CN111030726A - 射频前端控制电路及其控制方法、射频前端控制芯片、系统、存储介质、终端 - Google Patents

射频前端控制电路及其控制方法、射频前端控制芯片、系统、存储介质、终端 Download PDF

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Abstract

一种射频前端控制电路及其控制方法、射频前端控制芯片、系统、存储介质、终端，射频前端控制电路包括：多个并联的驱动器件，用以接入驱动控制信号，其输出端输出射频控制信号，所述射频控制信号用以控制射频前端；多个延时元件，分别耦接每一驱动器件的控制端，所述驱动控制信号经由所述每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，所述多个驱动器件的控制端耦接的延时元件的延时时间长度依次变大。本发明技术方案能够更有效地减小对RF器件的EMI。

Description

射频前端控制电路及其控制方法、射频前端控制芯片、系统、 存储介质、终端
技术领域
本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种射频前端控制电路及其控制方法、射频前端控制芯片、系统、存储介质、终端。
背景技术
通信产品发展到第五代移动通信技术(5th generation mobile networks、5th-Generation，5G)，需要兼容不同模式、不同频段，射频(Radio Frequency,RF)前端复杂。又由于5G复杂灵活的配置，RF前端也要跟着快速切换。因此系统中会有多路射频前端(RFfront-end，RFFE)控制(ctl)接口，速度也要提高到52M甚至更快。
RFFE控制信号是距离RF器件最近的数字信号，并且由于RF器件接收信号通常为功率较小的小信号，因此其会对RF器件接收信号产生电磁干扰(ElectromagneticInterference，EMI)。当前主流的控制EMI的方法是更精确的控制驱动能力。
虽然通过控制驱动能力能有明显的改变摆率(slew rate)，但是信号刚开始变化时，信号频率分量和能量依然较大，对EMI的改善效果有限。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何更有效地减小对RF器件的EMI。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种射频前端控制电路，射频前端控制电路包括：一种射频前端控制电路，包括：多个并联的驱动器件，用以接入驱动控制信号，其输出端输出射频控制信号，所述射频控制信号用以控制射频前端；多个延时元件，分别耦接每一驱动器件的控制端，所述驱动控制信号经由所述每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，所述多个驱动器件的控制端耦接的延时元件的延时时间长度依次变大。
可选的，所述延时元件包括：电阻；所述多个驱动器件的控制端耦接的电阻的阻值依次变大。
可选的，所述延时元件为RC延时电路或逻辑延时电路。
可选的，所述多个驱动器件包括：多个并联的PMOS管和NMOS管，所述PMOS管或NMOS管的栅极耦接所述延时元件。
可选的，所述驱动器件包括：串联的阻抗元件和开关元件，每一阻抗元件的输入端耦接所述延时元件。
为解决上述技术问题，本发明实施例还公开了一种射频前端控制电路的控制方法，所述控制方法包括：使能所述驱动控制信号经由每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，以使所述驱动控制信号在不同的时刻输入至所述多个驱动器件，以使所述多个驱动器件在不同的时刻开启；输出射频控制信号。
本发明实施例还公开了一种射频前端控制芯片，射频前端控制芯片包括：所述射频前端控制电路；芯片管脚，耦接所述多个驱动器件的输出端，以输出所述射频控制信号。
本发明实施例还公开了一种射频前端控制系统，射频前端控制系统包括：射频前端控制芯片；射频前端，其输入端耦接所述射频前端控制芯片的输出端。
本发明实施例还公开了一种存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行所述射频前端控制电路的控制方法的步骤。
本发明实施例还公开了一种终端，包括所述射频前端控制电路，或者所述射频前端控制芯片。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案中，射频前端控制电路可以包括：多个驱动器件，用以接入驱动控制信号，其输出端输出射频控制信号，所述射频控制信号用以控制射频前端；延时元件，耦接每一驱动器件的控制端，所述驱动控制信号经由所述每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，所述多个驱动器件的控制端耦接的延时元件的延时时间长度依次变大。本发明技术方案通过设置延时元件，使得驱动控制信号经由每一驱动器件所耦接的延时元件输入至该驱动器件的控制端，由于不同的延时元件的延时时间长度不同，因此能够实现不同的驱动器件在不同的时刻开启，从而实现射频控制信号在上升沿和下降沿的变化减缓，信号频率分量和能量较小，进而有效地降低EMI。
附图说明
图1是现有技术中一种驱动信号的变化示意图；
图2是本发明实施例一种射频前端控制电路的结构示意图；
图3是本发明实施例另一种射频前端控制电路的结构示意图；
图4是本发明实施例一种射频控制信号的示意图；
图5是本发明实施例一种射频前端控制电路的控制方法的流程图。
具体实施方式
如背景技术中所述，虽然通过控制驱动能力能有明显的改变摆率(slew rate)，但是信号刚开始变化时，信号频率分量和能量依然较大，对EMI的改善效果有限。
如图1所示，现有技术中调整后的驱动信号变化曲线如图1所示。其中，在序号11所示位置，也即驱动信号从高电平变化到低电平的位置，信号变化较快，驱动信号的斜率较大，该信号经傅里叶分解后的频率分量也较多，能量较高，依然会对RF器件接收信号产生EMI。
本发明技术方案通过设置延时元件，使得驱动控制信号经由每一驱动器件所耦接的延时元件输入至该驱动器件的控制端，由于不同的延时元件的延时时间长度不同，因此能够实现不同的驱动器件在不同的时刻开启，从而实现射频控制信号在上升沿和下降沿的变化减缓，信号频率分量和能量较小，进而有效地降低EMI。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2是本发明实施例一种射频前端控制电路的结构示意图。
所述射频前端控制电路20可以包括多个并联的驱动器件2021、2022、…、202n以及多个延时元件2011、2012、…、201n。
其中，驱动器件2021、2022、…、202n用以接入驱动控制信号，其输出端输出射频控制信号，所述射频控制信号用以控制射频前端(图未示)。多个延时元件2011、2012、…、201n分别耦接每一驱动器件的控制端，所述驱动控制信号经由所述每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端。
本实施例中，所述多个延时元件2011、2012、…、201n的延时时间长度依次变大。具体地，多个延时元件2011、2012、…、201n可以具有不同的阻抗，从而具有不同的延时时间长度。
具体实施中，多个延时元件2011、2012、…、201n的延时时间长度不同，那么在多个延时元件2011、2012、…、201n同时接入同一驱动控制信号时，不同的阻抗将导致驱动控制信号输入至多个驱动器件2021、2022、…、202n的控制端的时刻不同，使得多个驱动器件2021、2022、…、202n在不同的时刻开启。由此，多个驱动器件2021、2022、…、202n输出的射频控制信号在上升沿或下降沿的变化减缓。
本发明实施例通过设置延时元件，使得驱动控制信号经由每一驱动器件所耦接的延时元件输入至该驱动器件的控制端，由于不同的延时元件的延时时间长度不同，因此能够实现不同的驱动器件在不同的时刻开启，从而实现射频控制信号在上升沿和下降沿的变化减缓，信号频率分量和能量较小，进而有效地降低EMI。
在一个具体实施例中，所述延时元件包括：电阻；所述多个驱动器件的控制端耦接的电阻的阻值依次变大。
请参照图3，图3是本发明实施例另一种射频前端控制电路的结构示意图。
如图3所示，在图2中示出的驱动器件2021、2022、…、202n可以分别是PMOS管和NMOS管M1、M2、…Mn，在图2中示出的多个延时元件2011、2012、…、201n可以是具有不同电阻值的电阻R1、R2、…Rn。
具体地，每一电阻的一端接入驱动控制信号，每一PMOS管或NMOS管的栅极耦接电阻的另一端，每一PMOS管或NMOS管的一端接入电源电压(图未示)，另一端作为输出端输出射频控制信号。该射频控制信号可以用于控制射频前端芯片。
可以理解的是，关于PMOS管和NMOS管的数量可以根据实际的应用场景进行设置，本发明实施例对此不作限制。
本发明实施例中，PMOS管可以输出高电平信号1，NMOS管可以输出低电平信号0。以射频前端控制电路包括5个PMOS管(P0、P1、P2、…、P4)和5个NMOS管(N0、N1、N2、…、N4)为例，在射频控制信号的上升沿，在不同的时刻，PMOS管和NMOS管的开启顺序如表1所示。
表1
Figure BDA0002317977390000051
Figure BDA0002317977390000061
如表1所示，在射频控制信号的上升沿，5个NMOS管关闭，5个PMOS管在不同的时刻开启，使得射频控制信号的电平随着时间逐渐提升，从而使得射频控制信号的上升沿变化平缓。
依此类推，在射频控制信号的下降沿，5个PMOS管关闭，5个NMOS管在不同的时刻开启，使得射频控制信号的电平随着时间逐渐下降，从而使得射频控制信号的下降沿变化平缓。
需要说明的是，在实际的应用中，驱动器件(例如上述表1中的NMOS管)的关闭可以是同时关闭的，也可以是逐步关闭的，本发明实施例对此不作限制。
一并参照图4，图4示出了射频控制信号随时间变化的曲线，其中，相较于现有技术中射频控制信号的变化曲线，本发明实施例的射频控制信号的变化沿更加平滑，EMI更小。
本发明一个具体实施例中，所述延时元件为RC延时电路或逻辑延时电路。
本实施例中，耦接不同驱动器件的RC延时电路或逻辑延时电路具有不同的延时时长。关于RC延时电路或逻辑延时电路的具体电路结构可以参照已有技术，本发明实施例成对此不作限制。
本发明一个具体实施例中，所述驱动器件可以包括：串联的阻抗元件和开关元件，每一阻抗元件的输入端耦接所述延时元件。
本实施例中的驱动器件具有阻抗以及开关功能，故而驱动器件可以包括串联的阻抗元件和开关元件。例如，阻抗元件可以是电阻，开关元件可以是三极管、单刀单掷开关等。
图5示出了本发明实施例一种射频前端控制电路的控制方法，所述射频前端控制电路的控制方法可以包括以下步骤：
步骤S501：使能所述驱动控制信号经由每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，以使所述驱动控制信号在不同的时刻输入至所述多个驱动器件，以使所述多个驱动器件在不同的时刻开启；
步骤S502：输出射频控制信号。
需要指出的是，本实施例中各个步骤的序号并不代表对各个步骤的执行顺序的限定。
具体实施中，驱动控制信号可以是时钟控制信号，通过生成驱动控制信号，使能驱动控制信号输入至所述驱动器件的控制端，以控制驱动器件在不同的时刻开启。每一驱动器件开启后可以输出一信号，由于不同的时刻开启的驱动器件的数量不同，因此射频前端控制电路在不同时刻输出的总射频控制信号的大小不同。
本发明实施例还公开了一种射频前端控制芯片，其中，射频前端控制芯片包括前述的射频前端控制电路以及芯片管脚。芯片管脚耦接所述多个驱动器件的输出端，以输出所述射频控制信号。
本实施例中，射频前端控制芯片可以设置于终端通信设备内，例如手机、计算机、平板电脑等。
本发明实施例还公开了一种射频前端控制系统，射频前端控制系统可以包括前述的射频前端控制芯片以及射频前端。其中，射频前端的输入端耦接所述射频前端控制芯片的输出端。
本实施例中，射频前端控制系统可以设置于终端通信设备内，例如手机、计算机、平板电脑等。
关于所述射频前端控制芯片、射频前端控制系统的工作原理、工作方式的更多内容，可以参照图1至图5中的相关描述，这里不再赘述。
本发明实施例还公开了一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时可以执行图5中所示方法的步骤。所述存储介质可以包括ROM、RAM、磁盘或光盘等。所述存储介质还可以包括非挥发性存储器(non-volatile)或者非瞬态(non-transitory)存储器等。
本发明实施例还公开了一种终端，所述终端可以包括射频前端控制电路，或者所述射频前端控制芯片。所述终端包括但不限于手机、计算机、平板电脑等终端设备。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种射频前端控制电路，其特征在于，包括：
多个并联的驱动器件，用以接入驱动控制信号，其输出端输出射频控制信号，所述射频控制信号用以控制射频前端；
多个延时元件，分别耦接每一驱动器件的控制端，所述驱动控制信号经由所述每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，所述多个驱动器件的控制端耦接的延时元件的延时时间长度依次变大。
2.根据权利要求1所述的射频前端控制电路，其特征在于，所述延时元件包括：
电阻；所述多个驱动器件的控制端耦接的电阻的阻值依次变大。
3.根据权利要求1所述的射频前端控制电路，其特征在于，所述延时元件为RC延时电路或逻辑延时电路。
4.根据权利要求1所述的射频前端控制电路，其特征在于，所述多个驱动器件包括：
多个并联的PMOS管和NMOS管，所述PMOS管或NMOS管的栅极耦接所述延时元件。
5.根据权利要求1所述的射频前端控制电路，其特征在于，所述驱动器件包括：
串联的阻抗元件和开关元件，每一阻抗元件的输入端耦接所述延时元件。
6.一种基于权利要求1至4任一项所述的射频前端控制电路的控制方法，其特征在于，包括：
使能所述驱动控制信号经由每一驱动器件所耦接的延时元件输入至所述驱动器件的控制端，以使所述驱动控制信号在不同的时刻输入至所述多个驱动器件，以使所述多个驱动器件在不同的时刻开启；
输出射频控制信号。
7.一种射频前端控制芯片，其特征在于，包括：
权利要求1至4任一项所述的射频前端控制电路；
芯片管脚，耦接所述多个驱动器件的输出端，以输出所述射频控制信号。
8.一种射频前端控制系统，其特征在于，包括：
如权利要求7所述的射频前端控制芯片；
射频前端，其输入端耦接所述射频前端控制芯片的输出端。
9.一种存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令运行时执行权利要求6所述的射频前端控制电路的控制方法的步骤。
10.一种终端，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的射频前端控制电路，或者权利要求7所述的射频前端控制芯片。
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