CN110908211B

CN110908211B - 电致变色器件控制电路

Info

Publication number: CN110908211B
Application number: CN201911303932.2A
Authority: CN
Inventors: 韩泽星
Original assignee: Shenzhen Guangyi Tech Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Guangyi Tech Co Ltd
Priority date: 2019-12-17
Filing date: 2019-12-17
Publication date: 2023-05-26
Anticipated expiration: 2039-12-17
Also published as: CN110908211A; CN116224671A

Abstract

本发明公开了一种电致变色器件控制电路，包括：充电电路，用于在电压输入端有电源电压输入时仅存储工作电压，并在所述电压输入端无所述电源电压输入时才释放所述工作电压；检测电路，用于检测外部环境数据并产生环境数据信号；控制电路，用于接收所述工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；输出电路，用于根据所述控制信号对所述电致变色器件进行充放电。本发明提供的一种电致变色器件控制电路解决了现有技术中电路断电情况下无法维持电致变色器件长时间高反射率的问题，实现了对电致变色器件的反射率多方面控制和维持稳定的效果。

Description

电致变色器件控制电路

技术领域

本发明实施例涉及电致变色器件技术，尤其涉及一种电致变色器件控制电路。

背景技术

电子变色器件在许多领域均有应用，示例性的，电子自动防眩目后视镜是一种极大提高人来安全驾驶性能的汽车零配件产品。目前市面上的电子防眩目后视镜主要为采用的电致变色材料主要为小分子材料。现有技术中，这种电致变色材料在没有外接电源的时候，会自动褪色，导致车内断电后，会出现后视镜的反射率逐渐降低的问题，制约了该技术的应用。

发明内容

本发明提供一种电致变色器件控制电路，解决了现有技术中电路断电情况下无法维持电致变色器件长时间高反射率的问题，以实现对电致变色器件的反射率多方面控制和维持稳定的效果。

一种电致变色器件控制电路，包括：

充电电路，用于在电压输入端有电源电压输入时存储工作电压，并在所述电压输入端无所述电源电压输入时释放所述工作电压；

检测电路，用于检测外部环境数据并产生环境数据信号；

控制电路，用于接收所述工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；

输出电路，用于根据所述控制信号对所述电致变色器件进行充放电。

可选的，所述充电电路包括：二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R4、电阻R5和电容C5；所述二极管D2的正极连接到所述保护电路，所述二极管D2的负极连接到所述二极管D3的正极，所述二极管D3的负极连接到所述端口VBAT；所述电阻R4的第一端连接到所述二极管D2的负极，所述电阻R4的第二端连接到所述电容C5的第二端；所述电容C5的第一端连接到所述电阻R5的第二端，所述电阻R5的第一端连接到所述端口VBAT；所述二极管D4的正极连接到所述端口VBAT，所述二极管D4的负极连接到所述电容C5的第二端。

可选的，所述检测电路包括以下的一种或多种的组合：光强检测电路、电压检测电路、电流检测电路和/或温度检测电路。

可选的，所述光强检测电路包括第一光强检测电路和第二光强检测电路，所述第一光强检测电路包括：电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C6和光传感器O1，所述电阻R6的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R6的第二端连接到所述光传感器O1的VDD端，所述光传感器O1的VSS端连接到电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端接地；所述电阻R8的第一端连接到所述光传感器O1的VSS端，所述电阻R8的第二端连接到所述控制电路；所述电容C6的第一端连接到所述电阻R8的第二端，所述电容C6的第二端接地；所述第二光强检测电路包括：电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C7和光传感器O2，所述电阻R9的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R9的第二端连接到所述光传感器O2的VDD端，所述光传感器O2的VSS端连接到电阻R10的第一端，所述电阻R10的第二端接地；所述电阻R11的第一端连接到所述光传感器O2的VSS端，所述电阻R11的第二端连接到所述控制电路；所述电容C7的第一端连接到所述电阻R11的第二端，所述电容C7的第二端接地。

可选的，所述电压检测电路与所述控制电路连接，所述电压检测电路包括：电容C16、电容C17、电阻R25、电阻R26、电阻R27和电阻R28；所述电容C16的第一端接地，所述电容C16的第二端连接到所述电阻R26的第一端；所述电阻R25的第一端接地，所述电阻R25的第二端连接到所述电阻R26的第一端；所述电阻R26的第二端连接到所述端口Mir-；所述电阻R27的第一端接地，所述电阻R27的第二端连接所述电阻R28的第一端，所述电阻R28的第二端连接到所述端口Mir+LINKB；所述电容C17的第一端接地，所述电容C17的第二端连接到所述电阻R28的第一端。

可选的，所述温度检测电路与所述控制电路连接，所述温度检测电路包括：电阻R39和温度传感器O3，所述电阻R39的第一端连接到所述温度传感器O3的VDD引脚，所述电阻R39的第二端连接到所述温度传感器O3的DO引脚；所述温度传感器O3的VDD引脚连接到所述端口VCC5VOUT，所述温度传感器O3的GND引脚接地。

可选的，所述电流检测电路与所述控制电路连接，所述电流检测电路包括：芯片U6、电容C18和电容C19；所述电容C18的第一端连接到芯片U6的Filter引脚，所述电容C18的第二端接地；所述电容C19的第一端连接到芯片U6的VCC引脚，所述电容C19的第二端接地；所述芯片U6的VCC引脚连接到所述端口VCC5VOUT，所述芯片U6的IP+端口连接到所述端口Mir+LINKA，所述芯片U6的IP-端口连接到所述端口Mir+LINKB，所述芯片U6的GND端口接地。

可选的，所述控制电路包括芯片U3，所述芯片U3包括多个引脚，所述芯片U3的引脚VCC、引脚VDD1、引脚VDD2、引脚VDD3和引脚VDDA连接到所述端口VCC5VOUT。

可选的，所述输出电路包括以下的一种或多种的组合：恒压输出电路、恒流输出电路、脉冲输出电路和/或限流输出电路。

可选的，所述恒压输出电路包括：芯片U4、电阻R12……电阻R23、电容C8……电容C14、接口P1、接口P2、电感L1和MOS管Q1……MOS管Q5；所述电容C8的第一端连接到所述端口VBAT，所述电容C8第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C9的第一端连接到所述端口VBAT；所述电容C9第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C10的第一端连接到所述电容C9第二端，所述电容C10的第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C11的第一端连接到所述芯片U4的VBST引脚，所述电容C11的第二端连接到所述电感L1的第一端；所述电容C12的第一端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述电容C13的第一端连接到所述电感L1的第二端，所述电容C13的第二端连接到所述电容C14的第二端；所述电容C14的第一端连接到所述电感L1的第二端；所述电阻R12的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R12的第二端连接到所述MOS管Q1的栅极；所述电阻R13的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R13的第二端连接到所述芯片U4的VFB引脚；所述电阻R14的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R14的第二端连接到所述MOS管Q1的漏极；所述电阻R15的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R15的第二端连接到所述芯片U4的EN端口；所述电阻R16的第一端连接芯片U4的VFB引脚，所述电阻R16的第二端接地；所述电阻R17的第一端连接到所述芯片U4的PG引脚，所述电阻R17的第二端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述MOS管Q1的源极连接到所述接口P2的第二端口；所述接口P1的第一端口连接到所述MOS管Q1漏极，所述接口P2的第一端口连接到所述芯片U4的引脚VOUT；所述电阻R18的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R18的第二端连接到所述MOS管Q2的栅极；所述电阻R19的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R19的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q2的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q2的源极连接到端口Mir+LINKA；所述电阻R20的第一端连接到所述MOS管Q3的栅极，所述电阻R20的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q3的漏极连接到端口Mir+LINKB，所述MOS管Q3的源极接地；所述电阻R21的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R21的第二端连接到所述MOS管Q4的栅极；所述电阻R22的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R22的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q4的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q4的源极连接到端口Mir-；所述电阻R23的第一端连接到所述MOS管Q5的栅极，所述电阻R23的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q5的漏极连接到所述端口Mir-，所述MOS管Q5的源极接地。

可选的，所述恒流输出电路包括：芯片U5、电阻R24、电容C15、二极管D5和电感L2；所述电容C15的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电容C15的第二端连接到所述芯片U5的GND引脚；所述电阻R24的第一端连接到所述芯片U5的CSN引脚，所述电阻R24的第二端连接到所述芯片U5的VIN引脚；所述电感L2的第一端连接到所述芯片U5的SW引脚，所述电感L2的第一端连接到所述端口Mir-；所述二极管D5的正极连接到所述电感L2的第一端，所述二极管D5的负极连接到所述端口Mir+LINKA；所述芯片U5的VIN引脚连接到所述端口VCC5VOUT。

可选的，所述脉冲输出电路包括：电容C20……电容C24、电阻R30……电阻R33、二极管D6、电感L3和芯片U7；所述电容C20的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电容C20的第二端接地；所述电容C21的第一端连接到所述二极管D6的负极，所述电容C21的第二端接地；所述电容C22的第一端连接到电阻R30的第二端，所述电容C22的第二端接地；所述电容C23的第一端连接到芯片U4的FB引脚，所述电容C23的第二端接地；所述电容C24的第一端连接到端口VOUT，所述电容C24的第二端接地；所述电感L3的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电感L3的第二端连接到所述二极管D6的正极；所述电阻R30的第一端连接到所述控制电路，所述电阻R30的第二端连接到所述芯片U7的EN引脚；所述电阻R31的第一端连接到所述芯片U7的SOE引脚，所述电阻R31的第二端接地；所述电阻R32的第一端连接到所述二极管D6的负极，所述电阻R32的第二端连接到所述电阻R33的第一端，所述电阻R33的第二端接地；所述芯片U7的VDD引脚连接到所述电容C21的第一端，所述芯片U7的SW引脚连接到所述电感L3的第二端。

可选地，还包括限流输出电路，所述限流输出电路包括：芯片U4、电阻R12……电阻R23和电阻R34、电容C8……电容C14、接口P1、接口P2、电感L1和MOS管Q1……MOS管Q5；所述电容C8的第一端连接到所述端口VBAT，所述电容C8第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C9的第一端连接到所述端口VBAT；所述电容C9第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C10的第一端连接到所述电容C9第二端，所述电容C10的第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C11的第一端连接到所述芯片U4的VBST引脚，所述电容C11的第二端连接到所述电感L1的第一端；所述电容C12的第一端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述电容C13的第一端连接到所述电感L1的第二端，所述电容C13的第二端连接到所述电容C14的第二端；所述电容C14的第一端连接到所述电感L1的第二端；所述电阻R12的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R12的第二端连接到所述MOS管Q1的栅极；所述电阻R13的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R13的第二端连接到所述芯片U4的VFB引脚；所述电阻R14的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R14的第二端连接到所述MOS管Q1的漏极；所述电阻R15的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R15的第二端连接到所述芯片U4的EN端口；所述电阻R16的第一端连接芯片U4的VFB引脚，所述电阻R16的第二端接地；所述电阻R17的第一端连接到所述芯片U4的PG引脚，所述电阻R17的第二端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述MOS管Q1的源极连接到所述接口P2的第二端口；所述接口P1的第一端口连接到所述MOS管Q1漏极，所述接口P2的第一端口连接到所述芯片U4的引脚VOUT；所述电阻R18的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R18的第二端连接到所述MOS管Q2的栅极；所述电阻R19的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R19的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q2的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q2的源极连接到端口Mir+LINKA；所述电阻R20的第一端连接到所述MOS管Q3的栅极，所述电阻R20的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q3的漏极连接到端口Mir+LINKB，所述MOS管Q3的源极接地；所述电阻R21的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R21的第二端连接到所述MOS管Q4的栅极；所述电阻R22的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R22的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q4的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q4的源极连接到所述电阻R34的第一端；所述电阻R23的第一端连接到所述MOS管Q5的栅极，所述电阻R23的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q5的漏极连接到所述电阻R34的第一端，所述MOS管Q5的源极接地；所述电阻R34的第一端连接到所述MOS管Q4的源极，所述电阻R34的第二端连接到端口Mir-。

可选的，还包括降压电路，所述降压电路包括：稳压管T1、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、芯片U1和二极管D1；所述稳压管T1的第一端连接到电压输入端VCC，所述稳压管T1的第二端接地，所述电容C1的第一端连接到所述稳压管T1的第一端，所述电容C1的第二端连接到所述稳压管T1的第二端；所述电容C2的第一端连接到所述电容C1的第一端，所述电容C2的第二端连接到所述电容C1的第二端；所述电容C3的第一端连接到端口VCC5V，所述电容C3的第二端连接到所述稳压管T1的第二端；所述电阻R1的第一端连接到所述稳压管T1的第一端，所述电阻R1的第二端连接到所述芯片U1的EN引脚上；所述电阻R2的第一端连接到所述芯片U1的OUT引脚上，所述电阻R2的第二端连接到所述二极管D1的正极；所述二极管D1的负极连接到所述稳压管T1的第二端；所述芯片U1的IN引脚连接到所述稳压管T1的第一端，所述芯片U1的GND引脚连接到所述稳压管T1的第二端。

可选的，还包括保护电路，与所述降压电路连接，所述保护电路包括：芯片U2、电阻R3和电容C4；所述电阻R3的第一端连接到所述芯片U2的ISET引脚，所述电阻R3的第二端接地；所述电容C4的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电容C4的第二端连接到所述电阻R3的第二端；所述芯片U2的IN引脚连接到端口VCC5V，所述芯片U2的EN引脚连接到端口VCC5V，所述芯片U2的GND引脚接地，所述芯片U2的OUT引脚连接到所述电容C4的第一端。

本发明实施例公开了一种电致变色器件控制电路，包括：充电电路，用于存储工作电压并在电压输入端无所述电源电压输入时释放所述工作电压；检测电路，用于检测外部环境数据并产生环境数据信号；控制电路，用于接收所述工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；输出电路，用于根据所述控制信号对所述电致变色器件进行充放电。本发明提供的一种电致变色器件控制电路解决了现有技术中电路断电情况下无法维持电致变色器件长时间高反射率的问题，实现了对电致变色器件的反射率多方面控制和维持稳定的效果。

附图说明

图1为发明实施例一提供的一种电致变色器件控制电路的模块连接关系示意图；

图2为本发明实施例中充电电路的电路图；

图3为本发明实施例中光强检测电路的电路图；

图4为本发明实施例中电压检测电路的电路图；

图5为本发明实施例中温度检测电路的电路图；

图6为本发明实施例中电流检测电路的电路图；

图7为本发明实施例中控制电路的电路图；

图8为本发明实施例中恒压输出电路的电路图；

图9为本发明实施例中限流输出电路的电路图；

图10为本发明实施例中恒流输出电路的电路图；

图11为本发明实施例中脉冲输出电路的电路图；

图12为本实施例二中提供的一种电致变色器件控制电路的电路模块示意图；

图13为本发明实施例中降压电路的电路图；

图14为本发明实施例中保护电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。

此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一端称为第二端，且类似地，可将第二端称为第一端。第一端和第二端两者都是端，但其不是同一端。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

实施例一

图1为发明实施例一提供的一种电致变色器件控制电路的模块连接关系示意图；本发明实施例一提供的一种电致变色器件控制电路适用于控制电致变色器件的反射率保持稳定的情况，本实施例电致变色器件控制电路包括：充电电路、检测电路、控制电路和输出电路。

参阅图2，图2为本发明实施例中充电电路1的电路图，充电电路1用于在电压输入端有电源电压输入时存储工作电压，并在所述电压输入端无所述电源电压输入时释放所述工作电压；所述充电电路1包括：二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R4、电阻R5和电容C5；所述二极管D2的正极连接到电源输入端，所述二极管D2的负极连接到所述二极管D3的正极，所述二极管D3的负极连接到所述端口VBAT；所述电阻R4的第一端连接到所述二极管D2的负极，所述电阻R4的第二端连接到所述电容C5的第二端；所述电容C5的第一端连接到所述电阻R5的第二端，所述电阻R5的第一端连接到所述端口VBAT；所述二极管D4的正极连接到所述端口VBAT，所述二极管D4的负极连接到所述电容C5的第二端。

本实施例中，电容C5采用0.5F以上的超级电容，超级电容存储电量的优点在于在高低温环境下容量和性能基本不会变。在其他替代实施例中，也可以选用锂电池作为存储器件，但由于锂电池在高温和低温情况下性能略低于超级电容，所以在环境温度差值较大的情况下优选使用超级电容，在环境温度差值不大的情况下使用超级电容或锂电池均可，但是需要说明的是，使用锂电池时，该电路模块结构也需要适应性进行调整，具体结构在本实施例中不做限定。端口VCC5VOUT经过二极管D2和二极管D3降压到3.8V左右，作为给超级电容C5充电电压。在替代实施例中，可以更改二极管D2和二极管D3参数选择不同的电容容值，得到不同的充电电压。

所述检测电路2包括：光强检测电路21、电压检测电路22、电流检测电路23和/或温度检测电路24。在不同具体实施例中，检测电路2可以包括光强检测电路21、电压检测电路22、电流检测电路23、温度检测电路24中的一个或多个的组合。

参阅图3，图3为本发明实施例中光强检测电路21的电路图，光强检测电路21用于检测外部环境光强度并产生光强度信号；所述光强检测电路21包括第一光强检测电路211和第二光强检测电路212，所述第一光强检测电路211包括：电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C6和光传感器O1，所述电阻R6的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R6的第二端连接到所述光传感器O1的VDD端，所述光传感器O1的VSS端连接到电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端接地；所述电阻R8的第一端连接到所述光传感器O1的VSS端，所述电阻R8的第二端连接到所述控制电路；所述电容C6的第一端连接到所述电阻R8的第二端，所述电容C6的第二端接地；所述第二光强检测电路212包括：电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C7和光传感器O2，所述电阻R9的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R9的第二端连接到所述光传感器O2的VDD端，所述光传感器O2的VSS端连接到电阻R10的第一端，所述电阻R10的第二端接地；所述电阻R11的第一端连接到所述光传感器O2的VSS端，所述电阻R11的第二端连接到所述控制电路；所述电容C7的第一端连接到所述电阻R11的第二端，所述电容C7的第二端接地。

本实施例中，第一光强检测电路211用于电致变色器件前侧光强检测，第二光强检测电路212用于电致变色器件后侧光强检测，光传感器O1和光传感器O2可检测光强范围为0-700Lux，光强检测电路21输出模拟量，单片机采集此模拟量进行ADC转换，得到实际的光强度。

示例性的，光强检测的目的在于电致变色器件的电路控制板正面和反面装有光传感器，为了避免晚上后面车辆的车灯太刺眼引起炫目，使司机看不清楚车后面环境情况，当后面车辆强光照射到后视镜，此时电路控制板正面传感器光强远大于电路控制板背面传感器光强，单片机(MCU)通过对电路控制板正反面光传感器的光强采集，判断后面光强太大，发出控制信号给输出电路，从而给镜片中的变质变色器件放电，使电致变色器件的透过率降低，从而降低镜片反射率。当外界强光消失，电路控制板正反面光强相差不大的情况下给镜片中的电致变色器件充电，使电致变色器件达到最大透射率并保持常亮状态。

参阅图4，图4为本发明实施例中电压检测电路22的电路图，所述电压检测电路22与所述控制电路3连接，所述电压检测电路22包括：电容C16、电容C17、电阻R25、电阻R26、电阻R27和电阻R28；所述电容C16的第一端接地，所述电容C16的第二端连接到所述电阻R26的第一端；所述电阻R25的第一端接地，所述电阻R25的第二端连接到所述电阻R26的第一端；所述电阻R26的第二端连接到所述端口Mir-；所述电阻R27的第一端接地，所述电阻R27的第二端连接所述电阻R28的第一端，所述电阻R28的第二端连接到所述端口Mir+LINKB；所述电容C17的第一端接地，所述电容C17的第二端连接到所述电阻R28的第一端。

在本实施例中，电压检测电路22用于检测电致变色器件接口两端的电压，由于电致变色器件两端充放电的极性相反，所以电致变色器件两端的电压需要两路ADC进行采集。在本实施例中，电压检测电路22采集到的模拟信号输入到芯片U3中，芯片U3通过模数转换将模拟信号转化为数字信号即可获取电致变色器件两端电压的实际值，根据该电压的实际值调整输出电路4的输出电压或者电流对电致变色器件的开路电势进行调节，电致变色器件的开路电势改变会引起电致变色器件本身透过率发生改变，达到通过检测电致变色器件两端电压来控制电致变色器件透过率的效果。

参阅图5，图5为本发明实施例中温度检测电路24的电路图，所述温度检测电路24与所述控制电路3连接，所述温度检测电路24包括：电阻R39和温度传感器O3，所述电阻R39的第一端连接到所述温度传感器O3的VDD引脚，所述电阻R39的第二端连接到所述温度传感器O3的DO引脚；所述温度传感器O3的VDD引脚连接到所述端口VCC5VOUT，所述温度传感器O3的GND引脚接地。

在本实施例中，温度传感器O3型号优选为DS18B20，采用三引脚直插式封装，其精度为9-12bit可调。在替代实施例中，也可以采用型号为DS18B20U的温度传感器。温度传感器采集到的环境温度数据模拟信号传输到芯片U3中，芯片U3通过模数转换即可获取环境温度的实际值，根据该环境温度的实际值调整输出电路4的输出电压或者电流对电致变色器件的开路电势进行调节，电致变色器件的开路电势改变会引起电致变色器件本身透过率发生改变，由于电致变色器件在不同温度下透过率会发生改变，因此通过实时监测环境温度从而达到维持透过率稳定的效果。

参阅图6，图6为本发明实施例中电流检测电路23的电路图，所述电流检测电路23与所述控制电路3连接，所述电流检测电路23包括：芯片U6、电容C18和电容C19；所述电容C18的第一端连接到芯片U6的Filter引脚，所述电容C18的第二端接地；所述电容C19的第一端连接到芯片U6的VCC引脚，所述电容C19的第二端接地；所述芯片U6的VCC引脚连接到所述端口VCC5VOUT，所述芯片U6的IP+端口连接到所述端口Mir+LINKA，所述芯片U6的IP-端口连接到所述端口Mir+LINKB，所述芯片U6的GND端口接地。

在本实施例中，芯片U6型号优选为ACS712芯片，该芯片可监测电流范围为0-5A，监测精度为66mV/A。芯片U6内部内置霍尔元件，输出信号为模拟量，芯片U3采集此模拟量进行ADC转换获得实际的电流值。电流检测电路23一方面记录电致变色器件充放电的峰值电流，另一方面用于监测电致变色器件充放电第二阶段恒压充放电电流大小，可利用此电路设置截止恒压充放电电流大小。由于电致变色器件的使用寿命与充放电电流大小和峰值电流有关，因此电流检测电路23通过对充放电的峰值电流和恒压充放电时电流大小进行实时监控并将电流模拟信号传输到芯片U3中，芯片U3通过模数转换获取充放电的峰值电流和恒压充放电时电流大小并根据峰值电流和恒压充放电时电流大小控制输出电路4的输出适应性改变，从而起到反馈调节的效果。

参阅图7，图7为本发明实施例中控制电路3的电路图，控制电路3，用于接收所述工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；所述控制电路3包括芯片U3，所述芯片U3包括多个引脚，所述芯片U3的引脚VCC、引脚VDD1、引脚VDD2、引脚VDD3和引脚VDDA连接到所述端口VCC5VOUT。

本实施例中，芯片U3型号优选为STM32F103C8T6。STM32F103CT6芯片是一款基于ARM Cotex-M内核STM32系列的32位微控制器。有输入/输出引脚37个，其中ADC引脚10个，12bit精度，输入电压为2-3.6V。该芯片还可以包括时钟电路、复位电路、滤波电路、下载程序接口路电路以及必要的其他用引脚表示电气连接的外围电路(图7中未画出)。由于芯片U3输入电压为3.3V，在使用本芯片时需要在端口VCC5OUT后连接额外降压电路5使电压从5V降到3.3V，然后再提供给芯片U3。

所述输出电路4包括以下一种或多种组合：恒压输出电路41、恒流输出电路42、脉冲输出电路43和/或限流输出电路。

参阅图8，图8为本发明实施例中恒压输出电路41的电路图，所述恒压输出电路41包括：芯片U4、电阻R12……电阻R23、电容C8……电容C14、接口P1、接口P2、电感L1和MOS管Q1……MOS管Q5；所述电容C8的第一端连接到所述端口VBAT，所述电容C8第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C9的第一端连接到所述端口VBAT；所述电容C9第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C10的第一端连接到所述电容C9第二端，所述电容C10的第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C11的第一端连接到所述芯片U4的VBST引脚，所述电容C11的第二端连接到所述电感L1的第一端；所述电容C12的第一端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述电容C13的第一端连接到所述电感L1的第二端，所述电容C13的第二端连接到所述电容C14的第二端；所述电容C14的第一端连接到所述电感L1的第二端；所述电阻R12的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R12的第二端连接到所述MOS管Q1的栅极；所述电阻R13的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R13的第二端连接到所述芯片U4的VFB引脚；所述电阻R14的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R14的第二端连接到所述MOS管Q1的漏极；所述电阻R15的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R15的第二端连接到所述芯片U4的EN端口；所述电阻R16的第一端连接芯片U4的VFB引脚，所述电阻R16的第二端接地；所述电阻R17的第一端连接到所述芯片U4的PG引脚，所述电阻R17的第二端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述MOS管Q1的源极连接到所述接口P2的第二端口；所述接口P1的第一端口连接到所述MOS管Q1漏极，所述接口P2的第一端口连接到所述芯片U4的引脚VOUT；所述电阻R18的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R18的第二端连接到所述MOS管Q2的栅极；所述电阻R19的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R19的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q2的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q2的源极连接到端口Mir+LINKA；所述电阻R20的第一端连接到所述MOS管Q3的栅极，所述电阻R20的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q3的漏极连接到端口Mir+LINKB，所述MOS管Q3的源极接地；所述电阻R21的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R21的第二端连接到所述MOS管Q4的栅极；所述电阻R22的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R22的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q4的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q4的源极连接到端口Mir-；所述电阻R23的第一端连接到所述MOS管Q5的栅极，所述电阻R23的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q5的漏极连接到所述端口Mir-，所述MOS管Q5的源极接地。

本实施例中，芯片U4型号优选为TPS54226PWP。恒压输出值大小与引脚VFB和引脚VOUT之间的电阻值大小关联，单片机通过控制MOS管Q1的导通和关闭可以控制恒压输出芯片U4输出不同的电压值。在芯片输出端连接MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4和MOS管Q5，MOS管Q2和MOS管Q5由芯片U3的VCON+引脚控制，MOS管Q3和MOS管Q4由芯片U3的VCON-引脚控制，要控制芯片U4输出正向电压，芯片U3只需将VCON+引脚置高，VCON-引脚置低，这样使得MOS管Q2和MOS管Q5导通，MOS管Q3和MOS管Q4不导通，VOUT端的上部分电路电压为VOUT，VOUT端的下部分电路接GND，电压为零；控制恒压芯片输出反向电压，单片机只需将VCON+引脚置低，VCON-引脚置高，这样使得MOS管Q3和MOS管Q4导通，MOS管Q2和MOS管Q5不导通，VOUT端的下部分电路电压为VOUT，VOUT端的上部分电路接GND，电压为零。

参阅图9，图9为本发明实施例中限流输出电路44的电路图，所述限流输出电路包括：芯片U4、电阻R12……电阻R23和电阻R34、电容C8……电容C14、接口P1、接口P2、电感L1和MOS管Q1……MOS管Q5；所述电容C8的第一端连接到所述端口VBAT，所述电容C8第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C9的第一端连接到所述端口VBAT；所述电容C9第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C10的第一端连接到所述电容C9第二端，所述电容C10的第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C11的第一端连接到所述芯片U4的VBST引脚，所述电容C11的第二端连接到所述电感L1的第一端；所述电容C12的第一端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述电容C13的第一端连接到所述电感L1的第二端，所述电容C13的第二端连接到所述电容C14的第二端；所述电容C14的第一端连接到所述电感L1的第二端；所述电阻R12的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R12的第二端连接到所述MOS管Q1的栅极；所述电阻R13的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R13的第二端连接到所述芯片U4的VFB引脚；所述电阻R14的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R14的第二端连接到所述MOS管Q1的漏极；所述电阻R15的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R15的第二端连接到所述芯片U4的EN端口；所述电阻R16的第一端连接芯片U4的VFB引脚，所述电阻R16的第二端接地；所述电阻R17的第一端连接到所述芯片U4的PG引脚，所述电阻R17的第二端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述MOS管Q1的源极连接到所述接口P2的第二端口；所述接口P1的第一端口连接到所述MOS管Q1漏极，所述接口P2的第一端口连接到所述芯片U4的引脚VOUT；所述电阻R18的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R18的第二端连接到所述MOS管Q2的栅极；所述电阻R19的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R19的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q2的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q2的源极连接到端口Mir+LINKA；所述电阻R20的第一端连接到所述MOS管Q3的栅极，所述电阻R20的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q3的漏极连接到端口Mir+LINKB，所述MOS管Q3的源极接地；所述电阻R21的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R21的第二端连接到所述MOS管Q4的栅极；所述电阻R22的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R22的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q4的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q4的源极连接到所述电阻R34的第一端；所述电阻R23的第一端连接到所述MOS管Q5的栅极，所述电阻R23的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q5的漏极连接到所述电阻R34的第一端，所述MOS管Q5的源极接地；所述电阻R34的第一端连接到所述MOS管Q4的源极，所述电阻R34的第二端连接到端口Mir-。

本实施例中，限流输出电路44与恒压输出电路相比，增加了电阻R34，在本实施例中，电阻R34为限流电阻，与电致变色器件为串联关系，电致变色器件的内阻在充放电过程中是有小变大的，在充放电初始阶段，电致变色器件内阻较小，其分压也较小，随着充放电进行，电致变色器件内阻随时间增大，其分压也逐渐增大，最后接近恒压电路输出的电压。如果直接用恒压充放电，充放电初期，电致变色器件的边缘电压远高于中间部分，尤其是对于大的电致变色器件，所以导致边缘总比中间部分变色快很多，变色不均匀，且不利于电致变色器件寿命。从电流角度来看，电流大小会瞬间从大电流降低。

加入限流电阻后，限流电阻R34和电致变色器件分压，随着充放电过程进行，电致变色器件内阻增大，使得电致变色器件端电压缓慢上升，电致变色器件的电流会以低水平缓慢下降。引入这个限流输出电路，不仅实现了对电致变色器件的反射率多方面控制和维持稳定的效果，而且还可以实现电致变色器件的均匀变色，并且延长电致变色器件寿命。

参阅图10，图10为本发明实施例中恒流输出电路42的电路图，所述恒流输出电路42包括：芯片U5、电阻R24、电容C15、二极管D5和电感L2；所述电容C15的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电容C15的第二端连接到所述芯片U5的GND引脚；所述电阻R24的第一端连接到所述芯片U5的CSN引脚，所述电阻R24的第二端连接到所述芯片U5的VIN引脚；所述电感L2的第一端连接到所述芯片U5的SW引脚，所述电感L2的第一端连接到所述端口Mir-；所述二极管D5的正极连接到所述电感L2的第一端，所述二极管D5的负极连接到所述端口Mir+LINKA；所述芯片U5的VIN引脚连接到所述端口VCC5VOUT。

本实施例中，芯片U5型号优选为PT4115C。芯片1引脚DIM通过引脚CURCONTROL与芯片U3连接，芯片U3通过输出不同频率和占空比的PWM控制芯片U5输出不同驱动电流，恒流输出电路42的输出端直接与电致驱动器件相连，通过恒压输出电路41的正反向切换电路实现给电致驱动器件充放电的功能。在电致驱动器件充放电的第一阶段恒流阶段中，可以将芯片U4使能端置低，控制CURCONTROL引脚PWM输出特定电流值，利用恒压输出电路41的正反向切换电路实现恒流给电致驱动器件充放电；在电致驱动器件充放电的第二阶段恒压阶段，可以将芯片U4使能端置高，停止CURCONTROL引脚PWM输出，利用恒压输出电路41的正反向切换电路实现恒压给电致驱动器件充放电。

参阅图11，图11为本发明实施例中脉冲输出电路43的电路图，所述脉冲输出电路43与所述控制电路3连接，所述脉冲输出电路43包括：电容C20……电容C24、电阻R30……电阻R33、二极管D6、电感L3和芯片U7；所述电容C20的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电容C20的第二端接地；所述电容C21的第一端连接到所述二极管D6的负极，所述电容C21的第二端接地；所述电容C22的第一端连接到电阻R30的第二端，所述电容C22的第二端接地；所述电容C23的第一端连接到芯片U4的FB引脚，所述电容C23的第二端接地；所述电容C24的第一端连接到端口VOUT，所述电容C24的第二端接地；所述电感L3的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电感L3的第二端连接到所述二极管D6的正极；所述电阻R30的第一端连接到所述控制电路，所述电阻R30的第二端连接到所述芯片U7的EN引脚；所述电阻R31的第一端连接到所述芯片U7的SOE引脚，所述电阻R31的第二端接地；所述电阻R32的第一端连接到所述二极管D6的负极，所述电阻R32的第二端连接到所述电阻R33的第一端，所述电阻R33的第二端接地；所述芯片U7的VDD引脚连接到所述电容C21的第一端，所述芯片U7的SW引脚连接到所述电感L3的第二端。

在本实施例中，芯片U7型号优选为GS1662，芯片U3通过引脚PulseVoltage与芯片GS1662的VDD引脚相连，芯片U3将此引脚置高，芯片GS1662就可以输出高电压，脉冲幅值大小可以通过改变8引脚FB端的电阻R32和电阻R33的阻值调节，脉冲频率可通过芯片U3对芯片U7的VDD引脚控制。在替代实施例中，也可以类似恒压输出电路41，通过增加多个开关管调节不同的电阻参数，实现多种幅值输出的功能。脉冲输出电路43的输出端与恒压输出电路41的输出端通过端口VOUT连接，这样就可以共用正反向开关电路，控制方便，节省资源。

本发明实施例公开了一种电致变色器件控制电路，包括：充电电路，用于在电压输入端有电源电压输入时存储工作电压，并在所述电压输入端无所述电源电压输入时释放所述工作电压；检测电路，用于检测外部环境数据并产生环境数据信号；控制电路，用于接收所述工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；输出电路，用于根据所述控制信号对所述电致变色器件进行充放电。本发明提供的一种电致变色器件控制电路解决了现有技术中电路断电情况下无法维持电致变色器件长时间高反射率的问题，实现了对电致变色器件的反射率多方面控制和维持稳定的效果。

实施例二

图12为本实施例二中提供的一种电致变色器件控制电路的电路模块示意图，本实施例是在实施例一的基础上进行了拓展，具体地，在实施例一的基础上增加了降压电路5和保护电路6。

参阅图13，图13为本发明实施例中降压电路5的电路图，降压电路5用于接收电源电压并降压到工作电压。所述降压电路5包括：稳压管T1、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、芯片U1和二极管D1；所述稳压管T1的第一端连接到电压输入端VCC，所述稳压管T1的第二端接地，所述电容C1和所述稳压管T1并联，即电容C1的第一端连接到所述稳压管T1的第一端，所述电容C1的第二端连接到所述稳压管T1的第二端；所述电容C2和所述电容C1并联，即所述电容C2的第一端连接到所述电容C1的第一端，所述电容C2的第二端连接到所述电容C1的第二端；所述电容C3的第一端连接到芯片U1的端口VCC5V，所述电容C3的第二端连接到所述稳压管T1的第二端；所述电阻R1的第一端连接到所述稳压管T1的第一端，所述电阻R1的第二端连接到所述芯片U1的EN引脚上；所述电阻R2的第一端连接到所述芯片U1的OUT引脚上，所述电阻R2的第二端连接到所述二极管D1的正极；所述二极管D1的负极连接到所述稳压管T1的第二端；所述芯片U1的IN引脚连接到所述稳压管T1的第一端，所述芯片U1的GND引脚连接到所述稳压管T1的第二端。

本实施例中，降压电路5用于接收电源电压并降压到工作电压。降压电路5中芯片U1优选为型号为TPS709DC-DC降压芯片，该芯片电压输入范围为2.7-30V，电压输出范围为1.2-6.5V。在本实施例中，电压输入端VCC优选提供12V直流电给芯片U1的IN引脚，通过芯片U1降压后在芯片U1的OUT引脚输出，OUT引脚连接至VCC5V端口以输出5V直流电并提供其他电路模块。在替代实施例中，可以修改其他电路参数即可在端口VCC5V得到其他不同的输出电压，具体可根据实际情况进行适应性调整，在此不做限定。

参阅图14，图14为本发明实施例中保护电路6的电路图，保护电路6用于保护电路和分流所述工作电压；所述保护电路6包括：芯片U2、电阻R3和电容C4；所述电阻R3的第一端连接到所述芯片U2的ISET引脚，所述电阻R3的第二端接地；所述电容C4的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电容C4的第二端连接到所述电阻R3的第二端；所述芯片U2的IN引脚连接到端口VCC5V，所述芯片U2的EN引脚连接到端口VCC5V，所述芯片U2的GND引脚接地，所述芯片U2的OUT引脚连接到所述电容C4的第一端。

本实施例中，保护电路6用于保护电路和分流工作电压芯片U2优选为型号为SY6280A的控制芯片，该芯片电压输入范围为2.4-5.5V，限制电流范围为0.4-2A，芯片U2过电流保护的电流大小可以根据应用场景需要更改电阻R3的阻值，在替代实施例中，芯片U2还可以替换为其他型号，保护电路也可以根据需要采用自恢复保险丝或不可恢复保险丝代替。

本发明实施例公开了一种电致变色器件控制电路，包括：降压电路，用于接收电源电压并降压到工作电压；保护电路，用于保护电路和分流工作电压；充电电路，充电电路，用于存储工作电压并在电压输入端无所述电源电压输入时释放所述工作电压；检测电路，用于检测外部环境数据并产生环境数据信号；控制电路，用于接收所述工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；输出电路，用于根据所述控制信号对所述电致变色器件进行充放电。本发明提供的一种电致变色器件控制电路解决了现有技术中电路断电情况下无法维持电致变色器件长时间高反射率的问题，实现了对电致变色器件的反射率多方面控制和维持稳定的效果。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种电致变色器件控制电路，其特征在于，包括：

充电电路，用于在电压输入端有电源电压输入时仅存储工作电压，并在所述电压输入端无所述电源电压输入时才释放工作电压；

检测电路，用于检测外部环境数据并产生环境数据信号；

控制电路，用于接收工作电压和所述环境数据信号并产生控制信号；

输出电路，所述输出电路包括恒压输出电路，所述恒压输出电路用于第一阶段恒流对电致变色器件充放电，第二阶段恒压对电致变色器件充放电；

所述充电电路包括：电阻和电容，所述电阻的第一端通过输出端口连接到所述控制电路，所述电阻的第二端连接到所述电容；所述电阻用于限制所述电容的充电电流或放电电流的大小；

所述检测电路包括电压检测电路及电流检测电路，所述电压检测电路用于检测电致变色器件两端的电压值，所述电流检测电路用于记录电致变色器件充放电的峰值电流和检测电致变色器件充放电第二阶段恒压充放电电流大小；

所述控制电路根据所述电压值调整输出电路的输出电压或者电流对电致变色器件的开路电势进行调节，以改变电致变色器件的透过率。

2.根据权利要求1中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述充电电路还包括：二极管D2、二极管D3、二极管D4以及电阻R4；所述二极管D2的正极连接到电源输入端，所述二极管D2的负极连接到所述二极管D3的正极，所述二极管D3的负极连接到端口VBAT；所述电阻R4的第一端连接到所述二极管D2的负极，所述电阻R4的第二端连接到电容C5的第二端；所述二极管D4的正极连接到端口VBAT，所述二极管D4的负极连接到所述电容C5的第二端。

3.根据权利要求1中所述一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述检测电路还包括以下的一种或多种的组合：光强检测电路、温度检测电路。

4.根据权利要求3中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述光强检测电路包括第一光强检测电路和第二光强检测电路，所述第一光强检测电路包括：电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C6和光传感器O1，所述电阻R6的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R6的第二端连接到所述光传感器O1的VDD端，所述光传感器O1的VSS端连接到电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端接地；所述电阻R8的第一端连接到所述光传感器O1的VSS端，所述电阻R8的第二端连接到所述控制电路；所述电容C6的第一端连接到所述电阻R8的第二端，所述电容C6的第二端接地；所述第二光强检测电路包括：电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C7和光传感器O2，所述电阻R9的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R9的第二端连接到所述光传感器O2的VDD端，所述光传感器O2的VSS端连接到电阻R10的第一端，所述电阻R10的第二端接地；所述电阻R11的第一端连接到所述光传感器O2的VSS端，所述电阻R11的第二端连接到所述控制电路；所述电容C7的第一端连接到所述电阻R11的第二端，所述电容C7的第二端接地。

5.根据权利要求3中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述电压检测电路与所述控制电路连接，所述电压检测电路包括：电容C16、电容C17、电阻R25、电阻R26、电阻R27和电阻R28；所述电容C16的第一端接地，所述电容C16的第二端连接到所述电阻R26的第一端；所述电阻R25的第一端接地，所述电阻R25的第二端连接到所述电阻R26的第一端；所述电阻R26的第二端连接到端口Mir-；所述电阻R27的第一端接地，所述电阻R27的第二端连接所述电阻R28的第一端，所述电阻R28的第二端连接到端口Mir+LINKB；所述电容C17的第一端接地，所述电容C17的第二端连接到所述电阻R28的第一端。

6.根据权利要求3中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述温度检测电路与所述控制电路连接，所述温度检测电路包括：电阻R39和温度传感器O3，所述电阻R39的第一端连接到所述温度传感器O3的VDD引脚，所述电阻R39的第二端连接到所述温度传感器O3的DO引脚；所述温度传感器O3的VDD引脚连接到端口VCC5VOUT，所述温度传感器O3的GND引脚接地。

7.根据权利要求3中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述电流检测电路与所述控制电路连接，所述电流检测电路包括：芯片U6、电容C18和电容C19；所述电容C18的第一端连接到芯片U6的Filter引脚，所述电容C18的第二端接地；所述电容C19的第一端连接到芯片U6的VCC引脚，所述电容C19的第二端接地；所述芯片U6的VCC引脚连接到端口VCC5VOUT，所述芯片U6的IP+端口连接到端口Mir+LINKA，所述芯片U6的IP-端口连接到端口Mir+LINKB，所述芯片U6的GND端口接地。

8.根据权利要求1中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述控制电路包括芯片U3，所述芯片U3包括多个引脚，所述芯片U3的引脚VCC、引脚VDD1、引脚VDD2、引脚VDD3和引脚VDDA连接到端口VCC5VOUT。

9.根据权利要求1中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述输出电路还包括以下的一种或多种的组合：恒流输出电路、脉冲输出电路和/或限流输出电路。

10.根据权利要求9中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述恒压输出电路包括：芯片U4、电阻R12-电阻R23、电容C8-电容C14、接口P1、接口P2、电感L1和MOS管Q1-MOS管Q5；所述电容C8的第一端连接到端口VBAT，所述电容C8第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C9的第一端连接到所述端口VBAT；所述电容C9第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C10的第一端连接到所述电容C9第二端，所述电容C10的第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C11的第一端连接到所述芯片U4的VBST引脚，所述电容C11的第二端连接到所述电感L1的第一端；所述电容C12的第一端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述电容C13的第一端连接到所述电感L1的第二端，所述电容C13的第二端连接到所述电容C14的第二端；所述电容C14的第一端连接到所述电感L1的第二端；所述电阻R12的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R12的第二端连接到所述MOS管Q1的栅极；所述电阻R13的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R13的第二端连接到所述芯片U4的VFB引脚；所述电阻R14的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R14的第二端连接到所述MOS管Q1的漏极；所述电阻R15的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R15的第二端连接到所述芯片U4的EN端口；所述电阻R16的第一端连接芯片U4的VFB引脚，所述电阻R16的第二端接地；所述电阻R17的第一端连接到所述芯片U4的PG引脚，所述电阻R17的第二端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述MOS管Q1的源极连接到所述接口P2的第二端口；所述接口P1的第一端口连接到所述MOS管Q1漏极，所述接口P2的第一端口连接到所述芯片U4的引脚VOUT；所述电阻R18的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R18的第二端连接到所述MOS管Q2的栅极；所述电阻R19的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R19的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q2的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q2的源极连接到端口Mir+LINKA；所述电阻R20的第一端连接到所述MOS管Q3的栅极，所述电阻R20的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q3的漏极连接到端口Mir+LINKB，所述MOS管Q3的源极接地；所述电阻R21的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R21的第二端连接到所述MOS管Q4的栅极；所述电阻R22的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R22的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q4的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q4的源极连接到端口Mir-；所述电阻R23的第一端连接到所述MOS管Q5的栅极，所述电阻R23的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q5的漏极连接到所述端口Mir-，所述MOS管Q5的源极接地。

11.根据权利要求9中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述恒流输出电路包括：芯片U5、电阻R24、电容C15、二极管D5和电感L2；所述电容C15的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电容C15的第二端连接到所述芯片U5的GND引脚；所述电阻R24的第一端连接到所述芯片U5的CSN引脚，所述电阻R24的第二端连接到所述芯片U5的VIN引脚；所述电感L2的第一端连接到所述芯片U5的SW引脚，所述电感L2的第一端连接到端口Mir-；所述二极管D5的正极连接到所述电感L2的第一端，所述二极管D5的负极连接到端口Mir+LINKA；所述芯片U5的VIN引脚连接到所述端口VCC5VOUT。

12.根据权利要求9中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，所述脉冲输出电路包括：电容C20-电容C24、电阻R30-电阻R33、二极管D6、电感L3和芯片U7；所述电容C20的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电容C20的第二端接地；所述电容C21的第一端连接到所述二极管D6的负极，所述电容C21的第二端接地；所述电容C22的第一端连接到电阻R30的第二端，所述电容C22的第二端接地；所述电容C23的第一端连接到芯片U7的FB引脚，所述电容C23的第二端接地；所述电容C24的第一端连接到端口VOUT，所述电容C24的第二端接地；所述电感L3的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电感L3的第二端连接到所述二极管D6的正极；所述电阻R30的第一端连接到所述控制电路，所述电阻R30的第二端连接到所述芯片U7的EN引脚；所述电阻R31的第一端连接到所述芯片U7的SOE引脚，所述电阻R31的第二端接地；所述电阻R32的第一端连接到所述二极管D6的负极，所述电阻R32的第二端连接到所述电阻R33的第一端，所述电阻R33的第二端接地；所述芯片U7的VDD引脚连接到所述电容C21的第一端，所述芯片U7的SW引脚连接到所述电感L3的第二端。

13.根据权利要求9中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，还包括限流输出电路，所述限流输出电路包括：芯片U4、电阻R12-电阻R23和电阻R34、电容C8-电容C14、接口P1、接口P2、电感L1和MOS管Q1-MOS管Q5；所述电容C8的第一端连接到端口VBAT，所述电容C8第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C9的第一端连接到所述端口VBAT；所述电容C9第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C10的第一端连接到所述电容C9第二端，所述电容C10的第二端连接到所述芯片U4的SS引脚；所述电容C11的第一端连接到所述芯片U4的VBST引脚，所述电容C11的第二端连接到所述电感L1的第一端；所述电容C12的第一端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述电容C13的第一端连接到所述电感L1的第二端，所述电容C13的第二端连接到所述电容C14的第二端；所述电容C14的第一端连接到所述电感L1的第二端；所述电阻R12的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R12的第二端连接到所述MOS管Q1的栅极；所述电阻R13的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R13的第二端连接到所述芯片U4的VFB引脚；所述电阻R14的第一端连接到所述接口P1的第二端口，所述电阻R14的第二端连接到所述MOS管Q1的漏极；所述电阻R15的第一端连接到所述端口VBAT，所述电阻R15的第二端连接到所述芯片U4的EN端口；所述电阻R16的第一端连接芯片U4的VFB引脚，所述电阻R16的第二端接地；所述电阻R17的第一端连接到所述芯片U4的PG引脚，所述电阻R17的第二端连接到所述芯片U4的VREG5引脚；所述MOS管Q1的源极连接到所述接口P2的第二端口；所述接口P1的第一端口连接到所述MOS管Q1漏极，所述接口P2的第一端口连接到所述芯片U4的引脚VOUT；所述电阻R18的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电阻R18的第二端连接到所述MOS管Q2的栅极；所述电阻R19的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R19的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q2的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q2的源极连接到端口Mir+LINKA；所述电阻R20的第一端连接到所述MOS管Q3的栅极，所述电阻R20的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q3的漏极连接到端口Mir+LINKB，所述MOS管Q3的源极接地；所述电阻R21的第一端连接到所述端口VCC5VOUT，所述电阻R21的第二端连接到所述MOS管Q4的栅极；所述电阻R22的第一端连接到所述MOS管Q2的栅极，所述电阻R22的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q4的漏极连接到所述电感L1的第二端，所述MOS管Q4的源极连接到所述电阻R34的第一端；所述电阻R23的第一端连接到所述MOS管Q5的栅极，所述电阻R23的第二端连接到所述控制电路；所述MOS管Q5的漏极连接到所述电阻R34的第一端，所述MOS管Q5的源极接地；所述电阻R34的第一端连接到所述MOS管Q4的源极，所述电阻R34的第二端连接到端口Mir-。

14.根据权利要求1中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，还包括降压电路，所述降压电路包括：稳压管T1、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、芯片U1和二极管D1；所述稳压管T1的第一端连接到电压输入端VCC，所述稳压管T1的第二端接地，所述电容C1的第一端连接到所述稳压管T1的第一端，所述电容C1的第二端连接到所述稳压管T1的第二端；所述电容C2的第一端连接到所述电容C1的第一端，所述电容C2的第二端连接到所述电容C1的第二端；所述电容C3的第一端连接到端口VCC5V，所述电容C3的第二端连接到所述稳压管T1的第二端；所述电阻R1的第一端连接到所述稳压管T1的第一端，所述电阻R1的第二端连接到所述芯片U1的EN引脚上；所述电阻R2的第一端连接到所述芯片U1的OUT引脚上，所述电阻R2的第二端连接到所述二极管D1的正极；所述二极管D1的负极连接到所述稳压管T1的第二端；所述芯片U1的IN引脚连接到所述稳压管T1的第一端，所述芯片U1的GND引脚连接到所述稳压管T1的第二端。

15.根据权利要求14中所述的一种电致变色器件控制电路，其特征在于，还包括保护电路，与所述降压电路连接，所述保护电路包括：芯片U2、电阻R3和电容C4；所述电阻R3的第一端连接到所述芯片U2的ISET引脚，所述电阻R3的第二端接地；所述电容C4的第一端连接到端口VCC5VOUT，所述电容C4的第二端连接到所述电阻R3的第二端；所述芯片U2的IN引脚连接到端口VCC5V，所述芯片U2的EN引脚连接到端口VCC5V，所述芯片U2的GND引脚接地，所述芯片U2的OUT引脚连接到所述电容C4的第一端。