CN110942996A - 一种指纹识别芯片封装结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种指纹识别芯片封装结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一承载基底，在所述承载基底上设置分离膜以及指纹识别芯片，在所述指纹识别芯片的焊垫上形成导电柱，并在所述指纹识别芯片上设置一塑胶层；提供一透明玻璃基底，在所述透明玻璃基底的上表面形成凹腔，接着形成导电线路层并在其上设置多个焊球，将所述指纹识别芯片嵌入到所述透明玻璃基底的所述凹腔中，接着在所述凹腔与所述指纹识别芯片之间的间隙中注入封装材料，接着在所述透明玻璃基底的上表面形成一层致密的无机介电层以及半固化片，通过热压合工艺使得封装材料与塑胶层熔融在一起，并使得所述半固化片熔融而充分粘结所述无机介电层。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装结构及其制备方法，特别是涉及一种指纹识别芯片封装结构及其制备方法。
背景技术
现有的指纹识别芯片封装结构的制备过程中，通常是在电路板上设置一指纹识别芯片，然后利用塑封材料塑封该指纹识别芯片，接着在塑封层上设置一盖板。现有的指纹识别封装结构在使用过程中，由于塑封材料容易老化老化，进而导致该指纹识别封装结构翘曲变形。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种指纹识别芯片封装结构及其制备方法。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种指纹识别芯片封装结构的制备方法，包括以下步骤：1)提供一承载基底，在所述承载基底上设置一分离膜，在所述分离膜上设置一指纹识别芯片，所述指纹识别芯片的正面设置有指纹识别功能区以及多个焊垫；2)在所述承载基底上形成光刻胶层以覆盖所述指纹识别芯片，通过光刻工艺以形成暴露所述指纹识别芯片的所述焊垫的开口；3)在所述开口中填充金属材料以形成导电柱，并在所述导电柱的顶端形成凹坑；4)去除所述光刻胶层，并在所述指纹识别芯片上设置一塑胶层，所述塑胶层暴露所述导电柱，且所述塑胶层稍高于所述导电柱；5)提供一透明玻璃基底，在所述透明玻璃基底的上表面形成一容纳所述指纹识别芯片的凹腔，在所述凹腔的底面、所述凹腔的侧表面以及所述透明玻璃基底的上表面形成导电线路层；6)在所述凹腔的底面上的所述导电线路层上设置多个焊球，多个所述焊球与所述指纹识别芯片的多个所述导电柱一一对应；7)将所述指纹识别芯片嵌入到所述透明玻璃基底的所述凹腔中，在加热状态下，使得塑胶层具有粘性，进而将所述指纹识别芯片粘结到所述凹腔的底面，接着通过回流焊工艺使得焊球融化进而嵌入到相应的所述导电柱的所述凹坑中；8)将所述分离膜连同所述承载基底一起与所述指纹识别芯片分离，接着在所述凹腔与所述指纹识别芯片之间的间隙中注入封装材料，接着在所述透明玻璃基底的上表面形成一层致密的无机介电层，接着在所述无机介电层上铺设一半固化片，在所述无机介电层以及所述半固化片上形成开孔以暴露所述透明玻璃基底的上表面的部分所述导电线路层，并在所述开孔中形成导电结构；9)接着通过热压合工艺使得封装材料与塑胶层熔融在一起，并使得所述半固化片熔融而充分粘结所述无机介电层。
作为优选，在所述步骤1)中，所述分离膜为临时键合胶层。
作为优选，在所述步骤3)中，填充金属材料的方法为热蒸镀、电镀、溅射、电子束蒸法中的一种，金属材料为金、银、铜、铝、镍、钛、钯中的一种或多种，形成凹坑的方法为激光刻蚀或反应离子刻蚀。
作为优选，在所述步骤4)中，所述塑胶层为聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、EVA、环氧树脂中的一种。
作为优选，在所述步骤5)中，所述导电线路层的材质为铜、铝、银中的一种或多种，形成所述导电线路层的方法为热蒸镀、电镀、溅射、电子束蒸法中的一种。
作为优选，在所述步骤7)中，加热的温度为50-150℃使得使得塑胶层具有粘性。
作为优选，在所述步骤8)中，封装材料为环氧树脂，无机介电层的材质为氮化硅、碳化硅、氧化锆、氧化硅中的一种，所述无机介电层的形成方法为PECVD或ALD，所述导电结构的材质与所述导电线路层的材质相同。
作为优选，在所述步骤9)中，所述热压合工艺具体为：以压力增加速率为每分钟增加5-10Kg/cm2的条件将压力增至30-60Kg/cm2同时以10-20℃/min升温至105-120℃，保持5-15分钟，接着以10-20℃/min升温至150-180℃，同时以压力降低速率为每分钟降低5-10Kg/cm2的条件将压力降至10-20Kg/cm2，保持20-30分钟，接着以10-20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下再压合5-10分钟。
本发明还提出了一种指纹识别芯片封装结构，其采用上述方法制备形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
在本发明的指纹识别芯片封装结构的制备过程中，首先在所述指纹识别芯片上设置一塑胶层，然后在加热状态下，使得塑胶层具有粘性，进而将所述指纹识别芯片粘结到所述凹腔的底面，实现了指纹识别芯片与透明玻璃基底初步固定，进而可以在后续的回流焊工艺过程中避免芯片歪斜。而通过在导电柱的顶端形成凹坑进而可以增强导电柱与焊球的焊接强度。而在后续的热压合工艺中，通过优化热压合工艺的具体工艺参数，使得封装材料与塑胶层熔融在一起，并使得所述半固化片熔融而充分粘结所述无机介电层，使得该指纹识别芯片封装结构间接为一个整体，提高了其稳定性。且在本发明的指纹识别芯片封装结构中，由于在透明玻璃基底中设置凹腔，一方面有效减少了封装材料的用量，另一方面直接将指纹识别芯片安装在玻璃盖板中，通过优化凹腔的深度，有效防止封装材料老化对封装结构的影响，同时提高了指纹识别芯片封装结构的灵敏度。
附图说明
图1-图7为本发明的指纹识别芯片封装结构的制备方法各步骤的结构示意图。
具体实施方式
如图1-图7所示，本实施例提供一种指纹识别芯片封装结构的制备方法，包括以下步骤：
如图1所示，首先进行步骤1)，提供一承载基底101，在所述承载基底101上设置一分离膜102，在所述分离膜102上设置一指纹识别芯片103，所述指纹识别芯片103的正面设置有指纹识别功能区1031以及多个焊垫1032。
其中，所述分离膜102为临时键合胶层，所述分离膜102与所述指纹识别芯片103可脱离的粘结，以便于后续指纹识别芯片103的分离。
如图2所示，在步骤2)中，在所述承载基底101上形成光刻胶层201以覆盖所述指纹识别芯片103，通过光刻工艺以形成暴露所述指纹识别芯片103的所述焊垫1032的开口202。
如图3所示，在步骤3)中，在所述开口202中填充金属材料以形成导电柱104，并在所述导电柱104的顶端形成凹坑1041。
其中，填充金属材料的方法为热蒸镀、电镀、溅射、电子束蒸法中的一种，金属材料为金、银、铜、铝、镍、钛、钯中的一种或多种，在本实施例中导电柱104的材料优选为铝，且通过热蒸镀的方式形成所述导电柱104，形成凹坑1041的方法为激光刻蚀或反应离子刻蚀。
如图4所示，在步骤4)中，去除所述光刻胶层，并在所述指纹识别芯片上设置一塑胶层105，所述塑胶层105暴露所述导电柱104，且所述塑胶层105稍高于所述导电柱104。
其中，所述塑胶层为聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、EVA、环氧树脂中的一种。所述塑胶层105通过粘结剂粘结于所述所述指纹识别芯片103的正面，并完全覆盖所述指纹识别功能区1031。更为优选的，所述塑胶层105比所述导电柱104高300-2000微米，以便于容纳焊球。
如图5所示，在步骤5)中，提供一透明玻璃基底301，在所述透明玻璃基底301的上表面形成一容纳所述指纹识别芯片103的凹腔302，在所述凹腔302的底面、所述凹腔302的侧表面以及所述透明玻璃基底301的上表面形成导电线路层303。在步骤6)中，在所述凹腔302的底面上的所述导电线路层303上设置多个焊球304，多个所述焊球304与所述指纹识别芯片103的多个所述导电柱104一一对应
其中，通过切割、湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述凹腔302，所述导电线路层303的材质为铜、铝、银中的一种或多种，在本实施例中导电线路层303的材料优选为铜，形成所述导电线路层303的方法为热蒸镀、电镀、溅射、电子束蒸法中的一种，在本实施例中通过热蒸镀形成所述导电线路层303。
如图6所示，在步骤7)中，将所述指纹识别芯片103嵌入到所述透明玻璃基底301的所述凹腔302中，在加热状态下，使得塑胶层105具有粘性，进而将所述指纹识别芯片粘结到所述凹腔的底面，接着通过回流焊工艺使得焊球304融化进而嵌入到相应的所述导电柱104的所述凹坑1041中。其中，加热的温度为50-150℃使得使得塑胶层具有粘性。
如图7所示，在步骤8)中，将所述分离膜102连同所述承载基底101一起与所述指纹识别芯片103分离，接着在所述凹腔302与所述指纹识别芯片103之间的间隙中注入封装材料401，接着在所述透明玻璃基底301的上表面形成一层致密的无机介电层501，接着在所述无机介电层501上铺设一半固化片601，在所述无机介电层501以及所述半固化片601上形成开孔以暴露所述透明玻璃基底301的上表面的部分所述导电线路层303，并在所述开孔中形成导电结构701；在步骤9)接着通过热压合工艺使得封装材料401与塑胶层105熔融在一起，并使得所述半固化片601固化而充分粘结所述无机介电层501。
其中，封装材料为环氧树脂，无机介电层的材质为氮化硅、碳化硅、氧化锆、氧化硅中的一种，所述无机介电层的形成方法为PECVD或ALD，所述导电结构的材质与所述导电线路层的材质相同，在本实施例中均为铜。所述热压合工艺具体为：以压力增加速率为每分钟增加5-10Kg/cm2的条件将压力增至30-60Kg/cm2同时以10-20℃/min升温至105-120℃，保持5-15分钟，接着以10-20℃/min升温至150-180℃，同时以压力降低速率为每分钟降低5-10Kg/cm2的条件将压力降至10-20Kg/cm2，保持20-30分钟，接着以10-20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下再压合5-10分钟。
在本实施例中，可以进一步包括减薄所述透明玻璃基底301的工序(未图示)，以使得在所述凹腔302区域，减薄后的所述透明玻璃基底301的厚度为80-150微米，有效提高了该指纹识别芯片封装结构的灵敏度。
本发明还公开一种利用上述方法制备的指纹识别芯片封装结构。
如上所述，本发明的指纹识别芯片封装结构及其制备方法与现有技术相比具有下列优点：
在本发明的指纹识别芯片封装结构的制备过程中，首先在所述指纹识别芯片上设置一塑胶层，然后在加热状态下，使得塑胶层具有粘性，进而将所述指纹识别芯片粘结到所述凹腔的底面，实现了指纹识别芯片与透明玻璃基底初步固定，进而可以在后续的回流焊工艺过程中避免芯片歪斜。而通过在导电柱的顶端形成凹坑进而可以增强导电柱与焊球的焊接强度。而在后续的热压合工艺中，通过优化热压合工艺的具体工艺参数，使得封装材料与塑胶层熔融在一起，并使得所述半固化片熔融而充分粘结所述无机介电层，使得该指纹识别芯片封装结构间接为一个整体，提高了其稳定性。且在本发明的指纹识别芯片封装结构中，由于在透明玻璃基底中设置凹腔，一方面有效减少了封装材料的用量，另一方面直接将指纹识别芯片安装在玻璃盖板中，通过优化凹腔的深度，有效防止封装材料老化对封装结构的影响，同时提高了指纹识别芯片封装结构的灵敏度。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供一承载基底，在所述承载基底上设置一分离膜，在所述分离膜上设置一指纹识别芯片，所述指纹识别芯片的正面设置有指纹识别功能区以及多个焊垫；
2)在所述承载基底上形成光刻胶层以覆盖所述指纹识别芯片，通过光刻工艺以形成暴露所述指纹识别芯片的所述焊垫的开口；
3)在所述开口中填充金属材料以形成导电柱，并在所述导电柱的顶端形成凹坑；
4)去除所述光刻胶层，并在所述指纹识别芯片上设置一塑胶层，所述塑胶层暴露所述导电柱，且所述塑胶层稍高于所述导电柱；
5)提供一透明玻璃基底，在所述透明玻璃基底的上表面形成一容纳所述指纹识别芯片的凹腔，在所述凹腔的底面、所述凹腔的侧表面以及所述透明玻璃基底的上表面形成导电线路层；
6)在所述凹腔的底面上的所述导电线路层上设置多个焊球，多个所述焊球与所述指纹识别芯片的多个所述导电柱一一对应；
7)将所述指纹识别芯片嵌入到所述透明玻璃基底的所述凹腔中，在加热状态下，使得塑胶层具有粘性，进而将所述指纹识别芯片粘结到所述凹腔的底面，接着通过回流焊工艺使得焊球融化进而嵌入到相应的所述导电柱的所述凹坑中；
8)将所述分离膜连同所述承载基底一起与所述指纹识别芯片分离，接着在所述凹腔与所述指纹识别芯片之间的间隙中注入封装材料，接着在所述透明玻璃基底的上表面形成一层致密的无机介电层，接着在所述无机介电层上铺设一半固化片，在所述无机介电层以及所述半固化片上形成开孔以暴露所述透明玻璃基底的上表面的部分所述导电线路层，并在所述开孔中形成导电结构；
9)接着通过热压合工艺使得封装材料与塑胶层熔融在一起，并使得所述半固化片熔融而充分粘结所述无机介电层。
2.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述分离膜为临时键合胶层。
3.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，填充金属材料的方法为热蒸镀、电镀、溅射、电子束蒸法中的一种，金属材料为金、银、铜、铝、镍、钛、钯中的一种或多种，形成凹坑的方法为激光刻蚀或反应离子刻蚀。
4.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤4)中，所述塑胶层为聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、EVA、环氧树脂中的一种。
5.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述导电线路层的材质为铜、铝、银中的一种或多种，形成所述导电线路层的方法为热蒸镀、电镀、溅射、电子束蒸法中的一种。
6.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤7)中，加热的温度为50-150℃使得使得塑胶层具有粘性。
7.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤8)中，封装材料为环氧树脂，无机介电层的材质为氮化硅、碳化硅、氧化锆、氧化硅中的一种，所述无机介电层的形成方法为PECVD或ALD，所述导电结构的材质与所述导电线路层的材质相同。
8.根据权利要求1所述的指纹识别芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤9)中，所述热压合工艺具体为：以压力增加速率为每分钟增加5-10Kg/cm2的条件将压力增至30-60Kg/cm2同时以10-20℃/min升温至105-120℃，保持5-15分钟，接着以10-20℃/min升温至150-180℃，同时以压力降低速率为每分钟降低5-10Kg/cm2的条件将压力降至10-20Kg/cm2，保持20-30分钟，接着以10-20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下再压合5-10分钟。
9.一种指纹识别芯片封装结构，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。
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