CN110955109A - 相移型光掩模坯料和相移型光掩模 - Google Patents

相移型光掩模坯料和相移型光掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN110955109A
CN110955109A CN201910914432.6A CN201910914432A CN110955109A CN 110955109 A CN110955109 A CN 110955109A CN 201910914432 A CN201910914432 A CN 201910914432A CN 110955109 A CN110955109 A CN 110955109A
Authority
CN
China
Prior art keywords
phase shift
layer
film
silicon
oxygen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910914432.6A
Other languages
English (en)
Inventor
高坂卓郎
小泽良兼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN110955109A publication Critical patent/CN110955109A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明提供相移型光掩模坯料和相移型光掩模。具体提供一种相移型光掩模坯料，其包括透明衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，对于波长为200nm以下的光，所述相移膜的相移为150°至250°，透射率为60％至80％，所述相移膜的厚度为150nm以下，以及由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.03以下。

Description

相移型光掩模坯料和相移型光掩模
相关申请的交叉引用
本非临时申请根据35 U.S.C.§119(a)要求2018年9月26日在日本提交的专利申请No.2018-180590的优先权，其全部内容以引用方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种相移型光掩模坯料和相移型光掩模，通常用于制造半导体集成电路。
背景技术
在半导体技术领域，图案微型化的研究和开发在进一步进行中。特别是，随着近年来大规模集成电路的集成化进展，电路图案的微型化、更精细的互连图案以及用于构成电池的层间连接的接触孔图案的微型化的趋势加快，对于精细加工技术产生了进一步的需求。在这种情况下，在制造用于精细加工中的光刻工艺的光掩模的技术领域中，对开发用于形成更精细和更精确的电路图案(掩模图案)的技术的需求不断增长。
缩小投影是使用光刻技术在半导体衬底上形成图案的最典型方法。为此目的，光掩模上的图案尺寸是要在半导体衬底上绘制的图案的约四倍。目前，在光刻技术领域中，要绘制的电路图案的尺寸远小于用于曝光的光的波长。因此，如果光掩模图案简单地形成为电路图案的四倍倍率，则光掩模的原始图案不能精确地转印到半导体衬底上的抗蚀剂膜，因为曝光中引起的光干涉影响到转印。
因此，在某些情况下，在光掩模上形成的图案形成得比实际电路图案更复杂，以减轻光干涉的这种影响。为此目的的图案形状可例举向实际电路图案施加光学邻近校正(OPC)的形状。对于图案微型化和增强精度，使用改进的照明、浸没式光刻和分辨率增强技术(RET)以及双重图案化光刻。
作为分辨率增强技术(RET)之一，使用相移方法。相移方法是通过利用由在光掩模中形成的、能够反转约180°的相位的膜图案引起的光干涉的对比度增强方法。半色调相移型光掩模是采用这种方法的光掩模之一。半色调相移型光掩模包括由对曝光光是透明的石英等制成的透明衬底，以及在其上形成的由能够将相位反转约180°并且具有不足以有助于图案形成的透射率的半色调相移膜制成的掩模图案。已提出的示例性半色调相移型光掩模包括由氧化钼硅(MoSiO)或氧氮化钼硅(MoSiON)构成的半色调相移膜(JP-A H07-140635(专利文献1))。
引文列表
专利文献1：JP-A H07-140635
专利文献2：JP-A 2007-33469
专利文献3：JP-A 2007-233179
专利文献4：JP-A-2007-241065
发明内容
相移膜的透射率通常为20％以下，典型地为约6％的透射率，然而，最近的研究还涉及更高的透射率。具有高透射率的膜由于干涉也具有高的光衰减效果，在某些情况下有利于精细的图案化。为了制造具有高透射率的相移型光掩模坯料，需要高氧含量来提高透射率。然而，虽然较高的氧含量可提高透射率，但是较高的氧含量会引起问题，使得膜的折射率降低，需要较大的膜厚度以获得预定的相移。相移膜优选较薄，因为不仅薄膜有利于图案化，而且薄膜还可降低三维效果。因此，在光刻法中，需要较薄的膜来形成更精细的图案。
本发明是为了解决上述问题而完成的，提供一种具有满足图案微型化要求的薄相移膜的相移型光掩模坯料和相移型光掩模，该相移膜在图案化和降低三维效果方面是有利的，并满足相移膜必要的相移和透射率。
发明人首先研究了通常采用的含有过渡金属如钼的相移膜，以寻求开发薄但满足相移膜必要的相移和透射率的相移膜。对于波长为200nm以下的光其透射率为60％以上的相移膜即使加入少量过渡金属也会降低透射率。添加更大量的氧(其意图补偿因此降低的透射率)，导致随着氧的添加量增加，在所需的透射率下，膜的折射率下降。因此，在这种情况下为了满足相移膜必要的相移，必须增加膜的厚度。
发明人已经发现，当相移膜由包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层的单层或多层构造，且作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量比(原子比)为0.03以下时，即使相移膜被设计成对于波长为200nm以下的光的相移为150°至250°、透射率为60％至80％，相移膜也可减薄至150nm以下。
一方面，本发明提供一种相移型光掩模坯料，包括衬底及其上的相移膜，相移膜由单层或多层组成，该单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，其中，
对于波长为200nm以下的光，相移膜的相移为150°至250°，透射率为60％至80％，厚度为150nm以下，并且，
由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.03以下。
优选地，相移膜包括由过渡金属、硅、氮和氧构成的层，且由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.001以上。
优选地，组成相移膜的每个层的氮和氧的总含量为50at％以上，和/或氮含量为10at％以上，且在层中氮含量低于氧含量。
优选地，过渡金属包括钼。
优选地，相移型光掩模坯料进一步包括在相移膜上的由单层或多层组成的第二层，第二层由含铬材料构成。
另一方面，本发明提供一种通过使用相移型光掩模坯料制备的相移型光掩模。
本发明的有益效果
根据本发明，提供了一种相移型光掩模坯料和相移型光掩模，其具有较薄的相移膜，该相移膜在图案化和曝光方面是有利的，并且具有令人满意的、相移膜必要的相移和高透射率。本发明的相移型光掩模允许满足在光刻中向着进一步微型化和更高精确度的图案化的要求的曝光。
附图说明
图1A和1B是说明本发明的示例性相移型光掩模坯料和相移型光掩模的横截面图。
图2A至2C是说明本发明的相移型光掩模坯料的其他实例的横截面图。
具体实施方式
本发明的相移型光掩模坯料包括诸如石英衬底的透明衬底，以及设置在透明衬底上，并且由单层或多层(即，两层以上)组成的相移膜。本发明的相移型光掩模包括诸如石英衬底的透明衬底，以及设置在透明衬底上，并且由单层或多层(即，两层以上)组成的相移膜的掩模图案(光掩模图案)。
本发明中的透明衬底优选为例如6英寸见方、25毫英寸厚的透明衬底，称为由SEMI标准规定的6025衬底，根据SI单位制，其通常由152mm见方、6.35mm厚的透明衬底表示。
图1A是说明本发明的示例性相移型光掩模坯料的横截面图。在该实施方案中，相移型光掩模坯100包括透明衬底10和形成在透明衬底10上的相移膜1。图1B是说明本发明的示例性相移型光掩模的横截面图。在该实施方案中，相移型光掩模101包括透明衬底10和形成在透明衬底10上的相移膜图案11。
相移膜可以由单层组成，该单层被设计成满足相移膜必要的相移和透射率。相移膜也优选由多层组成，该多层包括例如具有满足所需表面反射率的抗反射功能的层，以便作为相移膜整体满足必要的相移和透射率。
在单层和多层两种情况下，每个层可以形成为在厚度方向上具有连续渐变的组成。在相移膜由多层组成的情况下，这些层可以是选自具有不同构成元素的层和具有相同构成元素但具有不同组成比的层中的至少两个层的组合。在多层包括至少三层的情况下，当这些层彼此不相邻时，可以将相同的层组合。
本发明中的相移膜由单层或多层组成，单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧组成的层和由硅、氮和氧组成的层中的至少一层。由过渡金属(Me)、硅(Si)、氮(N)和氧(O)构成的层优选是基本上仅由这四种元素构成的层(除了不可避免的杂质之外)。同时，由硅(Si)、氮(N)和氧(O)构成的层优选是基本上仅由这三种元素构成的层(除了不可避免的杂质之外)。具体地，例举MeSiNO(过渡金属氧氮化硅)层和SiNO(氮氧化硅)层。值得注意的是，MeSiNO和SiNO仅表示构成元素，而不是构成元素的组成比。过渡金属的实例包括钼、锆、钨、钛、铪、铬和钽，且过渡金属优选钼。特别地，过渡金属优选为钼。
由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量比(原子比)优选为0.03以下，更优选0.02以下。至于由硅、氮和氧构成的层，过渡金属与过渡金属和硅的总含量的含量比(原子比)为0(零)。相移膜更优选包括至少一个由过渡金属、硅、氮和氧构成的层。在这种情况下，过渡金属与过渡金属和硅的总含量的含量比(原子比)优选为0.001以上，更优选0.003以上。通过控制在上述优选范围内的过渡金属与过渡金属和硅的总含量的含量比，可改善含有过渡金属和硅的层中的图案尺寸变化或劣化的问题。
本发明中的相移膜在由单层组成时，在这样的单层整体中；在该相移膜由多层组成时，在这样的多层中的一个或多个层中；特别地，在该相移膜设置有氧化表面层时，在除了下面描述的氧化表面层之外的多层的每个层中，其硅含量优选为30at％以上，更优选35at％以上，且优选45at％以下，更优选40at％以下。
本发明中的相移膜在由单层组成时，在这样的单层整体中；在该相移膜由多层组成时，在这样的多层中的一个或多个层中；特别地，在该相移膜设置有氧化表面层时，在除了下面描述的氧化表面层之外的多层的每个层中，其氮含量优选为10at％以上，更优选13at％以上，且优选为30at％以下，更优选20at％以下，或氧含量优选为60at％以下，更优选50at％以下。
本发明中的相移膜在由单层组成时，在这样的单层整体中；在该相移膜由多层组成时，在这样的多层中的一个或多个层中；特别地，在该相移膜设置有氧化表面层时，在除了下面描述的氧化表面层之外的多层的每个层中，其氮和氧的总含量优选为50at％以上，更优选60at％以上，或优选氮含量低于氧含量。
本发明中的相移膜在由单层组成时，在这样的单层整体中；在该相移膜由多层组成时，在这样的多层中的一个或多个层中；特别地，在该相移膜设置有氧化表面层时，在除了下面描述的氧化表面层之外的多层的每个层中，其硅与氮的比(硅/氮)优选为3/1至4/1(原子比)。
对于波长为200nm以下的光(曝光光)，尤其是用于通过相移型光掩模光刻的ArF准分子激光(193nm)，具有规定厚度的本发明中的相移膜具有预定的相移量(相移)和预定的透射率。
作为由通过各区域的曝光光的干涉引起的相移的结果，通过本发明中的相移膜的曝光光的相移可以足以能够增加具有相移膜的区域(相移区域)与没有相移膜的区域之间的边界处的对比度。相移可以为150°以上，优选170°以上，且为250°以下，优选230°以下。虽然大多数常见的相移膜采用约180°的相移，但是根据增加对比度的观点，相移不限于约180°。对于波长为200nm以下的光(曝光光)，特别是ArF准分子激光(193nm)，本发明中的相移膜可以具有控制在上述范围内的相移量。同时，对于曝光光本发明中的相移膜的透射率可以为60％至80％的高透射率，这与现有技术中的通常的透射率不同。
当相移膜的整体厚度薄时，可容易地形成精细的图案。因此，本发明中的相移膜的总厚度为150nm以下，优选为130nm以下。同时，可以设定相移膜厚度的下限，只要可以利用曝光光获得所需的光学特性，并且通常为50nm以上，然而不限于此。
本发明中的相移膜在由单层组成时，在这样的单层整体中；在该相移膜由多层组成时，在这样的多层中的一个或多个层中；特别地，在该相移膜设置有氧化表面层时，在除了下面描述的氧化表面层之外的多层整体中，其对于曝光光的折射率n优选为1.75以上，更优选1.8以上。在将相移膜的氧含量控制在60at％以下，特别是50at％以下的情况下，或者在降低过渡金属含量的情况下，相移膜可具有规定的透射率和增加的折射率，并且还可具有更薄的厚度，满足相移膜必要的相移。在氧含量低时，折射率高，并且高折射率有助于获得具有所需相移的较薄的膜。
本发明中的相移膜在由单层组成时，在这样的单层整体中；在由多层组成时，在这样的多层整体中，其对于曝光光的消光系数k大于0(零)，优选为0.1以下，更优选0.05以下。
本发明中的相移膜可以通过已知的成膜方法形成。相移膜优选通过溅射形成，通过溅射可容易地获得高度均匀的膜，并且溅射可以是DC溅射或RF溅射。根据要形成的层的种类和组成适当地选择靶和溅射气体。靶的实例包括硅靶、氮化硅靶和含有硅和氮化硅两者的靶。这些靶可以含有氧。对于含有过渡金属的相移膜，这些靶可以含有过渡金属。在含有过渡金属的相移膜的情况下，可以同时使用含有过渡金属的靶和不含过渡金属的靶。在适当控制进料量的情况下，可以通过使用诸如含氮气体、含氧气体以及含氮和氧的气体的任何反应性气体的反应性溅射来控制氮含量和氧含量。特别地，氮气(N2气体)、氧气(O2气体)和氮氧化物气体(N2O气体、NO气体和NO2气体)可以用作反应性气体。还可以采用诸如氦气、氖气和氩气的稀有气体作为溅射气体。
为了抑制相移膜性质的变化，由多层组成的相移膜可以包括在顶面(在远离透明衬底的一侧)上形成为最外层的氧化表面层。氧化表面层的氧含量可以为20at％以上，优选50at％以上。形成氧化表面层的方法的实例具体包括大气氧化(自然氧化)；和强制氧化处理诸如用臭氧气体或臭氧水处理溅射膜，或在诸如氧气气氛的含氧气氛中，通过在烘箱中加热、灯退火或激光加热，加热至300℃以上。氧化表面层的厚度优选为10nm以下，更优选5nm以下，最优选3nm以下。通常在厚度为1nm以上的情况下可获得氧化表面层的效果。虽然氧化表面层可以在增加的氧量下通过溅射形成，但是就获得具有较少缺陷的层而言，更优选通过上述大气氧化或氧化处理形成氧化表面层。
本发明的相移型光掩模坯料可以包括由单层或多层组成的第二层，并形成在相移膜上方。第二层通常与相移膜相邻设置。第二层的具体例子是遮光膜、遮光膜与抗反射膜的组合、以及在对相移膜进行图案化的过程中作为硬掩模起作用的加工辅助膜。在如下所述采用第三层的情况下，第二层可以用作在对第三层进行图案化的过程中作为蚀刻停止层(蚀刻停止膜)起作用的加工辅助膜。第二层的材料优选为含铬材料。
通过图2A中所例示的相移型光掩模坯料来具体地举例说明本实施方案。图2A是说明本发明的示例性相移型光掩模坯料的横截面图。在该实施方案中，相移型光掩模坯料100包括透明衬底10、形成在透明衬底10上的相移膜1，以及形成在相移膜1上的第二层2。
本发明的相移型光掩模坯料可以包括设置在相移膜上方、作为第二层的遮光膜。或者，可以将遮光膜与抗反射膜组合以形成第二层。包括遮光膜的第二层可在相移型光掩模中提供完全阻挡曝光光的区域。遮光膜和抗反射膜也可以用作蚀刻中的加工辅助膜。有许多关于遮光膜和抗反射膜的膜结构和材料的报道(例如，JP-A 2007-33469(专利文献2)、JP-A 2007-233179(专利文献3))。具有其中组合了遮光膜和抗反射膜的优选膜结构的例子是其中提供由含铬材料构成的遮光膜，且进一步提供用于减少来自遮光膜的反射的由含铬材料构成的抗反射膜的结构。遮光膜和抗反射膜可以由单层或多层组成。遮光膜和抗反射膜的含铬材料的实例包括铬(单质)和诸如氧化铬(CrO)、氮化铬(CrN)、碳化铬(CrC)、氧氮化铬(CrON)、碳氧化铬(CrOC)、氮碳化铬(CrNC)和氧氮碳化铬(CrONC)的铬化合物。值得注意的是，代表含铬材料的化学式仅仅表示构成元素，而不是构成元素的组成比(以下同样适用于含铬材料)。
对于作为遮光膜，或遮光膜与抗反射膜的组合的第二层，遮光膜中的铬化合物的铬含量优选为40at％以上，更优选60at％以上，且优选小于100at％，更优选99at％以下，最优选90at％以下。氧含量优选为60at％以下，更优选40at％以下，且优选1at％以上。氮含量优选为50at％以下，更优选40at％以下，且优选1at％以上。碳含量优选为20at％以下，更优选10at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。在这种情况下，铬、氧、氮和碳的总含量优选为95at％以上，更优选99at％以上，最优选100at％。
对于作为遮光膜与抗反射膜的组合的第二层，抗反射膜优选由铬化合物构成，并且铬化合物的铬含量优选为30at％以上，更优选35at％以上，并且为70at％以下，更优选50at％以下。氧含量优选为60at％以下，且优选1at％以上，更优选20at％以上。氮含量优选为50at％以下，更优选30at％以下，且优选1at％以上，更优选3at％以上。碳含量优选为20at％以下，更优选5at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。在这种情况下，铬、氧、氮和碳的总含量优选为95at％以上，更优选99at％以上，最优选100at％。
对于作为遮光膜，或者遮光膜与抗反射膜的组合的第二层，第二层的厚度通常为20nm至100nm，优选为40nm至70nm。对于波长为200nm以下的曝光光，相移膜和第二层的总光学密度优选为2.0以上，更优选2.5以上，最优选3.0以上。
在本发明的相移型光掩模坯料的第二层上方，可以提供由单层或多层组成的第三层。第三层通常与第二层相邻设置。第三层的具体例子是在对第二层进行图案化的过程中作为硬掩模起作用的加工辅助膜、遮光膜以及遮光膜与抗反射膜的组合。构成第三层的材料优选是含硅材料，特别是不含铬的含硅材料。
通过图2B中所例示的相移型光掩模坯料来具体地举例说明本实施方案。图2B是说明本发明的示例性相移型光掩模坯料的横截面图。在该实施方案中，相移型光掩模坯料100包括透明衬底10、形成在透明衬底10上的相移膜1、形成在相移膜1上的第二层2以及形成在第二层2上的第三层3。
对于作为遮光膜，或者遮光膜与抗反射膜的组合的第二层，可以提供在对第二层进行图案化的过程中作为硬掩模起作用的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)作为第三层。在如下所述采用第四层的情况下，第三层可以用作在对第四层进行图案化的过程中作为蚀刻停止层(蚀刻停止膜)起作用的加工辅助膜。加工辅助膜优选由在蚀刻特性方面与第二层不同的材料构成，诸如耐含铬材料的氯基干法蚀刻的材料，特别是可通过含氟气体蚀刻如SF6和CF4的含硅材料。含硅材料的实例包括硅(单质)和硅化合物诸如含硅以及氮和氧中的任一种或两种的材料、含硅和过渡金属的材料、含硅以及氮和氧中的任一种或两种与过渡金属的材料。过渡金属的实例包括钼、钽和锆。
对于作为加工辅助膜的第三层，加工辅助膜优选由硅化合物构成。硅化合物的硅含量优选为20at％以上，更优选33at％以上，且优选95at％以下，更优选80at％以下。氮含量优选为50at％以下，更优选30at％以下，且优选1at％以上。氧含量优选为70at％以下，更优选66at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上，更优选20at％以上。过渡金属含量优选为35at％以下，更优选20at％以下。在这种情况下，硅、氧、氮和过渡金属的总含量优选为95at％以上，更优选99at％以上，最优选100at％。
对于作为遮光膜，或遮光膜与抗反射膜的组合的第二层，以及作为加工辅助膜的第三层，第二层的厚度通常为20nm至100nm，优选为40nm至70nm，第三层的典型厚度通常为1nm至30nm，优选为2nm至15nm。对于波长为200nm以下的曝光光，相移膜和第二层的总光学密度优选为2.0以上，更优选2.5以上，最优选3.0以上。
对于作为加工辅助膜的第二层，可以提供遮光膜作为第三层。可以提供与抗反射膜组合的遮光膜作为第三层。在这种情况下，第二层可以用作在对相移膜进行图案化的过程中作为硬掩模起作用的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)，并且用作对第三层进行图案化的过程中的加工辅助膜(蚀刻停止膜)。加工辅助膜的例子是诸如在JP-A 2007-241065(专利文献4)中所公开的由含铬材料构成的膜。加工辅助膜可以由单层或多层组成。加工辅助膜的含铬材料的实例包括铬(单质)和铬化合物诸如氧化铬(CrO)、氮化铬(CrN)、碳化铬(CrC)、氧氮化铬(CrON)、碳氧化铬(CrOC)、氮碳化铬(CrNC)和氧氮碳化铬(CrONC)。
对于作为加工辅助膜的第二层，第二层中的铬化合物的铬含量优选为40at％以上，更优选50at％以上，且优选100at％以下，更优选99at％以下，最优选90at％以下。氧含量优选为60at％以下，更优选55at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。氮含量优选为50at％以下，更优选40at％以下，且优选1at％以上。碳含量优选为20at％以下，更优选10at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。在这种情况下，铬、氧、氮和碳的总含量优选为95at％以上，特别是99at％以上，最优选100at％。
作为第三层的遮光膜和抗反射膜优选由在蚀刻特性方面与第二层不同的材料构成，诸如耐含铬材料的氯基干法蚀刻的材料，特别是可通过含氟气体蚀刻诸如SF6和CF4的含硅材料。含硅材料的实例包括硅(单质)和硅化合物诸如含硅以及氮和氧中的任一种或两种的材料、含硅和过渡金属的材料、含硅以及氮和氧中的任一种或两种与过渡金属的材料。过渡金属的实例包括钼、钽和锆。
对于作为遮光膜，或者遮光膜与抗反射膜的组合的第三层，遮光膜和抗反射膜优选由硅化合物构成。硅化合物的硅含量优选为10at％以上，更优选30at％以上，且优选小于100at％，更优选95at％以下。氮含量优选为50at％以下，优选40at％以下，最优选20at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。氧含量优选为60at％以下，更优选30at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。过渡金属含量优选为35at％以下，优选20at％以下，且优选1at％以上。在这种情况下，硅、氧、氮和过渡金属的总含量优选为95at％以上，更优选99at％以上，最优选100at％。
对于作为加工辅助膜的第二层，以及作为遮光膜，或者遮光膜与抗反射膜的组合的第三层，第二层的厚度通常为1nm至20nm，优选为2nm至10nm，第三层的厚度通常为20nm至100nm，优选为30nm至70nm。对于波长为200nm以下的曝光光，相移膜、第二层和第三层的总光学密度优选为2.0以上，更优选2.5以上，最优选3.0以上。
在本发明的相移型光掩模坯料的第三层上方，可以提供由单层或多层组成的第四层。第四层通常与第三层相邻设置。第四层的具体例子是在对第三层进行图案化的过程中作为硬掩模起作用的加工辅助膜。第四层的材料优选为含铬材料。
通过图2C中所例示的相移型光掩模坯料来具体地举例说明该实施方案。图2C是说明本发明的示例性相移型光掩模坯料的横截面图。在该实施方案中，相移型光掩模坯料100包括透明衬底10，形成在透明衬底10上的相移膜1，形成在相移膜1上的第二层2，形成在第二层2上的第三层3和形成在第三层3上的第四层4。
对于作为遮光膜，或者遮光膜与抗反射膜的组合的第三层，可以提供在对第三层进行图案化的过程中作为硬掩模起作用的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)作为第四层。加工辅助膜优选由在蚀刻特性方面与第三层不同的材料构成，诸如耐含硅材料的氟基干蚀刻的材料，特别是可通过含氧的氯基气体蚀刻的含铬材料。含铬材料的例子是铬(单质)和铬化合物诸如氧化铬(CrO)、氮化铬(CrN)、碳化铬(CrC)、氧氮化铬(CrON)、碳氧化铬(CrOC)、氮碳化铬(CrNC)和氧氮碳化铬(CrONC)。
对于作为加工辅助膜的第四层，第四层的铬含量优选为40at％以上，更优选50at％以上，且优选100at％以下，更优选99at％以下，最优选90at％以下。氧含量优选为60at％以下，更优选40at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。氮含量优选为50at％以下，更优选40at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。碳含量优选为20at％以下，更优选10at％以下，并且如果必须调节蚀刻速率，则优选1at％以上。在这种情况下，铬、氧、氮和碳的总含量优选为95at％以上，更优选99at％以上，最优选100at％。
对于作为加工辅助膜的第二层，作为遮光膜，或者遮光膜与抗反射膜的组合的第三层，以及作为加工辅助膜的第四层，第二层的厚度通常为1nm至20nm，优选为2nm至10nm，第三层的厚度通常为20nm至100nm，优选为30nm至70nm，第四层的厚度通常为1nm至30nm，优选为2nm至20nm。对于波长为200nm以下的曝光光，相移膜、第二层和第三层的总光学密度优选为2.0以上，更优选2.5以上，最优选3.0以上。
由用于第二层和第四层的含铬材料构成的膜可以通过反应性溅射来形成，该反应性溅射使用靶诸如铬靶或者添加了选自氧、氮和碳的一种或多种元素的含铬靶，并且使用含有诸如Ar、He和Ne的稀有气体的溅射气体，该溅射气体根据待形成的膜的组成适当地添加有选自含氧气体、含氮气体和含碳气体的反应性气体。
同时，由用于第三层的含硅材料构成的膜可以通过反应性溅射来形成，该反应性溅射使用靶诸如硅靶、氮化硅靶、含硅和氮化硅两者的靶、过渡金属靶、硅与过渡金属的复合靶，并且使用含有诸如Ar、He、Ne的稀有气体的溅射气体，该溅射气体根据待形成的膜的组成适当添加有选自含氧气体、含氮气体和含碳气体的反应性气体。
可以通过任何常规方法由相移型光掩模坯料制造本发明的相移型光掩模。可以从包括由在相移膜上形成为第二层的含铬材料构成的膜的示例性相移型光掩模坯料，通常按照以下工艺制造相移型光掩模。
首先，在相移型光掩模坯料的第二层上形成电子束抗蚀剂膜，通过电子束绘制图案，接着进行预定的显影操作，以获得抗蚀剂图案。接下来，将获得的抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，通过含氧的氯基干法蚀刻将抗蚀剂图案转印到第二层，以获得第二层图案。接下来，将获得的第二层图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将第二层图案转印到相移膜，以获得相移膜图案。在需要保留第二层的一部分的情况下，在第二层上形成保护该待保留的部分的另一抗蚀剂图案，并且通过含氧的氯基干法蚀刻除去未用抗蚀剂图案保护的第二层的部分。然后通过常规方法除去抗蚀剂图案以获得相移型光掩模。
可以从包括由含铬材料构成的作为相移膜上的第二层的遮光膜或者遮光膜与抗反射膜的组合以及由含硅材料构成的作为第二层上的第三层的加工辅助膜的示例性相移型光掩模坯料，通常按照以下工艺制造相移型光掩模。
首先，在相移型光掩模坯料的第三层上形成电子束抗蚀剂膜，通过电子束绘制图案，接着进行预定的显影操作，以获得抗蚀剂图案。接下来，将所获得的抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将抗蚀剂图案转印到第三层，以获得第三层图案。接下来，将获得的第三层图案用作蚀刻掩模，通过含氧的氯基干法蚀刻将第三层图案转印到第二层，以获得第二层图案。然后除去抗蚀剂图案，并将获得的第二层图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将第二层图案转印到相移膜，以获得相移膜图案并同时除去第三层图案。接下来，在第二层上形成保护待保留的第二层的一部分的另一抗蚀剂图案，并且通过含氧的氯基干法蚀刻除去未用抗蚀剂图案保护的第二层的部分。然后通过常规方法除去抗蚀剂图案以获得相移型光掩模。
同时，可以从包括由含铬材料构成的作为相移膜上的第二层的加工辅助膜以及由含硅材料构成的作为第二层上的第三层的遮光膜或者遮光膜与抗反射膜的组合的示例性相移型光掩模坯料，通常按照以下工艺制造相移型光掩模。
首先，在相移型光掩模坯料的第三层上形成电子束抗蚀剂膜，通过电子束绘制图案，接着进行预定的显影操作，以获得抗蚀剂图案。接下来，将所获得的抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将抗蚀剂图案转印到第三层，以获得第三层图案。接下来，将所获得的第三层图案用作蚀刻掩模，通过含氧的氯基干法蚀刻将第三层图案转印到第二层，以获得其中相移膜将要被除去的部分已被除去的第二层图案。然后除去抗蚀剂图案。接下来，在第三层上形成保护待保留的第三层的一部分的另一抗蚀剂图案，将所获得的第二层图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将第二层图案转印到相移膜，以获得相移膜图案，并同时除去未用抗蚀剂图案保护的第三层的部分。然后通过常规方法除去抗蚀剂图案。进一步，通过含氧的氯基干蚀刻除去暴露于第三层已被除去的部分中的第二层的部分，以获得相移型光掩模。
进一步，可以从包括由含铬材料构成的作为相移膜上的第二层的加工辅助膜、由含硅材料构成的作为第二层上的第三层的遮光膜或遮光膜与抗反射膜的组合以及由含铬材料构成的作为第三层上的第四层的加工辅助膜的示例性相移型光掩模坯料，通常按照以下工艺制造相移型光掩模。
首先，在相移型光掩模坯料的第四层上形成电子束抗蚀剂膜，通过电子束绘制图案，接着进行预定的显影操作，以获得抗蚀剂图案。接下来，将所获得的抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，通过含氧的氯基干法蚀刻将抗蚀剂图案转印到第四层，以获得第四层图案。接下来，将获得的第四层图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将第四层图案转印到第三层，以获得第三层图案。然后除去抗蚀剂图案。接下来，在第四层上形成保护待保留的第三层的一部分的另一抗蚀剂图案，并且将所获得的第三层图案用作蚀刻掩模，通过含氧的氯基干法蚀刻将第三层图案转印到第二层，以获得第二层图案，并同时除去未用抗蚀剂图案保护的第四层的部分。接下来，将第二层图案用作蚀刻掩模，通过氟基干法蚀刻将第二层图案转印到相移膜，以获得相移膜图案，并同时除去未用抗蚀剂图案保护的第三层的部分。然后通过常规方法除去抗蚀剂图案。进一步，然后通过含氧的氯基干燥蚀刻除去暴露于第三层已被除去的部分中的第二层的部分和暴露于抗蚀剂图案已被除去的部分中的第四层的部分，以获得相移型光掩模。
当通过使用波长为200nm以下的曝光光诸如ArF准分子激光(193nm)和F2激光(157nm)，将掩模图案转印到形成在被加工的衬底上的光致抗蚀剂膜上时，本发明的相移型光掩模在用于在被加工的衬底上形成半间距为50nm以下，特别是30nm以下，尤其是20nm以下的图案的光刻中特别有效。
本发明中的图案曝光方法采用由相移型光掩模坯料制造的相移型光掩模，通过该相移型光掩模用曝光光照射包括相移膜图案的光掩模图案，从而将光掩模图案转印到光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜形成在要加工的衬底上并且是通过光掩模图案曝光的对象。可以通过干式曝光或浸没式曝光来照射曝光光。当通过倾向于在实际生产中在相对短的时间内增加累积照射能量的浸没式曝光，尤其是通过应用于作为要加工衬底的尺寸为300mm以上的晶片的浸没式曝光将本发明中的图案曝光方法应用于通过光掩模图案的曝光时，该方法特别有效。
实施例
以下通过说明而非限制的方式给出本发明的实施例。
实施例1
将152mm见方、6.35mm厚的6025石英衬底放入溅射装置的腔室中，通过使用硅(Si)靶作为溅射靶，以及氩气、氮气和氧气作为溅射气体，在施加到硅(Si)靶上的功率为1000W、氩气流量为15sccm、氮气流量为11sccm、氧气流量为11sccm的条件下，在该6025石英衬底上形成由SiON制成的单层相移膜，从而获得相移型光掩模坯料。对于ArF准分子激光(193nm)，该相移膜的相移为188°，透射率为71％，厚度为113nm。该膜通过XPS(X射线光电子能谱法，以下同样适用)分析的组成为38at％的硅(Si)、16at％的氮(N)和46at％的氧(O)。
实施例2
将152mm见方、6.35mm厚的6025石英衬底放置在溅射装置的腔室中，通过使用硅化钼(MoSi，仅表示构成元素，而不是构成元素的组成比，以下同样适用)靶和硅(Si)靶作为溅射靶，以及氩气、氮气和氧气作为溅射气体，在施加到硅化钼(MoSi)靶上的功率为50W、施加到硅(Si)靶上的功率为1800W、氩气流量为15sccm、氮气流量为20sccm、氧气流量为13.5sccm的条件下，在该6025石英衬底上形成由MoSiON(仅表示构成元素，而不是构成元素的组成比，以下同样适用)制成的单层相移膜，从而获得相移型光掩模坯料。对于ArF准分子激光(193nm)，该相移膜的相移为185°，透射率为75％，厚度为112nm。该膜通过XPS分析的组成为37at％的硅(Si)、15at％的氮(N)和47at％的氧(O)，且钼(Mo)的含量与钼(Mo)和硅(Si)的总含量之比(原子比)为0.002，从而具有小于1at％的钼(Mo)含量。尽管本实施例的相移膜被设计为含有微量的过渡金属(Mo)，但该相移膜具有可与在实施例1中获得的不含过渡金属(Mo)的相移膜的相移、透射率和厚度相当的相移、透射率和厚度。
实施例3
将152mm见方、6.35mm厚的6025石英衬底放置在溅射装置的腔室中，并通过使用硅化钼(MoSi)靶和硅(Si)作为溅射靶，以及氩气、氮气和氧气作为溅射气体，在施加到硅化钼(MoSi)靶上的功率为100W(其高于实施例2中)、施加到硅(Si)靶上的功率为1,750W、氩气流量为15sccm、氮气流量为20sccm、氧气流量为16sccm的条件下，在该6025石英衬底上形成由MoSiON制成的单层相移膜，从而获得相移型光掩模坯料。对于ArF准分子激光(193nm)，该相移膜的相移为190°，透射率为74％，厚度为130nm。该膜通过XPS分析的组成为36at％的硅(Si)、10at％的氮(N)和53at％的氧(O)，且钼(Mo)的含量(原子比)与钼(Mo)和硅(Si)的总含量之比为0.02，从而具有小于1at％的钼(Mo)含量。
比较例1
将152mm见方、6.35mm厚的6025石英衬底放置在溅射装置的腔室中，并通过使用硅化钼(MoSi)靶和硅(Si)靶作为溅射靶，以及氩气、氮气和氧气作为溅射气体，在施加到硅化钼(MoSi)靶上的功率为150W(其高于实施例3中)、施加到硅(Si)靶上的功率为1,700W、氩气流量为17sccm、氮气流量为20sccm和氧气流量为18.7sccm的条件下，在该6025石英衬底上形成由MoSiON制成的单层相移膜，从而获得相移型光掩模坯料。对于ArF准分子激光(193nm)，该相移膜的相移为195°，透射率为71％，厚度为152nm。该膜通过XPS分析的组成为34at％的硅(Si)、5at％的氮(N)和60at％的氧(O)，且钼(Mo)的含量(原子比)与钼(Mo)和硅(Si)的总含量之比为0.03，从而具有1at％的钼(Mo)含量。
比较例2
将152mm见方、6.35mm厚的6025石英衬底放置在溅射装置的腔室中，并通过使用硅化钼(MoSi)靶和硅(Si)靶作为溅射靶，以及氩气、氮气和氧气作为溅射气体，在施加到硅化钼(MoSi)靶上的功率为200W(其高于比较例1中)、施加到硅(Si)靶上的功率为1,650W、氩气流量为15sccm、氮气流量为23.5sccm和氧气流量为20sccm的条件下，在该6025石英衬底上形成由MoSiON制成的单层相移膜，从而获得相移型光掩模坯料。对于ArF准分子激光(193nm)，该相移膜的相移为188°，透射率为73％，厚度为160nm。该膜通过XPS分析的组成为32at％的硅(Si)、2.6at％的氮(N)和64at％的氧(O)，且钼(Mo)的含量与钼(Mo)和硅(Si)的总含量之比(原子比)为0.04，从而具有1at％的钼(Mo)含量。
比较例3
将152mm见方、6.35mm厚的6025石英衬底放入溅射装置的腔室中，并通过使用硅(Si)靶作为溅射靶，以及氩气和氧气作为溅射气体，在施加到硅(Si)靶上的功率为1000W、氩气流量为15sccm、氧气流量为40sccm的条件下，在该6025石英衬底上形成由SiO制成的单层相移膜，从而获得相移型光掩模坯料。对于ArF准分子激光(193nm)，该相移膜的相移为215°，透射率为90％，厚度为200nm。该膜通过XPS分析的组成为33at％的硅(Si)和67at％的氧(O)。

Claims (7)

1.一种相移型光掩模坯料，包含衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包含选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，其中，
对于波长为200nm以下的光，所述相移膜的相移为150°至250°，透射率为60％至80％，厚度为150nm以下，并且，
由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.03以下。
2.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，
所述相移膜包含由过渡金属、硅、氮和氧构成的层，并且
由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.001以上。
3.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，构成所述相移膜的每个层的氮和氧的总含量为50at％以上。
4.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，构成所述相移膜的每个层的氮含量为10at％以上，且在所述层中氮含量低于氧含量。
5.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，其中，所述过渡金属包含钼。
6.根据权利要求1所述的相移型光掩模坯料，进一步包含在所述相移膜上的由单层或多层组成的第二层，所述第二层由含铬材料构成。
7.一种相移型光掩模，其通过使用权利要求1所述的相移型光掩模坯料制备。
CN201910914432.6A 2018-09-26 2019-09-26 相移型光掩模坯料和相移型光掩模 Pending CN110955109A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018180590A JP6927177B2 (ja) 2018-09-26 2018-09-26 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク
JP2018-180590 2018-09-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110955109A true CN110955109A (zh) 2020-04-03

Family

ID=67988891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910914432.6A Pending CN110955109A (zh) 2018-09-26 2019-09-26 相移型光掩模坯料和相移型光掩模

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200096856A1 (zh)
EP (1) EP3629084B1 (zh)
JP (1) JP6927177B2 (zh)
KR (1) KR102493632B1 (zh)
CN (1) CN110955109A (zh)
SG (1) SG10201908738VA (zh)
TW (1) TWI801665B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021059890A1 (zh) * 2019-09-25 2021-04-01
JP7296927B2 (ja) * 2020-09-17 2023-06-23 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク
KR20230098678A (ko) * 2020-11-20 2023-07-04 엔테그리스, 아이엔씨. 포토리소그래피에 사용하기 위한 위상 시프트 레티클

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
JP2002258458A (ja) * 2000-12-26 2002-09-11 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク
US6569581B2 (en) * 2001-03-21 2003-05-27 International Business Machines Corporation Alternating phase shifting masks
US7288366B2 (en) * 2003-10-24 2007-10-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for dual damascene patterning with single exposure using tri-tone phase shift mask
JP4933753B2 (ja) 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
JP4551344B2 (ja) 2006-03-02 2010-09-29 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP2012203317A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
JP2018063441A (ja) * 2013-11-06 2018-04-19 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
JP6266322B2 (ja) * 2013-11-22 2018-01-24 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP6341129B2 (ja) * 2015-03-31 2018-06-13 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
US9897911B2 (en) * 2015-08-31 2018-02-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask
JP6733464B2 (ja) * 2016-09-28 2020-07-29 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
JP6677139B2 (ja) * 2016-09-28 2020-04-08 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法
KR20180041042A (ko) * 2016-10-13 2018-04-23 주식회사 에스앤에스텍 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6243071B1 (ja) 2017-04-03 2017-12-06 旋造 田代 通信内容翻訳処理方法、通信内容翻訳処理プログラム、及び、記録媒体
US20180335692A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-22 S&S Tech Co., Ltd. Phase-shift blankmask and phase-shift photomask

Also Published As

Publication number Publication date
TW202013059A (zh) 2020-04-01
KR20200035353A (ko) 2020-04-03
JP2020052195A (ja) 2020-04-02
EP3629084B1 (en) 2023-06-07
EP3629084A1 (en) 2020-04-01
US20200096856A1 (en) 2020-03-26
JP6927177B2 (ja) 2021-08-25
KR102493632B1 (ko) 2023-02-01
SG10201908738VA (en) 2020-04-29
EP3629084C0 (en) 2023-06-07
TWI801665B (zh) 2023-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6729508B2 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスク
CN106019810B (zh) 半色调相移掩模坯和半色调相移掩模
CN106019808B (zh) 相移掩模坯、相移掩模和坯制备方法
CN107870507B (zh) 半色调相移掩模坯和半色调相移掩模
CN106019809B (zh) 半色调相移掩模坯，半色调相移掩模，和图案曝光方法
CN106997145B (zh) 半色调相移光掩模坯和制造方法
KR102195696B1 (ko) 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크
KR20180051464A (ko) 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법
KR101903227B1 (ko) 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법
TWI811189B (zh) 光罩空白基板及光罩之製造方法
KR102493632B1 (ko) 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 위상 시프트형 포토마스크
JP2018116269A (ja) 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
TWI788304B (zh) 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩
KR102447767B1 (ko) 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크
JP2023073408A (ja) 位相シフトマスクブランクス、その製造方法及び位相シフトマスク
TWI834914B (zh) 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination