CN111029475A - 显示器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示器及其制备方法，所述制备方法包括：S10提供基板；S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上；S30形成量子点层，对应所述第一电极层，配置于所述像素定义层定义的凹槽中；S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上；S50溅镀形成氧化锌层于所述缓冲层上；以及S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。

Description

显示器及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种显示器及其制备方法，尤其涉及一种量子点发光二极体显示器及其制备方法。
背景技术
氧化锌(ZnO)具有和量子点(quantum-dot,QD)匹配的导带能级和更高的载流子迁移率，是适用于量子点发光二极体(quantum-dot light-emitting diode,QLED)的最佳电子传输(electron transporting,HT)材料。一般ZnO薄膜都是通过溶液沉积的方式制备，且量产着重的方向在于开发适合喷墨打印(ink-jet printing,IJP)的ZnO墨水。但目前开发的ZnO墨水并不成熟，器件性能和打印性能无法兼顾，而且需要低温保存，稳定性较差，限制QLED的商业化。溅镀(sputter)虽然能沉积致密均一的ZnO薄膜，但通常需要高温热退火来提高ZnO薄膜性能，QDs层一般无法承受退火温度，同时，溅镀制程产生的高能粒子可能会破坏下面的QDs层，影响器件性能。
为了解决在实际喷墨打印的量子点发光二极体显示器中，以溅镀的方式形成氧化锌薄膜而对量子点层的破坏，亟需一种崭新的显示器及显示器的制备方法来解决上述问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示器及其制备方法，采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜，溅镀制程需要对工作压力、氧分压和薄膜厚度进行精确调控，才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明在所提供的量子点发光二极体显示器中，另增加了缓冲层，既能保护量子点层，又能调控载流子平衡，如此一来，避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏，可显着改善薄膜均一性，从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性，提高器件性能。
据此，依据本发明的一实施例，本发明提供了一种显示器，包括；基板；量子点层配置于所述基板上；缓冲层配置于所述量子点层上；以及氧化锌层配置于所述缓冲层上。
在本发明的一实施例中，在所述基板与所述量子点层之间，所述显示器更包括：第一电极层及像素定义层，配置于所述基板上，其中所述像素定义层在所述基板上定义出凹槽，且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置，以及所述量子点层对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中。
在本发明的一实施例中，所述显示器更包括：第二电极层配置于所述氧化锌层上。
在本发明的一实施例中，所述缓冲层配置于所述像素定义层及所述量子点层上；所述氧化锌层配置于所述缓冲层上；以及所述第二电极层配置于所述氧化锌层上。
在本发明的一实施例中，所述缓冲层包括有机电子传输层材料，以及所述基板包括电晶体基板。
依据本发明的另一实施例，本发明提供了一种显示器的制备方法，包括：S10提供基板；S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上，其中所述像素定义层在所述基板上构成凹槽，且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置；S30形成量子点层，对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中；S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上；S50以溅镀方式形成氧化锌层于所述缓冲层上；以及S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。
在本发明的一实施例中，步骤S20包括：S201形成第一电极层于所述基板上；S202对所述第一电极材料层进行图案化，以形成第一电极层；以及S203形成像素定义层于所述第一电极层之间，使所述第一电极层与所述像素定义层交错配置，且所述像素定义层在所述基板上构成凹槽。
在本发明的一实施例中，在步骤S30中，对应第一电极层，以打印的方式形成量子点层于所述凹槽中。
在本发明的一实施例中，在步骤S40中，以蒸镀的方式，形成所述缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上。
在本发明的一实施例中，在步骤S50中，以溅镀的方式，形成所述氧化锌层于所述缓冲层上。
在本发明的一实施例中，在步骤S60中，以蒸镀的方式，形成所述第二电极层于所述氧化锌层上。
在本发明的一实施例中，在步骤S50中，以溅镀的方式，在氩气及氧气的环境下，形成所述氧化锌层于所述缓冲层上，其中溅镀环境的气压为0.1Pa至10Pa，所述氧气的分压占比为0.1％至10％的所述溅镀环境的气压，以及所述氧化锌层的厚度为5-50nm。
在本发明的一实施例中，所述缓冲层包括有机电子传输层。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为依据本发明的一实施例之显示器的制备方法，于各步骤中显示器的结构示意图。
图2为依据本发明的一实施例之显示器的结构示意图。
具体实施方式
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式作详细说明。
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[纵向]、[横向]、[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
在实际喷墨打印的量子点发光二极体显示器中，以溅镀的方式形成氧化锌薄膜，会对氧化锌薄膜下方的量子点层的造成破坏，本发明提供一种显示器及其制备方法，采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜，溅镀制程需要对工作压力、氧分压和薄膜厚度进行精确调控，才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明实施例在所提供的量子点发光二极体显示器中，另增加了缓冲层，既能保护量子点层，又能调控载流子平衡，如此一来，避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏，可显着改善薄膜均一性，从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性，提高器件性能。
据此，依据本发明的一实施例，本发明实施例提供了一种显示器的制备方法，参见图1及图2。图1为依据本发明的一实施例之显示器的制备方法，于各步骤中显示器的结构示意图。图2为依据本发明的一实施例之显示器的结构示意图。如图1及图2所示，具体而言，本发明实施例所提供的显示器100的制备方法，包括：
S10提供基板1；
S20形成第一电极层2及像素定义层3于所述基板1上，其中所述像素定义层3在所述基板1上构成凹槽R，且所述第一电极层2与所述像素定义层3交错配置；
S30形成量子点层6，对应所述第一电极层2且配置于所述凹槽R中；
S40形成缓冲层7于所述像素定义层3及所述量子点层6上；
S50以溅镀方式形成氧化锌层8于所述缓冲层7上；以及
S60形成第二电极层9于所述氧化锌层8上。
继续参见图1，在本发明的一实施例中，步骤S20包括：
S201形成第一电极材料层于所述基板1上；
S202对所述第一电极材料层进行图案化，以形成第一电极层2；以及
S203形成像素定义层3于所述第一电极层2之间，使所述第一电极层2与所述像素定义层3交错配置，且所述像素定义层3在所述基板1上构成凹槽R。
在本发明的一实施例中，在步骤S30中，对应第一电极层2，以打印的方式形成量子点层6于所述凹槽R中，如图1所示。
在本发明的一实施例中，在步骤S40中，以蒸镀的方式，形成所述缓冲层7于所述像素定义层3及所述多个量子点层6上，如图1所示。
参见图1及图2，在本发明的一实施例中，在步骤S50中，以溅镀的方式，形成所述氧化锌层8于所述缓冲层7上。
参见图1及图2，在本发明的一实施例中，在步骤S60中，以蒸镀的方式，形成所述第二电极层9于所述氧化锌层8上。
在本发明的一实施例中，在步骤S50中，以溅镀的方式，在氩气及氧气的环境下，保形地形成所述氧化锌层8于所述缓冲层7上，其中溅镀环境的气压为0.1Pa至10Pa，所述氧气的分压占比为0.1％至10％的所述溅镀环境的气压，以及所述氧化锌层8的厚度为5-50nm；优选地，所述溅镀环境的气压为1Pa至10Pa，所述氧气的分压占比为1％至10％，以及所述氧化锌层8的厚度为15-50nm。
依据本发明的另一实施例，本发明提供了一种显示器，参见图1及图2。如图1及图2所示，具体而言，本发明所提供的显示器100包括：基板1；量子点层6配置于所述基板1上；缓冲层7配置于所述多个量子点层6上；以及氧化锌层8配置于所述缓冲层7上。
如图1所示，在本发明的一实施例中，在所述基板1与所述多个量子点层6之间，所述显示器更包括：第一电极层2及像素定义层3，配置于所述基板1上，其中所述像素定义层3在所述基板1上定义出凹槽R，且所述第一电极层2与所述多像素定义层3交错配置，以及所述量子点层6对应所述第一电极层2且配置于所述凹槽R中。
在上述实施例中，所述像素定义层3除了配置于第一电极层2之间的基板1上以外，所述像素定义层3还进一步地配置于所述第一电极层2的侧壁及邻近侧壁的上表面上，如图1所示。
如图2所示，在本发明的一实施例中，所述显示器更包括：第二电极层9配置于所述氧化锌层8上。
如图2所示，在本发明的一实施例中，在所述第一电极层2及所述量子点层6之间，所述显示器更包括：空穴注入层4配置于所述第一电极层2上；空穴传输层5配置于所述空穴注入层4上。
如图1及图2所示，第二电极层9对应所述第一电极层2。所述空穴注入层4及所述空穴传输层5的数量可为一或多个。
参见图1及图2，在本发明的一实施例中，所述缓冲层7配置于所述像素定义层3及所述量子点层6上；所述氧化锌层8配置于所述缓冲层7上；以及所述第二电极层9保形地配置于所述氧化锌层8上。
在上述实施例中，所述缓冲层7可由有机电子传输层材料所构成，以及所述基板1可为电晶体基板。
如图1所示，在上述实施例中，所述多个量子点层6与所述第一电极层2可具有相同图案。
据此，本发明实施例提供一种显示器及其制备方法，采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜，溅镀制程需要对工作压力、氧分压和薄膜厚度进行精确调控，才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明在所提供的量子点发光二极体显示器中，另增加了缓冲层，既能保护量子点层，又能调控载流子平衡，如此一来，避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏，可显着改善薄膜均一性，从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性，提高器件性能。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示器，其特征在于，包括；
基板；
量子点层配置于所述基板上；
缓冲层配置于所述量子点层上；以及
氧化锌层配置于所述缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，在所述基板与所述量子点层之间，所述显示器更包括：
第一电极层及像素定义层，配置于所述基板上，
其中所述像素定义层在所述基板上定义出凹槽，且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置，以及
所述量子点层对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中；以及所述显示器更包括：
第二电极层配置于所述氧化锌层上。
3.根据权利要求2所述的显示器，其特征在于，
所述缓冲层配置于所述像素定义层及所述量子点层上；
所述氧化锌层配置于所述缓冲层上；以及
所述第二电极层配置于所述氧化锌层上。
4.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述缓冲层包括有机电子传输层材料，以及所述基板包括电晶体基板。
5.一种显示器的制备方法，包括：
S10提供基板；
S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上，其中所述像素定义层在所述基板上构成凹槽，且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置；
S30形成量子点层，对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中；
S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上；
S50以溅镀方式形成氧化锌层于所述缓冲层上；以及
S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。
6.根据权利要求5所述的显示器的制备方法，其特征在于，步骤S20包括：
S201形成第一电极材料层于所述基板上；
S202对所述第一电极材料层进行图案化，以形成第一电极层；以及
S203形成像素定义层于所述第一电极层之间，使所述第一电极层与所述像素定义层交错配置，且所述像素定义层在所述基板上构成凹槽。
7.根据权利要求5所述的显示器的制备方法，其特征在于，在步骤S30中，对应第一电极层，以打印的方式形成量子点层于所述凹槽中。
8.根据权利要求5所述的显示器的制备方法，其特征在于，
在步骤S40中，以蒸镀的方式，形成所述缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上；
在步骤S50中，以溅镀的方式，形成所述氧化锌层于所述缓冲层上；以及
在步骤S60中，以蒸镀的方式，形成所述第二电极层于所述氧化锌层上。
9.根据权利要求5所述的显示器的制备方法，其特征在于，在步骤S50中，以溅镀的方式，在氩气及氧气的环境下，形成所述氧化锌层于所述缓冲层上，其中溅镀环境的气压为0.1Pa至10Pa，所述氧气的分压占比为0.1％至10％的所述溅镀环境的气压，以及所述氧化锌层的厚度为5-50nm。
10.根据权利要求5所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括有机电子传输层材料，以及所述基板包括电晶体基板。
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