CN110928087A - Tft基板的断线修复方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种TFT基板的断线修复方法，其包括，提供所述TFT基板；找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。
Description
技术领域
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种TFT基板的断线修复方法。
背景技术
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)行业，阵列(Array)制程中，对金属层(Metal)图案化形成电路导线，由于存在制程异物，导致电路导线断开，从而形成不良品。
目前断线修复均采用如下“半框型”长线修复方式，存在问题是：“半框”所框区域在成盒(Cell)制程后，通电点亮时，会发亮形成碎亮点。
发明内容
本申请实施例提供一种TFT基板的断线修复方法，以解决现有的阵列基板进行断线修复，在成盒制程后，通电点亮时，发亮形成碎亮点的技术问题。
本申请实施例提供一种TFT基板的断线修复方法，所述TFT基板包括由下至上依次设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和透明电极层，所述第一金属层中形成有栅线，所述第二金属层中形成有数据线，所述透明电极层中形成有像素电极，所述栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素电极设置在所述像素区域中，其中，所述方法包括：
步骤S11，提供所述TFT基板；
步骤S12，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；
步骤S13，去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；
步骤S14，在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；
步骤S15，切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S12包括：
采用阵列测试站点进行检测，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置坐标，并记录所述位置坐标。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S13包括：
修补机台根据所述位置坐标，找到相应的断点；后通过激光去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S14包括：
根据所述断点的位置坐标，设定直线状的修复路径，并根据所述修复路径在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，采用激光将气态金属碳化物沉积于暴露金属层上，形成所述修复线。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述气态金属碳化物为六碳化钨。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S15包括：
根据所述修复路径设定形成隔离区域的切割路径，并根据所述切割路径在所述透明电极层中对应于所述修复线周侧的区域进行激光切割，以形成所述隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述隔离区域的切割线到所述修复线的距离小于等于30微米。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述断线为所述栅线或/和所述数据线。
在本申请的TFT基板的断线修复方法中，当所述断线为栅线时，所述修复线位于所述第一金属层或所述透明电极层；当所述断线为数据线时，所述修复线位于所述第二金属层或所述透明电极层。
相较于现有技术的TFT基板的断线修复方法，本申请的TFT基板的断线修复方法通过采用直线型的修复线修复断线，且在透明电极层中对应于修复线的周侧的位置设置隔离区域，避免了像素电极和修复线发生短路，进而避免了隔离区域在成盒后通电点亮时，形成碎亮点的情况；解决了现有的阵列基板进行断线修复，在成盒制程后，通电点亮时，发亮形成碎亮点的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请的TFT基板的断线修复方法的实施例的流程图；
图2为本申请的TFT基板的实施例修复栅线的俯视结构示意图；
图3为本申请的TFT基板的实施例修复数据线的俯视结构示意图；
图4为本申请的TFT基板的实施例修复栅线的剖面结构示意图；
图5为本申请的TFT基板的实施例修复数据线的剖面结构示意图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图1，图1为本申请的TFT基板的断线修复方法的实施例的流程图。
本实施例的TFT基板100的断线修复方法，包括：
步骤S11，提供所述TFT基板；
步骤S12，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；
步骤S13，去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；
步骤S14，在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；
步骤S15，切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。
在步骤S11中，提供TFT基板100。
请参照图2和图4，或图3和图5，本实施例的TFT基板100包括由下至上依次设置的衬底基板11、第一金属层12、第一绝缘层13、第二金属层14、第二绝缘层15和透明电极层16。第一金属层12中形成有栅线121。第二金属层14中形成有数据线141。透明电极层16中形成有像素电极161。栅线121和数据线141交叉形成像素区域a。像素电极161设置在像素区域a中。
在步骤S12中，找出TFT基板100中的断线及断线上断点10a的位置。具体的，步骤S12包括：
采用阵列测试站点进行检测，找出TFT基板100中的断线及断线上断点10a的位置坐标，并记录该位置坐标。
其中，断点10a的位置坐标记录于修复系统中，便于修复设置从修复系统中获取相应断点的位置坐标。
另，断线可以是栅线121或/和数据线141。当断线是栅线121时，请参照图2。当断线是数据线141时，请参照图3。
在步骤S13中，去除断点10a两侧表面上的膜层，以暴露断线所在的金属层。具体的，步骤S13包括：
修补机台根据位置坐标，找到相应的断点10a；后通过激光去除断点10a两侧表面上的膜层，以暴露断线所在的金属层。
请参照图4，当断线为栅线121，且修复线10b设置在透明电极层16时，先采用激光去除断点10a两侧和断点10a上面的第一绝缘层13、第二绝缘层15和透明电极层16，形成沟槽10c，以露出断点10a两侧的断线121；随后在断点10a处形成一支撑块10d，该支撑块10d为上窄下宽状；支撑块10d的顶面与第二绝缘层15的底面齐平。其中，沟槽10c和支撑块10d在第一金属层12的正投影的延伸方向和断线121的延伸方向重合。
在一些实施例中，断线为栅线，修复线设置在第一金属层时，采用激光去除断点两侧和断点上面的第一绝缘层、第二绝缘层和透明电极层，形成直线型的沟槽，以暴露断点两侧的断线。
请参照图5，当断线为数据线141，且修复线10b设置在透明电极层16时，先采用激光去除断点10a两侧和断点10a上面的第二绝缘层15和透明电极层16，形成沟槽20c，以露出断点10a两侧的断线141；随后在断点10a处形成一支撑块20d，该支撑块20d为上窄下宽状；支撑块20d的顶面与第二绝缘层15的底面齐平。其中，沟槽20c和支撑块20d在第一金属层12的正投影的延伸方向和断线141的延伸方向重合。
在一些实施例中，断线为数据线，修复线设置在第二金属层时，采用激光去除断点两侧和断点上面的第二绝缘层和透明电极层，形成直线型的沟槽，以暴露断点两侧的断线。
在步骤S14中，在断点10a暴露的金属层上形成修复线10b，以使断点10a两侧的断线电连通。具体的，步骤S14包括：
根据断点10a的位置坐标，设定直线状的修复路径，并根据该修复路径在断点10a暴露的金属层上形成修复线10b，以使断点10a两侧的断线电连通。
具体的，采用激光将气态金属碳化物沉积于暴露金属层上，形成修复线10b。可选的，气态金属碳化物为六碳化钨。激光为镭射光。
请参照图4，当断线为栅线121，且修复线10b设置在透明电极层16时，采用镭射光将气态六碳化钨沉积在支撑块10d上，以形成连接断点10a两侧断线121的修复线10b。其中，修复线10b为直线状(修复线10b的俯视正投影的形状为直线状)，即修复线10b于断线121所在金属层12的正投影的延伸方向和断线121的延伸方向一致。
在一些实施例中，断线为栅线，修复线设置在第一金属层时，沟槽的底面和断线的底面同层设置，采用镭射光将气态六碳化钨沉积在沟槽中，以形成连接断点两侧断线的修复线。
请参照图5，当断线为数据线141，且修复线10b设置在透明电极层16时，采用镭射光将气态六碳化钨沉积在支撑块20d上，以形成连接断点10a两侧的断线141的修复线10b。其中，修复线10b为直线状(修复线10b的俯视正投影的形状为直线状)，即修复线10b于断线141所在金属层14的正投影的延伸方向和断线141的延伸方向一致。
在一些实施例中，断线为数据线，修复线设置在第二金属层时，沟槽的底面和断线的底面同层设置，采用镭射光将气态六碳化钨沉积在沟槽中，以形成连接断点两侧断线的修复线。
在步骤S15中，切割修复线10b周侧的透明电极层16，形成隔离区域10e，防止修复线10b与像素电极161发生短路。具体的，步骤S15包括：
根据修复路径设定形成隔离区域10e的切割路径，并根据该切割路径在透
明电极层16中对应于修复线10b周侧的区域进行激光切割，以形成隔离区域10e，防止修复线10b与像素电极161发生短路。
请参照图2和图3，隔离区域10e由激光切割线10f围设而成。其中切割线10f切断了位于修复线10b两侧的像素电极161的一部分，使得同一像素电极161在切割线10f的隔离下断开，从而避免了像素电极161和修复线10b发生短路。
具体的，隔离区域10e的切割线10f到修复线10b的距离小于等于30微米。因为如果隔离区域10e过大，仍然会导致隔离区域10e在成盒通电后，会出现发亮，进而形成碎亮点。
至此，便完成了本实施例的断线修复方法。
相较于现有技术的TFT基板的断线修复方法，本申请的TFT基板的断线修复方法通过采用直线型的修复线修复断线，且在透明电极层中对应于修复线的周侧的位置设置隔离区域，避免了像素电极和修复线发生短路，进而避免了隔离区域在成盒后通电点亮时，形成碎亮点的情况；解决了现有的阵列基板进行断线修复，在成盒制程后，通电点亮时，发亮形成碎亮点的技术问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT基板的断线修复方法，所述TFT基板包括由下至上依次设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和透明电极层，所述第一金属层中形成有栅线，所述第二金属层中形成有数据线，所述透明电极层中形成有像素电极，所述栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素电极设置在所述像素区域中，其特征在于，所述方法包括：
步骤S11，提供所述TFT基板；
步骤S12，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；
步骤S13，去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；
步骤S14，在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；
步骤S15，切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。
2.根据权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S12包括：
采用阵列测试站点进行检测，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置坐标，并记录所述位置坐标。
3.根据权利要求2所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S13包括：
修补机台根据所述位置坐标，找到相应的断点；后通过激光去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层。
4.根据权利要求3所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S14包括：
根据所述断点的位置坐标，设定直线状的修复路径，并根据所述修复路径在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通。
5.根据权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，采用激光将气态金属碳化物沉积于暴露金属层上，形成所述修复线。
6.根据权利要求5所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述气态金属碳化物为六碳化钨。
7.根据权利要求4所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S15包括：
根据所述修复路径设定形成隔离区域的切割路径，并根据所述切割路径在所述透明电极层中对应于所述修复线周侧的区域进行激光切割，以形成所述隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。
8.根据权利要求1或7所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述隔离区域的切割线到所述修复线的距离小于等于30微米。
9.根据权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，所述断线为所述栅线或/和所述数据线。
10.根据权利要求1所述的TFT基板的断线修复方法，其特征在于，当所述断线为栅线时，所述修复线位于所述第一金属层或所述透明电极层；当所述断线为数据线时，所述修复线位于所述第二金属层或所述透明电极层。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022001444A1 (zh) * | 2020-06-28 | 2022-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其维修方法、显示装置 |
| WO2023201528A1 (zh) * | 2022-04-19 | 2023-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法、显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0926586A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| CN101114655A (zh) * | 2007-08-07 | 2008-01-30 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法 |
| CN201984264U (zh) * | 2010-10-29 | 2011-09-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及已修复的阵列基板 |
| CN103135297A (zh) * | 2011-11-30 | 2013-06-05 | 上海中航光电子有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法 |
| CN105785678A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-07-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的断线修复方法 |
| CN107908306A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-04-13 | 昆山龙腾光电有限公司 | 修复方法 |
| WO2019207798A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201911203072.5A patent/CN110928087B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0926586A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| CN101114655A (zh) * | 2007-08-07 | 2008-01-30 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法 |
| CN201984264U (zh) * | 2010-10-29 | 2011-09-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及已修复的阵列基板 |
| CN103135297A (zh) * | 2011-11-30 | 2013-06-05 | 上海中航光电子有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法 |
| CN105785678A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-07-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的断线修复方法 |
| CN107908306A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-04-13 | 昆山龙腾光电有限公司 | 修复方法 |
| WO2019207798A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022001444A1 (zh) * | 2020-06-28 | 2022-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其维修方法、显示装置 |
| US11864326B2 (en) | 2020-06-28 | 2024-01-02 | Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Substrate, maintenance method and display device |
| WO2023201528A1 (zh) * | 2022-04-19 | 2023-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法、显示装置 |
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| CN110928087B (zh) | 2022-06-07 |
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