CN110967937A - 操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置 - Google Patents

操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110967937A
CN110967937A CN201910924598.6A CN201910924598A CN110967937A CN 110967937 A CN110967937 A CN 110967937A CN 201910924598 A CN201910924598 A CN 201910924598A CN 110967937 A CN110967937 A CN 110967937A
Authority
CN
China
Prior art keywords
euv
gate valve
extreme ultraviolet
gas
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910924598.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110967937B (zh
Inventor
陈思妤
许哲彰
杨基
简上傑
陈立锐
郑博中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN110967937A publication Critical patent/CN110967937A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110967937B publication Critical patent/CN110967937B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022—Devices or apparatus
    • G03F7/0027—Devices or apparatus characterised by pressure means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle

Abstract

一种操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置。本揭露的一实施方式提供一种用于产生极紫外(EUV)辐射的源，此辐射源包括围绕低气压环境的腔室。进气口经配置以在腔室中提供清洗气体。将多个排气口提供至腔室，每个排气口具有对应闸阀，闸阀包括对应于将腔室与EUV扫描器分隔的排气口的扫描器闸阀。压力感测器设置在腔室内部并邻近于扫描器闸阀。控制器经配置以基于压力感测器的输出来控制除扫描器闸阀之外的闸阀。如此一来，用于产生极紫外(EUV)辐射的源将可具有较长的寿命。

Description

操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置
技术领域
本揭露的一实施方式有关于产生极紫外(EUV)辐射的装置，以及操作以产生EUV辐射的方法。
背景技术
极紫外(Extreme ultraviolet；EUV)微影正在用以制造具有小于22nm的特征尺寸的半导体元件，以满足集成电路中增大的元件密度的一直存在的需求。
一种产生EUV微影的EUV辐射的方法为通过使用激光产生的电浆(laser producedplasma；LPP)，其中使用激光加热熔融金属(诸如锡)的液滴以产生发射EUV辐射的电浆。因为EUV辐射为电离辐射，故EUV辐射源通常保持在真空下。换言之，将熔融金属液滴引入真空腔室中，在真空腔室中加热熔融金属液滴以产生EUV辐射。由电浆产生的EUV辐射由收集器镜来收集并聚焦在其他光学元件上，EUV辐射从此光学元件被引导至微影工具。
发明内容
本揭露的一实施方式有关于一种操作极紫外(EUV)光产生装置的方法。其中EUV光产生装置包括容器，容器具有进气口、待连接至扫描器的界面口、设置在界面口处的闸阀以及排气口。操作极紫外(EUV)光产生装置的方法包括产生EUV光，同时从进气口供应气体并从排气口排出气体。停止EUV光产生。在停止EUV光产生之后，增大从排气口排出的排气的流速。在增大流速之后，关闭闸阀。
本揭露的一实施方式有关于一种操作极紫外(EUV)光产生装置的方法。其中EUV光产生装置包括容器，容器具有进气口、待连接至扫描器的界面口、设置在界面口处的闸阀以及排气口。操作极紫外(EUV)光产生装置的方法包括产生EUV光，同时从进气口供应气体并从排气口排出气体。停止EUV光产生。在停止EUV光产生之后，监测邻近于扫描器闸阀的压力紊流。在判定压力紊流大于阈值之后，增大从排气口排出的排气的流速。
本揭露的一实施方式有关于一种极紫外(EUV)辐射产生装置，包括腔室、收集器镜、EUV容器以及控制器。EUV容器设置在腔室中。其中EUV容器包括进气口、界面口以及闸阀。进气口经配置以将清洗气体提供进EUV容器中。界面口待连接至一扫描器。闸阀设置在界面口处及一排气口。控制器经配置以控制闸阀以抑制从闸阀朝向收集器镜的气流。
附图说明
当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭露的一实施方式。应强调，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制并且仅用作说明目的。事实上，为论述清楚起见，各特征的尺寸可任意地增大或缩小。
图1为根据本揭露的一实施方式的一些实施例构造的具有激光产生电浆(LPP)EUV辐射源的EUV微影系统的示意图；
图2A为根据本揭露的一实施方式的一些实施例的用于EUV辐射源中的碎屑收集机构的示意前视图；图2B为根据本揭露的一实施方式的一些实施例的用于EUV辐射源中的碎屑收集机构的示意侧视图；图2C为根据本揭露的一实施方式的一些实施例的用于EUV辐射源中的叶片的部分视图；
图3示意地绘示根据实施例的EUV源的排气流；
图4示意地绘示根据各实施例的碎屑排出控制组件的布局；
图5A及图5B示意地绘示根据一些实施例的EUV源的EUV容器中的排气流；
图6绘示图表示出排气流速相对于时间的变化的一图表；
图7A及图7B绘示根据本揭露的一实施方式的实施例的用于调节清洗气体在腔室之内的流动的碎屑排出控制组件的方法的流程图；以及
图8示意地绘示根据另一实施例的EUV源的EUV容器中的排气流。
【符号说明】
100：EUV辐射源装置
105：腔室
110：收集器镜
115：靶液滴产生器
120：靶液滴捕集器
130：第一缓冲气体源
135：第二缓冲气体源
140：出气口
150：碎屑收集机构
151：截头圆锥形支撑架
152：叶片
153：第一端支撑
154：第二端支撑
200：曝光工具
205：扫描器
300：激发激光源装置
310：激光产生器
320：激光导向光学元件
330：聚焦装置
500：控制器
510：泵
910：下锥体
1000：EUV容器
1100：进气口
1120：第一进气口
1140：第二进气口
1160：第三进气口
1200：排气口
1220：第一排气口
1240：第二排气口
1300：扫描器闸口
1400：碎屑排出控制组件
1402：氢气流出
1404：紊流
1406：锡碎屑流出
1408：污染物
1420：阀
1421：阀
1422：阀
1423：阀
1424：阀
1425：阀
1430：扫描器闸阀
1440：压力感测器
1442：压力感测器
1444：压力感测器
1446：压力感测器
1447：压力感测器
1448：压力感测器
1451：流量计
1452：流量计
1453：流量计
1454：流量计
1455：流量计
1456：流量计
A1：光轴
BF：基层
DMP1：阻尼器
DMP2：阻尼器
DP：靶液滴
EUV：极紫外光
LR1：激发激光
LR2：激发激光
MF：主层
PP1：基座板
PP2：基座板
M1000：方法
S1010～S1040：步骤
M1100：方法
S1110～S1140：步骤
ZE：激发区
具体实施方式
以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实现所提供标的的不同特征。下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭露的一实施方式的内容。当然，此等实例仅为实例且不意欲为限制性。举例而言，在随后描述中在第二特征上方或在第二特征上的第一特征的形成可包括第一及第二特征形成为直接接触的实施例，以及亦可包括额外特征可形成在第一及第二特征之间，以使得第一及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭露的一实施方式在各实例中可重复元件符号及/或字母。此重复为出于简单清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或配置之间的关系。
另外，空间相对用语，诸如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”及类似术语，在本文中为便于描述可用于描述诸图中所绘示的一个元件或特征与另一(多个)元件或(多个)特征的关系。除图形中描绘的方向外，空间相对用语意欲包含元件在使用或操作中的不同方向。装置/元件可为不同朝向(旋转90度或以其他的方向)及在此使用的空间相对的描述词可因此相应地解释。另外，术语“由...制成”可意谓“包含”或者“由...组成”。
本揭露的一实施方式一般是关于极紫外(Extreme ultraviolet；EUV)微影系统及方法。更特定言之，本案是关于用于减轻激光产生电浆(laser produced plasma；LPP)的EUV辐射源中的EUV收集器镜上的污染的装置及方法。收集器镜，亦称为LPP EUV收集器镜或EUV收集器镜，为LPP EUV辐射源的重要元件。收集器镜收集并反射EUV辐射，并且有助于提高整体EUV转换效率。然而，由于粒子、离子、辐射及碎屑沉积的影响，收集器镜受到损坏并降级。特别地，锡(Sn)碎屑为EUV收集器镜的污染源之一。EUV收集器镜的使用寿命，也就是反射率衰减至初始反射率一半的时间，为EUV扫描器的最重要因素之一。EUV收集器镜反射率衰减的主要原因是，由EUV光产生程序不可避免地产生的EUV收集器镜表面上的残余金属污染(锡碎屑)。
本揭露的一实施方式的目标之一涉及减少沉积于LPP EUV收集器镜上的碎屑，由此增大其可用寿命。本揭露的一实施方式的技术，是通过降低调换EUV收集器镜的频率，而将EUV收集器镜保持在需要状态达较长的时间。换言之，EUV扫描器将维持最高曝光能力及产量，并且需要更少频率的维护，由此降低调换EUV收集器镜所需的为期一周停工时间的频率。
图1为EUV微影系统的示意图及图解图。EUV微影系统包括用于产生EUV光的EUV辐射源装置100、曝光工具200(诸如扫描器)以及激发激光源装置300。如图1绘示，在一些实施例中，EUV辐射源装置100及曝光工具200安装在洁净室的主层MF上，而激发激光源装置300安装在位于主层MF之下的基层BF上。EUV辐射源装置100及曝光工具200中的每一者分别经由阻尼器DMP1及阻尼器DMP2置放于基座板PP1及基座板PP2上方。EUV辐射源装置100及曝光工具200通过耦合机构彼此耦接，此耦合机构可包括聚焦单元。
微影系统为极紫外(EUV)微影系统，EUV微影系统经设计以通过EUV光(或EUV辐射)曝光光阻层。光阻层为对EUV光敏感的材料。EUV微影系统使用EUV辐射源装置100产生EUV光，诸如波长范围在约1nm与约100nm之间的EUV光。在一个特定实例中，EUV辐射源装置100产生波长集中在约13.5nm处的EUV光。在本实施例中，EUV辐射源装置100使用激光产生电浆(LPP)机构以产生EUV辐射。
曝光工具200包括诸如凸/凹/平面镜的各种反射光学元件、包括遮罩平台的遮罩固持机构、以及晶圆固持机构。由EUV辐射源装置100产生的EUV辐射EUV由反射光学元件引导至固定在遮罩平台上的遮罩上。在一些实施例中，遮罩平台包括用以固定遮罩的静电卡盘(electrostatic chuck；e-chuck)。因为气体分子吸收EUV光，所以将用于EUV微影图案化的微影系统维持在真空或低压环境中以避免EUV强度损失。
在本揭露的一实施方式中，条件遮罩、光罩及主光罩可交互地使用。在本实施例中，遮罩为反射遮罩。遮罩的一个示例性结构包括具有适当材料(诸如低热膨胀材料或熔凝石英)的基板。在各实例中，材料包括TiO2掺杂的SiO2，或具有低热膨胀的其他适当材料。遮罩包括沉积于基板上的多个反射层(multiple layer；ML)。ML包括多个薄膜对，诸如钼硅(molybdenum-silicon；Mo/Si)膜对(例如，每个膜对中钼层在硅层上方或下方)。或者，ML可包括钼铍(molybdenum-beryllium；Mo/Be)膜对，或经构造以高效反射EUV光的其他适合材料。遮罩可进一步包括覆盖层，诸如钌(Ru)，其设置于ML上用于保护作用。遮罩进一步包括沉积于ML上方的吸收层，诸如钽氮化硼(TaBN)层。吸收层经图案化以定义集成电路(IC)层。或者，另一反射层可沉积于ML上方并且经图案化以定义集成电路层，由此形成EUV相位移遮罩(EUV phase shift mask)。
曝光工具200包括投影光学元件模组。投影光学元件模组用于将遮罩的图案成像在其上涂覆有光阻的半导体基板上，此半导体基板固定在曝光工具200的基板平台上。投影光学元件模组通常包括反射光学元件。从遮罩引导的EUV辐射(EUV光)，携带定义在遮罩上的图案的影像，由投影光学元件模组收集，从而在光阻上形成影像。
在本实施例中，半导体基板为半导体晶圆，诸如硅晶圆或待图案化的其他类型的晶圆。在本实施例中，半导体基板涂覆有对EUV光敏感的光阻层。包括彼等上述元件的各种元件整合在一起并且可操作地执行EUV微影曝光制程。
微影系统可以进一步包括其他模组或者与其他模组整合(或耦接)。
如图1绘示，EUV辐射源装置100包括由腔室105包围的靶液滴产生器115及LPP收集器镜110。靶液滴产生器115产生多个靶液滴DP(target droplets)。在一些实施例中，靶液滴DP为锡(Sn)液滴。在一些实施例中，锡液滴均具有约30微米(μm)的直径。在一些实施例中，锡靶液滴DP以约50滴每秒的速率产生并且以约70米每秒(m/s)的速度引入激发区ZE中。其他材料亦可用于靶液滴，例如，诸如包含锡或锂(Li)的共晶合金的含锡液体材料。
由激发激光源装置300产生的激发激光LR2为脉冲激光。在一些实施例中，激发激光包括预加热激光及主激光。预加热激光脉冲用于加热(或预加热)靶液滴以产生低密度靶羽流，其随后由主激光脉冲加热(或再加热)，从而产生EUV光的增加的发射。
在各实施例中，预加热激光脉冲具有约100μm或更小的光斑大小，及主激光脉冲具有约200-300μm的光斑大小。
激发激光LR2(激光脉冲)由激发激光源装置300产生。激发激光源装置300可以包括激光产生器310、激光导向光学元件320及聚焦装置330。在一些实施例中，激光源产生器310包括二氧化碳(CO2)或掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光源。由激光产生器310产生的激发激光LR1(激光)由激光导向光学元件320导向且由聚焦装置330聚焦至激发激光LR2中，随后EUV辐射源装置100中。
激发激光LR2(激光)通过视窗(或透镜)引导进激发区ZE中。视窗采用大体上对激光束透明的适当材料。脉冲激光的产生与靶液滴的产生同步。随着靶液滴移动穿过激发区，预脉冲加热靶液滴并且将其转换成低密度靶流束(low-density target plumes)。控制预脉冲与主脉冲之间的延迟以允许靶羽流形成且扩大为最佳尺寸及几何形状。当主脉冲加热靶羽流时，产生高温电浆。电浆发射由EUV收集器镜110收集的EUV辐射。EUV收集器镜110进一步反射及聚焦用于微影曝光制程的EUV辐射。在一些实施例中，液滴捕集器120安装在靶液滴产生器115的对面。液滴捕集器120用于捕获多余靶液滴。例如，激光脉冲可能会特意错过一些靶液滴。
EUV收集器镜110经设计具有适合的涂层材料及形状，以充当用于EUV收集、反射、及聚焦的镜。在一些实施例中，EUV收集器镜110经设计具有椭圆形几何形状。在一些实施例中，EUV收集器镜110的涂层材料与EUV遮罩的反射多层类似。在一些实例中，EUV收集器镜110的涂层材料包括ML(诸如多个Mo/Si膜对)，且可进一步包括涂覆在ML上以实质上反射EUV光的覆盖层(诸如Ru)。在一些实施例中，EUV收集器镜110可进一步包括光栅结构，该结构经设计以有效地散射引导至EUV收集器镜110上的激光束。例如，将氮化硅层涂覆在EUV收集器镜110上并且经图案化以具有光栅图案。
在此种EUV辐射源装置中，由激光应用产生的电浆产生实体碎屑，诸如液滴的离子、气体、及原子，以及期望的EUV辐射。必须防止材料积聚在EUV收集器镜110上，并且同时防止实体碎屑离开腔室105并进入曝光工具200中。
如图1绘示，在一些实施例中，缓冲气体经由收集器镜110中的孔口而从第一缓冲气体源130供应，脉冲激光通过此孔口输送至锡液滴。在一些实施例中，缓冲气体为H2、He、Ar、N2或另一种惰性气体。在某些实施例中，H2用作通过缓冲气体的电离而产生的H自由基，并且可用于清洗目的。缓冲气体亦可经由一或多个第二缓冲气体源135朝向EUV收集器镜110及/或围绕EUV收集器镜110的边缘提供。另外，腔室105包括一或多个出气口140，以便将缓冲气体排出腔室105。
氢气具有对EUV辐射的低吸收性。到达EUV收集器镜110的涂层表面的氢气与液滴金属化学反应，形成氢化物，例如金属氢化物。当锡(Sn)用作液滴时，形成锡烷(SnH4)，其为EUV产生制程的气体副产物。随后经由出气口140将气态SnH4泵出。然而，将所有气态SnH4从腔室排出，并且防止SnH4进入曝光工具200是很难的。
为了捕获SnH4或其他碎屑，一或多个碎屑收集机构150用于腔室105中。
如图1绘示，沿激发区ZE与EUV辐射源装置100的输出埠之间的光轴A1设置一或多个碎屑收集机构150(debris collection mechanism；DCM)。图2A为碎屑收集机构150的前视图，以及图2B为碎屑收集机构150的示意等角视图。图2A为碎屑收集机构150的前视图及图2B为碎屑收集机构150的示意侧视图。图2C为碎屑收集机构150的部分详视图。碎屑收集机构150包括截头圆锥形支撑架151、可操作地支撑在外壳内旋转的多个叶片152的第一端支撑153及第二端支撑154。第一端支撑153具有比第二端支撑154更大的直径。碎屑收集机构150用于通过经由旋转叶片152扫除缓慢的锡原子及/或SnH4，来防止腔室105内的EUV收集器镜110及/或其他元件/部分的表面由锡蒸气涂覆。
这些多个叶片152从截头圆锥形支撑架151径向向内凸出。叶片152为薄且长的板。在一些实施例中，平面视图中每个叶片152具有三角形的、或梯形的、或梯形形状。对齐叶片152，以便其纵轴平行于光轴A1，以便其向EUV辐射呈现最小可能的横截面面积。叶片152向光轴A1凸出，但不延伸到光轴A1。在一些实施例中，碎屑收集机构150的中心核心为空的。碎屑收集机构150通过驱动单元而旋转，驱动单元包括一或多个马达、一或多个皮带、及/或一或多个齿轮，或任何旋转机构。在一些实施例中，通过加热器在100℃至400℃下加热叶片152。
图3示意绘示根据实施例的EUV源的EUV容器1000。EUV容器1000位于腔室105内并且包括：收集器镜110、靶液滴产生器115(见图1)、锡液滴捕集器120(见图1)、叶片152、及下锥体910。
EUV容器1000包括进气口1100、排气口1200、及用于接收并传输清洗气体的扫描器闸口1300。扫描器闸口1300为连接在EUV容器1000与扫描器205之间的界面口。扫描器闸口1300将EUV容器1000(最终腔室105)与扫描器205分隔。在一些实施例中，扫描器闸阀1430(scanner gate valve；SGV)设置在界面口及排气口1200处。EUV容器1000可向EUV辐射源装置100内的腔室105传输清洗气体(诸如氢气)及/或从腔室105接收清洗气体。流过EUV容器1000的氢气可粘附至EUV容器1000内的碎屑，使得氢气可将碎屑移除至EUV容器1000外部。
进气口1100包括第一进气口1120、第二进气口1140以及第三进气口1160。第一进气口1120及第二进气口1140位于收集器镜110的周围部分附近。第三进气口1160位元于中心部分并穿过收集器镜110。排气口1200包括第一排气口1220及第二排气口1240。第一排气口1220及第二排气口1240位于下锥体910的更大周围部分附近。在一些实施例中，第一排气口1220及第二排气口1240沿z轴对称定位。扫描器闸口1300充当入口及/或排气口，并将腔室105的EUV容器1000与扫描器205分离。尽管图3中示出的EUV容器1000包括上述入口/排气口，但EUV容器1000的替代实施例包括不同数目及/或布置的入口及/或排气口。
图4绘示根据本揭露的一实施方式的实施例的碎屑排出控制组件1400的示意图。碎屑排出控制组件1400包括控制阀1421、控制阀1422、控制阀1423、控制阀1424及控制阀1425(统称为控制阀1420)，扫描器闸阀1430(scanner gate valve；SGV)、及压力感测器1442、压力感测器1444及压力感测器1446(统称为压力感测器1440)。进气口及排气口中每一者分别连接至控制阀1420，以控制气体流过口(流入或流出EUV容器1000及腔室105)的流速。
在一些实施例中，控制器500可操作地连接至压力感测器1440、控制阀1420以及及泵510。控制器500分别基于每个流量计1451、流量计1452、流量计1453、流量计1454、流量计1455、流量计1456，来分别地控制控制阀1421、控制阀1422、控制阀1423、控制阀1424、控制阀1425以及扫描器闸阀1430的操作。在一些实施例中，沿EUV容器1000侧面的排气阀1424、排气阀1425包括基于在压力感测器1442处量测的内压力值的反馈控制。此种反馈控制将内压力值保持恒定以使液滴及电浆稳定。在一些实施例中，排气阀1424、排气阀1425包括基于在压力感测器1442处量测的内压力值及在压力感测器1444处量测的外压力值的另一反馈控制。在一些实施例中，沿EUV容器1000侧面的排气阀1424、排气阀1425经替换成蝶形阀，以基于由压力感测器1446报告的在扫描器闸阀1430(SGV)处量测的局部压力值来控制流速。应注意，尽管上述实施例描述蝶形阀，但可由碎屑排出控制组件1400控制的任何可变开口阀都可替代蝶形阀使用。例如，在一些实施例中，使用百叶阀、双网阀、或滑动闸阀。在一些实施例中，控制器500包括处理器及储存控制程式的记忆体，并且当控制程式由处理器执行时，控制程式使得处理器执行期望操作。在其他实施例中，控制器500包括微型电脑。
方法之一包括通过抑制紊流改善腔室中氢气(或类似清洗气体)的流体动力学及/或特征，使得碎屑可从EUV容器1000及腔室105流畅地排出。此种流动防止电浆及/或腐蚀材料的碎屑到达收集器镜110，并最终将他们从腔室105去除。本揭露的一实施方式的碎屑排出控制组件1400使用与控制阀1420连接的进气口及排气口以控制排气的流速。碎屑排出控制组件1400经配置以使用最小化EUV容器1000内的紊流的改善技术来将碎屑从EUV容器1000及腔室105去除。
图5A及图5B示意地绘示EUV源的EUV容器中的排气流。在一些实施例中，EUV容器1000基于在压力感测器1442处量测的内压力值调节氢气的流动，以在正常EUV产生操作期间将内压力值维持恒定。在一些实施例中，如图5A绘示，扫描器闸口1300充当扫描器205的进气/排气口。在此种实施例中，清洗气体可与碎屑混合并流进扫描器205中。为了防止与碎屑混合的气体流向扫描器205，在一些实施例中，如图5B绘示，当停止EUV产生时，关闭扫描器闸阀1430(SGV)以将EUV容器1000与扫描器205分隔，用于冲洗操作。因此，扫描器闸阀1430防止与碎屑混合的气体从辐射腔室流至扫描器205，例如当用于清洁的目的冲洗腔室时。然而，如图5A绘示的氢气流出1402，由于氢气流出1402的突然变化，如图5B绘示，氢气流出1402被扰动而在EUV容器1000内产生氢气的紊流1404。此种紊流1404可能不但扰乱锡碎屑流出1406，而且进一步导致一段时间内沉积于收集器镜110上的污染物1408。
图6绘示一图表，此图表示出使用碎屑排出控制组件1400的排气流速的变化。横轴表示经过的时间。在阶段I期间，使用从进气口供应的清洗气体执行正常操作(EUV产生)，并将排出经由排气口排出的气体，如图5A绘示。在阶段II期间，当停止正常操作时，碎屑排出控制组件1400继续将清洗气体传输至腔室及从腔室接收清洗气体，而不增大排气流速。在阶段II期间，第一时间Ta的范围在约6分钟至10分钟。在一些实施例中，第一时间Ta为以下时间中的一者：6分钟、7分钟、8分钟、9分钟、及10分钟。在阶段III期间，当第一时间Ta结束时，碎屑排出控制组件1400控制气体排出口及/或排气泵以增大穿过第一排气口1220及第二排气口1240的排气流速。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400的阶段III的时间α可根据情况而变化。举例来说，时间α是在约3分钟至约7分钟的范围内。在一些实施例中，阶段III的时间α是约5分钟。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400线性增大排气流速。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400基于在压力感测器1442处量测的内压力值增大排气流速。在其他实施例中，碎屑排出控制组件1400基于在压力感测器1442处量测的内压力值及在压力感测器1444处量测的外压力值而增大排气流速。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400基于局部压力值而增大排气流速，此局部压力值在由压力感测器1446报告的在扫描器闸阀1430(SGV)处量测。碎屑排出控制组件1400经配置以在阶段IV的第二时间Tb之前控制可接受范围内的排气流速。在一些实施例中，阶段IV的第二时间Tb的范围为约3分钟至5分钟。在一些实施例中，阶段IV的第二时间Tb为以下时间中的一者：3分钟、4分钟、及5分钟。当阶段IV的第二时间Tb结束时，关闭扫描器闸阀1430，及碎屑排出控制组件1400执行阶段V的第三时间Tc的冲洗操作。在一些实施例中，冲洗操作的阶段V的第三时间Tc的范围为约150分钟至210分钟。在一些实施例中，阶段V的第三时间Tc为约180分钟。
在冲洗的步骤，为了清洁的目的，要供给和排出极度清洁干燥空气(extremeclean dry air；XCDA)。在一些实施例中，XCDA包括N2气体。在一些实施例中，XCDA的使用次数，范围约是3次至5次。在一些实施例中，XCDA被使用4次。XCDA在第一压力与第二压力之间引入。在一些实施例中，用于冲洗操作的第一压力(填充压力)在约700Pa至900Pa的范围内。在一些实施例中，第一压力为约800Pa。在一些实施例中，用于冲洗操作的第二压力(排气压力)在约300Pa至500Pa的范围内。在一些实施例中，第二压力为约400Pa。在一些实施例中，用于冲洗操作的第二压力是在第一压力的约40％至约60％的范围内。在一些实施例中，第二压力在第一压力的约30％至约70％的范围内。
图7A绘示根据本揭露的一实施方式的实施例的控制碎屑排出控制组件1400的方法M1000的流程图。方法包括以下步骤，在步骤S1010处，当将气体从进气口供应并将气体从排气口排出时产生EUV光。接着，方法包括以下步骤，在步骤S1020处，停止EUV光产生。
在停止EUV光产生之后，方法包括以下步骤，在步骤S1030处，增大从排气口排出排气的流速。由流量计1454、流量计1455量测的流速指示碎屑排出控制组件1400的效能。在流速变化由流量计1454、流量计1455检测到的一些实施例中，控制器基于由流量计1451、流量计1452、流量计1453、流量计1454、流量计1455、流量计1456量测的流速的值及/或流速的变化率来执行判定。在一些实施例中，流量计1451、流量计1452、流量计1453、流量计1454、流量计1455、流量计1456包括逻辑电路，此逻辑电路经程式化以当流速量测值的检测变化不在可接受范围内时产生预定讯号。例如，当流速量测值的检测变化小于某个阈值时，产生讯号。流速量测值的变化的阈值为例如，碎屑排出控制组件1400的流速量测值中的预期最小变化。在一些实施例中，流速量测值的预期最小变化基于最大变化的流速量测值中的平均变化来判定。在一些实施例中，流速量测值的预期最小变化为例如一个标准偏差或两个标准偏差，其小于针对最大变化判定的流速量测值的平均变化。若流量计1454、流量计1455的流速量测值不在可接受范围内，则自动调节排气阀1424及/或所连接的泵的可配置参数以增大或减小由流量计1454、流量计1455量测的流速中的变换，以致最终使排气流速在可接受范围内。
在步骤S1040处，在增大流速之后，方法包括关闭闸阀。
图7B绘示根据本揭露的一实施方式的另一实施例的控制碎屑排出控制组件1400的方法M1100的流程图。方法包括以下步骤，在步骤S1110处，当将气体从进气口供应并将气体从排气口排出时产生EUV光。接着，方法包括以下步骤，在步骤S1120处，停止EUV光产生。
在停止EUV光产生之后，方法包括以下步骤，在步骤S1130处，监测由来自压力感测器1442、压力感测器1444及压力感测器1446(统称为压力感测器1440)的量测值指示的压力紊流。特别地，由位于EUV容器1000的扫描器闸阀1430(SGV)附近的压力感测器1446量测的压力，用以监测由清洗气体在容器内引起的压力紊流。在一些实施例中，压力紊流由碎屑排出控制组件1400的控制器500基于压力感测器1446量测的压力量测值是否增大及/或减小来判定。由压力感测器1446量测的压力指示扫描器闸阀1430(SGV)附近的压力紊流。在一些实施例中，压力变化由压力感测器1442、压力感测器1444及压力感测器1446(统称为压力感测器1440)检测，碎屑排出控制组件1400的控制器500基于由压力感测器1442、压力感测器1444及压力感测器1446量测的压力值及/或压力的变化率来执行判定。在一些实施例中，压力感测器1440包括逻辑电路，此逻辑电路经程式化以当压力量测值的检测变化不在可接受范围内时产生预定讯号。例如，当压力量测值的检测变化大于某个阈值时，产生讯号。压力量测值的变化的阈值为例如压力量测值中的预期最小变化。在一些实施例中，压力量测值的预期最小变化基于最大变化的压力量测值中的平均变化来判定。在一些实施例中，压力量测值的预期最小变化为例如一个标准偏差或两个标准偏差，其小于针对最大变化判定的流速量测值的平均变化。
在通过碎屑排出控制组件1400的控制器500，判定压力紊流大于阈值之后，在步骤S1140处，自动调节排气阀1424、排气阀1425的配置参数以增大从排气口排出的排气的流速，以致最终使排气流速与其最佳流速的比在可接受范围内。
图8绘示根据本揭露的一实施方式的实施例的示例性碎屑排出控制组件1400的示意图。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400包括压力感测器1442、压力感测器1444，及位于扫描器闸阀1430(SGV)附近的第一压力感测器1447及位于排气阀1425附近的第二压力感测器1448。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400识别扫描器闸阀1430(SGV)与收集器镜110之间的气流，当由压力感测器1447量测的压力高于及/或低于由压力感测器1442量测的压力时。在一最小的些实施例中，碎屑排出控制组件1400识别扫描器闸阀1430(SGV)与收集器镜110之间的最小气流，当由压力感测器1447及压力感测器1442量测的压力彼此接近时。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400识别扫描器闸阀1430(SGV)与收集器镜110之间的气流紊流，当由压力感测器1447及压力感测器1442量测的两个压力值快速变化时。在一些实施例中，碎屑排出控制组件1400使用由位于排气阀1424的压力感测器1444及位于排气阀1425附近的第二压力感测器1448量测的压力，识别排气阀1424、排气阀1425之间的排气流量平衡。
本揭露的一实施方式揭示的实施例通过延长收集器镜的寿命及将EUV光产生装置保持具有良好反射率的收集器镜，来提高EUV光产生装置的生产量。本文揭示的实施例亦通过减少当调换收集器镜时预防维护需要的停工时间，来改进EUV光产生装置的可用性。本文揭示的实施例通过减小收集器镜中的污染风险来提高可靠性。
根据本揭露的一实施方式的一个态样，操作EUV光产生装置的方法包括：当将气体从进气口供应并将气体从排气口排出时产生EUV光。EUV光产生装置包括容器，容器具有进气口、界面口及排气口。界面口连接至扫描器，及闸阀设置在界面口处。接着，停止EUV光产生。在停止EUV光产生之后，增大从排气口排出的排气的流速。在增大流速之后，关闭闸阀。在一些实施例中，在停止EUV光产生之后，方法进一步监测压力紊流以抑制气流从闸阀朝向收集器镜。在一些实施例中，方法进一步基于在位于容器内的压力感测器处量测的内压力值，来控制排气的流速。在一些实施例中，方法进一步基于由位于容器内的压力感测器量测的内压力及由位于容器外的压力感测器量测的外压力，来控制排气的流速。在一些实施例中，方法进一步基于由邻近于扫描器闸阀的压力感测器量测的局部压力，来控制排气的流速。在一些实施例中，在停止EUV光产生之后，方法在增大从排气口排出的排气的流速之前等待约小于10分钟。在一些实施例中，在增大排气的流速之后，方法在关闭闸阀之前等待约小于5分钟。
根据本揭露的一实施方式的另一态样，操作EUV光产生装置的方法包括：当将气体从进气口供应并将气体从排气口排出时产生EUV光。EUV光产生装置包括容器，容器具有进气口、界面口及排气口。界面口连接至扫描器，及闸阀设置在界面口处。接着，停止EUV光产生。在停止EUV光产生之后，监测邻近于扫描器闸阀的压力紊流。在判定压力紊流大于阈值之后，增大从排气口排出的排气的流速。在一些实施例中，方法进一步在增大流速之后关闭闸。在一些实施例中，方法进一步在增大流速之前且在停止EUV产生之后，关闭闸。在一些实施例中，在停止EUV光产生之后，方法等待约小于10分钟来监测邻近于扫描器闸阀的压力紊流。在一些实施例中，在增大排气的流速之后，方法在关闭闸阀之前等待约小于5分钟。在一些实施例中，在关闭闸阀之后，方法执行冲洗操作以清洗容器。
根据本揭露的一实施方式的另一态样，用于产生极紫外(EUV)辐射的装置包括腔室、EUV容器、及控制器。EUV容器设置在腔室中。EUV容器包括进气口、界面口、设置在界面口处的闸阀及排气口。进气口经配置以将清洗气体提供进EUV容器中。界面口连接至扫描器。控制器经配置以控制闸阀以抑制从闸阀朝向收集器镜的气流。在一些实施例中，压力感测器位于闸阀附近以在扫描器闸阀附近量测腔室内的局部压力。在一些实施例中，排气口包括蝶形阀。在一些实施例中，控制器经配置以基于EUV容器内的压力感测器的量测值来控制闸阀。在一些实施例中，控制器经配置以在停止EUV光产生之后小于约10分钟增大排气的流速。在一些实施例中，装置进一步包括第二压力感测器以监测排气阀之间的排气流量平衡。在一些实施例中，控制器经配置以基于在扫描器闸阀处量测的局部压力值来控制排气阀。
应将理解，并非所有优点都必须在本揭露的一实施方式中论述，所有实施例或实例都不需要特定的优点，并且其他实施例或实例可以提供不同的优点。
上文概述若干实施例或实例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭露的一实施方式的态样。熟悉此项技术者应了解，其可轻易使用本揭露的一实施方式作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例或实例的相同目的及/或达成相同优点。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭露的一实施方式的精神及范畴，且可在不脱离本揭露的一实施方式的精神及范畴的情况下进行本揭露的一实施方式的各种变化、替代及更改。

Claims (10)

1.一种操作一极紫外光产生装置的方法，其特征在于，该极紫外光产生装置包括一容器，该容器具有一进气口、待连接至一扫描器的一界面口、设置在该界面口处的一闸阀、及一排气口，该方法包括：
产生极紫外光，同时从该进气口供应一气体并从该排气口排出该气体；
停止该极紫外光产生；
在停止该极紫外光产生之后，增大从该排气口排出的该排气的一流速；以及
在增大该流速之后，关闭该闸阀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在停止极紫外光产生之后，监测一压力紊流以抑制从该闸阀朝向该极紫外光产生装置的一收集器镜的气流。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
基于在位于该容器内的一压力感测器处量测的一内压力值，来控制该排气的该流速。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
基于由位于该容器内的一压力感测器量测的一内压力及位于该容器外部的一压力感测器量测的一外压力，来控制该排气的该流速。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
基于由邻近于一扫描器闸阀的一压力感测器量测的一局部压力，来控制该排气的该流速。
6.一种操作一极紫外光产生装置的方法，其特征在于，该极紫外光产生装置包括一容器，该容器具有一进气口、待连接至一扫描器的一界面口、设置在该界面口处的一闸阀、及一排气口，该方法包括：
产生极紫外光，同时从该进气口供应一气体并从该排气口排出该气体；
停止该极紫外光产生；
在停止该极紫外光产生之后，监测邻近于一扫描器闸阀的一压力紊流；以及
在判定该压力紊流大于一阈值之后，增大从该排气口排出的该排气的一流速。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在增大该流速之前且在停止该极紫外光产生之后，关闭该闸阀。
8.一种极紫外辐射产生装置，其特征在于，包括：
一腔室；
一收集器镜；
一极紫外容器，设置在该腔室中，其中该极紫外容器包括：
一进气口，经配置以将一清洗气体提供进该EUV容器中；
一界面口，待连接至一扫描器；以及
一闸阀，设置在界面口处，及一排气口；以及
一控制器，经配置以控制该闸阀以抑制从该闸阀朝向该收集器镜的气流。
9.根据权利要求8所述的极紫外辐射产生装置，其特征在于，该压力感测器位于该闸阀附近以在该闸阀附近量测该腔室内的一局部压力。
10.根据权利要求8所述的极紫外辐射产生装置，其特征在于，进一步包括一第二压力感测器，该第二压力感测器用以监测该排气阀之间的一排气流量平衡。
CN201910924598.6A 2018-09-28 2019-09-27 操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置 Active CN110967937B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862738977P 2018-09-28 2018-09-28
US62/738,977 2018-09-28
US16/582,012 US10877378B2 (en) 2018-09-28 2019-09-25 Vessel for extreme ultraviolet radiation source
US16/582,012 2019-09-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110967937A true CN110967937A (zh) 2020-04-07
CN110967937B CN110967937B (zh) 2022-05-27

Family

ID=69945462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910924598.6A Active CN110967937B (zh) 2018-09-28 2019-09-27 操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10877378B2 (zh)
CN (1) CN110967937B (zh)
TW (1) TWI707194B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112540513A (zh) * 2021-01-07 2021-03-23 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于euv光源的熔融液滴发生装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10990026B2 (en) * 2018-08-14 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography apparatus and cleaning method thereof
US10877190B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet radiation source
US10875060B2 (en) * 2019-04-18 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for removing debris from collector
CN115380626A (zh) * 2020-04-13 2022-11-22 Asml荷兰有限公司 用于控制euv光源中的气流的装置和方法
US11573495B2 (en) 2021-03-04 2023-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Control of dynamic gas lock flow inlets of an intermediate focus cap

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060163500A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Extreme UV radiation source device and method for eliminating debris which forms within the device
JP2007220949A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Ushio Inc 極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置における集光光学手段の汚染抑制方法
US20080099699A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Extreme ultraviolet radiation source device
CN101410760A (zh) * 2006-04-03 2009-04-15 恩特格林斯公司 微影投射设备、气体洗涤方法、装置制造方法及洗涤气体的供应系统
US20100140514A1 (en) * 2007-08-31 2010-06-10 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
CN103064259A (zh) * 2012-12-10 2013-04-24 华中科技大学 一种极紫外激光等离子体光源碎屑的隔离方法及系统
CN103246176A (zh) * 2013-04-02 2013-08-14 华中科技大学 一种用于隔离激光等离子体极紫外光源碎屑隔离腔
US20170064800A1 (en) * 2010-03-18 2017-03-02 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
US20170238407A1 (en) * 2014-12-17 2017-08-17 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation device
US20170322499A1 (en) * 2012-06-22 2017-11-09 Asml Netherlands B.V. Radiation Source and Lithographic Apparatus
US20200089124A1 (en) * 2017-01-06 2020-03-19 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170070264A (ko) 2003-09-03 2017-06-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
US8604452B2 (en) 2011-03-17 2013-12-10 Cymer, Llc Drive laser delivery systems for EUV light source
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
US9052595B2 (en) 2013-03-15 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography process
US9310675B2 (en) 2013-03-15 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP6339658B2 (ja) 2013-03-28 2018-06-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
JP2015109366A (ja) 2013-12-05 2015-06-11 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはｅｕｖリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法
CN111308856A (zh) 2014-03-11 2020-06-19 芝浦机械电子株式会社 反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
US9377693B2 (en) 2014-03-13 2016-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Collector in an extreme ultraviolet lithography system with optimal air curtain protection
US9529268B2 (en) 2014-04-03 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for improving pattern transfer
US9256123B2 (en) 2014-04-23 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making an extreme ultraviolet pellicle
US9184054B1 (en) 2014-04-25 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
DE102016203094B4 (de) 2016-02-26 2022-02-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske
CN110462521B (zh) 2017-03-15 2022-10-18 Asml荷兰有限公司 用于输送气体的设备及用于产生高谐波辐射的照射源

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060163500A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Extreme UV radiation source device and method for eliminating debris which forms within the device
JP2007220949A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Ushio Inc 極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置における集光光学手段の汚染抑制方法
CN101410760A (zh) * 2006-04-03 2009-04-15 恩特格林斯公司 微影投射设备、气体洗涤方法、装置制造方法及洗涤气体的供应系统
US20080099699A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Extreme ultraviolet radiation source device
US20100140514A1 (en) * 2007-08-31 2010-06-10 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
CN101790764A (zh) * 2007-08-31 2010-07-28 西默股份有限公司 用于激光致等离子体euv光源的气体管理系统
US20170064800A1 (en) * 2010-03-18 2017-03-02 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
US20170322499A1 (en) * 2012-06-22 2017-11-09 Asml Netherlands B.V. Radiation Source and Lithographic Apparatus
CN103064259A (zh) * 2012-12-10 2013-04-24 华中科技大学 一种极紫外激光等离子体光源碎屑的隔离方法及系统
CN103246176A (zh) * 2013-04-02 2013-08-14 华中科技大学 一种用于隔离激光等离子体极紫外光源碎屑隔离腔
US20170238407A1 (en) * 2014-12-17 2017-08-17 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation device
US20200089124A1 (en) * 2017-01-06 2020-03-19 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112540513A (zh) * 2021-01-07 2021-03-23 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于euv光源的熔融液滴发生装置
CN112540513B (zh) * 2021-01-07 2024-03-29 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于euv光源的熔融液滴发生装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202026750A (zh) 2020-07-16
CN110967937B (zh) 2022-05-27
US20200103758A1 (en) 2020-04-02
TWI707194B (zh) 2020-10-11
US10877378B2 (en) 2020-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110967937B (zh) 操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置
KR101503894B1 (ko) 레이저 생성 플라즈마 ｅｕｖ 광원용 가스 관리 시스템
US11829082B2 (en) Radiation source for lithography process
US11470710B2 (en) EUV light source and apparatus for EUV lithography
US20200073261A1 (en) Radiation source apparatus, euv lithography system, and method for decreasing debris in euv lithography system
US20220338333A1 (en) Euv light source and apparatus for lithography
US20220382048A1 (en) Euv radiation source apparatus for lithography
US10877190B2 (en) Extreme ultraviolet radiation source
US10859928B2 (en) EUV light source and apparatus for lithography
US20220276572A1 (en) Droplet generator and method of servicing a photolithographic tool
US20230345610A1 (en) Method and apparatus for monitoring an extreme ultraviolet radiation source
TW202328820A (zh) 極紫外線微影設備
TW202309992A (zh) 極紫外微影方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant