CN110931526B - 显示面板及其制备方法与显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K2102/351—Thickness
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法与显示装置,所述显示面板包括一基板,所述基板上设置一像素定义层,以形成阵列排布的多个子像素,在所述多个子像素中,部分为正装子像素,剩余部分为倒装子像素,其中,在所述正装子像素中,所述基板上依次设置有第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极,在所述倒装子像素中,所述基板上依次设置有第一电极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极。根据各子像素中发光材料的不同,将不同的子像素分别地设置为正装子像素与倒装子像素,以实现各个子像素均具有较高的效率与寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法与显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。因具有自发光、广视角、极高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,成为当前显示领域的研究热点。
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED),通过量子点电致发光实现显示,相较OLED而言,QLED具有更长的寿命、更饱和色彩、更纤薄的面板尺寸、技术完善之后更加精简的制造工艺,且能实现更高的显示分辨率。
将OLED器件与QLED器件整合至同一显示设备中,进行互补融合制备出的显示设备具有更优异的色彩效果,更低的功耗等优点,然而QLED器件的材料与OLED器件的材料的能级具有较大的差异,如何在同一显示设备中均实现较高的效率与寿命是提高QLED/OLED混合显示器性能的重要因素之一。
发明内容
本发明提供一种显示面板,可实现面板内的OLED器件与QLED器件均具备较高的效率与较长的寿命。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括一基板,所述基板上设置一像素定义层,以定义出阵列排布的多个子像素,在所述多个子像素中,部分为正装子像素,剩余部分为倒装子像素,
其中,在所述正装子像素中,所述基板上依次设置有第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极,
在所述倒装子像素中,所述基板上依次设置有第一电极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极。
进一步地,在所述正装子像素中,所述发光层的材料为有机发光材料;在所述倒装子像素中,所述发光层的材料为量子点发光材料。
进一步地,所述多个子像素划分为多个像素,所述多个像素的任意一者包括至少三个子像素,在所述至少三个子像素中,部分为所述正装子像素,剩余部分为所述倒装子像素。
进一步地,所述多个像素的任意一者包括一个红色子像素、一个蓝色子像素以及一个绿色子像素。
进一步地,所述显示面板还包括光耦合输出层,配置于所述第二电极之上。
第二方面,本发明还提供了一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
S01:提供一基板,在所述基板上形成图案化的第一电极;
S02:在所述第一电极上形成图案化的像素定义层,使得所述图案化的第一电极显露,以形成多个子像素区域;
S03:在部分的子像素区域内,依次在所述第一电极上形成电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层;
S04:在剩余部分的子像素区域内,依次在所述第一电极上形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层;
S05:在所述多个子像素区域内,共同形成第二电极。
进一步地,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层通过喷墨打印工艺形成,所述第二电极通过真空蒸镀工艺形成。
进一步地,在所述第二电极上,还通过真空蒸镀工艺形成光耦合输出层。
进一步地,在所述步骤S03中,所述发光层的材料为量子点发光材料;在所述步骤S04中,发光层的材料为有机发光材料。
第三方面,本发明还提供了一种显示装置,包括前述的显示面板。
有益效果:本发明提供了一种显示面板,根据像素中发光材料的不同,将不同的子像素分别地设置为正装子像素与倒装子像素,以实现各个子像素均具有较高的效率与寿命,具体地,在QLED与OLED混合显示面板中,将QLED子像素设置为倒装子像素,将OLED子像素设置为正装子像素,以实现各个子像素均具有较高的效率与寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种显示面板的截面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的文字流程示意图;
图3A-3F是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板的截面结构请参照图1,具体包括:
一基板101,所述基板101上通常配置有薄膜晶体管层(图中未示出),用于驱动上层的发光器件以实现显示;
所述基板上设置一像素定义层103,以形成阵列排布的多个子像素,图1中示例性地示出了三个子像素A1/A2/A3进行说明;
在所述多个子像素中,部分为正装子像素,剩余部分为倒装子像素,即所述子像素中同时存在正装子像素与倒装子像素,
具体地,子像素A1为倒装子像素,在所述子像素A1中,所述基板101上依次配置有第一电极102、电子注入层104、电子传输层105、发光层106、空穴传输层107、空穴注入层108以及第二电极109,
子像素A2与A3均为正装子像素,在所述子像素A2与A3中,所述基板101上依次配置有第一电极102、空穴注入层108、空穴传输层107、发光层106、电子传输层105、电子注入层104以及第二电极109,
在上述的正装子像素中,所述第一电极102作为阳极,作为空穴的来源,所述第二电极109作为阴极,作为电子的来源;
而在上述的倒装子像素中,所述第一电极102作为阴极,作为电子的来源,所述第二电极109作为阳极,作为空穴的来源;
通过对驱动电路的设定,对所述正装子像素与倒装子像素中的第一电极施加相反的电压,以实现正装子像素中的第一电极作为阳极提供空穴,而倒装子像素中的第一电极作为阴极提供空穴。
在本实施例中,所述第一电极的材料通常可以为氧化铟锡。
在本实施例中,在所述正装子像素中,所述发光层的材料为有机发光材料,即形成OLED器件;在所述倒装子像素中,所述发光层的材料为量子点发光材料,即形成QLED器件。由于QLED器件中各层材料的能带与OLED器件中各层材料的能带有较大的差异,将QLED器件较OLED器件倒装设置,即可有效改善因QLED器件中各层材料之间势垒过大造成的器件效率较低与寿命过短的问题。
进一步地,所述多个子像素划分为多个像素,所述多个像素的任意一者包括至少三个子像素,在所述至少三个子像素中,部分为所述正装子像素,剩余部分为所述倒装子像素。即在一个完整的像素区域内,同时包括所述正装子像素与倒装子像素。
进一步的,所述多个像素的任意一者均包括三个子像素,即图1中子像素A1、子像素A2以及子像素A3构成一个完整的像素,通常情况下,所述三个子像素通常包括一个红色子像素、一个蓝色子像素以及一个绿色子像素。
在所述一个红色子像素、一个蓝色子像素以及一个绿色子像素中,可以有其中任意一者为倒装子像素,另两者为正装子像素;也可为其中任意两者为倒装子像素,另一者为正装子像素。例如,所述子像素A1为红色倒装子像素,所述子像素A2为蓝色正装子像素,以及所述子像素A3为绿色正装子像素。其他情况在此不再赘述。
需补充地是,所述多个像素的任意一者也可包括四个子像素,分别为一个一个红色子像素、一个蓝色子像素、一个绿色子像素以及一个白色子像素,所述四个子像素中同时包括所述正装子像素与倒装子像素。或者,所述多个像素的任意一者也可包括其他形式的子像素构成方式,本发明实施例仅需求在一个完整的像素区域内,同时包括所述正装子像素与倒装子像素。
进一步地,所述显示面板还包括光耦合输出层110,配置于所述第二电极109之上,以增加出光效率,所述光耦合输出层110的厚度通常可以为50-100nm。
需要说明的是,上述的显示面板实施例中仅描述了上述结构,可以理解的是,除了上述结构之外,本发明实施例显示面板中,还可以根据需要包括任何其他的必要结构,例如薄膜封装层,薄膜晶体管阵列层,空穴阻挡层,电子阻挡层等,具体此处不作限定。
本发明的另一实施例中,还提供了一种前述的显示面板的制备方法,制备流程请参照图2及图3A-3F,具体包括如下步骤:
S01:提供一基板101,在所述基板101上形成图案化的第一电极102,即形成如图3A所示的结构,所述第一电极102对应的配置于各个子像素区域,通常通过物理气相沉积形成整面的膜层,然后经图案化工艺形成,所述第一电极102的材料通常可以为氧化铟锡;
S02:在所述第一电极102上形成图案化的像素定义层103,使得所述图案化的第一电极102显露,以形成多个子像素区域,即形成图3B所示的结构,示例性地示出了三个子像素区域,分别为子像素A1、子像素A2以及子像素A3;
S03:在部分的子像素区域内,例如在所述子像素A1中,依次在所述第一电极102上形成电子注入层104、电子传输层105、发光层106、空穴传输层107以及空穴注入层108,即形成倒装子像素,形成如图3C所示的结构,其中,所述发光层106的材料通常可以为量子点发光材料;
S04:在剩余部分的子像素区域内,例如在所述子像素A2以及子像素A3中,依次在所述第一电极102上形成空穴注入层108、空穴传输层107、发光层106、电子传输层105以及电子注入层104,即形成正装子像素,形成如图3D所示的结构,其中,所述发光层106的材料通常可以为有机发光材料;
S05:在所述多个子像素区域内,即在所述子像素A1、子像素A2以及子像素A3区域内共同形成第二电极109,具体地,在所述正装子像素中,所述第二电极109配置于所述电子注入层104上,在所述倒装子像素中,所述第二电极109配置于所述空穴注入层108上,即形成如图3E所示的结构。
进一步地,在所述S03与S04步骤中,所述电子注入层104、电子传输层105、发光层106、空穴传输层107以及空穴注入层108均通过喷墨打印工艺形成,相较现广泛使用的精细掩模+真空蒸镀的工艺,可大大节省制程成本。
在所述S05步骤中,所述第二电极109通常通过真空蒸镀工艺形成,所述第二电极109的厚度通常可以为10-200nm。
进一步地,在所述第二电极109上,还通过真空蒸镀工艺形成光耦合输出层110,即形成图3F所示的结构,所述光耦合输出层110的厚度通常可以为50-100nm,用于提高各个子像素的出光效率。
在本发明的另一实施例中,还提供了一种显示装置,包括前述的显示面板。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法与显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括一基板,所述基板上设置一像素定义层,以定义出阵列排布的多个子像素,在所述多个子像素中,部分为正装子像素,剩余部分为倒装子像素,
其中,在所述正装子像素中,所述基板上依次设置有第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极,
在所述倒装子像素中,所述基板上依次设置有第一电极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述正装子像素中,所述发光层的材料为有机发光材料;在所述倒装子像素中,所述发光层的材料为量子点发光材料。
3.如权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述多个子像素划分为多个像素,所述多个像素的任意一者包括至少三个子像素,在所述至少三个子像素中,部分为所述正装子像素,剩余部分为所述倒装子像素。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述多个像素的任意一者包括一个红色子像素、一个蓝色子像素以及一个绿色子像素。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括光耦合输出层,配置于所述第二电极之上。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
S01:提供一基板,在所述基板上形成图案化的第一电极;
S02:在所述第一电极上形成图案化的像素定义层,使得所述图案化的第一电极显露,以形成多个子像素区域;
S03:在部分的子像素区域内,依次在所述第一电极上形成电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层;
S04:在剩余部分的子像素区域内,依次在所述第一电极上形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层;
S05:在所述多个子像素区域内,共同形成第二电极。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层通过喷墨打印工艺形成,所述第二电极通过真空蒸镀工艺形成。
8.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述第二电极上,还通过真空蒸镀工艺形成光耦合输出层。
9.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S03中,所述发光层的材料为量子点发光材料;在所述步骤S04中,发光层的材料为有机发光材料。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任意一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911163245.5A CN110931526B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 显示面板及其制备方法与显示装置 |
PCT/CN2019/123459 WO2021103103A1 (zh) | 2019-11-25 | 2019-12-06 | 显示面板及其制备方法与显示装置 |
US16/625,779 US11164909B1 (en) | 2019-11-25 | 2019-12-06 | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911163245.5A CN110931526B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 显示面板及其制备方法与显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110931526A CN110931526A (zh) | 2020-03-27 |
CN110931526B true CN110931526B (zh) | 2022-07-12 |
Family
ID=69851662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911163245.5A Active CN110931526B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 显示面板及其制备方法与显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11164909B1 (zh) |
CN (1) | CN110931526B (zh) |
WO (1) | WO2021103103A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112838173B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-08-26 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103346154A (zh) * | 2013-05-27 | 2013-10-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法、显示器件 |
CN103904100A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN108110032A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 双面oled显示器及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103972416B (zh) * | 2014-05-15 | 2017-02-08 | 华北电力大学 | 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法 |
CN104241553A (zh) * | 2014-10-13 | 2014-12-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的制备方法及其制得的oled器件 |
KR20180075958A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107046103A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-08-15 | 南方科技大学 | 叠层qled器件及其制备方法和应用 |
US10419701B2 (en) * | 2017-06-26 | 2019-09-17 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel image sensor |
CN207441704U (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-01 | 信利光电股份有限公司 | 一种像素点及显示装置 |
-
2019
- 2019-11-25 CN CN201911163245.5A patent/CN110931526B/zh active Active
- 2019-12-06 WO PCT/CN2019/123459 patent/WO2021103103A1/zh active Application Filing
- 2019-12-06 US US16/625,779 patent/US11164909B1/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103904100A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN103346154A (zh) * | 2013-05-27 | 2013-10-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法、显示器件 |
CN108110032A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 双面oled显示器及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021103103A1 (zh) | 2021-06-03 |
US11164909B1 (en) | 2021-11-02 |
US20210335902A1 (en) | 2021-10-28 |
CN110931526A (zh) | 2020-03-27 |
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PB01 | Publication | ||
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