CN110936675B - 一种电子设备壳体及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子设备壳体，所述电子设备壳体包括基体及位于基体上依次层叠的纹理层和镀膜层，所述纹理层中含有无机纳米材料，所述无机纳米材料为一维无机纳米材料和/或二维无机纳米材料。本发明电子设备壳体的纹理层中含有上述无机纳米材料能够有效降低纹理层的热膨胀系数，使得电子设备壳体纹理层的热膨胀系数与镀膜层的热膨胀系数差值减小，热压成型工艺过程中纹理层与镀膜层间的热应力减小，镀膜层开裂的问题得到明显改善。

Description

一种电子设备壳体及电子设备
技术领域
本发明涉及电子产品领域，具体涉及一种电子设备壳体及电子设备。
背景技术
随着5G时代的到来，由于金属壳体的信号透过能力有限，其在5G领域的应用受到一定的限制，因此，选择有利于5G信号穿透的聚合物材料作为电子设备壳体的应用受到工程师们的广泛关注，有望得到大规模商业应用。通过在基体上设置纹理层、镀膜层和油墨层等多层结构，能够使以聚合物材料为基体的电子设备壳体具有光学纹理图案和金属光泽的视觉效果，从而增强聚合物材料壳体的质感。另一方面，为使电子设备具有优良的手感，还需将电子设备壳体热压成具有一定弧度的结构，加工成“3D”壳体。其中，基体上设置纹理层、镀膜层和油墨层的壳体，经热压成型工艺制得“3D”壳体的工艺路线，具有步骤简便、成本低廉的优势。但是，镀膜层在热压成型过程中的开裂问题，是限制制造工艺的瓶颈之一，亟待解决。
在制备上述热压成型电子设备壳体的过程中，纹理层是由UV固化胶通过UV转印工艺固化后得到。通常，纹理层的热膨胀系数较高（> 100 ppm/℃），而与之相邻的镀膜层是无机材料，镀膜层的热膨胀系数低（< 10 ppm/℃）且延展性较差。在热压成型过程中，纹理层与镀膜层之间的热膨胀系数差异使得两层之间产生明显的热应力，导致镀膜层开裂，严重影响热压成型电子设备壳体的视觉效果。
发明内容
为了解决电子设备壳体在热压成型过程中镀膜层开裂的技术问题，本发明提供一种电子设备壳体及电子设备，所述电子设备壳体纹理层的尺寸热稳定性得到提升，热压成型工艺过程中纹理层与镀膜层间的热应力减小，镀膜层开裂的问题得到明显改善。
为实现上述目的，本发明第一方面提供一种电子设备壳体，所述电子设备壳体包括基体及位于基体上依次层叠的纹理层和镀膜层，所述纹理层中含有无机纳米材料，所述无机纳米材料为一维无机纳米材料和/或二维无机纳米材料。
本发明第二方面提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的电子设备壳体。
本发明在电子设备壳体的纹理层中含有一维无机纳米材料和/或二维无机纳米材料，能够有效降低纹理层的热膨胀系数，提高纹理层的尺寸热稳定性，从而减小了电子设备壳体纹理层的热膨胀系数明显大于镀膜层的热膨胀系数导致的热压成型工艺过程中纹理层与镀膜层间的热应力，进而解决了热压成型工艺过程中镀膜层开裂的问题。
附图说明
图1是本发明中一实施例采用的电子设备壳体结构示意图；
图2是本发明中又一实施例采用的电子设备壳体结构示意图；
图中：1、基体，2、纹理层，3、镀膜层，4、油墨层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式。下面描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
如图1所示，本发明第一方面提供一种电子设备壳体，所述电子设备壳体包括基体1及位于基体1上依次层叠的纹理层2和镀膜层3，所述纹理层2中分含有无机纳米材料，所述无机纳米材料为一维无机纳米材料和/或二维无机纳米材料。
本发明的电子设备壳体的纹理层2中含有无机纳米材料，能够有效降低纹理层2的热膨胀系数，从而提高纹理层2的尺寸热稳定性，电子设备壳体纹理层2的热膨胀系数与镀膜层3的热膨胀系数差值减小，纹理层2与镀膜层3之间热应力明显减小，热压成型工艺过程中镀膜层3开裂的问题得到改善。
本发明中，优选地，以所述纹理层2的重量为基准，所述无机纳米材料的重量为纹理层2重量的5-50%。所述无机纳米材料的重量在上述优选范围内，能够进一步优化纹理层2与镀膜层3由于热膨胀所引起的应力作用，还可以避免光散射等负面影响的发生，更进一步地优化了电子设备壳体的光学效果。更优选地，所述无机纳米材料均匀分散在纹理层2中，能够进一步优化纹理层2中有机物和无机纳米材料界面间的相互作用，降低纹理层2的热膨胀系数，使得纹理层2与镀膜层3的热膨胀系数差值减小，也即镀膜层3与纹理层2之间的热应力明显减小，进而改善应力产生的开裂问题。
本发明中，所述一维无机纳米材料是指在三维空间中有两维处于纳米尺度的无机纳米材料；优选地，所述一维无机纳米材料为无机纳米纤维，所述无机纳米纤维是指直径为纳米尺度，具有一定长径比的线状材料。
为了进一步减小纹理层2与镀膜层3之间的热膨胀系数差，改善镀膜层3易开裂的技术，优选地，所述无机纳米纤维选自硅酸盐纳米纤维、硼酸盐纳米纤维、碳酸盐纳米纤维、铝酸盐纳米纤维、硫酸盐纳米纤维、钛酸盐纳米纤维、钒酸盐纳米纤维、铬酸盐纳米纤维、YaXb纳米纤维和针状硅酸盐凹凸棒土中的至少一种；所述Y为Ti、Zr、Si、Al、Mg、Sc、Zn、Sn、Y、Sb、Mn、B、Fe或Cu，所述X为O、S、C或N，所述a、b均大于0。
本发明中，优选地，所述硅酸盐纳米纤维选自硅酸铝纳米纤维、硅酸铁纳米纤维、硅酸钙纳米纤维和硅酸镁纳米纤维中的至少一种；所述硼酸盐纳米纤维选自硼酸锌纳米纤维、硼酸镁纳米纤维、硼酸铝纳米纤维、硼酸钙纳米纤维、硼酸锆纳米纤维和硼酸钡纳米纤维中的至少一种；所述碳酸盐纳米纤维选自碳酸钙纳米纤维、碳酸镁纳米纤维、碳酸锌纳米纤维、碳酸铅纳米纤维、碳酸锆纳米纤维和碳酸锰纳米纤维中的至少一种；所述铝酸盐纳米纤维选自铝酸镁纤维、铝酸钙纳米纤维、铝酸锆纳米纤维和铝酸钡纳米纤维中的至少一种；所述硫酸盐纳米纤维为硫酸钡纳米纤维；钛酸盐纳米纤维选自钛酸钙纳米纤维、钛酸铁纳米纤维和钛酸钡纳米纤维中的至少一种；钒酸盐纳米纤维选自钒酸铋纳米纤维、钒酸银纳米纤维、钒酸铟纳米纤维和钒酸铁纳米纤维中的至少一种；所述铬酸盐纳米纤维选自铬酸钡纳米纤维、铬酸铅纳米纤维和亚铬酸铜纳米纤维中的至少一种；所述YaXb纳米纤维选自二氧化钛纳米纤维、二氧化锆纳米纤维、二氧化硅纳米纤维、三氧化二铝纳米纤维、氧化镁纳米纤维、氧化钪纳米纤维、氧化锌纳米纤维、二氧化锡纳米纤维、氧化钇纳米纤维、三氧化二锑纳米纤维、氧化锰纳米纤维、氧化铁纳米纤维、氧化铜纳米纤维、二硫化钛纳米纤维、二硫化锆纳米纤维、硫化硅纳米纤维、三硫化二铝纳米纤维、硫化镁纳米纤维、硫化锌纳米纤维、碳化硅纳米纤维和氮化硼纳米纤维中的至少一种。
本发明中，优选地，所述无机纳米纤维的直径≤100nm，长径比为10-1000。更优选地，所述无机纳米纤维的直径为5-50nm，长径比为10-200。所述无机纳米纤维的直径与长径比在上述优选范围内，能够优化纹理层的的透光性能及光学效果。
本发明中，优选地，所述二维无机纳米材料是指在三维空间中有一维处于纳米尺度的无机纳米材料；优选地，所述二维无机纳米材料为层状纳米无机物，所述层状纳米无机物选自层状硅酸盐、层状过渡金属二硫化物、层状硫代亚磷酸盐、层状磷酸盐和层状金属卤化物中的至少一种。所述层状纳米无机物为层状二维结构，可以将有机单体或聚合物插入层状纳米无机物层间的纳米空间中，利用聚合热或剪切力将层状纳米无机物剥离成纳米结构单元或微区而均匀地分散到聚合物中，进而能够进一步利用纹理层2中有机物和无机纳米材料界面间的相互作用，降低纹理层2的热膨胀系数，使得纹理层2与镀膜层3的热膨胀系数差值减小，也即镀膜层3与纹理层2之间的热应力明显减小，进而改善应力产生的开裂问题。
本发明中，优选地，所述层状硅酸盐选自滑石、云母、粘土、沸石、锂蒙托石和氟锂蒙脱石中的至少一种；所述粘土选自高岭石、石脂、蒙脱石、蛭石、伊来石和水铝英石中的至少一种。
本发明中，优选地，所述层状纳米无机物的片层厚度为1-10nm，径厚比为10-500；更优选地，所述层状纳米无机物的片层厚度为1-5nm，径厚比20-400。所述层状纳米无机物层的片层长度及厚度在上述优选范围内，能够优化纹理层的的透光性能及光学效果。
本发明中，优选地，所述纹理层2还包括纹理层主体聚合物，所述纹理层主体聚合物含有碳元素、氢元素和氧元素。所述纹理层2主要起装饰作用，纹理层2可以根据需要设计纹理图案，本发明并不限制纹理层2的图案样式。
本发明中，优选地，纹理层中非碳元素、非氢元素和非氧元素的总质量与碳元素、氢元素、氧元素的总质量的比值为0.04-0.8。具体地，非碳元素、非氢元素和非氧元素主要来自无机纳米材料，少部分来自纹理层中聚合物；碳元素、氢元素和氧元素主要来自纹理层中的聚合物，少部分来自无机纳米材料。所述非（碳元素、氢元素、氧元素）的总质量与碳元素、氢元素、氧元素的总质量的比值在上述优选范围内，所述无机纳米材料在纹理层2中的分散效果更佳，且能够优化纹理层2与镀膜层3由于热膨胀所引起的应力作用，还可以避免光散射等负面影响的发生。
本发明中，优选地，所述基体1为聚合物基体，所述聚合物基体为一层或多层结构；所述聚合物基体的厚度为0.1-1.5 mm。
本发明中，所述聚合物基体优选为透明聚合物基体。使用透明聚合物为基体1，可以有效呈现纹理层2和镀膜层3的光学效果。
本发明中，优选地，聚合物基体的材料选自环氧树脂、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚4-甲基-1-戊烯、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯中的至少一种；更优选地，所述聚合物基体的材料为聚甲基丙烯酸甲酯/聚碳酸酯复合材料。
本发明中，优选地，所述电子设备壳体包括聚甲基丙烯酸甲酯层和聚碳酸酯层复合的基体1及位于聚碳酸酯层上依次层叠的纹理层2和镀膜层3。聚甲基丙烯酸甲酯用于电子设备壳体外层，能够提供较高的硬度和较好的耐候性；而聚碳酸酯则提供了较好的加工成型性能和抗冲击性能。
本发明中，优选地，所述纹理层2的厚度为5-50 μm；所述纹理层2由UV固化胶经UV转印工艺固化得到。所述UV固化胶中包含光引发剂、单体和无机纳米材料，在UV光条件下，所述UV固化胶固化形成内部含有无机纳米材料的纹理层2。无机纳米材料能够明显降低纹理层2的热膨胀系数，提高了纹理层2的尺寸热稳定性。
本发明中，优选地，所述镀膜层3的厚度为20-10000 nm，所述镀膜层3可以很好的反射中心波长在400-700 nm范围内的可见光。通过所述镀膜层3反射特定波长的可见光，能够赋予电子设备壳体靓丽的颜色和金属光泽的光学效果。
本发明中，优选地，所述镀膜层3具有两层或两层以上结构；进一步优选地，所述所述镀膜层3为钛的氧化物层、硅的氧化物层、铝的氧化物层、钽的氧化物层、铌的氧化物层、硅的碳化物层、钛的氮化物层和硅的氮化物层中的至少两层。通过两层或两层以上折射率不同的镀膜层的组合，能够实现对特定波长可见光的反射。
如图2所示，本发明中，电子设备还可以包括层叠于镀膜层3上的油墨层4，所述油墨层4的厚度为1-100 μm。油墨层4起到保护镀膜层3和遮蔽电子设备内部元器件的作用。
本发明中，优选地，所述电子设备壳体为具有3D外形的电子设备壳体，所述具有3D外形的电子设备壳体是经热压成型工艺制得，热压成型工艺步骤简便、成本低廉，适合大规模生产。所述3D电子设备壳体为具有一定弧度结构的壳体，3D电子设备壳体在使用时的手感好，即用户体验感好。
本发明第二方面提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的电子设备壳体。在本发明中，所述电子产品可以为手机、平板电脑、智能手表等各种电子产品，优选为手机。
通过上述技术方案，本发明通过在纹理层2中含有一维无机纳米材料和/或二维无机纳米材料，能够有效降低纹理层2的热膨胀系数，纹理层2与镀膜层3间的热应力明显减小，从而解决了电子设备壳体在经过热压成型后镀膜层3易开裂的问题。
下面通过实施例对本发明作进一步的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
使用转印机在聚甲基丙烯酸甲酯（厚度为0.05 mm）和聚碳酸酯（厚度为0.3 mm）双层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶，UV固化胶中含有硼酸镁纳米纤维（直径为40nm，长径比为20），硼酸镁纳米纤维的重量为UV固化胶重量的8%；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为7 μm）；在纹理层表面沉积氮化钛、二氧化硅镀膜层（总厚度为100 nm），镀膜可反射中心波长为450 nm的蓝光；将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体S1。
实施例2
使用转印机在聚甲基丙烯酸甲酯（厚度为0.05 mm）和聚碳酸酯（厚度为0.5 mm）双层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶，UV固化胶中含有二氧化锡纳米纤维（直径为20nm，长径比为100），二氧化锡纳米纤维的重量为UV固化胶重量的25%；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为15 μm）；在纹理层表面沉积二氧化钛、二氧化硅镀膜层（总厚度为50 nm），镀膜可反射中心波长为450 nm的蓝色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为15 μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体S2。
实施例3
使用转印机在聚甲基丙烯酸甲酯（厚度为0.05 mm）、聚碳酸酯（厚度为0.5 mm）和聚甲基丙烯酸甲酯（厚度为0.05 mm）三层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶，UV固化胶中含有蒙脱石（片层厚度为1nm，径厚比为100），蒙脱石的重量为UV固化胶重量的40%；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为30 μm）；在纹理层表面沉积二氧化钛、二氧化硅镀膜层（总厚度为50 nm），镀膜可反射中心波长为450 nm的蓝色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为30 μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体S3。
实施例4
与实施例3不同的是UV固化胶中含有云母（片层厚度为2nm，径厚比为200），云母的重量为UV固化胶重量的35%，制得电子设备壳体S4。
实施例5
与实施例3不同的是UV固化胶中含有硼酸镁纳米纤维（直径为10nm，长径比为60）和云母（片层厚度为3nm，径厚比为80），硼酸镁纳米纤维的重量为UV固化胶重量的10%，云母的重量为UV固化胶重量的20%，制得电子设备壳体S5。
实施例6
使用转印机在聚环氧树脂（厚度为0.2 mm）和聚苯乙烯（厚度为1.3 mm）双层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶，UV固化胶中含有氮化硼纳米纤维（直径为5 nm，长径比为200），氮化硼纳米纤维的重量为UV固化胶重量的30%；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为20 μm）；在纹理层表面沉积氮化硅、三氧化二铝镀膜层（总厚度为400 nm），镀膜可反射中心波长为的550 nm绿色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为30μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体S6。
实施例7
与实施例6不同的是UV固化胶中含有硅酸钙纳米纤维（直径为70 nm，长径比为100），硅酸钙纳米纤维的重量为UV固化胶重量的10%，制得电子设备壳体S7。
实施例8
与实施例6不同的是UV固化胶中含有硅酸钙纳米纤维（直径为120 nm，长径比为80），硅酸钙纳米纤维的重量为UV固化胶重量的25%，制得电子设备壳体S8。
实施例9
使用转印机在聚环氧树脂（厚度为0.2 mm）和聚苯乙烯（厚度为1.3 mm）双层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶，UV固化胶中含有滑石粉（片层厚度为7nm，径厚比为100），滑石粉的重量为UV固化胶重量的10%；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为20 μm）；在纹理层表面沉积二氧化硅、氧化钽、二氧化钛镀膜层（总厚度为10000 nm），镀膜可反射中心波长为700 nm的红色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为50 μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体S9。
实施例10
使用转印机在聚甲基丙烯酸甲酯（厚度为0.05 mm）和聚碳酸酯（厚度为0.5 mm）双层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶，UV固化胶中含有伊来石（片层厚度为3nm，径厚比为200），层状纳米无机物的重量为UV固化胶重量的70%；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为15 μm）；在纹理层表面沉积二氧化钛、二氧化硅镀膜层（总厚度为50 nm），镀膜可反射中心波长为450 nm的蓝色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为30 μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体S10。
对比例1
使用转印机在透明聚碳酸酯（厚度为0.5 mm）聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为20 μm）；在纹理层表面沉积二氧化钛、二氧化硅镀膜层（总厚度为500 nm），镀膜可反射中心波长为的450 nm的蓝色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为30 μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体D1。
对比例2
使用转印机在聚甲基丙烯酸甲酯（厚度为0.05 mm）和聚碳酸酯（厚度为0.5 mm）双层透明聚合物基体表面涂覆一层UV固化胶；在UV光作用下使UV固化胶聚合固化，形成具有一定形貌的纹理层（厚度为20 μm）；在纹理层表面沉积二氧化钛、二氧化硅镀膜层（总厚度为500 nm），镀膜可反射中心波长为的450 nm的蓝色光；在镀膜层表面印刷油墨层（厚度为30 μm），将经过上述处理的聚合物基体热压成型，得到电子设备壳体D2。
性能测试
1. 热膨胀系数测试
采用TA公司TMA Q400型热机械分析仪测量纹理层的热膨胀系数，具体步骤为：
将制备纹理层所用UV固化胶制备成厚度约为1毫米、上下两面平整的块体材料；
将块体置于热机械分析仪样品台，仪器测量样品在室温下T0的初始厚度h0；
以5℃/min升温，仪器记录样品在T温度下的厚度hT；
计算样品的热膨胀系数CTE：
CTE = (hT- h0)/ [h0(T-T0)]
2. 透光率、雾度测试
采用PerkinEImer公司Lambda 950型紫外-近红外可见光光谱仪测试纹理层的透光率和雾度，具体步骤为：将制备纹理层所用UV固化胶制备成厚度约为1毫米、上下两面平整的块体材料，用紫外-近红外可见光光谱仪测试可见光范围内的透光率和雾度；
3. 场发射扫描电子显微镜能谱测试
采用带X射线能谱仪（美国EDAX公司GENESIS APEX APOLLO X）的场发射扫描电子显微镜（日本电子JSM-7600F），对纹理层中各元素的质量比例进行表征，具体步骤为：将壳体用液氮淬断，使壳体的横截面暴露；用扫描电镜观察壳体的横截面，找到纹理层，扫描纹理层5 μm×5 μm 面积范围内，测非碳元素、非氢元素和非氧元素的总质量与碳元素、氢元素和氧元素总质量的比值；
定义数值M =（非碳元素、非氢元素和非氧元素总质量）÷（碳元素、氢元素和氧元素总质量）；
4. 显微镜观察
采用金相显微镜对所制得的电子设备壳体进行观察和拍摄，通过照片判断光学镀膜层开裂与否；
5. 外观效果
裸眼观察电子设备壳体外观是否发雾。
实施例及对比例的测试结果如表1所示：
表1
样品 纹理层热膨胀系数(ppm/℃) M值 透光率 雾度 镀膜层是否开裂 外观是否发雾
S1 94.6 0.041 91% 0.48% 不开裂 否
S2 58.3 0.25 90.5% 0.76% 不开裂 否
S3 46.2 0.32 89.3% 0.91% 不开裂 否
S4 51.0 0.26 89.6% 0.92% 不开裂 否
S5 53.9 0.195 89.9% 0.85% 不开裂 否
S6 55.4 0.53 89.7% 0.87% 不开裂 否
S7 91.3 0.07 90.7% 0.52% 不开裂 否
S8 63.5 0.213 82.5% 5.3% 不开裂 是（光散射导致）
S9 74.7 0.11 88.5% 1.12% 不开裂 否
S10 33.1 0.92 73.6% 21.5% 不开裂 是（光散射导致）
D1 156 0 91.6% 0.41% 开裂 是（纹理层开裂导致）
D2 156 0 91.6% 0.41% 开裂 是（纹理层开裂导致）
由实施例和对比例的测试结果可以看出，本发明通过在纹理层中无机纳米材料，能够有效降低纹理层的热膨胀系数，纹理层与镀膜层间的热应力明显减小，从而解决了电子设备壳体在经过热压成型后镀膜层开裂的问题。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (23)

1.一种电子设备壳体，其特征在于，所述电子设备壳体包括基体及位于基体上依次层叠的纹理层和镀膜层，所述纹理层中含有无机纳米材料，所述无机纳米材料为一维无机纳米材料和/或二维无机纳米材料，所述一维无机纳米材料为无机纳米纤维，所述二维无机纳米材料为层状纳米无机物；所述无机纳米纤维的直径≤100nm，长径比为10-1000，所述层状纳米无机物的片层厚度为1-10nm，径厚比为10-500；所述无机纳米材料的重量为纹理层重量的5-50%。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述无机纳米材料在纹理层中均匀分散。
3.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述无机纳米纤维选自硅酸盐纳米纤维、硼酸盐纳米纤维、碳酸盐纳米纤维、铝酸盐纳米纤维、硫酸盐纳米纤维、钛酸盐纳米纤维、钒酸盐纳米纤维、铬酸盐纳米纤维、YaXb纳米纤维和针状硅酸盐凹凸棒土中的至少一种；所述Y为Ti、Zr、Si、Al、Mg、Sc、Zn、Sn、Y、Sb、Mn、B、Fe或Cu，所述X为O、S、C或N，所述a、b均大于0。
4.根据权利要求3所述的电子设备壳体，其特征在于，所述硅酸盐纳米纤维选自硅酸铝纳米纤维、硅酸铁纳米纤维、硅酸钙纳米纤维和硅酸镁纳米纤维中的至少一种；所述硼酸盐纳米纤维选自硼酸锌纳米纤维、硼酸镁纳米纤维、硼酸铝纳米纤维、硼酸钙纳米纤维、硼酸锆纳米纤维和硼酸钡纳米纤维中的至少一种；所述碳酸盐纳米纤维选自碳酸钙纳米纤维、碳酸镁纳米纤维、碳酸锌纳米纤维、碳酸铅纳米纤维、碳酸锆纳米纤维和碳酸锰纳米纤维中的至少一种；所述铝酸盐纳米纤维选自铝酸镁纤维、铝酸钙纳米纤维、铝酸锆纳米纤维和铝酸钡纳米纤维中的至少一种；所述硫酸盐纳米纤维为硫酸钡纳米纤维；钛酸盐纳米纤维选自钛酸钙纳米纤维、钛酸铁纳米纤维和钛酸钡纳米纤维中的至少一种；钒酸盐纳米纤维选自钒酸铋纳米纤维、钒酸银纳米纤维、钒酸铟纳米纤维和钒酸铁纳米纤维中的至少一种；所述铬酸盐纳米纤维选自铬酸钡纳米纤维、铬酸铅纳米纤维和亚铬酸铜纳米纤维中的至少一种；所述YaXb纳米纤维选自二氧化钛纳米纤维、二氧化锆纳米纤维、二氧化硅纳米纤维、三氧化二铝纳米纤维、氧化镁纳米纤维、氧化钪纳米纤维、氧化锌纳米纤维、二氧化锡纳米纤维、氧化钇纳米纤维、三氧化二锑纳米纤维、氧化锰纳米纤维、氧化铁纳米纤维、氧化铜纳米纤维、二硫化钛纳米纤维、二硫化锆纳米纤维、硫化硅纳米纤维、三硫化二铝纳米纤维、硫化镁纳米纤维、硫化锌纳米纤维、碳化硅纳米纤维和氮化硼纳米纤维中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述无机纳米纤维的直径为5-50nm，长径比为10-200。
6.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述层状纳米无机物选自层状硅酸盐、层状过渡金属二硫化物、层状硫代亚磷酸盐、层状磷酸盐和层状金属卤化物中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的电子设备壳体，其特征在于，所述层状硅酸盐选自滑石、云母、粘土、沸石、锂蒙托石和氟锂蒙脱石中的至少一种；所述粘土选自高岭石、石脂、蒙脱石、蛭石、伊来石和水铝英石中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述层状纳米无机物的片层厚度为1-5nm，径厚比为20-400。
9.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述纹理层还包括纹理层主体聚合物，所述纹理层主体聚合物含有碳元素、氢元素和氧元素。
10.根据权利要求9所述的电子设备壳体，其特征在于，所述纹理层中非碳元素、非氢元素和非氧元素的总质量与碳元素、氢元素、氧元素的总质量的比值为0.04-0.8。
11.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述基体为聚合物基体，所述聚合物基体具有一层或多层结构。
12.根据权利要求11所述的电子设备壳体，其特征在于，所述聚合物基体为透明聚合物基体。
13.根据权利要求11所述的电子设备壳体，其特征在于，所述聚合物基体的材料选自环氧树脂、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚4-甲基-1-戊烯、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的电子设备壳体，其特征在于，所述聚合物基体的材料为聚甲基丙烯酸甲酯/聚碳酸酯复合材料。
15.根据权利要求11所述的电子设备壳体，其特征在于，所述聚合物基体的厚度为0.1-1.5 mm。
16.根据权利要求14所述的电子设备壳体，其特征在于，所述电子设备壳体包括聚甲基丙烯酸甲酯层和聚碳酸酯层复合的基体及位于聚碳酸酯层上依次层叠的纹理层和镀膜层。
17.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述纹理层由含所述无机纳米材料的UV固化胶经UV转印工艺固化制得；所述纹理层的厚度为5-50 μm。
18.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述镀膜层具有两层或两层以上结构；所述镀膜层为钛的氧化物层、硅的氧化物层、铝的氧化物层、钽的氧化物层、铌的氧化物层、硅的碳化物层、钛的氮化物层和硅的氮化物层中的至少两层；所述镀膜层的厚度为20-10000 nm。
19.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述电子设备还包括层叠于镀膜层上的油墨层，所述油墨层的厚度为1-100 μm。
20.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述电子设备壳体为具有3D外形的电子设备壳体。
21.根据权利要求20所述的电子设备壳体，其特征在于，所述具有3D外形的电子设备是经热压成型工艺制得。
22.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-21中任意一项所述的电子设备壳体。
23.根据权利要求22所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为手机。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11903147B2 (en) * 2019-10-16 2024-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including housing and method of producing the housing
CN113717492A (zh) * 2021-09-01 2021-11-30 深圳市动盈先进材料有限公司 一种基于5g传输的手机后壳的生产工艺

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103780724A (zh) * 2013-12-31 2014-05-07 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种具有金属拉丝外观的塑胶外壳及其制备方法
CN107747083A (zh) * 2017-09-05 2018-03-02 航天特种材料及工艺技术研究所 一种金属基陶瓷涂层及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100562968B1 (ko) * 2001-12-28 2006-03-23 다이세이 플라스 가부시끼가이샤 알루미늄합금과 수지의 복합체와 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103780724A (zh) * 2013-12-31 2014-05-07 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种具有金属拉丝外观的塑胶外壳及其制备方法
CN107747083A (zh) * 2017-09-05 2018-03-02 航天特种材料及工艺技术研究所 一种金属基陶瓷涂层及其制备方法

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