CN111052216B - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，在具备由电流驱动的显示元件的显示装置中，实现稳定的显示品质而不受温度变化的影响。在显示装置设置有作为检测周围的温度的温度检测部的热敏电阻(300)。扫描信号振幅控制部(12)根据由热敏电阻(300)得到的温度数据(DT)所示的温度，来使栅极低电压(VGL)的电压电平变化。面板内驱动器控制部(110)将高电平侧的电压电平为栅极高电压(VGH)的电压电平且低电平侧的电压电平为栅极低电压(VGL)的电压电平的栅极时钟信号(GCK)施加至栅极驱动器(400)。栅极驱动器(400)基于该栅极时钟信号(GCK)输出扫描信号G。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
以下的公开涉及显示装置，更详细而言，涉及具备由电流驱动的显示元件的显示装置(例如有机EL显示装置)及其驱动方法。
背景技术
近年来，具备包含有机电致发光(Electro Luminescence)元件(以下，称为“有机EL元件”。)的像素电路的有机EL显示装置被实用化。有机EL元件是以与在其中流动的电流的量相应的亮度发光的自发光型显示元件。使用这样的自发光型显示元件亦即有机EL元件的有机EL显示装置与需要背光及彩色滤光片等的液晶显示装置相比，能够容易实现薄型化、低耗电化、高亮度化等。
有机EL显示装置的像素电路在有机EL元件的基础上，包含驱动晶体管、写入控制晶体管、保持电容器等。在驱动晶体管、写入控制晶体管中，通常使用有TFT(薄膜晶体管)。在作为驱动晶体管的控制端子的栅极端子连接有保持电容器，在保持电容器中，经由数据线而施加与表示应显示的图像的数据信号(视频信号)相应的电压。驱动晶体管与有机EL元件串联设置，根据由保持电容器保持的电压，控制在有机EL元件中流动的电流的量。
关于上述那样的有机EL显示装置，提出了为了实现显示品质的改善的基于温度的各种控制。在日本特开2013-235025号公报中，记载有考虑到与温度的上升一起栅极脉冲的波形变得迟滞而温度越高越提高写入电位(控制电位)。在日本特开2004-126023号公报中，记载有使除选择期间以外的期间的扫描信号的电位根据温度变化。在日本特开2014-202826号公报中，记载有使初始化电压根据温度变化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-235025号公报
专利文献2：日本特开2004-126023号公报
专利文献3：日本特开2014-202826号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，像素电路内的驱动晶体管的阈值电压根据温度而变化。因此，像素电路内的保持电容器的充电能力根据温度而变化。详细而言，关于保持电容器，温度越低越易引起充电不足，温度越高越易引起过充电。由于像这样保持电容器的充电能力根据温度而变化，所以在现有的有机EL显示装置中，得不到稳定的显示品质。例如，尽管显示某个相同的图像，但亮度、色度也根据温度而变化。
因此，以下的公开目的在于在具备由电流驱动的显示元件的显示装置中实现稳定的显示品质而不受温度变化的影响。
解决问题的方案
本发明的若干实施方式所涉及的显示装置具备显示面板，上述显示面板包含多个数据线、以与上述多个数据线交叉的方式配设的多个扫描信号线、以及对应于上述多个数据线与上述多个扫描信号线的交叉点设置的多个像素电路，其中，上述显示装置具有：
数据线驱动部，其对上述多个数据线施加数据信号；
扫描信号线驱动部，其对上述多个扫描信号线施加扫描信号；
扫描信号振幅控制部，其控制上述扫描信号的振幅；以及
温度检测部，其检测周围的温度，
各像素电路包含：显示元件，其由电流驱动；和电容元件，其根据当施加至对应的扫描信号线的扫描信号的电压电平成为写入用的电平时施加至对应的视频信号线的数据信号被充电，
对于上述扫描信号振幅控制部而言，由上述温度检测部检测出的温度越低，则上述扫描信号的振幅越大。
本发明的其他若干实施方式所涉及的显示装置具备显示面板，上述显示面板包含多个数据线、以与上述多个数据线交叉的方式配设的多个扫描信号线、以与上述多个扫描信号线一一对应的方式设置的多个发光控制线、以及对应于上述多个数据线与上述多个扫描信号线的交叉点设置的多个像素电路，上述显示装置具有：
数据线驱动部，其对上述多个数据线施加数据信号；
扫描信号线驱动部，其对上述多个扫描信号线施加扫描信号；
发光控制线驱动部，其对上述多个发光控制线施加发光控制信号；
发光期间控制部，其对上述发光控制信号的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度进行控制；以及
温度检测部，其检测周围的温度，
各像素电路包含：显示元件，其由电流驱动；和电容元件，其根据当施加至对应的扫描信号线的扫描信号的电压电平成为写入用的电平时施加至对应的视频信号线的数据信号被充电，
在各像素电路中，当施加至对应的发光控制线的发光控制信号的电压电平成为上述发光用的电平时，上述显示元件发光，
对于上述发光期间控制部而言，由上述温度检测部检测出的温度越低，则上述发光控制信号的电压电平被维持在上述发光用的电平的期间的长度越长。
发明效果
根据本发明的若干实施方式，根据由温度检测部检测出的温度，控制扫描信号的振幅。此时，温度越低，则扫描信号的振幅越大。因此，关于像素电路内的电容元件(保持电容器)，抑制了低温时的充电不足的发生并且抑制了高温时的过充电的发生。其结果为，抑制了由温度变化引起的亮度、色度变化，确保了稳定的显示品质。如以上那样，在具备由电流驱动的显示元件的显示装置中，实现了稳定的显示品质而不受温度变化的影响。
根据本发明的其他若干实施方式，根据由温度检测部检测出的温度，控制发光控制信号的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度(即，发光期间的长度)。此时，温度越低，则发光期间的长度越长。因此，即使产生了由温度较低引起的电容元件(保持电容器)的充电不足，显示元件也以补偿充电不足的方式以比原来长的期间发光。另外，即使产生了由温度较高引起的电容元件(保持电容器)的过充电，显示元件也以补偿过充电的方式仅以比原来短的期间发光。其结果为，抑制了由温度变化引起的亮度、色度变化，确保了稳定的显示品质。如以上那样，在具备由电流驱动的显示元件的显示装置中，实现了稳定的显示品质而不受温度变化的影响。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部件的结构的框图。
图2是上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的简要结构图。
图3是表示用于在上述第一实施方式中进行图像显示的整体的结构的框图。
图4是表示在上述第一实施方式中与n行m列对应的像素电路的结构的电路图。
图5是用于对在上述第一实施方式中与n行m列对应的像素电路的驱动方法进行说明的时序图。
图6是用于在上述第一实施方式中对整体的动作进行说明的时序图。
图7是表示用于在上述第一实施方式中栅极驱动器的整体结构的一例的框图。
图8是表示在上述第一实施方式中移位寄存器内的单位电路的一结构例的电路图。
图9是用于在上述第一实施方式中对单位电路的动作进行说明的时序图。
图10是表示在上述第一实施方式中实现栅极高电压生成电路、栅极低电压生成电路的电荷泵电路的一结构例的电路图。
图11是用于在上述第一实施方式中对关于与栅极低电压的温度相应的控制的第一例进行说明的图。
图12是用于在上述第一实施方式中对关于与栅极低电压的温度相应的控制的第二例进行说明的图。
图13是用于在上述第一实施方式中对关于与栅极低电压的温度相应的控制的第二例进行说明的图。
图14是用于在上述第一实施方式中对关于与栅极低电压的温度相应的控制的第三例进行说明的图。
图15是用于在上述第一实施方式中对扫描信号的振幅的控制进行说明的图。
图16是用于在第二实施方式中对根据温度调整发光期间的长度的结构进行说明的框图。
图17是用于在上述第二实施方式中对用于调整发光期间的长度的动作进行说明的时序图。
图18是用于在上述第二实施方式中对发光期间的长度的调整进行说明的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行说明。此外，以下，假定i及j为2以上的整数，假定m为1以上i以下的整数，假定n为1以上j以下的整数。
＜1.第一实施方式＞
＜1.1整体结构＞
图2是第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的简要结构图。如图2所示，该有机EL显示装置由有机EL面板20、控制基板(Control board)30及FPC(柔性印刷基板)10构成。控制基板30配置在有机EL面板20的背面侧，并通过FPC10将有机EL面板20与控制基板30连接。在有机EL面板20包含显示图像的显示部(有源区域)200。在FPC10上搭载有驱动器IC100，在控制基板30上搭载有作为控制器310及温度检测部的热敏电阻300。
图3是表示用于进行图像显示的整体的结构的框图。该有机EL显示装置具备控制器310、面板内驱动器控制部110、源极驱动器120、栅极驱动器400、发射驱动器500、显示部200以及热敏电阻300。面板内驱动器控制部110及源极驱动器120设置在驱动器IC100内。显示部200、栅极驱动器400及发射驱动器500设置在有机EL面板20内。即，栅极驱动器400及发射驱动器500被单片化。不过，也能够采用它们不被单片化的结构。
在显示部200配设有i条数据线S(1)～S(i)及与它们正交的j条扫描信号线G(1)～G(j)。另外，在显示部200以与j条扫描信号线G(1)～G(j)一一对应的方式，配设有j条发光控制线EM(1)～EM(j)。扫描信号线G(1)～G(j)与发光控制线EM(1)～EM(j)通常相互平行。进一步，在显示部200以对应于i条数据线S(1)～S(i)与j条扫描信号线G(1)～G(j)的交叉点的方式，设置有i×j个像素电路2。通过像这样设置i×j个像素电路2，从而在显示部200形成有i列×j行的像素矩阵。此外，以下，根据需要，对分别施加至j条扫描信号线G(1)～G(j)的扫描信号也标注附图标记G(1)～G(j)，对分别施加至j条发光控制线EM(1)～EM(j)的发光控制信号也标注附图标记EM(1)～EM(j)，对分别施加至i条数据线S(1)～S(i)的数据信号也标注附图标记S(1)～S(i)。
在显示部200还配设有与各像素电路2共通的未图示的电源线。更详细而言，配设有供给用于驱动有机EL元件的高电平电源电压ELVDD的电源线(以下，称为“高电平电源线”。)、供给用于驱动有机EL元件的低电平电源电压ELVSS的电源线(以下，称为“低电平电源线”。)、以及供给初始化电压Vini的电源线(以下，称为“初始化电源线”。)。高电平电源电压ELVDD、低电平电源电压ELVSS、以及初始化电压Vini被从未图示的电源电路供给。
以下，对图3所示的各构成要素的动作进行说明。控制器310接收从外部发送的输入图像信号DIN和定时信号组(水平同步信号、垂直同步信号等)TG，并输出数字视频信号DV、控制源极驱动器120的动作的源极控制信号SCTL、以及控制面板内驱动器控制部110的动作的驱动器控制信号SD。热敏电阻300输出表示周围的温度的温度数据DT。面板内驱动器控制部110接收驱动器控制信号SD，并输出控制栅极驱动器400的动作的栅极控制信号GCTL、和控制发射驱动器500的动作的发射驱动器控制信号EMCTL。此时，栅极控制信号GCTL所包含的后述的栅极时钟信号的振幅(详细而言，为低电平侧的电压)通过温度数据DT控制。在源极控制信号SCTL中包含源极启动脉冲信号、源极时钟信号、锁存选通信号等。在栅极控制信号GCTL中包含有栅极启动脉冲信号、栅极时钟信号等。在发射驱动器控制信号EMCTL中包含有发射启动脉冲信号、发射时钟信号等。
源极驱动器120与i条数据线S(1)～S(i)连接。源极驱动器120接收从控制器310输出的数字视频信号DV及源极控制信号SCTL，并对i条数据线S(1)～S(i)施加数据信号。即，源极驱动器120作为驱动i条数据线S(1)～S(i)的数据线驱动部发挥功能。源极驱动器120包含未图示的i位的移位寄存器、采样电路、锁存电路、以及i个D/A转换器等。移位寄存器具有级联连接的i个寄存器。移位寄存器基于源极时钟信号，将供给至第一级寄存器的源极启动脉冲信号的脉冲依次从输入端传送至输出端。与该脉冲的传送相应地，从移位寄存器的各级输出采样脉冲。基于该采样脉冲，采样电路存储数字视频信号DV。锁存电路根据锁存选通信号取入并保持存储在采样电路中的一行的数字视频信号DV。D/A转换器与各数据线S(1)～S(i)对应地设置。D/A转换器将保持于锁存电路中的数字视频信号DV转换为模拟电压。该转换后的模拟电压作为数据信号被一齐施加至所有数据线S(1)～S(i)。
栅极驱动器400与j条扫描信号线G(1)～G(j)连接。栅极驱动器400基于从面板内驱动器控制部110输出的栅极控制信号GCTL，对j条扫描信号线G(1)～G(j)施加扫描信号。即，栅极驱动器400作为驱动j条扫描信号线G(1)～G(j)的扫描信号线驱动部发挥功能。
发射驱动器500与j条发光控制线EM(1)～EM(j)连接。发射驱动器500基于从面板内驱动器控制部110输出的发射驱动器控制信号EMCTL，对j条发光控制线EM(1)～EM(j)施加发光控制信号。即，发射驱动器500作为驱动j条发光控制线EM(1)～EM(j)的发光控制线驱动部发挥功能。
如上所述那样，对i条数据线S(1)～S(i)施加数据信号，对j条扫描信号线G(1)～G(j)施加扫描信号，对j条发光控制线EM(1)～EM(j)施加发光控制信号，由此基于输入图像信号DIN的图像显示于显示部200。
＜1.2像素电路＞
＜1.2.1像素电路的结构＞
接下来，对显示部200内的像素电路2的结构及动作进行说明。此外，这里所示的像素电路2的结构为一例，并不限定于此。图4是表示与n行m列对应的像素电路2的结构的电路图。图4所示的像素电路2包含1个有机EL元件OLED、7个晶体管T1～T7(写入控制晶体管T1、阈值电压补偿晶体管T2、阳极控制晶体管T3、发光控制晶体管T4、电源供给控制晶体管T5、驱动晶体管T6、初始化晶体管T7)以及1个保持电容器C1。晶体管T1～T7为p沟道型薄膜晶体管。保持电容器C1是由两个电极(第一电极及第二电极)构成的电容元件。
此外，关于p沟道型晶体管，漏极和源极中电位较高的一方被称为源极，但在晶体管T1～T7之中，也有时除栅极端子(控制端子)以外的两个端子的电位的高低关系根据状态而切换。因此，关于晶体管T1～T7，在以下的说明中，将除栅极端子以外的两个端子中的一方称为“第一导通端子”，将另一方称为“第二导通端子”。
关于写入控制晶体管T1，栅极端子与第n行的扫描信号线G(n)连接，第一导通端子与第m列的数据线S(m)连接，第二导通端子与电源供给控制晶体管T5的第二导通端子和驱动晶体管T6的第一导通端子连接。关于阈值电压补偿晶体管T2，栅极端子与第n行的扫描信号线G(n)连接，第一导通端子与发光控制晶体管T4的第一导通端子和驱动晶体管T6的第二导通端子连接，第二导通端子与驱动晶体管T6的栅极端子、初始化晶体管T7的第一导通端子以及保持电容器C1的第二电极连接。关于阳极控制晶体管T3，栅极端子与第n行的扫描信号线G(n)连接，第一导通端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接，第二导通端子与初始化电源线连接。关于发光控制晶体管T4，栅极端子与第n行的发光控制线EM(n)连接，第一导通端子与阈值电压补偿晶体管T2的第一导通端子和驱动晶体管T6的第二导通端子连接，第二导通端子与阳极控制晶体管T3的第一导通端子和有机EL元件OLED的阳极端子连接。
关于电源供给控制晶体管T5，栅极端子与第n行的发光控制线EM(n)连接，第一导通端子与高电平电源线和保持电容器C1的第一电极连接，第二导通端子与写入控制晶体管T1的第二导通端子和驱动晶体管T6的第一导通端子连接。关于驱动晶体管T6，栅极端子与阈值电压补偿晶体管T2的第二导通端子、初始化晶体管T7的第一导通端子以及保持电容器C1的第二电极连接，第一导通端子与写入控制晶体管T1的第二导通端子和电源供给控制晶体管T5的第二导通端子连接，第二导通端子与阈值电压补偿晶体管T2的第一导通端子和发光控制晶体管T4的第一导通端子连接。关于初始化晶体管T7，栅极端子与第(n-1)行的扫描信号线G(n-1)连接，第一导通端子与阈值电压补偿晶体管T2的第二导通端子、驱动晶体管T6的栅极端子以及保持电容器C1的第二电极连接，第二导通端子与初始化电源线连接。
关于保持电容器C1，第一电极与高电平电源线和电源供给控制晶体管T5的第一导通端子连接，第二电极与阈值电压补偿晶体管T2的第二导通端子、驱动晶体管T6的栅极端子以及初始化晶体管T7的第一导通端子连接。关于有机EL元件OLED，阳极端子与阳极控制晶体管T3的第一导通端子和发光控制晶体管T4的第二导通端子连接，阴极端子与低电平电源线连接。
＜1.2.2像素电路的动作＞
图5是用于对与n行m列对应的像素电路2(图4所示的像素电路2)的驱动方法进行说明的时序图。在时刻t0之前，扫描信号G(n-1)及扫描信号G(n)成为高电平，发光控制信号EM(n)成为低电平。此时，发光控制晶体管T4成为导通状态，有机EL元件OLED根据驱动电流的大小发光。
到时刻t0时，发光控制信号EM(n)从低电平成为高电平。由此，发光控制晶体管T4及电源供给控制晶体管T5成为关断状态。其结果为，电流向有机EL元件OLED的供给被切断，有机EL元件OLED成为熄灭状态。
到时刻t1时，扫描信号G(n-1)从高电平成为低电平。由此，初始化晶体管T7成为导通状态。其结果为，驱动晶体管T6的栅极电压被初始化。即，驱动晶体管T6的栅极电压与初始化电压Vini相等。
到时刻t2时，扫描信号G(n-1)从低电平成为高电平。由此，初始化晶体管T7成为关断状态。另外，在时刻t2，扫描信号G(n)从高电平成为低电平。由此，写入控制晶体管T1、阈值电压补偿晶体管T2、以及阳极控制晶体管T3成为导通状态。通过阳极控制晶体管T3成为导通状态，从而有机EL元件OLED的阳极电压基于初始化电压Vini而被初始化。另外，通过写入控制晶体管T1及阈值电压补偿晶体管T2成为导通状态，从而经由写入控制晶体管T1、驱动晶体管T6、以及阈值电压补偿晶体管T2而将数据信号S(m)施加至保持电容器C1的第二电极。由此，保持电容器C1被充电。
到时刻t3时，扫描信号G(n)从低电平成为高电平。由此，写入控制晶体管T1、阈值电压补偿晶体管T2、以及阳极控制晶体管T3成为关断状态。
到时刻t4时，发光控制信号EM(n)从高电平成为低电平。由此，发光控制晶体管T4及电源供给控制晶体管T5成为导通状态。由此，与保持电容器C1的充电电压相应的驱动电流供给至有机EL元件OLED。其结果为，有机EL元件OLED根据该驱动电流的大小发光。之后，在时刻t10经过发光控制信号EM(n)从低电平成为高电平为止的期间，有机EL元件OLED发光。
＜1.2.3整体的动作＞
接下来，基于关于一个像素电路2的上述的动作，参照图6所示的时序图对整体的动作进行说明。到时刻t20时，发光控制信号EM(1)从低电平成为高电平。由此，第一行的各像素电路2所包含的有机EL元件OLED成为熄灭状态。
到时刻t21时，栅极启动脉冲信号GSP从高电平成为低电平。栅极启动脉冲信号GSP被施加至第一行的各像素电路2所包含的初始化晶体管T7的栅极端子。由此，在第一行的各像素电路2中，驱动晶体管T6的栅极电压被初始化。另外，在时刻t21，发光控制信号EM(2)从低电平成为高电平。由此，第二行的各像素电路2所包含的有机EL元件OLED成为熄灭状态。
到时刻t22时，扫描信号G(1)从高电平成为低电平。由此，在第二行的各像素电路2中，驱动晶体管T6的栅极电压被初始化。另外，在第一行的各像素电路2中，基于数据信号S对保持电容器C1充电。
到时刻t23时，扫描信号G(1)从低电平成为高电平。在时刻t23，扫描信号G(2)还从高电平成为低电平。由此，在第三行的各像素电路2中，驱动晶体管T6的栅极电压被初始化。另外，在第二行的各像素电路2中，基于数据信号S对保持电容器C1充电。
到时刻t24时，发光控制信号EM(1)从高电平成为低电平。由此，在第一行的各像素电路2中，驱动电流被供给至有机EL元件OLED，有机EL元件OLED根据该驱动电流的大小发光。进一步，到时刻t25时，发光控制信号EM(2)从高电平成为低电平。由此，在第二行的各像素电路2中，驱动电流被供给至有机EL元件OLED，有机EL元件OLED根据该驱动电流的大小发光。之后，在时刻t29发光控制信号EM(j)从高电平成为低电平，由此在第j行的各像素电路2中，有机EL元件OLED发光。如以上那样，有机EL元件OLED的发光逐行进行。
之后，到时刻t30时，发光控制信号EM(1)从低电平成为高电平。由此，第一行的各像素电路2所包含的有机EL元件OLED成为熄灭状态。到时刻t31时，栅极启动脉冲信号GSP从高电平成为低电平。由此，在第一行的各像素电路2中，驱动晶体管T6的栅极电压被初始化。另外，在时刻t31，发光控制信号EM(2)从低电平成为高电平。由此，第二行的各像素电路2所包含的有机EL元件OLED成为熄灭状态。这样一来，与时刻t20之后相同的动作也在时刻t30之后反复。
然而，在本实施方式中，扫描信号G的振幅通过温度控制。详细而言，扫描信号G(1)～G(j)的低电平侧的电压电平通过温度控制在四个阶段。该电压电平的切换在垂直回扫期间进行。因此，有时扫描信号G(1)～G(j)的低电平侧的电压电平以垂直回扫期间为边界变化。
＜1.3栅极驱动器＞
对本实施方式中的栅极驱动器400的结构进行说明。此外，这里说明的结构(图7、图8所示的结构)为一例，也能够采用其他结构。
＜1.3.1栅极驱动器的整体结构＞
栅极驱动器400(参照图3)使用移位寄存器来实现。以与显示部200内的扫描信号线G(1)～G(j)一一对应的方式，设置有移位寄存器的各级。即，在本实施方式中，在栅极驱动器400中，包含有由j级构成的移位寄存器。此外，以下，将构成移位寄存器的各级的电路称为“单位电路”。
图7是表示栅极驱动器400的整体结构的一例的框图。此外，在图7中，仅示出构成j级中的从第(n-1)级至第(n+1)级的单位电路40(n-1)～40(n+1)。这里，为了便于说明，假定n为偶数。在本实施方式中，用于使移位寄存器410动作的栅极时钟信号GCK由2相的时钟信号(栅极时钟信号GCK1、GCK2)构成。此外，对2相的时钟信号中的输入至各单位电路40的时钟信号(栅极时钟信号)标注附图标记GCKin。
如图7所示，在移位寄存器410的各级(各单位电路)，设置有用于接收栅极时钟信号GCKin的输入端子、用于接收设置信号S的输入端子、用于接收复位信号R的输入端子、以及用于输出输出信号Q的输出端子。
关于图7，施加至移位寄存器410的各级(各单位电路)的输入端子的信号如以下那样。关于第奇数级，栅极时钟信号GCK1作为栅极时钟信号GCKin被施加，关于第偶数级，栅极时钟信号GCK2作为栅极时钟信号GCKin被施加。另外，关于任意的级，从前一级输出的输出信号Q作为设置信号S被施加，从下一级输出的输出信号Q作为复位信号R被施加。不过，关于第一级(在图7中未图示)，栅极启动脉冲信号GSP作为设置信号S被施加。此外，高电平电源电压(在图7中未图示)共同施加至所有的单位电路40。从移位寄存器410的各级(各单位电路)输出输出信号Q。从各级输出的输出信号Q作为扫描信号G被施加至对应的扫描信号线，并且作为复位信号R被施加至前一级，作为设置信号S被施加至下一级。
＜1.3.2单位电路的结构＞
图8是表示移位寄存器410内的单位电路40的一结构例的电路图。如图8所示，单位电路40具备4个晶体管T41～T44。另外，单位电路40除高电平电源电压VDD用的输入端子以外，还具有3个输入端子41～43及1个输出端子49。此外，在本实施方式中，施加至单位电路40的高电平电源电压VDD为后述的栅极高电压VGH。关于图8，对接收设置信号S的输入端子标注附图标记41，对接收复位信号R的输入端子标注附图标记42，对接收栅极时钟信号GCKin的输入端子标注附图标记43。另外，对输出输出信号Q的输出端子标注附图标记49。在晶体管T42的栅极端子-第一导通端子间形成有寄生电容CS1，在晶体管T42的栅极端子-第二导通端子间形成有寄生电容CS2。晶体管T41的第一导通端子、晶体管T42的栅极端子、以及晶体管T44的第二导通端子相互连接。此外，以下将这些相互连接的区域(布线)称为“第一节点”。对第一节点标注附图标记NA。
关于晶体管T41，栅极端子及第二导通端子与输入端子41连接(即，成为二极管连接)，第一导通端子与第一节点NA连接。关于晶体管T42，栅极端子与第一节点NA连接，第一导通端子与输出端子49连接，第二导通端子与输入端子43连接。关于晶体管T43，栅极端子与输入端子42连接，第一导通端子与高电平电源电压VDD用的输入端子连接，第二导通端子与输出端子49连接。关于晶体管T44，栅极端子与输入端子42连接，第一导通端子与高电平电源电压VDD用的输入端子连接，第二导通端子与第一节点NA连接。
＜1.3.3单位电路的动作＞
参照图8及图9，对单位电路40的动作进行说明。如图9所示，在时刻t40之前的期间，设置信号S、第一节点NA的电压、输出信号Q、以及复位信号R成为高电平。另外，对输入端子43施加有使高电平与低电平交替地反复的栅极时钟信号GCKin。此外，在图9中。将栅极时钟信号GCKin的低电平侧的电压用V_GCK_L表示。
到时刻t40时，设置信号S从高电平成为低电平。晶体管T41如图8所示成为二极管连接，因此设置信号S从高电平成为低电平，从而晶体管T41成为导通状态。由此，第一节点NA的电压下降。
到时刻t41时，设置信号S从低电平成为高电平。由此，晶体管T41成为关断状态。此时，复位信号R成为高电平，因此晶体管T44成为关断状态。以上，第一节点NA成为浮接状态。另外，在时刻t41，栅极时钟信号GCKin从高电平成为低电平。如上述那样，在晶体管T42的栅极端子-第一导通端子间形成有寄生电容CS1，在晶体管T42的栅极端子-第二导通端子间形成有寄生电容CS2。因此，通过自举效应，第一节点NA的电压显著下降至较低的电平。由此，输出信号Q的电压(输出端子49的电压)下降至与栅极时钟信号GCKin的低电平侧的电压V_GCK_L相等的电平。即，施加至与该单位电路40的输出端子49连接的扫描信号线的扫描信号G的电压下降至与栅极时钟信号GCKin的低电平侧的电压V_GCK_L相等的电平。此外，在时刻t41～时刻t42的期间中，复位信号R成为高电平。因此，晶体管T43被维持在关断状态，因此在该期间中输出信号Q的电压不会上升。
到时刻t42时，栅极时钟信号GCKin从低电平成为高电平。由此，与输入端子43的电压的上升一起，输出信号Q的电压上升，进一步经由寄生电容CS1、CS2而第一节点NA的电压也上升。另外，在时刻t42，复位信号R从高电平成为低电平。由此，晶体管T43及晶体管T44成为导通状态。通过晶体管T43成为导通状态，从而输出信号Q的电压上升至高电平，通过晶体管T44成为导通状态，从而第一节点NA的电压上升至高电平。
＜1.4扫描信号电压的控制＞
如上述那样，在本实施方式中，扫描信号G的振幅通过温度控制。更加详细而言，基于通过热敏电阻300得到的温度数据DT，扫描信号G的低电平侧的电压电平变化。以下，对用于使扫描信号G的振幅变化的结构(本实施方式中的主要部件的结构)进行说明。
图1是表示本实施方式中的主要部件的结构的框图。如图1所示，在本实施方式所涉及的有机EL显示装置中，作为用于使扫描信号G的振幅变化的构成要素，设置有热敏电阻300、电源电压控制部102、栅极高电压生成电路104、栅极低电压生成电路106以及面板内驱动器控制部110。此外，电源电压控制部102、栅极高电压生成电路104、栅极低电压生成电路106、以及面板内驱动器控制部110设置在驱动器IC100内，它们作为扫描信号振幅控制部12发挥功能。
热敏电阻300输出表示周围的温度的温度数据DT。电源电压控制部102根据温度数据DT，输出栅极高电压控制信号SGH及栅极低电压控制信号SGL。栅极高电压生成电路104根据栅极高电压控制信号SGH，输出栅极高电压VGH。栅极低电压生成电路106根据栅极低电压控制信号SGL，输出栅极低电压VGL。面板内驱动器控制部110对栅极驱动器400施加栅极时钟信号GCK及栅极启动脉冲信号GSP。关于栅极时钟信号GCK及栅极启动脉冲信号GSP，高电平侧的电压电平为栅极高电压VGH的电压电平，低电平侧的电压电平为栅极低电压VGL的电压电平。此外，在本实施方式中，栅极高电压VGH的电压电平被维持在恒定的电平，栅极低电压VGL的电压电平根据温度而在四个阶段变化。
在本实施方式中，栅极高电压生成电路104及栅极低电压生成电路106使用电荷泵电路来实现。将该电荷泵电路的一结构例在图10中示出。如图10所示，电荷泵电路由两个开关SW1、SW2及两个电容器C61、C62构成。对开关SW1的端子62施加直流电压VCC1，对开关SW2的端子66施加直流电压VCC2。开关SW1的端子63与输出端子67连接。在这样的结构中，首先，关于开关SW1，端子61与端子62连接，关于开关SW2，端子64与端子65连接。由此，电容器C61被充电，节点68的电压成为VCC1。接下来，关于开关SW1，端子61与端子63连接，关于开关SW2，端子64与端子66连接。相对于端子65被接地，而对端子66施加直流电压VCC2，因此端子64的连接目的地从端子65切换为端子66，由此经由电容器C61而节点68的电压上升至“VCC1+VCC2”。而且，该电压“VCC1+VCC2”从输出端子67被输出。
然而，在本实施方式中，关于从包含上述那样的电荷泵电路的栅极低电压生成电路106输出并作为栅极低电压VGL施加至面板内驱动器控制部110的电压，被控制为使电压电平根据温度在四个阶段变化。这里，举三个例子(第一～第三例)来对根据温度控制栅极低电压VGL的电压电平的具体的实现方法进行说明。
(第一例)
图11是用于对第一例进行说明的电路图。如图11所示，在第一例中，在栅极低电压生成电路106内除电荷泵电路以外还设置有电压测定部71及输出电压调整部72。在该第一例中，对输出电压调整部72施加栅极低电压控制信号SGL，来自电荷泵电路的输出电压作为栅极低电压VGL从栅极低电压生成电路106被输出。电压测定部71测定输出端子67的电压，并将检测电压VD施加至输出电压调整部72。输出电压调整部72基于与温度相应的信号亦即栅极低电压控制信号SGL，输出控制开关SW1的连接状态的控制信号SW1ctl和控制开关SW2的连接状态的控制信号SW2ctl。此时，若检测电压VD低于目标电压，则输出电压调整部72通过以反复升压动作而使检测电压VD接近目标电压的方式输出控制信号SW1ctl、SW2ctl来控制开关SW1、SW2的连接状态。另外，若检测电压VD高于目标电压，则输出电压调整部72通过以使升压动作休止的方式输出控制信号SW1ctl、SW2ctl来控制开关SW1、SW2的连接状态。由此，能够将输出电压(栅极低电压VGL)的电压电平控制在“VCC1+VCC2”以下的范围。此外，温度越低，则目标电压越低，温度越高，则目标电压越高。如以上那样，在第一例中，通过控制电荷泵电路中的升压动作，从而栅极低电压VGL的电压电平被控制在四个阶段。
(第二例)
在第二例中，预先准备多个直流电压VCC1及直流电压VCC2中的一方或双方，通过根据温度选择这些电压，从而控制输出电压。若举一例，作为直流电压VCC2，准备电平不同的四个电压V1～V4。进而，设置用于根据温度从上述四个电压V1～V41选择一个电压的多路复用器。如图12所示，该多路复用器74基于与温度相应的信号亦即栅极低电压控制信号SGL来从四个电压V1～V4中选择一个电压，并将选择出的电压作为直流电压VCC2输出。在该例的情况下，栅极低电压生成电路106的结构成为图13所示那样的结构。即，在栅极低电压生成电路106内除电荷泵电路以外还设置有多路复用器74。进而，对多路复用器74施加栅极低电压控制信号SGL，来自电荷泵电路的输出电压作为栅极低电压VGL从栅极低电压生成电路106被输出。此外，在多路复用器74中，温度越低，则选择电压电平越低的电压，温度越高，则选择电压电平越高的电压。来自电荷泵电路的输出电压为“VCC1+VCC2”，且直流电压VCC2根据温度在四个阶段变化，因此输出电压(栅极低电压VGL)也根据温度在四个阶段变化。如以上那样，在第二例中，通过根据温度选择准备了多个的直流电压(输入电压)，从而栅极低电压VGL的电压电平被控制在四个阶段。
此外，也可以代替准备多个直流电压，而利用线性稳压器等使直流电压的电压电平(详细而言，直流电压VCC1及直流电压VCC2中的一方或双方的电压电平)根据温度变化。
(第三例)
图14是用于对第三例进行说明的电路图。如图14所示，在第三例中，在栅极低电压生成电路106内除电荷泵电路以外还设置有线性稳压器76。在这方面，线性稳压器76设置于电荷泵电路的后级。在该第三例中，对线性稳压器76施加栅极低电压控制信号SGL，来自线性稳压器76的输出电压作为栅极低电压VGL从栅极低电压生成电路106被输出。在线性稳压器76中，基于与温度相应的信号亦即栅极低电压控制信号SGL，进行来自电荷泵电路的输出电压的降压。此时，温度越低，输出电压的降压的程度越大，温度越高，输出电压的降压的程度越小。如以上那样，在第三例中，通过利用线性稳压器76控制来自电荷泵电路的输出电压，从而栅极低电压VGL的电压电平被控制在四个阶段。
此外，关于第三例，也能够采用代替电荷泵电路而使用开关稳压器的结构。在该情况下，通过开关稳压器生成规定的电压，该规定的电压的降压基于栅极低电压控制信号SGL来通过线性稳压器76进行。
如以上那样，从栅极低电压生成电路106对面板内驱动器控制部110施加的栅极低电压VGL的电压电平根据温度在四个阶段变化。在这方面，温度越低，栅极低电压VGL的电压电平越低，温度越高，栅极低电压VGL的电压电平越高。
面板内驱动器控制部110将高电平侧的电压电平为栅极高电压VGH的电压电平且低电平侧的电压电平为栅极低电压VGL的电压电平亦即栅极时钟信号GCK施加至栅极驱动器400。另外，在选择扫描信号线时，如上述那样，扫描信号G的电压下降至与栅极时钟信号GCKin的低电平侧的电压相等的电平。根据以上内容，在图9中用V_GCK_L表示的电压的电压电平与栅极低电压VGL的电压电平相等。即，选择扫描信号线时的扫描信号G的电压电平成为栅极低电压VGL的电压电平。另外，如上述那样，对构成栅极驱动器400的移位寄存器410内的各单位电路40施加栅极高电压VGH作为高电平电源电压VDD(参照图8)。进而，在扫描信号线的选择结束后，对该扫描信号线施加高电平电源电压VDD。即，不选择扫描信号线时的扫描信号G的电压电平成为栅极高电压VGH的电压电平。
以上，扫描信号G的高电平侧的电压电平成为栅极高电压VGH的电压电平，扫描信号G的低电平侧的电压电平成为栅极低电压VGL的电压电平。这里，栅极低电压VGL的电压电平根据温度在四个阶段变化。因此，扫描信号G的振幅根据温度在四个阶段变化。详细而言，温度越低，则扫描信号G的振幅越大，温度越高，则扫描信号G的振幅越小。
在本实施方式中，扫描信号振幅控制部12在垂直回扫期间，根据温度使栅极低电压VGL的电压电平在四个阶段变化。由此，例如四个期间P11～P14的扫描信号G的波形成为如图15所示那样。此外，关于期间P11～P14，假定温度的高度的顺序为“P12、P14、P11、P13”。如图15所示，期间P11的栅极低电压的电压电平为VGL3，期间P12的栅极低电压的电压电平为VGL1，期间P13的栅极低电压的电压电平为VGL4，期间P14的栅极低电压的电压电平为VGL2。这些电压电平的关系成为“VGL1＞VGL2＞VGL3＞VGL4”。如以上那样，温度越低，则扫描信号G的振幅越大，温度越高，则扫描信号G的振幅越小。
＜1.5效果＞
根据本实施方式，根据由热敏电阻300检测出的温度，扫描信号G的振幅被控制在四个阶段。此时，温度越低，则扫描信号G的振幅越大，温度越高，则扫描信号G的振幅越小。因此，关于像素电路2内的保持电容器C1，抑制了低温时的充电不足的发生并且抑制了高温时的过充电的发生。其结果为，抑制了由温度变化引起的亮度、色度变化，确保了稳定的显示品质。如以上那样，根据本实施方式，在有机EL显示装置中，实现了稳定的显示品质而不受温度变化的影响。
＜2.第二实施方式＞
＜2.1概要＞
在上述第一实施方式中，为了补偿由于温度的不同引起的保持电容器C1(参照图4)的充电能力的差异，根据温度使扫描信号G的振幅(更详细而言，扫描信号G的低电平侧的电压电平)变化。相对于此，在本实施方式中，为了补偿由温度的不同引起的保持电容器C1的充电能力的差异，根据温度调整发光期间的长度。以下，关于与上述第一实施方式相同的方面省略说明，对与上述第一实施方式不同的方面进行说明。
＜2.2结构＞
图16是用于对用于根据温度调整发光期间的长度的结构进行说明的图。在本实施方式中，由热敏电阻300得到的温度数据DT被施加至面板内驱动器控制部110。面板内驱动器控制部110作为发射驱动器控制信号EMCTL(参照图3)，将发射启动脉冲信号ESP和发射时钟信号ECK施加至发射驱动器500。此时，面板内驱动器控制部110根据温度数据DT所示的温度，调整发射启动脉冲信号ESP的波形的变化时机。详细而言，以温度越低则发光期间的长度越长的方式调整发射启动脉冲信号ESP的波形的变化时机。
＜2.3动作＞
图17是用于对用于调整发光期间的长度的动作进行说明的时序图。发射驱动器500例如通过由j个触发器电路构成的移位寄存器构成，从该移位寄存器的各级以各行的发光期间的长度成为与发射启动脉冲信号ESP的脉冲宽度相应的长度的方式输出发光控制信号EM。例如，如图17所示，若将发射启动脉冲信号ESP的脉冲宽度(这里，为维持在低电平的期间的长度)用L1表示，则各发光控制信号EM(1)～EM(j)被维持在低电平的期间的长度也成为L1。根据以上内容，可知通过调整发射启动脉冲信号ESP的波形的变化时机，从而控制发光控制信号EM被维持在低电平的期间的长度。因此，本实施方式中的面板内驱动器控制部110作为控制发光控制信号EM的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度(即，发光期间的长度)的发光期间控制部发挥功能。另外，对于面板内驱动器控制部110而言，若温度越低，则发光控制信号EM的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度越长。
在本实施方式中，面板内驱动器控制部110在垂直回扫期间，根据温度相应使发射启动脉冲信号ESP的脉冲宽度在四个阶段变化。由此，例如四个期间P21～P24的发射启动脉冲信号ESP及第n行的发光控制信号EM(n)的波形如图18所示那样。此外，关于期间P21～P24，假定温度的高度的顺序为“P22、P24、P21、P23”。如图18所示，期间P21的发光期间的长度为Lc，期间P22的发光期间的长度为La，期间P23的发光期间的长度为Ld，期间P24的发光期间的长度为Lb。这些长度的关系成为“La＜Lb＜Lc＜Ld”。如以上那样，温度越低，则发光期间的长度越长，温度越高，则发光期间的长度越短。
＜2.4效果＞
根据本实施方式，根据由热敏电阻300检测出的温度，将发光控制信号EM的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度(即，发光期间的长度)控制在四个阶段。此时，温度越低，则发光期间的长度越长，温度越高，则发光期间的长度越短。因此，即使产生了由温度较低引起的保持电容器C1的充电不足，有机EL元件也以补偿充电不足的方式以比原来更长的期间发光。另外，即使产生了由温度较高引起的保持电容器C1的过充电，有机EL元件也以补偿过充电的方式以比原来更短的期间发光。其结果为，抑制了由温度变化引起的亮度、色度变化，确保了稳定的显示品质。如以上那样，根据本实施方式，与上述第一实施方式同样地，在有机EL显示装置中，实现了稳定的显示品质而不受温度变化的影响。
＜3.变形例＞
以下，对上述各实施方式的变形例进行说明。
＜3.1关于利用温度的控制＞
在上述第一实施方式中，根据温度使扫描信号G的振幅(更详细而言，扫描信号G的低电平侧的电压电平)变化。另外，在上述第二实施方式中，根据温度使发光期间的长度变化。然而，也有时仅使扫描信号G的振幅或发光期间的长度中的任一方根据温度而变化，而导致由温度的差异引起的保持电容器C1的充电能力的差异未被充分补偿。因此，也可以根据温度使扫描信号G的振幅变化并且根据温度使发光期间的长度(发光控制信号EM的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度)变化。由此，有效地补偿由温度的差异引起的保持电容器C1的充电能力的差异。能够实现更稳定的显示品质。
另外，在上述各实施方式中，将扫描信号G的振幅或发光期间的长度根据温度控制在四个阶段。然而，本发明并不限于此，也可以将扫描信号G的振幅或发光期间的长度根据温度控制在除四个阶段以外的阶段。此外，通常，阶段数为2的k次方(k为自然数)。
＜3.2关于热敏电阻＞
在上述各实施方式中，热敏电阻300设置在控制基板30上。然而，本发明并不限于此，也可以在有机EL面板20内设置热敏电阻300。此外，在要求布局的容易性的情况下，优选将热敏电阻300设置在控制基板30上，在要求温度的准确性的情况下，优选将热敏电阻300设置在有机EL面板20内。
另外，在上述各实施方式中，热敏电阻300设置有一个，但本发明并不限于此，也可以设置多个热敏电阻300。在该情况下，例如，只要基于通过多个热敏电阻300得到的温度的平均值来控制扫描信号G的振幅或发光期间的长度即可。特别是在采用中型、大型的有机EL面板20的情况下，由于考虑到由地点产生的温差变大，因此通过像这样设置多个热敏电阻300，从而能够保持更适当的显示品质。
＜4.其他＞
在上述各实施方式中，以有机EL显示装置为例进行了说明，但只要是使用了用电流驱动的显示元件的显示装置，则关于显示装置的种类未被特别限定。这里可使用的显示元件是通过电流控制亮度或透射率的显示元件。作为具备这样的显示元件的显示装置，列举了具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL显示装置、具备无机发光二极管的无机EL显示装置等EL显示装置、具备QLED(Quantum dot LightEmitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示装置等。
附图标记说明
2…像素电路
12…扫描信号振幅控制部
20…有机EL面板
100…驱动器IC
102…电源电压控制部
104…栅极高电压生成电路
106…栅极低电压生成电路
110…面板内驱动器控制部
300…热敏电阻
400…栅极驱动器
500…发射驱动器
C1…保持电容器
T1…写入控制晶体管
T2…阈值电压补偿晶体管
T3…阳极控制晶体管
T4…发光控制晶体管
T5…电源供给控制晶体管
T6…驱动晶体管
T7…初始化晶体管

Claims (7)

1.一种显示装置，具备显示面板，所述显示面板包含多个数据线、以与所述多个数据线交叉的方式配设的多个扫描信号线以及对应于所述多个数据线与所述多个扫描信号线的交叉点设置的多个像素电路，所述显示装置的特征在于，
所述显示装置具有：
数据线驱动部，其对所述多个数据线施加数据信号；
扫描信号线驱动部，其对所述多个扫描信号线施加扫描信号；
扫描信号振幅控制部，其控制所述扫描信号的振幅；
温度检测部，其检测周围的温度；
多个发光控制线，它们以与所述多个扫描信号线一一对应的方式设置在所述显示面板内；
发光控制线驱动部，其对所述多个发光控制线施加发光控制信号；以及
发光期间控制部，其对所述发光控制信号的电压电平被维持在发光用的电平的期间的长度进行控制，
各像素电路包含：
显示元件，其由电流驱动；和
电容元件，其根据当施加至对应的扫描信号线的扫描信号的电压电平成为写入用的电平时施加至对应的视频信号线的数据信号被充电，
对于所述扫描信号振幅控制部而言，由所述温度检测部检测出的温度越低，则所述扫描信号的振幅越大，
在各像素电路中，当施加至对应的发光控制线的发光控制信号的电压电平成为所述发光用的电平时，所述显示元件发光，
对于所述发光期间控制部而言，由所述温度检测部检测出的温度越低，为了以比与施加至对应的数据线的数据信号相应的规定的量大的量的电荷对所述电容元件进行充电，所述发光控制信号的电压电平被维持在所述发光用的电平的期间的长度越长。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述扫描信号振幅控制部通过使相当于所述写入用的电平的电压电平变化，从而控制所述扫描信号的振幅。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
关于所述扫描信号，所述扫描信号振幅控制部将高电平侧的电压电平或低电平侧的电压电平中的一方维持在恒定的电平，并且使另一方根据由所述温度检测部检测出的温度而变化。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
各像素电路所包含的晶体管中的对控制端子施加所述扫描信号的晶体管为p沟道型，
所述扫描信号振幅控制部使所述扫描信号的低电平侧的电压电平根据由所述温度检测部检测出的温度而变化。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述温度检测部为热敏电阻。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
还具备设置在所述显示面板的背面的控制基板，
所述热敏电阻设置在所述控制基板上。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述热敏电阻设置在所述显示面板内。
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