CN110967947B - 一种光掩膜补偿方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光掩膜补偿方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，且所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形及所述第三掩膜图形分别具有第一位置度、第二位置度及第三位置度，定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量，定义所述第三位置度到所述第二位置度的向量为第二向量；测量所述第一向量和所述第二向量，根据所述第一向量与所述第二向量的合向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿，减少当层掩膜图形和前一层掩膜图形的位置误差，提高当层掩膜图形和前一层掩膜图形的对准精度，进而提高光光刻工艺质量。

Description

一种光掩膜补偿方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光掩膜补偿方法。

背景技术

随着半导体技术的迅速发展，芯片的特征尺寸不断地缩小，因此对光掩膜图形技术有了更高的要求。具体来说，集成电路芯片是由很多层电路层叠加起来的，因此光掩膜图形工艺中当层图形和前一层图形需要较高的对准精度，尤其是在双光掩膜图形(doubleexposure)中，通常对其中一次曝光的光掩膜图形进行修正或者补偿，而另一光掩膜图形只能使用人工调整的方式进行修正或者补偿。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩膜补偿方法，用于解决现有技术光掩膜图形工艺中补偿对准度不够的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩膜补偿方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，且所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形及所述第三掩膜图形分别具有第一位置度、第二位置度及第三位置度；

定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量，定义所述第三位置度到所述第二位置度的向量为第二向量；

测量所述第一向量和所述第二向量；以及根据所述第一向量与所述第二向量的合向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。

可选的，根据所述第一向量对所述第二掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第一向量和所述第二向量的加权合向量对所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。

可选的，根据第四向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第四向量为所述第一向量和所述第二向量加权合向量。

可选的，定义所述第三位置度到所述第一位置度的向量为第三向量，所述第四向量为所述第一向量与所述第三向量之和的一半。

可选的，所述光掩膜补偿方法用于线性一阶和/或高阶掩膜图形的对准精度补偿。

本发明还提供一种光掩膜对准精度补偿方法，包括：提供第一载具以及第二载具，所述第一载具承载第一晶圆，所述第二载具承载第二晶圆；

所述第一晶圆的前一层上具有第一一掩膜图形，所述第一晶圆的当层上分别具有第一二掩膜图形和第一三掩膜图形，所述第二晶圆的前一层上具有第二一掩膜图形，所述第二晶圆的当层上具有第二二掩膜图形和第二三掩膜图形，所述第一一掩膜图形、所述第一二掩膜图形及所述第一三掩膜图形分别具有第一一位置度、第一二位置度及第一三位置度，所述第二一掩膜图形、所述第二二掩膜图形及所述第二三掩膜图形分别具有第二一位置度、第二二位置度及第二三位置度；

定义所述第一二位置度到所述第一一位置度的向量为第一一向量，定义所述第一三位置度到所述第一二位置度的向量为第一二向量，定义所述第二二位置度到所述第二一位置度的向量为第二一向量，定义所述第二三位置度到所述第二二位置度的向量为第二二向量；

测量所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量；以及根据所述第一一向量与所述第一二向量的合向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第二一向量与所述第二二向量的合向量分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿。

可选的，根据第一四向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形的对准精度进行补偿；根据第二四向量分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿；所述第一四向量为所述第一一向量与所述第一二向量的加权合向量；所述第二四向量为所述第二一向量与所述第二二向量的加权合向量。

所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；

根据第一载具补偿值对第一二掩膜图形和第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，根据第二载具补偿值对第二二掩膜图形和第二三掩膜图形的对准精度进行补偿；

第一载具补偿值为mR1C1+0.5mR2C1，第二载具补偿值为mR1C2+0.5mR2C2。

可选的，所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；根据第一对准补偿值分别对所述第一二掩膜图形和所述第二二掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第一对准补偿值为0.5(mR1C1+mR1C2)。

可选的，所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；根据第二对准补偿值分别对所述第一三掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第二对准补偿值为0.5(mR1C1+mR1C2+mR2C1+mR2C2)。

可选的，所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；根据第三对准补偿值分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形进行补偿，所述第三对准补偿值为0.5(mR1C1－mR1C2)+0.25(mR2C1－mR2C2)；根据第四对准补偿值分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形进行补偿，所述第四对准补偿值为0.5(mR1C2－mR1C1)+0.25(mR2C2－mR2C1)。

可选的，所述光掩膜对准精度补偿方法用于线性一阶和/或高阶掩膜图形的对准精度补偿。

如上所述，本发明的光掩膜补偿方法，具有以下有益效果：

1、通过检测当层掩膜图形与前一层掩膜图形的空间向量关系，并以此补偿对准精度，减少当层图形和前一层图形的位置偏差，能够提高当层图形和前一层图形的对准精度，

进而能够提高光掩膜图形工艺质量；

2、在双光掩膜图形工艺中，当层上进行多次掩膜图形时，容易产生累计偏差，通过当层多次掩膜图形与前层掩膜图形进行位置校正，能够以自动补偿代替人工修正或者对准的方式，提高生产效率，降低误差，而且有利于补偿多次掩膜图形产生的累计偏差；

3、算法相对简单，便于实施。

附图说明

图1显示为本发明实施例中光掩膜补偿方法的流程示意图。

图2显示为本发明实施例中掩膜图形位置关系示意图。

图3显示为本发明实施例中掩膜图形结构关系示意图。

图4显示为本发明实施例中光掩膜对准精度补偿方法的流程示意图。

图5显示为本发明实施例中双光掩膜图形位置关系示意图。

图6显示为本发明另一实施例中光掩膜对准精度补偿方法的流程示意图。

图7显示为本发明另一实施例中光掩膜对准精度补偿方法的对准偏差值示意图。

标号说明

A 第一掩膜图形

B 第二掩膜图形

C 第三掩膜图形

AA 第一一掩膜图形

BB 第一二掩膜图形

CC 第一三掩膜图形

AA’ 第二一掩膜图形

BB’ 第二二掩膜图形

CC’ 第二三掩膜图形

A1 第一二掩膜图形与第一一掩膜图形的对准偏差值

A2 第二二掩膜图形与第二一掩膜图形的对准偏差值

B1 第一三掩膜图形与第一二掩膜图形的对准偏差值

B2 第二三掩膜图形与第二二掩膜图形的对准偏差值

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本发明的实施例中提供一种光掩膜补偿方法，请参阅图1、图2和图3，所述光掩膜补偿方法包括：

S100：在芯片的制造过程中，由于芯片是由很多层电路层叠加起来的，通常需要多层掩膜图形/光刻工艺才能完成芯片的整个制造过程，在光刻完成当层的前一层掩膜图形后，当层的掩膜图形需要与前一层掩膜图形位置对准，如果当层的掩膜图形与前一层的掩膜图形出现较大偏差时，会影响制成芯片的正常工作，在晶圆前一层上第一掩膜图形A具有第一位置度、当层上第二掩膜图形B具有第二位置度和当层上第三掩膜图形C具有第三位置度；定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量(即

)，定义所述第三位置度到所述第二位置度的向量为第二向量(即

)；

S101：测量所述第一向量(即

)和所述第二向量(即

)，例如，可用OVL量测机台测量所述第一向量(即

)和所述第二向量(即

)；

S102：根据所述第一向量(即

)与所述第二向量(即

)的合向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿，其中合向量即为两个向量的合成，其合成方式可以是：

向量方向上任一大小模的向量与

向量方向上任一大小模的向量的合成。

示例性的，以前一层上第一掩膜图形A作为基准，由于第二掩膜图形B与第一掩膜图形A的位置关系为空间向量

因此在本示例中，可以忽略第二向量(即

)可能对于对准精度产生的影响，进而根据

对所述第二掩膜图形B的对准精度进行补偿；由于第三掩膜图形C与第一掩膜图形A的位置关系为空间向量

(即第三向量)，而且

为

和

的一个合向量，因此可根据

对所述第三掩膜图形C的对准精度进行补偿。在本示例中，分别用不同的补偿向量对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。

示例性地，为了将第二掩膜图形B、第三掩膜图形C和第一掩膜图形A三者之间的相互位置对准，对

和

通过加权的方式取合向量(即第四向量)，并依据

和

的加权合向量对第二掩膜图形B及第三掩膜图形C的对准精度进行补偿，

和

的权重比例如为1：1，定义第四向量为q，因此

进而第四向量为

和

的权重比又例如为2：1、3：1、4：1、1：2、1：3、1：4……，利用第四向量分别对所述第二掩膜图形B和所述第三掩膜图形C的对准精度进行补偿，在本示例中，用相同补偿合向量(即第四向量)对所述第二掩膜图形B和所述第三掩膜图形C的对准精度进行补偿，采用此方案提高了第二掩膜图形B及第三掩膜图形C的对准精度，使其位置接近第一掩膜图形A，并且也提高了第一掩膜图形A与第三掩膜图形C之间的对准精度。

示例性地，补偿合向量的补偿值用于包括线性一阶项和/或高阶补偿项的掩膜图形对准补偿中，例如，线性一阶项包括晶圆X/Y方向的平移、晶圆X/Y方向的旋转、晶圆X/Y方向的放大，掩膜图形X/Y方向的平移、掩膜图形X/Y方向的旋转和掩膜图形X/Y方向的放大，高阶补偿项包括晶圆和掩膜图形的不规则图形扭曲(trapezied)，如梯形等。

请参阅图4和图5，在其中一实施例中，提供了一种光掩膜对准精度补偿方法，包括：

S200：提供第一载具以及第二载具，所述第一载具承载第一晶圆，所述第二载具承载第二晶圆，所述第一晶圆前一层上第一一掩膜图形AA具有第一一位置度、当层上第一二掩膜图形BB具有第一二位置度和当层上第一三掩膜图形CC具有第一三位置度，所述第二晶圆前一层上第二一掩膜图形AA’具有第二一位置度、当层上第二二掩膜图形BB’具有第二二位置度和当层上第二三掩膜图形CC’具有第二三位置度；其中，第一一掩膜图形和第一二掩膜图形可以是图形工艺过程中的同一光掩膜制造的掩膜图形，也可以是不同光掩膜制造的掩膜图形，“第一一”和“第一二”只是便于本领域技术人员理解本方案，而非起具体的限定，同理，第一二掩膜图形和第二二掩膜，第一三掩膜图形和第二三掩膜也应同样理解，定义所述第一二位置度到所述第一一位置度的向量为第一一向量(即向量

)，定义所述第一三位置度到所述第一二位置度的向量为第一二向量(即向量

)，定义所述第二二位置度到所述第二一位置度的向量为第二一向量(即向量

)，定义所述第二三位置度到所述第二二位置度的向量为第二二向量(即向量

)；

S201：测量所述第一一向量(即向量

)、所述第一二向量(即向量

)、所述第二一向量(即向量

)和所述第二二向量(即向量

)，例如，可用OVL量测机台测量

以及

S202：根据所述第一一向量(即向量

)与所述第一二向量(即向量

)的合向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第二一向量(即向量

)与所述第二二向量(即向量

)的合向量分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿。

示例性地，依据前一层上第一一掩膜图形AA为基准，由于第一二掩膜图形BB与第一一掩膜图形AA的位置关系为空间向量

因此可根据

对所述第一二掩膜图形的对准精度进行补偿，由于第一三掩膜图形CC与第一一掩膜图形AA的位置关系为空间向量

且

为

和

的一个合向量，因此可根据

对所述第一三掩膜图形CC的对准精度进行补偿，以前一层上第二一掩膜图形AA’为基准，由于第二二掩膜图形BB’与第二一掩膜图形AA’的位置关系为空间向量

因此可根据

对所述第二二掩膜图形的对准精度进行补偿，由于第二三掩膜图形CC’与第二一掩膜图形AA’的位置关系为空间向量

且

为

和

的一个合向量，因此可根据

对所述第二三掩膜图形CC’的对准精度进行补偿。

示例性地，为了将第一三掩膜图形CC与第一一掩膜图形AA位置对准，对

和

进行加权并获取第一加权合向量，

和

的权重例如为1：1，取所述第一加权合向量的一半为第一四向量，由于

是所述第一一向量

与所述第一二向量

的向量和，故所述第一四向量也是所述第一一向量

和所述第一二向量

的加权合向量。通过第一四向量对第一三掩膜图形CC的对准精度进行补偿，提高了第一三掩膜图形CC的对准精度，使其位置接近第一一掩膜图形AA，示例性地，在第一加权合向量中，

和

的权重又例如为2：1、3：1、4：1、1：2、1：3、1：4……；所述第一四向量同样也可对第一二掩膜图形BB的对准精度进行补偿，进而提高第一一掩膜图形AA、第一二掩膜图形BB和第一三掩膜图形CC三者之间的对准精度。

同理，对

和

进行加权并获取第二加权合向量，

和

的权重例如为1：1，取第二加权合向量的一半为第二四向量，由于

是所述第二一向量

与所述第二二向量

的向量和，故所述第二四向量也是所述第二一向量

和所述第二二向量

的加权合向量。通过第二四向量对第二三掩膜图形CC’的对准精度进行补偿，提高了第二三掩膜图形CC’的对准精度，使其位置接近第二一掩膜图形AA’，示例性地，在第二加权合向量中，

和

的权重又例如为2：1、3：1、4：1、1：2、1：3、1：4……；所述第二四向量同样也可对第二二掩膜图形BB’的对准精度进行补偿，进而提高第二一掩膜图形AA’、第二二掩膜图形BB’和第二三掩膜图形CC’三者之间的对准精度。

示例性地，例如以

和

的权重为1：1以及例如以

和

的权重为1：1，从而进行光掩膜图形对准精度补偿，定义第一载具补偿值为Chuck1(实质上，通过第一四向量对第一载具的第一三掩膜图形进行补偿，也可以用同一个补偿值Chuck1对第一载具的第一二掩膜图形进行补偿)，定义第二载具补偿值为Chuck2(实质上，通过第二四向量对第二载具的第二三掩膜图形进行补偿，也可以用同一个补偿值Chuck2对第二载具的第二二掩膜图形进行补偿)，定义

的补偿值为mR1C1，定义

的补偿值为mR2C1，定义

的补偿值为mR1C2，定义

的补偿值为mR2C2，由如下公式：

可以得到：

Chuck1＝mR1C1+0.5mR2C1，Chuck2＝mR1C2+0.5mR2C2

由于在双光掩膜图形工艺过程中，第一载具以及第二载具的对准精度存在一定的偏差，为了补偿第一载具以及第二载具上晶圆的掩膜图形的对准精度，请参阅图6，在另一实施例中提供光掩膜图形对准精度补偿方法还包括：

S300：计算所述第一一向量和所述第一二向量的加权合向量，并定义所述第一一向量和所述第一二向量的加权合向量为第三加权合向量，根据所述第三加权合向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第二二掩膜图形的对准精度进行补偿；

S301：计算所述第二一向量和所述第二二向量的加权合向量，并定义所述第二一向量和所述第二二向量的加权合向量为第四加权合向量，根据所述第三加权合向量和所述第四加权合向量分别对所述第一三掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿。

详细地，为了减少偏差，所述第三加权合向量可以为所述第一一向量和所述第一二向量的平均加权向量和，即所述第一一向量和所述第一二向量的权重比可以为1:1，所述第一一向量和所述第一二向量的权重比还可以为2：1、3：1、4：1、1：2、1：3、1：4……，所述第四加权合向量为所述第二一向量和所述第二二向量的平均加权向量和，即所述第二一向量和所述第二二向量的权重比可以为1：1，所述第二一向量和所述第二二向量的权重比还可以为2：1、3：1、4：1、1：2、1：3、1：4……。

示例性地，例如以

和

的权重为1：1以及例如以

和

的权重为1：1，从而进行光掩膜图形对准精度补偿，定义第一二掩膜图形BB以及第二二掩膜图形BB’的第一对准补偿值为R1，定义第一三掩膜图形CC以及第二三掩膜图形CC’的第二对准补偿值为R2，定义

的补偿值为mR1C1，定义

的补偿值为mR2C1，定义

的补偿值为mR1C2，定义

的补偿值为mR2C2，由如下公式：

可以得到：

R1＝0.5(mR1C1+mR1C2)

R2＝0.5(mR1C1+mR2C1+mR1C2+mR2C2)

在双光掩膜图形工艺中，需要对载具的对准误差进行补偿，在又一实施例中，定义第一载具补偿值为Chuck1(即Chuck1为第三对准补偿值)，定义第二载具补偿值为Chuck2(即Chuck2为第四对准补偿值)，定义第一二掩膜图形BB以及第二二掩膜图形BB’的补偿值为R1，定义第一三掩膜图形CC以及第二三掩膜图形CC’的补偿值为R2，定义

的补偿值为mR1C1，定义

的补偿值为mR2C1，定义

的补偿值为mR1C2，定义

的补偿值为mR2C2，按照第一三掩膜图形与第一一掩膜图形或者第二三掩膜图形与第二一掩膜图形的位置关系，以第一三掩膜图形为例，根据第一四向量对第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，实质上，第一三掩膜图形的对准精度偏差是由于第一载具和第二载具的偏差以及第一三掩膜图形和第二三掩膜图形的偏差引起的，详细地，根据第一四向量对第一三掩膜图形的对准精度进行补偿的过程是：补偿第一载具偏差的过程，以及补偿第一三掩膜图形和第二三掩膜图形相对位置偏差的过程，更详细地，补偿第一三掩膜图形和第二三掩膜图形相对位置偏差可以采用R1和R2的加权平均值进行补偿，定义第一四向量为t。

因此：

t＝Chuck1+0.5(R1+R2)

可以得到：

Chuck1＝0.5(mR1C1－mR1C2)+0.25(mR2C1－mR2C2)

同理，对于第二载具的补偿值Chuck2(即Chuck2为第四对准补偿值)：

Chuck2＝0.5(mR1C2－mR1C1)+0.25(mR2C2－mR2C1)

示例性地，所述前述示例中的补偿合向量的补偿值用于线性一阶项和/或高阶补偿项掩膜图形的补偿中，例如，所述线性一阶项包括晶圆X/Y方向的平移、晶圆X/Y方向的旋转、晶圆X/Y方向的放大，掩膜图形X/Y方向的平移、掩膜图形X/Y方向的旋转和掩膜图形X/Y方向的放大，所述高阶补偿项包括晶圆和掩膜图形的不规则图形扭曲(trapezied)，如梯形等。

请参阅图7，图7为本实施例光掩膜图形对准精度补偿方法的对准偏差值示意图，图7中，横坐标代表产品批次，纵坐标代表光掩膜图形的对准偏差值，A1代表第一二掩膜图形与第一一掩膜图形的对准偏差值，A2代表第二二掩膜图形与第二一掩膜图形的对准偏差值，B1代表第一三掩膜图形与第一二掩膜图形的对准偏差值，B2代表第二三掩膜图形与第二二掩膜图形的对准偏差值，由图7可以看到：采用本实施例所述的光掩膜图形对准精度补偿方法，第二载具上的第二三掩膜图形的对准偏差值降到和第一载具上的第一三掩膜图形的对准偏差值一样的水平，进而说明采用本实施例提供的光掩膜图形对准精度补偿方法具有较高的对准精度。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (12)

1.一种光掩膜补偿方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，所述第一掩膜图形位于所述晶圆的前一层上，所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形位于所述晶圆的当层上，且所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形及所述第三掩膜图形分别具有第一位置度、第二位置度及第三位置度；

定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量，定义所述第三位置度到所述第二位置度的向量为第二向量；

测量所述第一向量和所述第二向量；以及

根据所述第一向量与所述第二向量的合向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。

2.根据权利要求1所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，根据所述第一向量对所述第二掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第一向量和所述第二向量的加权合向量对所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。

3.根据权利要求1所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，根据第四向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第四向量为所述第一向量和所述第二向量加权合向量。

4.根据权利要求3所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，定义所述第三位置度到所述第一位置度的向量为第三向量，所述第四向量为所述第一向量与所述第三向量之和的一半。

5.根据权利要求1至4任一项所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，所述光掩膜补偿方法用于线性一阶和/或高阶掩膜图形的对准精度补偿。

6.光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于，包括：

提供第一载具以及第二载具，所述第一载具承载第一晶圆，所述第二载具承载第二晶圆；

所述第一晶圆的前一层上具有第一一掩膜图形，所述第一晶圆的当层上分别具有第一二掩膜图形和第一三掩膜图形，所述第二晶圆的前一层上具有第二一掩膜图形，所述第二晶圆的当层上具有第二二掩膜图形和第二三掩膜图形，所述第一一掩膜图形、所述第一二掩膜图形及所述第一三掩膜图形分别具有第一一位置度、第一二位置度及第一三位置度，所述第二一掩膜图形、所述第二二掩膜图形及所述第二三掩膜图形分别具有第二一位置度、第二二位置度及第二三位置度；

定义所述第一二位置度到所述第一一位置度的向量为第一一向量，定义所述第一三位置度到所述第一二位置度的向量为第一二向量，定义所述第二二位置度到所述第二一位置度的向量为第二一向量，定义所述第二三位置度到所述第二二位置度的向量为第二二向量；

测量所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量；以及

根据所述第一一向量与所述第一二向量的合向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第二一向量与所述第二二向量的合向量分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿。

7.根据权利要求6所述的光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于：

根据第一四向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形的对准精度进行补偿；

根据第二四向量分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿；

所述第一四向量为所述第一一向量与所述第一二向量的加权合向量；

所述第二四向量为所述第二一向量与所述第二二向量的加权合向量。

8.根据权利要求6所述的光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于：

所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；

根据第一载具补偿值对第一二掩膜图形和第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，根据第二载具补偿值对第二二掩膜图形和第二三掩膜图形的对准精度进行补偿；

所述第一载具补偿值为mR1C1+0.5mR2C1，所述第二载具补偿值为mR1C2+0.5mR2C2。

9.根据权利要求6所述的光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于：

所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；

根据第一对准补偿值分别对所述第一二掩膜图形和所述第二二掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第一对准补偿值为0.5(mR1C1+mR1C2)。

10.根据权利要求6所述的光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于：

所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；

根据第二对准补偿值分别对所述第一三掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第二对准补偿值为0.5(mR1C1+mR1C2+mR2C1+mR2C2)。

11.根据权利要求6所述的光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于：

所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量的补偿值分别为mR1C1、mR2C1、mR1C2和mR2C2；

根据第三对准补偿值分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形进行补偿，所述第三对准补偿值为0.5(mR1C1－mR1C2)+0.25(mR2C1－mR2C2)；

根据第四对准补偿值分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形进行补偿，所述第四对准补偿值为0.5(mR1C2－mR1C1)+0.25(mR2C2－mR2C1)。

12.根据权利要求6至11任一项所述的光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于，所述光掩膜对准精度补偿方法用于线性一阶和/或高阶掩膜图形的对准精度补偿。

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