CN111029139A - 多层陶瓷电子组件阵列 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种多层陶瓷电子组件阵列，所述多层陶瓷电子组件阵列包括：多个多层陶瓷电子组件，分别包括陶瓷主体及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层及第一内电极和第二内电极；以及中介体，包括绝缘主体、第一端子电极和第二端子电极，所述绝缘主体设置在所述多个多层陶瓷电子组件的下方，所述第一端子电极设置在所述绝缘主体上且连接到所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第一外电极的至少一部分，所述第二端子电极设置在所述绝缘主体上且连接到所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第二外电极的至少一部分。所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一外电极彼此电接触，并且所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二外电极彼此电接触。

Description

多层陶瓷电子组件阵列
本申请要求于2018年10月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0120589号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件阵列。
背景技术
多层陶瓷电子组件由于它们可具有小尺寸、可确保高电容并且可易于安装而通常用作诸如计算机、PDA、蜂窝电话等的信息技术(IT)组件。
多层陶瓷电子组件可能由于在其中发生的压电现象而引起声学噪声。这种声学噪声可传播到基板，这可能引起人类可察觉的噪声。
发明内容
本公开的一方面可提供一种能够降低声学噪声的多层陶瓷电子组件阵列。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件阵列包括：多个多层陶瓷电子组件，所述多个多层陶瓷电子组件中的每个包括陶瓷主体以及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极堆叠为交替地暴露于所述陶瓷主体的第一外表面和第二外表面，同时所述介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述陶瓷主体的所述第一外表面和所述第二外表面上从而分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及中介体，包括绝缘主体、第一端子电极和第二端子电极，所述绝缘主体设置在所述多个多层陶瓷电子组件的下方，所述第一端子电极设置在所述绝缘主体上并且连接到所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一外电极的至少一部分，并且所述第二端子电极设置在所述绝缘主体上并且连接到所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二外电极的至少一部分。所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一外电极彼此接触，并且所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二外电极彼此接触。
根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件阵列包括：多个多层陶瓷电子组件，所述多个多层陶瓷电子组件中的每个包括陶瓷主体以及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极堆叠为交替地暴露于所述陶瓷主体的第一外表面和第二外表面，同时所述介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述陶瓷主体的所述第一外表面和所述第二外表面上从而分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极；中介体，包括绝缘主体、第一端子电极和第二端子电极，所述绝缘主体设置在所述多个多层陶瓷电子组件的下方，所述第一端子电极设置在所述绝缘主体上并且连接到所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第一外电极的至少一部分，并且所述第二端子电极设置在所述绝缘主体上并且连接到所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第二外电极的至少一部分；以及绝缘构件，设置在所述多个多层陶瓷电子组件的相邻的多层陶瓷电子组件之间并且与所述相邻的多层陶瓷电子组件中的每个多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体接触，并且所述绝缘构件比所述介电层更柔韧。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及其他优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出包括在根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列中的多层陶瓷电子组件的透视图；
图2是示出图1中示出的多层陶瓷电子组件的内电极的形式的透视图；
图3A是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列的透视图；
图3B是示出凹入区被添加到在根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列中的形式的透视图；
图4A是示出多层陶瓷电子组件的外电极连接结构的透视图；
图4B是示出多层陶瓷电子组件的绝缘构件连接结构的透视图；
图4C是示出多层陶瓷电子组件的焊料连接结构的透视图；
图5A和图5B是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列的内电极的不同结构的侧视图；以及
图6A至图6D是示出包括在根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列中的中介体的各种形式的透视图。
具体实施方式
现将在下文中参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
为了清楚地描述本公开中的示例性实施例，将定义六面体的方向。附图中所示出的L、W和T分别指的是长度方向、宽度方向和厚度方向。这里，厚度方向指的是堆叠介电层的堆叠方向。
在下文中，将描述根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件(具体地，多层陶瓷电容器)。然而，根据本公开的多层陶瓷电子组件不限于此。
图1是示出包括在根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列中的多层陶瓷电子组件的透视图。
参照图1，多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110以及第一外电极131和第二外电极132。
陶瓷主体110可利用具有在长度方向L上的两个端表面、在宽度方向W上的两个侧表面以及在厚度方向T上的两个侧表面的六面体形成。陶瓷主体110可通过在厚度方向T上堆叠多个介电层并且然后对多个介电层进行烧结形成。陶瓷主体110的形状和尺寸以及堆叠的介电层的数量(一个或更多个)不限于本示例性实施例中所示出的示例的陶瓷主体110的形状和尺寸以及堆叠的介电层的数量。
设置在陶瓷主体110中的多个介电层可处于烧结状态，并且相邻的介电层可彼此成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下相邻的介电层之间的边界不容易明显。
例如，陶瓷主体110可在六面体中具有八个圆的拐角。因此，可改善陶瓷主体110的耐久性和可靠性，并且可改善第一外电极131和第二外电极132在拐角处的结构可靠性。
介电层111可具有根据多层陶瓷电子组件100的电容设计而任意改变的厚度，并且可包括具有高介电常数的陶瓷粉末(诸如，钛酸钡(BaTiO3)基粉末或钛酸锶(SrTiO3)基粉末)。然而，根据本公开的介电层的材料不限于此。此外，根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到陶瓷粉末。
用于形成介电层的陶瓷粉末的平均粒径不受具体限制，而是可进行控制以实现本公开的目的。例如，可将用于形成介电层的陶瓷粉末的平均粒径控制为400nm或更小。因此，多层陶瓷电子组件100可用作与IT组件一样非常需要小型化和高电容的组件。
例如，介电层可通过将包括诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末等的粉末的浆料涂覆到载体膜上并干燥来形成。可通过将陶瓷粉末、粘合剂和溶剂彼此混合以制备浆料并且通过刮刀法将浆料制造成具有若干微米的厚度的片状来制造陶瓷片，但不限于此。
第一外电极131和第二外电极132可分别设置在陶瓷主体110的第一外表面和第二外表面(例如，陶瓷主体110在陶瓷主体110的长度方向上的一个端表面和另一端表面)上，从而分别连接到第一内电极和第二内电极，并且可使第一内电极和第二内电极与基板电连接。
例如，第一外电极131和第二外电极132可利用铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铅(Pb)等或它们的合金形成。
例如，第一外电极131可包括包括铜(Cu)或镍(Ni)的第一电极层以及设置在第一电极层上并且包括镍(Ni)或锡(Sn)的第一镀层，第二外电极132可包括包括铜(Cu)或镍(Ni)的第二电极层以及设置在第二电极层上并且包括镍(Ni)或锡(Sn)的第二镀层。
第一电极层和第二电极层可通过在包括金属成分的膏中执行浸渍的方法或在陶瓷主体110在陶瓷主体110的厚度方向T上的至少一个表面上印刷包括导电金属的导电膏的方法形成，并且还可通过片转移方式和焊盘转移方式形成。
第一镀层和第二镀层可通过溅射或电沉积形成，但不限于此。
图2是示出图1中所示出的多层陶瓷电子组件的内电极的形式的透视图。
参照图2，陶瓷主体110可包括第一内电极121和第二内电极122，并且包括设置在第一内电极121与第二内电极122之间的介电层。
第一内电极121和第二内电极122可在介电层介于第一内电极121与第二内电极122之间的同时堆叠为交替地暴露于陶瓷主体的第一外表面和第二外表面(例如，陶瓷主体的在陶瓷主体的长度方向上的一个端表面和另一端表面)以具有不同的极性。
第一内电极121和第二内电极122可通过印刷包括导电金属的导电膏而形成为在介电层的堆叠方向上交替地暴露于陶瓷主体110的在陶瓷主体110的长度方向L上的一个端表面和另一端表面，并且可通过设置在第一内电极121与第二内电极122之间的介电层彼此电绝缘。
也就是说，第一内电极121和第二内电极122可通过交替地暴露于陶瓷主体110在陶瓷主体110的长度方向上的两个端表面的部分分别电连接到分别形成在陶瓷主体110的在陶瓷主体110的长度方向L上的两个端表面上的第一外电极131和第二外电极132。
例如，第一内电极121和第二内电极122可利用用于内电极的导电膏形成，导电膏包括具有0.1μm至0.2μm的平均粒径和40wt％至50wt％的重量分数的导电金属粉末。
可通过印刷法等将用于内电极的导电膏涂覆到陶瓷片上，以形成内电极图案。印刷导电膏的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但不限于此。可堆叠、压制并烧结两百或三百个其上印刷有内电极图案的陶瓷片来制造陶瓷主体110。
因此，当将电压施加到第一外电极131和第二外电极132时，电荷可在彼此面对的第一内电极121和第二内电极122之间累积。在这种情况下，多层陶瓷电子组件100的电容可与第一内电极121和第二内电极122彼此叠置的区域的面积成比例。
也就是说，当第一内电极121和第二内电极122彼此叠置的区域的面积显著地增大时，即使在具有相同尺寸的电容器中，电容也可显著地增大。
第一内电极121和第二内电极122中的每者的厚度可根据用途被确定，并且可以是例如0.4μm或更小。此外，第一内电极121和第二内电极122的层的数量可以是400或更多。因此，多层陶瓷电子组件100可用作与IT组件一样非常需要小型化和高电容的组件。
由于介电层的厚度与第一内电极121和第二内电极122之间的间距对应，因此多层陶瓷电子组件100的电容可随着介电层的厚度减小而增大。
包括在形成第一内电极121和第二内电极122的导电膏中的导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)或它们的合金。然而，根据本公开的导电金属不限于此。
随着第一内电极121与第二内电极122之间的间距变长，陶瓷主体110的耐压特性可被改善。
在需要多层陶瓷电子组件100具有高的耐压特性(诸如多层陶瓷电子组件100被用作电气部件)的情况下，多层陶瓷电子组件100可被设计为使得介电层的平均厚度超过第一内电极121和第二内电极122的平均厚度的两倍。因此，多层陶瓷电子组件100可具有高的耐压特性，并且可用作电气部件。
此外，在陶瓷主体110的宽度超过陶瓷主体110的厚度的0.5倍的情况下，陶瓷主体110的耐久性(例如，耐翘曲性)可具有高的可靠性。
随着第一内电极121和第二内电极122的堆叠的层的数量以及第一内电极121和第二内电极122的叠置区域变大，多层陶瓷电子组件100的电容可增大。随着电子组件的厚度增大，第一内电极121和第二内电极122的堆叠的层的数量可增大，并且随着多层陶瓷电子组件的长度和/或宽度增大，第一内电极121和第二内电极122的叠置面积可增大。因此，多层陶瓷电子组件100的电容可取决于多层陶瓷电子组件100的尺寸。
然而，随着多层陶瓷电子组件100的尺寸增大，在制造多层陶瓷电子组件100的工艺中发生缺陷的可能性可能增加。
例如，随着多层陶瓷电子组件100的尺寸增大，多层陶瓷电子组件100可能在切割多层陶瓷电子组件100的工艺中经受更多应力，并且当烧结多层陶瓷电子组件100时可能根据内部烧结失衡导致内部烧毁。
图3A是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列的透视图。
参照图3A，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可包括多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c以及中介体200a。
也就是说，一个多层陶瓷电子组件阵列可被划分为多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c。因此，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可在具有高电容的同时减少在制造多层陶瓷电子组件阵列的工艺中的缺陷。
多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c可以以与图1和图2中所示出的多层陶瓷电子组件的方式相同的方式设计。
中介体200a可提供多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c的布置空间，并且包括绝缘主体210以及第一端子电极221和第二端子电极222。
此外，中介体200a可使声学噪声衰减，同时抑制可能在多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c中发生的声学噪声向位于中介体200a下面的基板的传递。因此，可降低声学噪声。
例如，绝缘主体210可利用与印刷电路板(PCB)的绝缘层的材料相同的材料实现，并且可利用诸如氧化铝的具有高的杨氏模量的材料实现，以有效地降低多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c的声学噪声。
第一端子电极221和第二端子电极222可分别使位于第一端子电极221和第二端子电极222下方的基板与多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c电连接。也就是说，第一端子电极221和第二端子电极222可分别电连接到第一外电极131和第二外电极132。
图3B是示出凹入区被添加到在根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列中的形式的透视图。
参照图3B，中介体200b可包括位于绝缘主体210的在绝缘主体210的长度方向上的端表面上的第一凹入区231(见图6B)和第二凹入区232。也就是说，第一端子电极221可包括第一凹入区231，第二端子电极222可包括第二凹入区232。
第一凹入区和第二凹入区可以是当多层陶瓷电子组件阵列安装在基板上时焊料中的至少一部分可设置在其中的空间。由于焊料的至少一部分位于第一凹入区和第二凹入区232中，因此焊料的上升到多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c的侧表面的部分的比率可减小。由于焊料的位于多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c的侧表面上的部分可能用作声学噪声传递的路径，因此随着焊料的上升到多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c的侧表面的部分的比率下降，可更有效地降低多层陶瓷电子组件阵列的声学噪声。
根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可通过使用图4A至图4C中所示出的多个多层陶瓷电子组件100a、100b和100c之间的连接结构中的至少一种而有效地降低声学噪声。
图4A是示出多层陶瓷电子组件的外电极连接结构的透视图。
参照图4A，多个多层陶瓷电子组件中的各个第一外电极131可彼此接触，并且多个多层陶瓷电子组件中的各个第二外电极132可彼此接触。
因此，多个多层陶瓷电子组件的各个声学噪声中的至少一部分可彼此抵消，并且可改善在安装多个多层陶瓷电子组件时的固定强度。
下表1示出了根据第一外电极131是否彼此接触且第二外电极132是否彼此接触的声学噪声。这里，中介体的厚度可以是0.2mm，一个多层陶瓷电子组件可具有1005的尺寸，一个多层陶瓷电子组件的电容可以是47μF，并且内电极和中介体可被设置为彼此垂直。
[表1]
类型 平均值 样品1 样品2 样品3 样品4 样品5
单个/不存在中介体 38.4dB 38.1dB 37.6dB 38.5dB 38.7dB 39.1dB
外电极彼此分开 31.8dB 32.0dB 33.5dB 31.1dB 31.7dB 30.8dB
外电极彼此结合 29.5dB 29.5dB 30.2dB 29.6dB 28.9dB 29.5dB
参照表1，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可具有位于中介体上的多个多层陶瓷电子组件通过第一外电极的接触和第二外电极的接触来彼此连接的结构，从而降低声学噪声。
下表2示出了根据第一外电极131是否彼此接触且第二外电极132是否彼此接触的在多层陶瓷电子组件安装在基板上时的固定强度。这里，固定强度指的是当向多层陶瓷电子组件施加侧向力时多层陶瓷电子组件与基板分离时的参考力。试验条件与表1中的试验条件相同。
[表2]
类型 平均值 样品1 样品2 样品3 样品4 样品5
单个/不存在中介体 13.3N 12.8N 13.5N 15.4N 10.9N 13.7N
外电极彼此分开 4.3N 4.2N 4.8N 3.1N 5.0N 4.5N
外电极彼此结合 33.2N 30.2N 31.8N 28.2N 40.1N 35.6N
参照表2，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可具有位于中介体上的多个多层陶瓷电子组件通过第一外电极的接触和第二外电极的接触来彼此连接的结构，从而改善固定强度。
图4B是示出多层陶瓷电子组件的绝缘构件连接结构的透视图。
参照图4B，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列还可包括绝缘构件150，绝缘构件150与多个多层陶瓷电子组件中的每个的陶瓷主体110接触并且比陶瓷主体110和/或介电层更柔韧。
因此，可更有效地抵消多个多层陶瓷电子组件的各自的声学噪声。
例如，绝缘构件150可包括环氧树脂以更有效地抵消多个多层陶瓷电子组件的各自的声学噪声，但不限于此。
下表3示出了根据存在绝缘构件150或不存在绝缘构件150的声学噪声。这里，绝缘构件150可以是环氧树脂，并且第一外电极131可彼此结合并且第二外电极132可彼此结合。剩余的试验条件与表1中的试验条件相同。
[表3]
类型 平均值 样品1 样品2 样品3 样品4 样品5
单个/不存在中介体 38.4dB 38.1dB 37.6dB 38.5dB 38.7dB 39.1dB
不存在绝缘构件 29.5dB 29.5dB 30.2dB 29.6dB 28.9dB 29.5dB
存在绝缘构件 26.8dB 26.4dB 27.1dB 27.4dB 26.8dB 26.5dB
参照表3，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可包括绝缘构件150，从而进一步降低声学噪声。
下表4示出了根据存在绝缘构件150或不存在绝缘构件150的在多层陶瓷电子组件安装在基板上时的固定强度。试验条件与表3中的试验条件相同。
[表4]
类型 平均值 样品1 样品2 样品3 样品4 样品5
单个/不存在中介体 13.3N 12.8N 13.5N 15.4N 10.9N 13.7N
不存在绝缘构件 29.8N 30.2N 31.8N 28.2N 27.1N 31.6N
存在绝缘构件 34.1N 31.7N 30.9N 33.7N 35.4N 38.7N
参照表4，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列可包括绝缘构件150，从而进一步改善固定强度。
图4C是示出多层陶瓷电子组件的焊料连接结构的透视图。
参照图4C，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列还可包括第一焊料和第二焊料240。
第一焊料可与第一端子电极接触，并且第一焊料中的至少一部分可位于多个多层陶瓷电子组件的各个第一外电极131之间。
第二焊料240可与第二端子电极接触，并且第二焊料240中的至少一部分可位于多个多层陶瓷电子组件的各个第二外电极132之间。
这里，图4B中所示出的绝缘构件可被设置为与第一焊料和第二焊料240接触。
因此，由于绝缘构件150可与第一焊料和第二焊料240连接，因此绝缘构件150可更有效地降低声学噪声。
图5A和图5B是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列的内电极的不同结构的侧视图。
参照图5A和图5B，多个多层陶瓷电子组件的各个第一内电极121可被设置为彼此平行，并且多个多层陶瓷电子组件的各个第二内电极122可被设置为彼此平行。
如图5A中所示，第一内电极121和第二内电极122可被设置为与中介体200b的安装表面平行。这里，中介体的安装表面可以为中介体的在厚度方向上的两个表面中的任一者。
如图5B中所示，第一内电极121和第二内电极122可被设置为与中介体200b的安装表面垂直。
因此，由于各个声学噪声AN可具有彼此相反的分量，因此声学噪声可被彼此有效地抵消。
图6A至图6D是示出包括在根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件阵列中的中介体的各种形式的透视图。
参照图6A，中介体200a可既不具有凹入区也不具有槽。
参照图6B，中介体200b可仅具有第一凹入区231和第二凹入区232以及槽中的第一凹入区231和第二凹入区232。
参照图6C，中介体200c可仅具有凹入区以及第一槽241和第二槽242中的第一槽241和第二槽242。
参照图6D，中介体200d可既具有第一凹入区231和第二凹入区232又具有第一槽241和第二槽242。
第一槽241和第二槽242可位于绝缘主体210的上表面上的多个多层陶瓷电子组件之间。
因此，由于焊料的一部分可填充在第一槽241和第二槽242中，因此焊料的上升直到多个多层陶瓷电子组件的侧表面的部分的比率可减小。因此，可进一步降低声学噪声。
此外，由于焊料的一部分填充在第一槽241和第二槽242中，因此焊料与绝缘构件之间的接触面积可增大。因此，可更有效地抵消声学噪声。
如以上所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，多层陶瓷电子组件阵列可确保大电容、降低声学噪声并且具有针对基板的强的固定强度。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (14)

1.一种多层陶瓷电子组件阵列，所述多层陶瓷电子组件阵列包括：
多个多层陶瓷电子组件，所述多个多层陶瓷电子组件中的每个包括陶瓷主体以及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极堆叠为交替地暴露于所述陶瓷主体的第一外表面和第二外表面，同时所述介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，并且所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述陶瓷主体的所述第一外表面和所述第二外表面上从而分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及
中介体，包括绝缘主体、第一端子电极和第二端子电极，所述绝缘主体设置在所述多个多层陶瓷电子组件的下方，所述第一端子电极设置在所述绝缘主体上并且电连接到所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一外电极的至少一部分，并且所述第二端子电极设置在所述绝缘主体上并且电连接到所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二外电极的至少一部分，
其中，所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一外电极的至少一部分彼此电接触，并且
所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二外电极的至少一部分彼此电接触。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件阵列，所述多层陶瓷电子组件阵列还包括绝缘构件，所述绝缘构件设置在所述多个多层陶瓷电子组件的相邻的多层陶瓷电子组件之间并且与所述相邻的多层陶瓷电子组件中的每个多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体接触，并且所述绝缘构件比所述介电层更柔韧。
3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述绝缘构件包括环氧树脂。
4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述多个多层陶瓷电子组件的所述第一内电极被设置为彼此平行，并且
所述多个多层陶瓷电子组件的所述第二内电极被设置为彼此平行。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述第一内电极和所述第二内电极被设置为与所述中介体的安装表面平行。
6.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述第一内电极和所述第二内电极被设置为与所述中介体的安装表面垂直。
7.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述第一端子电极和所述第二端子电极分别包括位于所述绝缘主体的在所述绝缘主体的长度方向上的端表面上的第一凹入区和第二凹入区。
8.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述第一端子电极和所述第二端子电极分别包括位于所述绝缘主体的上表面上的所述多个多层陶瓷电子组件之间的第一槽和第二槽。
9.一种多层陶瓷电子组件阵列，所述多层陶瓷电子组件阵列包括：
多个多层陶瓷电子组件，所述多个多层陶瓷电子组件中的每个包括陶瓷主体以及第一外电极和第二外电极，所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极堆叠为交替地暴露于所述陶瓷主体的第一外表面和第二外表面，同时所述介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述陶瓷主体的所述第一外表面和所述第二外表面上从而分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极；
中介体，包括绝缘主体、第一端子电极和第二端子电极，所述绝缘主体设置在所述多个多层陶瓷电子组件的下方，所述第一端子电极设置在所述绝缘主体上并且电连接到所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第一外电极的至少一部分，并且所述第二端子电极设置在所述绝缘主体上并且电连接到所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第二外电极的至少一部分；以及
绝缘构件，设置在所述多个多层陶瓷电子组件的相邻的多层陶瓷电子组件之间并且与所述相邻的多层陶瓷电子组件中的每个多层陶瓷电子组件的所述陶瓷主体接触，并且所述绝缘构件比所述介电层更柔韧。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件阵列，所述多层陶瓷电子组件阵列还包括：
第一焊料，与所述第一端子电极接触，并且具有位于所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第一外电极之间的至少一部分；以及
第二焊料，与所述第二端子电极接触，并且具有位于所述多个多层陶瓷电子组件的各个所述第二外电极之间的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述绝缘构件与所述第一焊料和所述第二焊料在所述多个多层陶瓷电子组件之间彼此接触。
12.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述绝缘构件包括环氧树脂。
13.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述第一内电极和所述第二内电极被设置为与所述中介体的安装表面平行。
14.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件阵列，其中，所述第一内电极和所述第二内电极被设置为与所述中介体的安装表面垂直。
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