芳基取代的烃基团，例如苄基、-CH2CH2C6H5等。在另一个实施方案中，R2为支链C3-C6烷氧基基团。在另一个实施方案中，R2为取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团。示例性R2基团包括异丙氧基(-OCH(CH3)CH3、2-丙氧基)、异丁氧基(1-甲基丙氧基、-OCH(CH3)CH2CH3)、仲丁氧基(2-甲基丙氧基、-OCH2CH(CH3)CH3))、叔丁氧基(2-甲基-2-丙氧基、-OC(CH3)3))等。在一个优选的实施方案中，R2为异丙氧基。
烯基硅烷的R3和R4基团独立地选自直链或支链的C1-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团。在一个实施方案中，R3和R4是相同的。
在一个实施方案中，烯基硅烷是三烷氧基硅烷，其中R2、R3和R4基团是相同的。
本发明的示例性烯基硅烷包括：乙烯基三异丙氧基硅烷、烯丙基三异丙氧基硅烷、丁烯基三异丙氧基硅烷、以及乙烯基苯基二甲氧基硅烷。在一个优选的实施方案中，本发明的烯基硅烷单体是乙烯基三异丙氧基硅烷。在一些实施方案中，烯基硅烷由或基本上由乙烯基三异丙氧基硅烷组成。此类烯基硅烷可商购获自例如Gelest Inc.(Morrisville，PA，USA)。
在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物基本上由或另选地由源自单体四氟乙烯、甲基乙烯基醚和乙烯基三异丙氧基硅烷的重复单元组成。在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物基本上由或另选地由源自单体四氟乙烯、乙基乙烯基醚和乙烯基三异丙氧基硅烷的重复单元组成。
根据一些实施方案，将烯基硅烷以基于用于形成含氟聚合物的单体的总量计0.2摩尔％至10摩尔％的量引入可光交联的含氟聚合物中。在其他实施方案中，将烯基硅烷以1.2摩尔％至8摩尔％的量，并在另一些实施方案中以1.4摩尔％至7摩尔％的量引入含氟聚合物中。
在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物包含40摩尔％至60摩尔％的源自氟代烯烃的重复单元、40摩尔％至60摩尔％的源自烷基乙烯基醚或芳基乙烯基醚的重复单元、以及0.2摩尔％至10摩尔％的源自烯基硅烷的重复单元。在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物基本上由40摩尔％至60摩尔％的源自氟代烯烃的重复单元、40摩尔％至60摩尔％的源自烷基乙烯基醚或芳基乙烯基醚的重复单元、以及0.2摩尔％至10摩尔％的源自烯基硅烷的重复单元组成。在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物由40摩尔％至60摩尔％的源自氟代烯烃的重复单元、40摩尔％至60摩尔％的源自烷基乙烯基醚或芳基乙烯基醚的重复单元、以及0.2摩尔％至10摩尔％的源自烯基硅烷的重复单元组成。
在用于形成光交联的含氟聚合物涂层的本发明组合物的一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物包含源自四氟乙烯、乙基乙烯基醚和乙烯基三异丙氧基硅烷的重复单元，该含氟聚合物具有50,000道尔顿至330,000道尔顿的重均分子量，载体介质为丙二醇单甲醚醋酸酯，并且溶液包含15重量％至25重量％的含氟聚合物。在用于形成光交联的含氟聚合物涂层的本发明组合物的另一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物包含源自四氟乙烯、乙基乙烯基醚和乙烯基三异丙氧基硅烷的重复单元，该含氟聚合物具有120,000道尔顿至330,000道尔顿的重均分子量，载体介质为丙二醇单甲醚醋酸酯，并且溶液包含15重量％至25重量％的含氟聚合物。在用于形成光交联的含氟聚合物涂层的本发明组合物的另一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物包含40摩尔％至60摩尔％的源自四氟乙烯的重复单元、40摩尔％至60摩尔％的源自乙基乙烯基醚的重复单元、以及0.2摩尔％至10摩尔％的源自乙烯基三异丙氧基硅烷的重复单元，该含氟聚合物具有50,000道尔顿至330,000道尔顿的重均分子量，载体介质为丙二醇单甲醚醋酸酯，并且该溶液包含15重量％至25重量％的含氟聚合物。在用于形成光交联的含氟聚合物涂层的本发明组合物的另一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物包含40摩尔％至60摩尔％的源自四氟乙烯的重复单元、40摩尔％至60摩尔％的源自乙基乙烯基醚的重复单元、以及0.2摩尔％至10摩尔％的源自乙烯基三异丙氧基硅烷的重复单元，该含氟聚合物具有120,000道尔顿至330,000道尔顿的重均分子量，载体介质为丙二醇单甲醚醋酸酯，并且溶液包含15重量％至25重量％的含氟聚合物。
根据一些实施方案，可光交联的含氟聚合物具有10,000道尔顿至350,000道尔顿的重均分子量。根据其他实施方案，可光交联的含氟聚合物具有100,000道尔顿至350,000道尔顿的重均分子量。在其他实施方案中，可光交联的含氟聚合物重均分子量可在包括最小重均分子量至最大重均分子量的范围内，其中最小重均分子量为10,000道尔顿、或20,000道尔顿、或30,000道尔顿、或40,000道尔顿、或50,000道尔顿、或60,000道尔顿、或70,000道尔顿、或80,000道尔顿、或90,000道尔顿、或100,000道尔顿、或110,000道尔顿、或120,000道尔顿、或125,000道尔顿、或130,000道尔顿、或140,000道尔顿、或150,000道尔顿、或160,000道尔顿或170,000道尔顿，并且最大重均分子量为350,000道尔顿、或340,000道尔顿、或330,000道尔顿、或320,000道尔顿、或310,000道尔顿或300,000道尔顿。在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物具有200,000道尔顿的重均分子量。
可光交联的含氟聚合物可根据已知方法产生。在一些实施方案中，可使单体在不使用溶剂的情况下聚合，并且在其他实施方案中，可使单体在溶剂中聚合，所述溶剂可为或可不为用于可光交联的含氟聚合物的溶剂。在其他实施方案中，可通过单体的乳液聚合来制备可光交联的含氟聚合物。为了制备期望的可光交联的含氟聚合物，可将单体、至少一种自由基引发剂以及任选地酸受体装入高压釜中，并且在大气压至高达1,500个大气压的压力下加热至25℃至200℃的温度持续10分钟至24小时。然后可从高压釜移除所得的产物，过滤，冲洗并干燥，以得到可光交联的含氟聚合物。
适用于制造可光交联的含氟聚合物的聚合方法中的自由基引发剂可以为已知的偶氮和/或过氧化物引发剂中的任一种。例如，可使用二(4-叔丁基环己基)二碳酸酯、二叔丁基过氧化物、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、过氧化苯甲酰、2，2-偶氮二异丁腈、2，2-偶氮二(2，4-二甲基-4-甲氧基戊腈)、二甲基-2，2-偶氮二(异丁酸酯)或它们的组合。可使用的自由基引发剂的量在基于单体混合物中单体的总量计0.05重量％至4重量％的范围内。在其他实施方案中，使用的自由基引发剂的量为0.1重量％至3.5重量％，并在另一些实施方案中，为0.2重量％至3.25重量％。所有重量百分比基于单体混合物中单体的总量计。
酸受体也可用于形成可光交联的含氟聚合物的聚合方法。酸受体可为金属碳酸盐或金属氧化物，例如碳酸钠、碳酸钙、碳酸钾、碳酸镁、氧化钡、氧化钙、氧化镁或它们的组合。酸受体可以0重量％至5重量％存在。在其他实施方案中，酸受体可以0.1重量％至4重量％存在，并在另一些实施方案中，可以0.2重量％至3重量％存在。所有重量百分比基于单体混合物中单体的总量计。酸受体的存在是为了中和酸，诸如可存在于氟代烯烃中或可在聚合过程期间产生的氟化氢。
本公开还涉及用于形成光交联的含氟聚合物涂层的涂料组合物，所述组合物包含i)可光交联的含氟聚合物，ii)光致酸产生剂，iii)任选的光敏剂；以及iv)载体介质。涂料组合物还可任选地包含v)添加剂。涂料组合物能够在基板上制造可光交联的含氟聚合物的连续涂层，此后将可光交联的含氟聚合物光交联。涂料组合物可通过在室温下以期望的比例将组分简单地混合在一起来制备。涂料组合物的主要组分是可光交联的含氟聚合物和载体介质。一般来讲，涂料组合物包含5重量％至35重量％的可光交联的含氟聚合物和65重量％至95重量％的载体介质。高于35重量％的可光交联的含氟聚合物，涂料组合物的粘度在室温下变得难以涂覆。低于5重量％的可光交联的含氟聚合物，所产生的膜的厚度(在一个涂层涂覆工艺中)变得太薄而不能用作涂层。在一些实施方案中，涂料组合物包含10重量％至30重量％的可光交联的含氟聚合物和70重量％至90重量％的载体介质。
合适的ii)光致酸产生剂是本领域已知的，并且可包括例如(对异丙基苯基)(对甲基苯基)碘鎓四(五氟苯基)-硼酸盐；
Figure BDA0002373768910000101
GSID-26-1，其是三[4-(4-乙酰基苯基)硫烷基苯基]锍和三(三氟甲磺酰基)甲基化物的盐，并且购自BASF，Florham Park，NewJersey；与三[(三氟甲烷)磺酰基]甲烷的双(1，1-二甲基乙基苯基)碘鎓盐，其也购自BASF；六氟锑酸双(4-癸基苯基)碘鎓环氧乙烷、一[(C12-C14-烷氧基)甲基]衍生物，其以UV9387C购自Momentive；4，4’，4”-三(叔丁基苯基)三氟甲烷磺酸锍；4，4’-二叔丁基苯基三氟甲磺酸碘鎓；二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸锍；三芳基锍-四(五氟苯基)硼酸盐；三苯基锍四(五氟苯基)硼酸锍；4，4’-二叔丁基苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐；三(叔丁基苯基)锍四(五氟苯基)硼酸盐；4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐，以及它们的组合。
Figure BDA0002373768910000111
GSID-26-1光致酸产生剂尤其有用，因为其不需要单独添加光敏剂。光致酸产生剂可以基于涂料组合物的总量减去载体介质计，0.01重量％至5重量％的量存在于涂料组合物中。在其他实施方案中，光致酸产生剂可以基于涂料组合物的总量减去载体介质计，0.1重量％至2重量％存在，并且在另外的实施方案中，可以0.3重量％至1.0重量％的量存在。
用于形成本发明光交联的含氟聚合物涂层的涂料组合物还可任选地包含iii)光敏剂。合适的光敏剂可包括例如
Figure BDA0002373768910000112
苯并芘、荧蒽、芘、蒽、菲、氧杂蒽酮、靛蒽醌、噻吨-9-酮或它们的组合。在一些实施方案中，光敏剂可为2-异丙基-9H-噻吨-9-酮、4-异丙基-9H-噻吨-9-酮、1-氯-4-丙氧基硫杂蒽酮、2-异丙基硫杂蒽酮、吩噻嗪或它们的组合。基于涂料组合物的总量减去载体介质计，任选的光敏剂可以0重量％至5重量％的量使用。在其他实施方案中，光敏剂可以以0.05重量％至2重量％，并且在另一实施方案中以0.1重量％至1重量％的量存在于涂料组合物中。本发明涂料组合物中所报导的光致酸产生剂和光敏剂的所有重量百分比均基于涂料组合物中固体组分的总重量计。
用于形成光交联的含氟聚合物涂层的涂料组合物通常以涂料组合物在iv)载体介质(溶剂)中的溶液或分散体形式施加于基板的至少一部分。这允许施加涂料组合物层，并且在基板上产生光滑的无缺陷涂料组合物层。合适的载体介质可包括例如酮、醚、醚酯和卤代烃。在一些实施方案中，例如，载体介质可以为酮，例如丙酮、乙酰丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、甲基戊基酮、2-戊酮、3-戊酮、2-庚酮、3-庚酮、环戊酮、环己酮等；酯，例如，乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯、乙酸戊酯、乙酸环己酯、乙酸庚酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸丁酯、丙酸异丁酯、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇单乙醚醋酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯；醚，例如，二异丙基醚、二丁基醚、乙基丙基醚、苯甲醚；或卤代烃，例如，二氯甲烷、氯仿、四氯乙烯；或其指定的载体介质的组合。在一些实施方案中，载体介质为甲基异丁基酮、2-庚酮、丙二醇甲醚醋酸酯或它们的组合。在一些实施方案中，溶剂为非反应性溶剂，这意指在固化步骤之后该载体介质不变成光交联的涂层的一部分。
可光交联的涂料组合物还可包含v)一种或多种任选的添加剂。合适的添加剂可包括例如，粘度调节剂、填料、分散剂、粘合剂、表面活性剂、消泡剂、润湿剂、pH调节剂、杀生物剂、抑菌剂或它们的组合。此类添加剂在本领域中是公知的。通常，添加剂占涂料组合物的小于10重量％。
本公开还涉及一种用于形成光交联的涂层的方法，其包括：(1)提供可光交联的涂料组合物，所述可光交联的涂料组合物包含：i)可光交联的含氟聚合物，其具有源自单体的重复单元，所述单体包括：(a)氟代烯烃，其选自四氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙烯、全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、以及全氟(丙基乙烯基醚)；(b)烷基乙烯基醚，其中所述烷基基团为C1至C6直链饱和烃基团或C3至C6支链或环状饱和烃基团、或芳基乙烯基醚，其中所述芳基基团为未取代的或取代的；以及(c)式SiR1R2R3R4的烯基硅烷，其中R1为烯键式不饱和烃基团，R2为芳基、芳基取代的烃基团、支链C3-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团，并且R3和R4独立地选自直链或支链C1-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团；ii)光致酸产生剂；iii)任选的光敏剂；以及iv)载体介质；(2)将所述可光交联的涂料组合物层施加到基板的至少一部分上；(3)移除所述载体介质的至少一部分；(4)用紫外光照射所述可光交联的涂料组合物层的至少一部分；(5)加热所施加的可光交联的涂料组合物层；以及(6)移除所述未交联的可光交联的含氟聚合物的至少一部分。在一个实施方案中，可光交联的含氟聚合物具有10,000道尔顿至350,000道尔顿的数均分子量；当在1MHz下测量时，所述光交联的涂料组合物层具有2.0至3.0的介电常数；并且所述光交联的涂料组合物层具有0.5微米至15微米的厚度，并且具有0.5微米或更大宽度的光交联特征。
所施加的光交联的涂料组合物层的厚度为0.5微米至15微米。在一些实施方案中，所施加的光交联的涂料组合物层的厚度为1微米至15微米。在一些实施方案中，所施加的光交联的涂料组合物层的厚度为4微米至10微米。
可将可光交联的涂料组合物层施加于多种基板，包括导电材料、半导电材料和/或非导电材料。例如，基板可为玻璃、聚合物、无机半导体、有机半导体、氧化锡、氧化锌、二氧化钛、二氧化硅、氧化铟、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟镓、氮化镓、砷化镓、氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、硫化镉、硒化镉、氮化硅、铜、铝、金、钛或它们的组合。可光交联的涂料组合物层可通过旋涂、喷涂、流涂、帘式涂布、辊涂、刷涂、喷墨印刷、丝网印刷、胶版印刷、凹版印刷、柔性版印刷、平版印刷、浸涂、刮涂、或滴涂方法来施加。旋涂涉及将过量的可光交联的涂料组合物施加到基板，然后使基板以高速旋转，以通过离心力铺展组合物。所得的膜厚度可取决于旋涂速度、可光交联的涂料组合物的浓度、以及所用的载体介质。环境条件诸如温度、压力和湿度也可影响所施加的可光交联的涂料组合物层的厚度。
在施加到基板之后并且在照射(光交联)之前，可通过将所施加的涂料组合物层暴露于升高的温度、暴露于小于大气压、通过将气体直接或间接吹到施加的层、或通过使用这些方法的组合来移除该载体介质的至少一部分。例如，可任选地利用少量氮气吹扫，在空气或在真空炉中加热所施加的涂料组合物层。在其他实施方案中，可将所施加的涂料组合物层加热至60℃至110℃的温度以移除载体介质。
然后可通过暴露于光来照射(即，光交联)所施加的可光交联的涂料组合物层的至少一部分。光通常为波长为150纳米(nm)至500纳米(nm)的紫外(UV)光。在一些实施方案中，紫外光的波长可以为200纳米至450纳米，并且在其他实施方案中，为325nm至425nm。在另外的实施方案中，可通过暴露于多个波长或通过在选定波长(例如404.7纳米、435.8纳米或365.4纳米)下照射来进行暴露。许多合适的UV灯在工业上已知并且可以使用。
可光交联的涂料组合物可使用UV-A光进行光交联。当对光源的总暴露为10毫焦耳/平方厘米(毫焦耳/cm2)至10,000毫焦耳/cm2时，可实现交联。在其他实施方案中，紫外光暴露可以为50毫焦耳/cm2至600毫焦耳/cm2。暴露可在空气或氮气气氛中进行。
为了形成期望的交联特征，可照射施加的可光交联的涂料组合物层的至少一部分以仅对被照射的那些部分开始交联过程。所施加的可光交联的涂料组合物层可被掩蔽，或者照射步骤可使用聚焦光源来进行，使得光仅接触待交联的那些部分。这些技术在本领域中是公知的。例如，可以将掩模直接施加到所施加的可光交联的涂料组合物层。该方法被称为接触印刷。在称为接近印刷的另一个实施方案中，掩模保持略高于所施加的可光交联的涂料组合物层，但实际上不接触该层。在第三实施方案中，光学曝光装置精确投射和聚焦光，使得不需要实际的物理掩模。在一些实施方案中，掩模可以为铬或其他金属掩模。
图1示出了光交联特征的一个示例的剖视图。在图1A中，示出了基板1，其具有在其上施加的可光交联的涂料组合物2的层。图1B示出了在照射可光交联的涂料组合物的一部分和移除涂料组合物的未交联的部分之后的基板1和光交联的涂料组合物2a。由宽度3测量的距离为光交联特征的宽度。
在暴露于紫外光之后，可加热涂料组合物层。加热步骤可在60℃至150℃的温度下进行。在其他实施方案中，加热可在60℃至130℃的温度下进行，并且在另外的实施方案中，在80℃至110℃的温度下进行。可将涂料组合物暴露于升高的温度持续15秒至10分钟。在其他实施方案中，该时间可以为30秒至5分钟，并且在另外的实施方案中，为1分钟至3分钟。
一旦涂料组合物已被加热，就可通过溶解于载体介质中来移除未交联的可光交联的涂料组合物，所述载体介质溶解未交联的可光交联的含氟聚合物。偶尔地，在移除步骤之后可保留少量未交联的可光交联的涂料组合物。如果需要，可使用等离子体或第二洗涤步骤移除剩余的此类含氟聚合物。载体介质可以为可光交联的含氟聚合物的溶剂和非溶剂的混合物。在一些实施方案中，溶剂与非溶剂的比率可以为1∶0至3∶1。在其他实施方案中，溶剂与非溶剂的比率可以为1∶0.1至3∶1。溶剂可以为被列为载体介质的那些溶剂中的任一种，所述载体介质具有使未交联的可光交联的含氟聚合物溶剂化的能力。在一些实施方案中，溶剂可以为甲基异丁基酮、2-庚酮、丙二醇甲醚醋酸酯或它们的组合。在其他实施方案中，非溶剂可以为己烷和/或异丙醇。在一些实施方案中，施加溶剂以移除未交联的可光交联的涂料组合物可以逐步方式进行。在一个实施方案中，可使用两步方法，其中第一步骤涉及用溶剂或溶剂与非溶剂的混合物处理，并且第二步骤涉及用非溶剂或溶剂与非溶剂的混合物处理。在另一个实施方案中，可使用多步方法，例如三步方法，其中第一步骤涉及用溶剂处理，第二步骤涉及用溶剂和非溶剂的混合物处理，并且第三步骤涉及用非溶剂处理。
在一些实施方案中，在使用溶剂移除未交联的可光交联的涂料组合物之后，包含所施加的光交联的涂料组合物层的基板可以为最终热固化的，有时在本领域中称为“硬烘烤”。可在170℃至210℃、优选地190℃的温度下，对本发明的光交联的涂料组合物进行加热步骤持续0.5小时至3小时的时间段。在其他实施方案中，该加热步骤可在甚至更高的温度下进行并且持续相对较短的时间段，前提条件是这些较高的温度不会不利地影响涂覆的基板。最终的硬烘烤步骤在基板上提供最终的光交联的涂料组合物，并且然后可根据需要进一步加工所得的电子器件。
本公开的涂层还可用作发光二极管中的堤层。在该具体应用中，涂层可用于将一个二极管与另一个二极管分开，例如，在使用有机发光二极管的显示装置的生产中，该堤层可充当分开红色发光二管、蓝色发光二极管和绿色发光二极管的阻挡层。其尤其可用作有机发光二极管的堤层。
本公开还涉及包含光交联的涂料组合物层的制品。
实施例
化学品来源：
a)PGMEA(乙酸1-甲氧基-2-丙酯，光刻等级(Lithography Grade)，得自JT Baker，JTB-6343-05，Center Valley，PA)
b)乙烯基三异丙氧基硅烷(Gelest Chemicals，SIV9210，Morrisville，PA)
c)1，1，1，3，3-五氟丁烷(Alfa Aesar，H33737，Ward Hill，MA)
d)乙基乙烯基醚(Alfa Aesar，A15691-0F，Ward Hill，MA)
e)无水碳酸钾(EMD，PX1390-1，Philadelphia，PA)
f)V-601引发剂，2，2’-偶氮双异丁酸二甲酯(Wako Chemicals，Richmond，Virginia)
g)丙酮(Fisher Scentific，A929-4，Fair Lawn，NJ)
h)2-异丙基噻吨酮(TCI America，I0678，CAS 5495-84-1)
i)(对异丙基苯基)(对甲基苯基)碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐(Gelest，OMBO037，CAS178233-72-2)
实施例1：聚(四氟乙烯/乙基乙烯基醚/乙烯基三异丙氧基硅烷)(含氟聚合物#1) 的制备
向冷却至约-20℃的400ml高压釜填充0.5g的粉末状碳酸钾、0.24g V-601引发剂(2，2’-偶氮双异丁酸二甲酯)、以及3.2g的乙烯基三异丙氧基硅烷、36g(0.5摩尔)的乙基乙烯基醚和200mL(250g)1，1，1，3，3-五氟丁烷。将高压釜抽真空并进一步填充50g(0.5摩尔)的TFE。摇动反应混合物并加热至66℃。高压釜中的压力达到峰值～200psig，8小时之后降至～75psig。在冷却时，获得粘滞液体(～230g)。将其转移到1L Nalgene广口瓶中并用270g的PGMEA稀释。广口瓶用胶带密封，并且在辊磨机上滚动2小时。将聚合物溶液转移至2L圆底玻璃烧瓶，并且施加真空降至25毫巴(19托)以移除挥发物。使所得的溶液在20PSIG空气压力下通过0.2微米至0.45微米筒式过滤器。过滤是平滑且有效的。将聚合物溶液(总共～400g，～15％固体)收集在0.5L洁净室品质的瓶中。
核磁共振波谱法(NMR)示出了聚合物的组成：50.0摩尔％TFE、48.5摩尔％乙基乙烯基醚、和1.5摩尔％乙烯基三异丙氧基硅烷。六氟异丙醇中的SEC示出Mw～200,000。
实施例2。聚(四氟乙烯/乙基乙烯基醚/乙烯基苯基二乙氧基硅烷)(含氟聚合物# 2)的制备
向冷却至约-20℃的400ml高压釜填充0.5g的粉末状碳酸钾、0.24g V-601引发剂(2，2’-偶氮双异丁酸二甲酯)、以及3.06g的乙烯基苯基二乙氧基硅烷、36g(0.5摩尔)的乙基乙烯基醚和200mL(250g)1，1，1，3，3-五氟丁烷。将高压釜抽真空并进一步填充50g(0.5摩尔)的TFE。摇动反应混合物并加热至66℃。高压釜中的压力达到峰值～200psig，8小时之后降至～75psig。在冷却时获得粘滞液体(～230g)。向所述混合物中添加丙酮(75mL)，并且将其摇动几分钟，并且得到较不粘稠的液体。使所得的混合物在20-30PSIG空气压力下通过0.2微米至0.45微米筒式过滤器。过滤是平滑且有效的。将聚合物溶液收集在衬有PTFE膜的铝盘中。将在具有高真空和干冰阱的真空烘箱(不加热)中干燥5小时，然后在室内真空和氮气闪蒸下干燥3天。获得约60g聚合物固体。NMR示出聚合物的组成：50.0摩尔％TFE、48.5摩尔％乙基乙烯基醚、和1.5摩尔％乙烯基苯基二乙氧基硅烷。THF中的SEC示出分子量：Mw～170,000。
实施例3。聚(四氟乙烯/乙基乙烯基醚/乙烯基三(1-甲氧基-2-丙氧基)硅烷)(含 氟聚合物#3)的制备
向冷却至约-20℃的400ml高压釜填充0.5g的粉末状碳酸钾、0.24g V-601引发剂(2，2’-偶氮双异丁酸二甲酯)、以及3.06g的乙烯基三(1-甲氧基-2-丙氧基)硅烷、36g(0.5摩尔)的乙基乙烯基醚和200mL(250g)1，1，1，3，3-五氟丁烷。将高压釜抽真空并进一步填充50g(0.5摩尔)的TFE。摇动反应混合物并加热至66℃。高压釜中的压力达到峰值～200psig，8小时之后降至～75psig。在冷却时，获得粘滞液体(～230g)。向所述混合物中添加丙酮(75mL)，并且将其摇动几分钟，并且得到较不粘稠的液体。使所得的混合物在20-30PSIG空气压力下通过0.2微米至0.45微米筒式过滤器。过滤是平滑且有效的。将聚合物溶液收集在衬有PTFE膜的铝盘中。将在具有高真空和干冰阱的真空烘箱(不加热)中干燥5小时，然后在室内真空和氮气闪蒸下干燥3天。获得约60g聚合物固体。NMR示出聚合物的组成：50.0摩尔％TFE、48.5摩尔％乙基乙烯基醚、和1.5摩尔％乙烯基三(1-甲氧基-2-丙氧基)硅烷。THF中的SEC示出分子量：Mw～170,000。
实施例4：使用含氟聚合物1的钝化制剂。
通过在辊磨机上滚动约16小时(过夜)，将含氟聚合物1(6.00g)溶解于干净琥珀色瓶中的30.0g(29.1mL)PGMEA(0.97g/mL)中，得到20重量％溶液。向该溶液中，添加2-异丙基噻吨酮(0.030g)和对异丙基苯基)(对甲基苯基)碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐(0.030g)，并且通过在辊磨机上滚动约30分钟来混合。
实施例5：使用钝化制剂的图案化晶片
2-英寸硅晶片用加压水，之后用丙酮，并且然后用异丙醇(IPA)清洁，并且使用加压的N2完全干燥。将晶片放置在旋涂机上，并且在视觉上居中。将大约3mL的得自实施例4的钝化制剂倾注到晶片上，并且以500rpm铺展持续5秒。然后以2,000rpm将晶片旋转30秒。一旦旋转停止，就将带涂层的晶片从旋涂机中取出，并且将其在90℃下在精密热板上烘烤200秒。
在具有定制设计的掩模的NXQ8000掩模对准器上，使烘烤的晶片暴露于100～120mJ/cm2的紫外光。暴露之后，在90℃下将晶片的暴露后烘烤进行120秒。将包含PGMEA和IPA的两种溶剂浴用于显影步骤。首先将晶片放入PGMEA浴中，并且以圆形运动轻轻摇动整个浴持续4分钟。然后将晶片转移到IPA浴，并且以圆形运动轻轻摇动整个浴持续1分钟。在这些步骤之后，将晶片从IPA浴中取出，并且使用加压N2枪干燥。将涂覆的晶片在精密热板上在190℃下固化90分钟。将其冷却至室温，并且经由光学显徼镜(Zeiss Axio)获得图案的图像。利用5点测量法使用光谱椭偏仪测量涂层的厚度为～5um。图2示出了具有图案化钝化层的所得晶片的平面图显微照片(具有20微米比例尺)。
实施例6：含氟聚合物1的压制样品。
将得自实施例4的钝化制剂在首先具有高真空和干冰阱的真空烘箱(不加热)中干燥5小时，然后在室内真空和氮气闪蒸下干燥3天。将干燥的样品用PTFE膜，并且然后用铝箔小心地包裹，以防止任何紫外光暴露。将液压机(Pasadena Hydraulics Inc，型号#P-21-8-C)预热至100℃。将一片不锈钢压板放置在底部压机表面上。将一片10密耳TeflonTM FEP膜放置在压板上，并将一片具有2.25英寸直径圆形切口(1.0mm厚度，作为用于2.25英寸直径圆盘样品的模具)的一片不锈钢金属放置在膜的顶部上。将上述干燥聚合物样品(～4.50g)置于模具中，然后放置一片FEP膜，然后放置另一个压板。降低热压机的上表面以在不具有显著压力的情况下触碰组件持续～2分钟以熔融聚合物。然后将20,000lb力置于组件上持续～1分钟，然后放置38,000lb力持续～5分钟。在释放压力之后，通过水冷系统将压机冷却至～40℃，并且然后将组件从压机中取出。在将其冷却至室温之后，从组件中移除模塑的2.25英寸直径1.0mm厚度样品。以16ft/min的传送带速度，使模制的圆盘样品穿过具有2,000瓦汞灯的Fusion UV固化系统5次。然后在进料水蒸汽(通过将氮气鼓泡通过水中来引入)的情况下，将样品在N2气氛中于200℃下烘烤2小时。在冷却至室温之后获得固化的样品。
实施例7：得自含氟聚合物1的压制样品的吸水率测量。
用DVS-ET(表面测量系统Ltd(Surface Measurement System Ltd))在26℃下对从得自实施例6的样品切割的小样品(～55mg)测量吸水率。从90％相对湿度至10％相对湿度的重量变化为0.11％。
实施例8：含氟聚合物1的压制样品的介电常数测量。
使用ASTM D150-11方法，在23℃(±2℃)和50％(±10％)相对湿度下使用得自实施例6的2.25英寸直径圆盘样品来测量介电常数和耗散因数。在1MHZ下，介电常数为2.47，并且耗散因数为0.026。
实施例9：四氟乙烯、乙基乙烯基醚和烯丙基缩水甘油醚的聚合物(得自WO2015/ 187413A1的“含氟聚合物#1”)和实施例1含氟聚合物1之间的粘附性比较。
测试程序：将涂覆的试样块(各种基板)浸入沸水中持续6小时。取出、干燥并目视检查。使用ASTM D3359-09方法(胶带提拉)检查粘附性。结果示于表1中：
表1
Figure BDA0002373768910000191
实施例10：使用钝化制剂的图案化晶片
2-英寸硅晶片用加压水，之后用丙酮，并且然后用异丙醇(IPA)清洁，并且使用加压的N2完全干燥。将晶片放置在旋涂机上，并且在视觉上居中。将大约3mL的得自实施例4的钝化制剂倾注到晶片上，并且以500rpm铺展持续5秒。然后以2,000rpm将晶片旋转30秒。一旦旋转停止，就将带涂层的晶片从旋涂机中取出，并且将其在90℃下在精密热板上烘烤200秒。
在具有定制设计的掩模的KARLSUSS掩模对准器上，使烘烤的晶片暴露于80mJ/cm2紫外光。暴露之后，在90℃下将晶片的暴露后烘烤进行120秒。然后使用PGMEA和IPA将晶片图案显影。将晶片置于旋转机中，并且在用PGMEA冲洗之后，以1,500rpm旋转5秒。然后将晶片用PGMEA覆盖55秒，然后移除PGMEA，并且然后将晶片以1,500rpm旋转5秒。将前述步骤重复四次。然后用IPA冲洗晶片，然后移除IPA，并且然后将晶片以2,000rpm旋转10秒。在这些步骤之后，使用N2干燥晶片。将涂覆的晶片在精密热板上在190℃下固化90分钟。然后将晶片冷却至室温，并且经由光学显微镜(Zeiss Axio/Leica)获得图案的图像。利用5点测量法使用光谱椭偏仪测量涂层的厚度为～5um。
图3为具有图案化钝化层的所得晶片的平面图显微照片。深色区域对应于存在光交联的含氟聚合物1层的情况，并且浅色区域对应于不存在含氟聚合物1层的情况-其中含氟聚合物1已被移除/蚀刻的特征。图3的顶部三分之二中的十二组特征中的正方形特征(正方形浅色区域)对应于5微米、10微米、20微米、30微米、50微米和100微米特征。在图3的该部分的左上角，这对应于六组正方形特征，每个单独的正方形为每侧正方形5微米、10微米、20微米、30微米、50微米或100微米，其由类似宽度的含氟聚合物1隔离物彼此分隔开。在图3的该部分的右上角，这对应于六组正方形特征，每个单独的正方形为每侧正方形5微米、10微米、20微米、30微米、50微米或100微米，其由具有相应正方形边长一半的厚度的含氟聚合物1隔离物彼此分隔开。图3的底部三分之一的水平线特征对应于在含氟聚合物1层中蚀刻的线，其为50微米、75微米或100微米宽。
图4是具有存在于图3的左上角“50”(微米)部分中的添加的特征测量条的放大平面图显微照片。图4示出了由光交联的含氟聚合物1层的50微米区域分隔开的50微米正方形特征中的四个。
图5是具有存在于图3的左上角“30”(微米)部分中的添加的特征测量条的放大平面图显徼照片。图5示出了由光交联的含氟聚合物1层的30微米区域分隔开的30微米正方形特征中的九个。
图6是具有存在于图3的左上角“20”(微米)部分中的添加的特征测量条的放大平面图显微照片。图6示出了由光交联的含氟聚合物1层的20微米区域分隔开的20微米正方形特征中的十六个。

Claims (13)

1.一种涂层，其包含设置在基板的至少一部分上的光交联的涂料组合物层，其中所述涂料组合物包含：
i)可光交联的含氟聚合物，其具有源自单体的重复单元，所述单体包括：
(a)氟代烯烃，其选自四氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙烯、全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、以及全氟(丙基乙烯基醚)；
(b)烷基乙烯基醚，其中所述烷基基团为C1至C6直链饱和烃基团或C3至C6支链或环状饱和烃基团、或芳基乙烯基醚，其中所述芳基基团为未取代的或取代的；以及
(c)式SiR1R2R3R4的烯基硅烷，其中R1为烯键式不饱和烃基团，R2为芳基、芳基取代的烃基团、支链C3-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团，并且R3和R4独立地选自直链或支链的C1-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团；
ii)光致酸产生剂；以及
iii)任选的光敏剂；
其中所述可光交联的含氟聚合物具有10,000道尔顿至350,000道尔顿的数均分子量，并且其中当在1MHz下测量时，所述光交联的涂料组合物具有2.0至3.0的介电常数，并且其中所述光交联的涂料组合物层具有0.5微米至15微米的厚度并且具有0.5微米或更大宽度的光交联特征。
2.根据权利要求1所述的涂层，其中所述烷基乙烯基醚为选自下列中的至少一种：甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、异丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、仲丁基乙烯基醚、叔丁基乙烯基醚、正戊基乙烯基醚、异戊基乙烯基醚、己基乙烯基醚、环己基乙烯基醚或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的涂层，其中所述光交联的涂料组合物具有在标准温度下在90％至10％相对湿度下通过动态气相吸附测量的在0.01重量％至0.8重量％的范围内的吸水率值。
4.根据权利要求1所述的涂层，其中所述光交联的涂层的层具有4微米至10微米的厚度。
5.一种用于形成光交联的涂层的方法，包括：
(1)提供可光交联的涂料组合物，所述可光交联的涂料组合物包含：
i)可光交联的含氟聚合物，其具有源自单体的重复单元，所述单体包括：
(a)氟代烯烃，其选自四氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙烯、全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、以及全氟(丙基乙烯基醚)；
(b)烷基乙烯基醚，其中所述烷基基团为C1至C6直链饱和烃基团或C3至C6支链或环状饱和烃基团，或芳基乙烯基醚，其中所述芳基基团为未取代的或取代的；以及
(c)式SiR1R2R3R4的烯基硅烷，其中R1为烯键式不饱和烃基团，R2为芳基、芳基取代的烃基团、支链C3-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团，并且R3和R4独立地选自直链或支链的C1-C6烷氧基基团、或取代或未取代的环状C5-C6烷氧基基团；
ii)光致酸产生剂；
iii)任选的光敏剂；以及
iv)载体介质；
(2)将所述可光交联的涂料组合物层施加到基板的至少一部分上；
(3)移除所述载体介质的至少一部分；
(4)用紫外光照射所述可光交联的涂料组合物层的至少一部分；
(5)加热所施加的可光交联的涂料组合物层；以及
(6)移除未交联的可光交联的含氟聚合物的至少一部分；其中所述可光交联的含氟聚合物具有10,000道尔顿至350,000道尔顿的数均分子量，并且其中当在1MHz下测量时，所述光交联的涂料组合物层具有2.0至3.0的介电常数，并且其中所述光交联的涂料组合物层具有0.5微米至15微米的厚度并且具有0.5微米或更大宽度的光交联特征。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述可光交联的涂料组合物包含5重量％至35重量％的可光交联的含氟聚合物；基于所述涂料组合物中所有组分的总重量计65重量％至95重量％的载体介质，和0重量％至5重量％的所述光敏剂和0.01重量％至5重量％的所述光致酸产生剂，其中所述光敏剂和光致酸产生剂的重量百分比基于所述涂料组合物中所有组分的总重量减去所述载体介质计。
7.根据权利要求5所述的方法，其中通过使所施加的可光交联的涂料组合物层暴露于升高的温度、暴露于小于大气压、通过将气体直接或间接吹到所述基板上、或它们的组合来移除所述载体介质的至少一部分。
8.根据权利要求5所述的方法，其中照射步骤(4)在空气或氮气气氛中进行。
9.根据权利要求5所述的方法，其中紫外光的波长为325nm至425nm。
10.根据权利要求5所述的方法，其中所述紫外光暴露为10毫焦耳/cm2至10,000毫焦耳/cm2。
11.根据权利要求5所述的方法，其中加热步骤(5)在60℃至150℃的温度下发生15秒至10分钟。
12.根据权利要求5所述的方法，其中移除步骤(6)通过使用溶解所述可光交联的含氟聚合物的载体介质溶解所述可光交联的含氟聚合物来发生。
13.一种制品，其包含根据权利要求1所述的涂层。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11866602B2 (en) 2018-06-12 2024-01-09 3M Innovative Properties Company Fluoropolymer compositions comprising fluorinated additives, coated substrates and methods
JP2022519215A (ja) 2019-01-28 2022-03-22 ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー パッシベーション層を作製するための組成物及びそれを用いたパッシベーション層
CN114555728B (zh) * 2019-08-12 2024-04-09 科慕埃弗西有限公司 粘附性无定形全氟聚合物组合物
WO2021088198A1 (en) 2019-11-04 2021-05-14 3M Innovative Properties Company Electronic telecommunications articles comprising crosslinked fluoropolymers and methods
US20230272137A1 (en) * 2020-07-10 2023-08-31 The Chemours Company Fc, Llc Crosslinkable fluoropolymer and coating formed therefrom
WO2022234358A1 (en) * 2021-05-05 2022-11-10 3M Innovative Properties Company Electronic telecommunications articles and compositions comprising fluroinated curing agents

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61141713A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Mitsui Petrochem Ind Ltd 溶剤可溶性フツ素系重合体及びその用途
JPH08231919A (ja) * 1995-02-24 1996-09-10 Central Glass Co Ltd フッ素樹脂塗料用組成物
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
KR101571912B1 (ko) * 2007-10-10 2015-11-25 바스프 에스이 술포늄 염 개시제
CN104583306A (zh) * 2012-06-26 2015-04-29 索尔维特殊聚合物意大利有限公司 含氟聚合物组合物
CN105283475A (zh) * 2013-06-14 2016-01-27 3M创新有限公司 包含来源于乙烯基全氟烷基或氧化乙烯基全氟亚烷基全氟乙烯基醚的单体单元的含氟聚合物
EP3152620B1 (en) * 2014-06-03 2018-08-01 The Chemours Company FC, LLC Passivation layer comprising a photocrosslinked fluoropolymer
KR20180105154A (ko) * 2016-02-05 2018-09-27 더 케무어스 컴퍼니 에프씨, 엘엘씨 플루오로중합체 코팅 형성용 플루오로중합체 용액

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