CN110907788A - 探针卡检查晶片和探针卡检查系统 - Google Patents

探针卡检查晶片和探针卡检查系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110907788A
CN110907788A CN201910428101.1A CN201910428101A CN110907788A CN 110907788 A CN110907788 A CN 110907788A CN 201910428101 A CN201910428101 A CN 201910428101A CN 110907788 A CN110907788 A CN 110907788A
Authority
CN
China
Prior art keywords
probe
inspection
probe card
pads
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910428101.1A
Other languages
English (en)
Inventor
池俊洙
金檀义
南汉直
郑晋宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN110907788A publication Critical patent/CN110907788A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0416—Connectors, terminals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本公开提供了探针卡检查晶片和探针卡检查系统。探针卡检查晶片包括基底晶片以及在基底晶片上且彼此间隔开的第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片，其中位于基底晶片上的第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片的每个被分成探针垂直高度检查区域、探针水平位置检查区域和接触检查区域，其中第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片的每个包括第一焊盘阵列和第二焊盘阵列，该第一焊盘阵列位于探针垂直高度检查区域上并配置为用于检查要被检查的探针卡的第一交流(AC)探针和第二交流(AC)探针的垂直高度，该第二焊盘阵列位于探针垂直高度检查区域上并配置为用于检查要被检查的探针卡的第一VSS探针和第二VSS探针的垂直高度。

Description

探针卡检查晶片和探针卡检查系统
技术领域
本公开涉及探针卡检查晶片、探针卡检查系统以及检查探针卡的方法。更具体地，本公开涉及通过其可提高检查速度和可靠性的探针卡检查晶片、探针卡检查系统以及检查探针卡的方法。
背景技术
在多个半导体器件采用制造半导体器件的工艺形成在晶片上之后，可以对每个半导体器件进行电特性测试。电特性测试可以通过向形成在晶片上的半导体器件施加电信号以及读取对应于所施加的电信号的输出信号来进行。在此情况下，电信号的施加和读取可以由包括多个探针的探针卡进行，所述多个探针可以与形成在半导体器件中的端子接触。
发明内容
本公开描述了通过其可提高可靠性和检查速度的探针卡检查晶片、探针卡检查系统以及检查探针卡的方法。
本发明构思的方面不应被以上描述限制，并且其它未提及的方面将从这里描述的示例实施方式而由本领域普通技术人员清楚地理解。
根据本发明构思的一方面，一种探针卡检查系统包括基底晶片以及在基底晶片上且彼此间隔开的第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片。位于基底晶片上的第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片中的每个分成探针垂直高度检查区域、探针水平位置检查区域和接触检查区域。第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片的每个包括第一焊盘阵列和第二焊盘阵列，该第一焊盘阵列位于探针垂直高度检查区域上并配置为用于检查要检查的探针卡的第一交流(AC)探针和第二交流(AC)探针的垂直高度，该第二焊盘阵列位于探针垂直高度检查区域上并配置为用于检查要检查的探针卡的第一VSS探针和第二VSS探针的垂直高度。
根据本发明构思的一方面，一种探针卡检查晶片包括基底晶片、位于基底晶片上的多个读取焊盘、位于基底晶片上并在横向方向上与所述多个读取焊盘间隔开的多个要被检查的焊盘、以及每个将所述多个读取焊盘中的一个与所述多个要被检查的焊盘中的一个连接的联接线图案。每个联接线图案仅连接到所述多个要被检查的焊盘中的一个。
根据本发明构思的一个方面，一种探针卡检查晶片包括基底晶片和在基底晶片上的第一焊盘阵列至第三焊盘阵列。第一焊盘阵列包括在平行于基底晶片的顶表面的第一方向上彼此间隔开且彼此对准的多个第一数据焊盘和多个AC探针检查焊盘以及每个将所述多个AC探针检查焊盘中的一个与所述多个第一数据焊盘中的一个连接的第一联接线图案。第二焊盘阵列包括在第一方向上彼此间隔开且彼此对准的多个第二数据焊盘和多个VCC探针检查焊盘、以及每个将所述多个VCC探针检查焊盘中的一个与所述多个第二数据焊盘中的一个连接的第二联接线图案。第三焊盘阵列包括在第一方向上彼此间隔开且彼此对准的多个第三数据焊盘和多个VSS探针检查焊盘、以及每个将所述多个VSS探针检查焊盘中的一个与所述多个第三数据焊盘中的一个连接的第三联接线图案。
根据本发明构思的一方面，一种探针卡检查系统包括：测试头，配置为向探针卡施加电信号或电势，该测试头包括多个VSS线、多个AC线、多个输入/输出(I/O)线和多个直流(DC)线；探针卡检查晶片；以及吸盘，配置为支撑探针卡检查晶片。探针卡检查晶片包括基底晶片以及在基底晶片上的第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片，第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片彼此间隔开。位于基底晶片上的第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片中的每个被分成探针垂直高度检查区域、探针水平位置检查区域和接触检查区域。第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片的每个包括位于探针垂直高度检查区域上的第一焊盘阵列和第二焊盘阵列。第一焊盘阵列包括在平行于基底晶片的顶表面的第一方向上彼此间隔开且彼此对准的多个第一读取焊盘和多个AC探针检查焊盘、以及每个将所述多个第一读取焊盘中的一个与所述多个AC探针检查焊盘中的一个连接的第一联接线图案。第二焊盘阵列包括在第一方向上彼此间隔开且彼此对准的多个第二读取焊盘和多个VSS探针检查焊盘、以及每个将所述多个第二读取焊盘中的一个与所述多个VSS探针检查焊盘中的一个连接的第二联接线图案。
根据本发明构思的一方面，一种检查探针卡的方法包括：检查包括在探针卡中的I/O探针和DC探针；以及采用I/O探针和DC探针的检查结果检查包括在探针卡中的VSS探针和AC探针。VSS探针和AC探针的检查包括：将VSS探针之一与I/O探针之一或DC探针之一连接；以及将AC探针之一与I/O探针之一或DC探针之一连接。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，本发明构思的实施方式将被更清楚地理解，附图中：
图1是根据一实施方式的检查系统的示意图；
图2和图3是根据一实施方式的图1所示的晶片的配置的平面图；
图4是根据一实施方式的由探针卡检查的芯片的平面图，该探针卡由探针卡检查芯片检查；
图5是根据一实施方式的探针卡检查晶片的一部分的平面图；
图6是图5的一部分的局部放大平面图；
图7至图9是分别沿着图5的线I-I'、II-II'和III-III'剖取的截面图；
图10至图12是根据某些实施方式的探针卡检查晶片中包括的探针卡检查芯片的平面图；以及
图13至图15是示出根据某些实施方式的检查探针卡的方法的流程图。
具体实施方式
图1是根据某些实施方式的检查系统10的示意图。
参照图1，检查系统10可以包括检查腔100、探针卡200和测试装置300。
吸盘驱动装置110、吸盘120和基底晶片W可以设置在检查腔100中。基底晶片W可以安装在吸盘120上。这里，基底晶片W可以为其上形成多个半导体器件的半导体晶片或其上形成配置为检查探针卡的导电图案的探针卡检查晶片，如下面描述的。根据某些实施方式，基底晶片W可以安装在吸盘120上，使得半导体器件的端子(例如，参照图2中的接触焊盘)或配置为检查探针卡200的导电图案面对探针卡200。
检查系统10可以在检查腔100中测试包括多个半导体器件的被测装置(DUT)的电特性。根据某些实施方式，电子管芯分选(EDS)过程可以在检查腔100中进行。根据某些实施方式，探针卡200可以在检查腔100中检查。
这里，EDS过程可以指向形成在基底晶片W上的半导体器件施加电信号以及基于响应于施加的电信号由半导体器件输出的信号确定半导体器件是否是有缺陷的过程。
根据某些实施方式，为了测试DUT的电特性，检查系统10可以对基底晶片W进行直流(DC)测试和交流(AC)测试。这里，DC测试可以包括：向基底晶片W的输入焊盘施加预定的电压；测量DC特性，诸如断路/短路、输入电流、输出电压和电源电流；以及确定DUT是否是有缺陷的。此外，AC测试可以包括：向基底晶片W的输入焊盘施加脉冲信号；测量操作特性，诸如输入/输出输送延迟时间和输出信号的开始/结束时间；以及确定DUT是否是有缺陷的。
根据某些实施方式，为了检查探针卡200是否是有缺陷的，检查系统10可以采用探针卡200的探针234中的任何一个向基底晶片W的导电图案施加配置电压以及采用探针234中的另一个检测传输的输出信号。
吸盘120可以设置在吸盘驱动装置110上。吸盘120可以采用静电吸附法或真空吸附法固定基底晶片W。具有预定粗糙度的砂纸可以进一步位于吸盘120的一个侧表面上。当探针234受外来物质污染时，被污染的探针234可以由砂纸磨砂以去除外来物质。
吸盘驱动装置110可以布置在吸盘120下面并且连接到吸盘120。吸盘驱动装置110可以在第一至第三方向X、Y和Z上平移吸盘120。可选地，吸盘驱动装置110可以旋转吸盘120。这里，第一方向X和第二方向Y可以指平行于基底晶片W的顶表面且基本上彼此垂直的两个方向，并且第三方向Z可以指基本上垂直于基底晶片W的顶表面的方向。除非下面另外地描述，否则方向的定义可以同样地应用于下面的所有附图。例如，即使当仅示出检查系统10的一部分时，第一至第三方向X、Y和Z基于基底晶片W的顶表面的定义也可以是相同的。因此，固定到吸盘120的基底晶片W可以在作为水平方向的第一方向X和第二方向Y或作为垂直方向的第三方向Z上线性地移动或旋转。
根据某些实施方式，吸盘驱动装置110可以旋转吸盘120，使得形成在基底晶片W上的半导体器件的电极端子或配置为测试探针卡200的导电图案布置的方向可以与探针234布置的方向对准。根据某些实施方式，吸盘驱动装置110可以在第一方向X和第二方向Y上移动吸盘120，使得形成在基底晶片W上的半导体器件的电极端子或配置为测试探针卡200的导电图案在垂直方向上与探针234对准。根据某些实施方式，吸盘驱动装置110可以在第三方向Z上移动吸盘120，使得形成在基底晶片W上的半导体器件的电极端子或配置为测试探针卡200的导电图案可以电连接或物理连接到探针234。
当基底晶片W是探针卡检查晶片时，探针234和形成在探针卡检查晶片上的导电图案可以由于吸盘120的驱动而相对移动，使得探针234可以与形成在探针卡检查晶片上的导电图案对准且由其接触。在此情况下，探针234可以与接触检查图案(参照图5中的CIP)、第一水平位置检查图案和第二水平位置检查图案(参照图5中的HPIP1和HPIP2)以及第一至第三焊盘阵列(参照图5中的PDAR1、PDAR2和PDAR3)依次对准且由其接触，从而可以检查不同探针234的不同特性。
根据某些实施方式，探针卡200可以包括印刷电路板(PCB)210、瓷片固定基板220和多个陶瓷瓷片230。根据某些实施方式，每个陶瓷瓷片230可以包括多个探针234，该多个探针234可以在第三方向Z上突出。根据某些实施方式，每个陶瓷瓷片230可以对应于一个芯片(参照图4中的CHP)。然而，本发明构思不限于此，所述多个陶瓷瓷片230可以对应于一个芯片(参照图4中的CHP)，或者一个陶瓷瓷片230可以对应于多个芯片(参照图4中的CHP)。
根据某些实施方式，测试装置300可以包括测试主体310、测试头320和底座330。底座330可以连接到探针卡200。根据某些实施方式，底座330可以连接到探针卡200的PCB210。
根据某些实施方式，测试头320可以通过底座330电连接到探针卡200。此外，测试头320可以电连接到测试主体310并将由测试主体310产生的电信号传输到探针卡200。
测试主体310可以输出用于检查半导体器件的电信号并读取对应于检查结果的电信号。根据某些实施方式，测试主体310可以确定形成在基底晶片W上的半导体器件的操作是否正常，例如通过将检查结果与预定的预期结果比较。根据某些实施方式，测试主体310可以确定探针卡200的操作是否正常。
根据某些实施方式，测试主体310可以输出用于形成在基底晶片W上的半导体器件的电特性检查的电信号。根据某些实施方式，由测试主体310输出的电信号可以通过测试头320和探针卡200施加到形成在基底晶片W上的半导体器件。半导体器件可以响应于所施加的电信号执行操作并通过电极端子输出对应于检查结果的电信号。从电极端子输出的对应于检查结果的电信号可以通过探针卡200和测试头320传输到测试主体310。因此，测试装置300可以确定形成在基底晶片W上的半导体器件的操作是否正常。
根据某些实施方式，测试主体310可以输出用于探针卡200的电特性检查的电信号。根据某些实施方式，由测试主体310输出的电信号可以通过测试头320和探针卡200施加到导电图案，该导电图案配置为检查设置在基底晶片W上的探针卡200。施加到配置为检查探针卡200的导电图案的电信号可以经由预定的电路径再次传输到探针卡200。传输到探针卡200的电信号可以通过测试头320传输到测试主体310。测试主体310可以采用传输的电信号(或没有传输电信号)确定探针卡200是正常的还是有缺陷的。
图2和图3是图1所示的基底晶片W的配置的平面图。
更具体地，图2所示的晶片Wm可以是其上形成半导体器件(例如存储芯片)的晶片或配置为检查探针卡(参照图1中的200)的探针卡检查晶片，该探针卡配置为检查其上形成存储芯片的晶片。此外，图3所示的晶片Wl可以是其上形成半导体器件(例如逻辑芯片)的晶片或配置为检查探针卡(参照图1中的200)的探针卡检查晶片，该探针卡配置为检查其上形成逻辑芯片的晶片。
参照图2，晶片Wm的一个全景(full shot)可以包括多个存储芯片或多个探针卡检查芯片。例如，25个存储芯片或25个探针卡检查芯片可以被包括在一个全景中。根据某些实施方式，当存储芯片采用晶片Wm制造时，可以执行步进式曝光机或扫描式曝光机的87次曝光以图案化整个晶片Wm。在图2中，每个全景用大的正方形示出，并且每个存储芯片用小的正方形示出。
在此情况下，由于晶片Wm的外部不构成全景，所以当对晶片Wm的外部进行曝光工艺时，仅掩模图案的一部分可以转移到晶片Wm。尽管晶片Wm的外部没有作为全景被转移，但是存储芯片或探针卡检查芯片所需的图案可以通过部分地转移配置好的图案而转移。因此，甚至晶片Wm的外部的存储芯片或探针卡检查芯片也可以有效地操作。
参照图3，在逻辑芯片的晶片W1的情况下，一个逻辑芯片或探针卡检查芯片可以对应于一个全景。根据某些实施方式，逻辑芯片的晶片Wl可以包括57个全景。然而，逻辑芯片的晶片W1的外部可以不构成有效的可操作的逻辑芯片，与存储芯片不同。
图4是根据某些实施方式的由探针卡检查的芯片CHP的平面图。
根据某些实施方式，芯片CHP可以是晶片级芯片CHP。这里，晶片级芯片可以指形成在晶片上的还没有被分离为各个芯片的芯片CHP。划片槽可以位于相邻的芯片CHP之间。划片槽可以是用于将测试的芯片CHP分成各个芯片的分隔线。
根据某些实施方式，芯片CHP可以是存储器件。根据某些实施方式，芯片CHP可以为非易失性存储器件。根据某些实施方式，芯片CHP可以是非易失性NAND型闪存。根据某些实施方式，芯片CHP可以包括相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(ReRAM)、铁电RAM(FRAM)和/或NOR闪存。此外，芯片CHP可以是配置为在电源中断时丢失数据的易失性存储器件(例如动态RAM(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM))。
根据某些实施方式，例如，芯片CHP可以是逻辑芯片、测量元件、通信器件、数字信号处理器(DSP)或系统芯片(SOC)。
尽管图4示出其中芯片CHP具有大致规则的四边形轮廓的示例，但是本发明构思不限于此。例如，芯片CHP可以是驱动器集成电路(IC)芯片。在此情况下，芯片CHP的两个面对侧可以比芯片CHP的垂直于所述两个面对侧的另外两个面对侧长。
配置为测试半导体器件的多个焊盘可以形成在芯片CHP上。焊盘可以包括例如接地焊盘G、电源焊盘P、AC焊盘A、数据焊盘DQ和DC焊盘DC。
接地焊盘G可以是配置为提供用作电路操作的参考电势的焊盘。电源焊盘P可以是配置为供应用于电路操作的电力的焊盘。AC焊盘A可以是配置为向芯片CHP提供AC电源或接收用于执行上述AC测试的信号的焊盘。DC焊盘DC可以是配置为检测芯片CHP的特定位置的电势电平的焊盘。更具体地，DC焊盘DC可以是配置为当驱动电压施加到芯片CHP时检查配置好的电压是否施加到芯片CHP的配置位置的焊盘。数据焊盘DQ可以是配置为输入和输出逻辑信号或数据的焊盘。
尽管图4示出其中芯片CHP包括布置且排列在第一方向X上的多个焊盘，但是本发明构思不限于此。例如，所述多个焊盘可以布置成多行。或者，所述多个焊盘可以布置成多行和多列的矩阵或十字形状。或者，所述多个焊盘可以布置在作为芯片之间的空间的划片槽中。
参照图1和图4，具有不同配置的焊盘可以根据芯片CHP的类型而提供，并且配置为检查焊盘的探针卡200可以具有与形成在芯片CHP中的焊盘对应的探针234。探针卡200可以具有分别对应于多个芯片CHP的探针234以同时检查所述多个芯片CHP。更具体地，测试头320可以将用于测试的电信号通过多个信号线传输到探针卡200。为了提高检查速度，所述多个信号线中的每个可以再分支到探针卡200中的多个探针234中。
图5是根据某些实施方式的探针卡检查晶片的一部分的平面图。更具体地，图5是示出包括在探针卡检查晶片中的第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2以及布置在第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2之间的划片槽SL的平面图。
图6是图5的第一至第三焊盘阵列的局部放大平面图。
参照图5和图6，第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2可以具有与图1所示的探针卡200的探针234对应的焊盘。在此情况下，由于图1所示的探针234对应于包括在芯片(参照图4中的CHP)中的焊盘，所以第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2中包括的焊盘可以对应于芯片(参照图4中的CHP)中包括的焊盘。在各种实施方式中，根据它们的功能描述的焊盘(诸如AC焊盘、DC焊盘、数据焊盘DQ、电源焊盘P和接地焊盘G)在探针卡检查芯片上配置在特定方向上，使得它们对应于探针卡200的探针234且与其准确地对准，探针卡200的探针234配置为与测试头320中的相应信号或电位线连接。例如，探针卡检查芯片的特定的AC焊盘和DQ焊盘可以相对于彼此取向，使得探针卡200的连接为接收AC信号的AC探针和连接为接收I/O信号的I/O探针具有与AC焊盘和DQ焊盘的取向相同的相对于彼此的取向。探针卡检查芯片的某些焊盘采用配线图案或配线与探针卡检查芯片的其它焊盘电连接以允许探针卡200的探针234的适当测试，如下面进一步讨论的。被描述为电连接的部件连接为允许信号或电压从一个部件传递到另一个部件。
根据某些实施方式，第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2可以在横向方向上彼此间隔开地布置而使划片槽SL在其间。根据某些实施方式，第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2可以基本上彼此相同。根据某些实施方式，将在下面描述的合并探针可以在第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2之间共用。根据某些实施方式，第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2可以是与图4的芯片CHP对应的芯片。在这里的某些描述中，术语“半导体芯片”、“存储芯片”或“逻辑芯片”可以用于描述包括在电子产品中的芯片，该电子产品诸如为半导体封装(例如存储器封装、逻辑封装或组合的存储器和逻辑封装)。相反，“探针卡检查芯片”是指仅用于检查目的而在其检查完成之后不被包括在电子产品中的芯片。
根据某些实施方式，第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2中的每个可以包括探针垂直高度检查区域PVLIR、探针水平位置检查区域PHPIR和探针接触检查区域PCIR。探针垂直高度检查区域PVLIR、探针水平位置检查区域PHPIR和探针接触检查区域PCIR中的每个可以是在第二方向Y上具有预定宽度并在第一方向X上延伸的区域。
根据某些实施方式，配置为检查探针(参照图1中的234)的至少一部分的垂直高度(即接触或非接触)的配线图案和焊盘可以形成在探针垂直高度检查区域PVLIR上。根据某些实施方式，配置为检查探针(参照图1中的234)的另一部分的垂直高度(即接触或非接触)的配线图案和焊盘可以形成在探针接触检查区域PCIR上。根据某些实施方式，配置为检查探针(参照图1中的234)的至少一部分的水平位置的配线图案和焊盘(即检查探针(参照图1中的234)是否已经与要被接触的部件(例如焊盘)水平地对准(或垂直地重叠)的配线图案和焊盘)可以形成在探针水平位置检查区域PHPIR上。
根据某些实施方式，第一至第三焊盘阵列PDAR1、PDAR2和PDAR3可以布置在探针垂直高度检查区域PVLIR上。根据某些实施方式，第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2可以布置在探针水平位置检查区域PHPIR上。根据某些实施方式，接触检查图案CIP可以布置在探针接触检查区域PCIR上。
如上所述，图5的方向的定义可以与图1和图4的方向的定义相同。基本上平行于基底晶片W的顶表面的两个方向可以被定义为第一方向X和第二方向Y。在某些实施方式中，图1和图4中的布置焊盘的第一方向X也可以与图5的第一方向X基本上一致。因此，当配置为检查图4的芯片CHP的探针(参照图1中的234)采用图5的第一探针卡检查芯片PICH1和第二探针卡检查芯片PICH2检查时，探针(参照图1中的234)可以与第一至第三焊盘阵列PDAR1、PDAR2和PDAR3、第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2以及接触检查图案CIP中的一个对准。
根据某些实施方式，接触检查图案CIP可以是配置为检查非合并探针和/或合并探针当中的连接到开关元件SW的探针的接触的图案。探针的合并或合并探针的详细说明将在下面参照图7至图9来描述。如这里所述的，探针的接触的检查是指检查探针是否位于所配置的水平和垂直位置从而与要检查的半导体芯片上形成的焊盘接触。
接触检查图案CIP可以在第一方向X上伸长。根据某些实施方式，接触检查图案CIP可以具有基本上矩形的轮廓。根据某些实施方式，接触检查图案CIP的内部可以不被蚀刻。例如，接触检查图案CIP的轮廓的内部可以填充有导电材料。
根据某些实施方式，接触检查图案CIP在第一方向X上的长度可以大于接触检查图案CIP在第二方向Y上的长度。根据某些实施方式，接触检查图案CIP在第二方向Y上的长度可以大于形成在探针垂直高度检查区域PVLIR中的导电图案在第二方向Y上的长度和形成在探针水平位置检查区域PHPIR中的导电图案在第二方向Y上的长度。
根据某些实施方式，接触检查图案CIP可以包括导电材料。根据某些实施方式，接触检查图案CIP可以包括从由铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)、钯(Pd)、铟(In)、锌(Zn)、碳(C)和石墨烯以及其合金组成的组选择的至少一种。此外，将在下面描述的第一至第三联接线图案CWP1、CWP2和CWP3、第一至第三DC焊盘DC1、DC2和DC3、第一至第三数据焊盘DQ1、DQ2和DQ3、VCC探针检查焊盘P'、VSS探针检查焊盘G'、AC探针检查焊盘A'以及第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2可以包括与接触检查图案CIP相同的材料，但是本发明构思不限于此。
根据某些实施方式，第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2可以是配置为检查探针234的水平位置的图案。第一水平位置检查图案HPIP1可以是配置为检查与VSS探针检查焊盘G'接触的探针234的水平位置的图案。第二水平位置检查图案HPIP2可以是配置为检查与第一至第三DC焊盘DC1、DC2和DC3、第一至第三数据焊盘DQ1、DQ2和DQ3、VCC探针检查焊盘P'和AC探针检查焊盘A'接触的探针234的水平位置的图案。
根据某些实施方式，第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2可以在第一方向X上伸长。第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2可以具有基本上矩形的轮廓，并可以是配置为检查探针234的水平位置的图案。
根据某些实施方式，第一水平位置检查图案HPIP1可以包括通过在对应于包括在图4的芯片CHP中的接地焊盘G的位置蚀刻掉导电材料而获得的形状。
根据某些实施方式，第二水平位置检查图案HPIP2可以包括通过在对应于包括在图4的芯片CHP中的AC焊盘A、电源焊盘P、数据焊盘DQ和DC焊盘DC的位置蚀刻掉导电材料而获得的形状。
根据某些实施方式，第一至第三焊盘阵列PDAR1、PDAR2和PDAR3可以包括配置为检查将在下面描述的合并探针(参照图1中的234)的垂直高度(即接触)的焊盘和配线。
根据某些实施方式，第一焊盘阵列PDAR1可以包括配置为检查AC探针(参照图7中的ACP)的接触的焊盘和配线。根据某些实施方式，第一焊盘阵列PDAR1可以包括AC探针检查焊盘A'、第一DC焊盘DC1、第一数据焊盘DQ1和第一联接线图案CWP1。第一联接线图案CWP1可以包括将不同的焊盘彼此连接的大量分开的配线，或者可以指两个焊盘之间的配线连接之一。
根据某些实施方式，AC探针检查焊盘A'可以对应于由探针卡200检查的芯片(例如半导体芯片，参照图4中的CHP)的AC焊盘A。根据某些实施方式，第一DC焊盘DC1可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的DC焊盘DC的至少一部分。根据某些实施方式，第一数据焊盘DQ1可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的数据焊盘DQ的至少一部分。
根据某些实施方式，第一DC焊盘DC1的数量和第一数据焊盘DQ1的数量之和可以等于AC探针检查焊盘A'的数量。然而，本发明构思不限于此，第一DC焊盘DC1的数量和第一数据焊盘DQ1的数量之和可以大于AC探针检查焊盘A'的数量。
根据某些实施方式，AC探针检查焊盘A'可以通过第一联接线图案CWP1连接到第一DC焊盘DC1和第一数据焊盘DQ1中的任何一个。根据某些实施方式，一个第一DC焊盘DC1或一个第一数据焊盘DQ1可以连接到一个AC探针检查焊盘A'。AC探针检查焊盘A'可以在一对一基础上对应于第一DC焊盘DC1和第一数据焊盘DQ1，但是本发明构思不限于此。例如，第一DC焊盘DC1和第一数据焊盘DQ1中的每个可以连接到任何一个AC探针检查焊盘A'，多个第一DC焊盘DC1可以连接到一个AC探针检查焊盘A'，或者多个第一数据焊盘DQ1可以连接到一个AC探针检查焊盘A'。
第一联接线图案CWP1可以在第一方向X上延伸。第一联接线图案CWP1可以将AC探针检查焊盘A'与一个第一DC焊盘DC1或一个第一数据焊盘DQ1联接。
根据某些实施方式，第二焊盘阵列PDAR2可以包括配置为检查VCC探针(参照图8中的VCP)的接触的焊盘和配线。根据某些实施方式，第二焊盘阵列PDAR2可以包括VCC探针检查焊盘P'、第二DC焊盘DC2、第二数据焊盘DQ2(或多个这样的焊盘)和第二联接线图案CWP2。第二联接线图案CWP2可以包括将不同焊盘彼此连接的大量分开的配线，或者可以指两个焊盘之间的配线连接之一。
根据某些实施方式，VCC探针检查焊盘P'可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的电源焊盘P。根据某些实施方式，第二DC焊盘DC2可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的DC焊盘DC的至少一部分。根据某些实施方式，第二数据焊盘DQ2可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的数据焊盘DQ的至少一部分。
根据某些实施方式，第二DC焊盘DC2的数量和第二数据焊盘DQ2的数量之和可以等于VCC探针检查焊盘P'的数量。然而，本发明构思不限于此，第二DC焊盘DC2的数量和第二数据焊盘DQ2的数量之和可以大于VCC探针检查焊盘P'的数量。
根据某些实施方式，VCC探针检查焊盘P'可以通过第一联接线图案CWP1连接到第二DC焊盘DC2和第二数据焊盘DQ2中的任何一个。根据某些实施方式，一个第二DC焊盘DC2或一个第二数据焊盘DQ2可以连接到一个VCC探针检查焊盘P'。VCC探针检查焊盘P'可以在一对一的基础上对应于第二DC焊盘DC2和第二数据焊盘DQ2，但是本发明构思不限于此。例如，第二DC焊盘DC2和第二数据焊盘DQ2中的每个可以连接到任何一个AC探针检查焊盘A'，多个第二DC焊盘DC2可以连接到一个VCC探针检查焊盘P'，或者多个第二数据焊盘DQ2可以连接到一个VCC探针检查焊盘P'。
第二联接线图案CWP2可以在第一方向X上延伸。第二联接线图案CWP2可以将VCC探针检查焊盘P'联接到一个第二DC焊盘DC2或一个第二数据焊盘DQ2。
根据某些实施方式，第三焊盘阵列PDAR3可以包括配置为检查VSS探针(参照图9中的VSP)的接触的焊盘和配线。根据某些实施方式，第三焊盘阵列PDAR3可以包括VSS探针检查焊盘G'、第三DC焊盘(或多个第三DC焊盘)DC3、第三数据焊盘(或多个第三数据焊盘)DQ3和第三联接线图案CWP3。第三联接线图案CWP3可以包括将不同焊盘彼此连接的大量分开的配线，或者可以指两个焊盘之间的配线连接之一。
根据某些实施方式，VSS探针检查焊盘G'可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的接地焊盘G。根据某些实施方式，第三DC焊盘DC3可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的DC焊盘DC的至少一部分。根据某些实施方式，第三数据焊盘DQ3可以对应于由探针卡200检查的芯片(参照图4中的CHP)的数据焊盘DQ的至少一部分。
根据某些实施方式，第三DC焊盘DC3的数量和第三数据焊盘DQ3的数量之和可以等于VSS探针检查焊盘G'的数量。然而，本发明构思不限于此，第三DC焊盘DC3的数量和第三数据焊盘DQ3的数量之和可以大于VSS探针检查焊盘G'的数量。
根据某些实施方式，VSS探针检查焊盘G'可以通过第三联接线图案CWP3连接到第三DC焊盘DC3和第三数据焊盘DQ3中的任何一个。根据某些实施方式，一个第三DC焊盘DC3或一个第三数据焊盘DQ3可以连接到一个VSS探针检查焊盘G'。VSS探针检查焊盘G'可以在一对一的基础上对应于第三DC焊盘DC3和第三数据焊盘DQ3，但是本发明构思不限于此。例如，第三DC焊盘DC3和第三数据焊盘DQ3中的每个可以连接到任何一个AC探针检查焊盘A'，多个第三DC焊盘DC3可以连接到一个VSS探针检查焊盘G'，或者多个第三数据焊盘DQ3可以连接到一个VSS探针检查焊盘G'。
第三联接线图案CWP3可以在第一方向X上延伸。第三联接线图案CWP3可以将VSS探针检查焊盘G'联接到一个第三DC焊盘DC3或一个第三数据焊盘DQ3。
图7至图9是分别沿着图5的线I-I'、II-II'和III-III'剖取的截面图。
根据某些实施方式，图1所示的探针234可以包括输入/输出(I/O)探针I/OP、VCC探针VCP、VSS探针VSP、DC探针DCP和AC探针ACP。
参照图7，I/O探针I/OP可以是当采用探针卡200检查芯片(参照图4中的CHP)时与数据焊盘(参照图4中的DQ)接触的探针。根据某些实施方式，一个I/O探针I/OP可以对应于一个I/O线I/OL。以此方式，仅一个I/O探针I/OP可以连接到一个I/O线I/OL。I/O探针I/OP可以专用于所述一个I/O线I/OL。这里，I/O线I/OL可以是用于允许测试头320的电信号传输到探针卡200的电路径。在下文，如I/O线I/OL和I/O探针I/OP之间的关系一样，连接到测试头320的电路径的单个探针将被称为非合并探针或专用探针。
AC探针ACP可以是当采用探针卡200检查芯片(参照图4中的CHP)时与AC焊盘(参照图4中的A)接触的探针。根据某些实施方式，多个AC探针ACP可以对应于一个AC线ACL。也就是，多个AC探针ACP可以连接到一个AC线ACL。这里，AC线ACL可以是用于允许测试头320的电信号传输到探针卡200的电路径。
根据某些实施方式，为了同时检查多个相邻的芯片，一个AC线ACL可以分支成多个AC探针ACP且连接到相邻的芯片(参照图4中的CHP)中的执行相同功能的AC焊盘(参照图4中的A)。
更具体地，当探针卡(参照图1中的200)由探针卡检查晶片检查时，一个AC线ACL可以通过合并AC探针ACP连接到第一探针卡检查芯片PICH1中包括的AC探针检查焊盘A'和第二探针卡检查芯片PICH2中包括的AC探针检查焊盘A'。尽管为了简便在图5、图7、图8和图9中示出两个探针卡检查芯片，但是对应于至少三个芯片或至少三个探针卡检查芯片的探针可以彼此合并。
在下文，与AC线ACL和AC探针ACP的情况一样，其中对应于不同芯片的多个探针连接到配置为将测试头(参照图1中的320)与探针卡(参照图1中的200)连接的电路径的结构将被称为合并探针。类似地，当多个探针连接到一个信号线时，所述多个探针将被称为彼此合并的探针。如图7所示，例如，这些探针可以与包括在探针卡200内的配线合并。
AC探针ACP可以不连接到开关元件SW。根据某些实施方式，AC探针ACP可以包括电阻器R，但是本发明构思不限于此。
DC探针DCP可以是当采用探针卡200检查芯片(参照图4中的CHP)时与DC焊盘(参照图4中的DC)接触的探针。根据某些实施方式，多个DC探针DCP可以对应于一个DC线DCL。例如，多个DC探针DCP可以连接到一个DC线DCL。这里，DC线DCL可以是用于允许测试头320的电信号传输到探针卡200的电路径。根据某些实施方式，DC探针DCP可以是合并探针。
根据某些实施方式，DC探针DCP(例如每个DC探针DCP)可以连接到开关元件SW(例如相应的开关元件SW)，诸如继电器和晶体管。电信号可以仅传输到通过开关元件SW(例如通过处于导通状态的开关元件SW)合并的DC探针DCP的一部分(例如一组DC探针(DCP))。根据某些实施方式，探针卡检查芯片可以分成多个组，并且探针卡200的对应于所述多个组的探针可以被依次检查。根据某些实施方式，组的数量可以以等于合并探针的数量。
参照图8，VCC探针VCP可以是当采用探针卡200检查芯片(参照图4中的CHP)时与电源焊盘(参照图4中的P)接触的探针。根据某些实施方式，多个VCC探针VCP可以对应于一个VCC线VCL。根据某些实施方式，多个VCC探针VCP可以连接到一个VCC线VCL。可以进行多个VCP分组。这里，VCC线VCL可以是用于允许测试头320的电信号传输到探针卡200的电路径。根据某些实施方式，连接到单个VCC线VCL的所述多个VCC探针VCP可以是合并探针。根据某些实施方式，所述多个VCC探针VCP的每个可以连接到开关元件SW，诸如继电器和晶体管。
参照图9，VSS探针VSP可以是当采用探针卡200检查芯片(参照图4中的CHP)时与接地焊盘(参照图4中的G)接触的探针。根据某些实施方式，多个VSS探针VSP可以对应于一个VSS线VSL。例如，多个VSS探针VSP可以连接到一个VSS线VSL。这里，VSS线VSL可以是用于允许测试头320的电信号传输到探针卡200的电路径。根据某些实施方式，VSS探针VSP可以是合并探针。根据某些实施方式，VSS探针VSP可以不连接到任何开关元件SW。在某些情况下，VSS探针VSP的全部可以与一个VSS线VSL合并，但是本发明构思不限于此。
为了总结参照图7至图9的描述，DC探针DCP和VCC探针VCP的每个可以是合并探针且连接到开关元件SW。AC探针ACP和VSS探针VSP的每个可以是合并探针并可以不连接到开关元件SW。I/O探针I/OP可以是非合并探针。
返回参照图6和图7，当探针(参照图1中的234)与第一焊盘阵列PDAR1对准时，AC探针ACP可以与AC探针检查焊盘A'接触。根据某些实施方式，当探针(参照图1中的234)与第一焊盘阵列PDAR1对准时，DC探针DCP可以与相应的第一DC焊盘DC1接触(尽管某些DC探针DCP可以通过开关元件SW而与测试头320电分离)，并且I/O探针I/OP可以与相应的第一数据焊盘DQ1接触。
因此，可以形成包括AC线ACL、AC探针ACP、AC探针检查焊盘A'、第一联接线图案CWP1、第一数据焊盘DQ1、I/O探针I/OP和I/O线I/OL的AC探针检查回路。此外，可以形成包括AC线ACL、AC探针ACP、AC探针检查焊盘A'、第一联接线图案CWP1、第一DC焊盘DC1、DC探针DCP和DC线DCL的AC探针检查回路。
根据某些实施方式，电压或电流类型的电信号可以采用AC探针ACP施加到AC探针检查焊盘A'、第一联接线图案CWP1和第一数据焊盘DQ1，并且该电信号可以采用I/O探针I/OP或DC探针DCP读取。
在下文，为了简便，通过施加电信号而要被检查的探针将被称为要被检查的探针，并且配置为向测试头320提供读取信号的电路径的探针将被称为读取探针。此外，与要被检查的探针接触的焊盘将被称为要被检查的焊盘，并且与读取探针接触的焊盘将被称为读取焊盘。
参照图6和图8，当探针(参照图1中的234)与第二焊盘阵列PDAR2对准时，VCC探针VCP可以与VCC探针检查焊盘P'接触。根据某些实施方式，当探针(参照图1中的234)与第二焊盘阵列PDAR2对准时，DC探针DCP可以与相应的第二DC焊盘DC2接触(尽管某些DC探针DCP可以通过开关元件SW而与测试头320电分离)，并且I/O探针I/OP可以与相应的第二数据焊盘DQ2接触。
因此，可以形成包括VCC线VCL、VCC探针VCP、VCC探针检查焊盘P'、第二联接线图案CWP2、第二数据焊盘DQ2、I/O探针I/OP和I/O线I/OL的VCC探针检查回路。此外，可以形成包括VCC线VCL、VCC探针VCP、VCC探针检查焊盘P'、第二联接线图案CWP2、第二DC焊盘DC2、DC探针DCP和DC线DCL的VCC探针检查回路。在此情况下，VCC探针VCP可以是要被检查的探针，并且I/O探针I/OP和DC探针DCP可以是读取探针。
参照图9，当探针(参照图1中的234)与第三焊盘阵列PDAR3对准时，VSS探针VSP可以与VSS探针检查焊盘G'接触。根据某些实施方式，当探针(参照图1中的234)与第三焊盘阵列PDAR3对准时，DC探针DCP可以与相应的第三DC焊盘DC3接触(尽管某些DC探针DCP可以通过开关元件SW而与测试头320电分离)，并且I/O探针I/OP可以与相应的第三数据焊盘DQ3接触。
因此，可以形成包括VSS线VSL、VSS探针VSP、VSS探针检查焊盘G'、第三联接线图案CWP3、第三数据焊盘DQ3、I/O探针I/OP和I/O线I/OL的VSS探针检查回路。此外，可以形成包括VSS线VCL、VSS探针VSP、VSS探针检查焊盘G'、第三联接线图案CWP3、第三DC焊盘DC3、DC探针DCP和DC线DCL的VSS探针检查回路。在此情况下，VSS探针VSP可以是要被检查的探针，并且I/O探针I/OP和DC探针DCP可以是读取探针。
为了提高半导体器件的检查速度，测试头和探针卡之间的线(例如电源线、信号线和接地线)可以连接到探针卡的多个合并探针。在相关技术中，由于探针采用非图案化的金属图案检查接触，所以会难以从合并探针当中确定哪个探针具有电缺陷。因此，在相关技术中，合并探针是否被接触的检查会通过肉眼进行，因此检查的速度和可靠性会降低。根据某些实施方式，合并探针可以与连接到开关元件的非合并探针或合并探针联接以检查探针卡。因此，可以提高探针卡的检查速度和可靠性。
图10是根据某些实施方式的探针卡检查晶片中包括的探针卡检查芯片PICHa的平面图。为了简便在图10中仅示出一个探针卡检查芯片PICHa。将省略与图5至图9的相同的描述，并将主要描述差异。
参照图10，探针卡检查芯片PICHa可以包括多个探针垂直高度检查区域PVLIR、多个探针水平位置检查区域PHPIR和探针接触检查区域PCIR。
与图5所示的不同，相对容易损坏的所述多个探针垂直高度检查区域PVLIR和所述多个探针水平位置检查区域PHPIR可以形成在芯片CHP的其余空间中，因此，可以降低用于制造探针卡检查晶片的成本。
图11是根据某些实施方式的探针卡检查晶片中包括的探针卡检查芯片PICHb的平面图。为了简便将省略与图5至图9的相同的描述，并将主要描述差异。
参照图11，探针卡检查芯片PICHb可以包括探针垂直高度检查区域PVLIR、探针水平位置检查区域PHPIR和探针接触检查区域PCIR。
根据某些实施方式，第一焊盘阵列PDAR1'和第二焊盘阵列PDAR2'可以布置在探针垂直高度检查区域PVLIR上。第一焊盘阵列PDAR1'可以包括AC探针检查焊盘A'、第一DC焊盘DC1、第一数据焊盘DQ1和第一联接线图案CWP1。第二焊盘阵列PDAR2'可以包括VSS探针检查焊盘G'、第二DC焊盘DC2、第二数据焊盘DQ2和第二联接线图案CWP2。如上所述，VCC探针可以连接到开关元件SW并由接触检查图案CIP检查。因此，可以省略配置为检查VCC探针的焊盘阵列。
因此，可以减少探针垂直高度检查区域PVLIR在探针卡检查芯片PICHb中占据的面积，因此探针水平位置检查区域PHPIR和探针接触检查区域PCIR可以重复地提供更多次。因此，可以降低探针卡的制造成本。
图12是根据某些实施方式的探针卡检查晶片中包括的探针卡检查芯片PICHc的平面图。为了简便将省略与图5至图9和图11的相同的描述，并将主要描述差异。
参照图12，探针卡检查芯片PICHc可以包括探针垂直高度检查区域PVLIR、探针水平位置检查区域PHPIR和探针接触检查区域PCIR。
根据某些实施方式，第一焊盘阵列PDAR1"和第二焊盘阵列PDAR2"可以布置在探针垂直高度检查区域PVLIR上。
第一焊盘阵列PDAR1"可以包括AC探针检查焊盘A'、第一DC焊盘DC1、第一VSS焊盘P1和第一联接线图案CWP1。在第一焊盘阵列PDAR1"中，AC探针可以是要被检查的探针，并且某些VCC探针和某些DC探针可以是读取探针。根据某些实施方式，AC探针检查焊盘A'可以是要被检查的焊盘，并且第一DC焊盘DC1和第一VSS焊盘P1可以是读取焊盘。
第二焊盘阵列PDAR2"可以包括VSS探针检查焊盘G'、第二DC焊盘DC2、第二数据焊盘DQ2和第二联接线图案CWP2。在第二焊盘阵列PDAR2"中，VSS探针可以是要被检查的探针，并且某些VCC探针、某些DC探针和某些I/O探针可以是读取探针。根据某些实施方式，VSS探针检查焊盘G'可以是要被检查的焊盘，并且第二DC焊盘DC2、第二数据焊盘DQ2和第二VCC焊盘P2可以是读取焊盘。
如上所述，由于VCC探针连接到开关元件SW并由接触检查图案CIP检查，所以可以省略配置为检查VCC探针的焊盘阵列。此外，由AC探针或VSS探针施加的信号不仅可以采用DC探针和I/O探针读取，而且可以采用VCC探针读取。
因此，可以提高包括在探针卡检查芯片PICHc中的图案阵列的设计的自由度。
图13至图15是示出根据某些实施方式的检查探针卡的方法的流程图。
参照图5至图9和图13，在操作P110中，可以检查DC探针DCP和I/O探针I/OP的接触。如上所述，DC探针DCP和I/O探针I/OP的检查可以采用接触检查图案CIP进行。
根据某些实施方式，接触检查图案CIP可以是配置为检查非合并探针和/或合并探针当中的连接到开关元件的探针的接触的图案。更具体地，在探针与接触检查图案CIP接触之后，电信号可以通过VCC探针(参照图8中的VCP)施加到接触检查图案CIP，并且该电信号可以采用非合并探针读取，使得非合并探针的接触能够被检查。类似地，电信号可以施加到接触检查图案CIP。当连接到开关元件的合并探针中的一个探针的开关元件被关闭时，该电信号可以采用其开关元件被关闭的探针读取。电信号的施加和读取可以被依次重复，从而可以检查连接到开关元件的合并探针的接触。根据某些实施方式，仅I/O探针I/OP的接触可以采用接触检查图案CIP检查。根据某些实施方式，I/O探针I/OP和DC探针DCP的接触可以采用接触检查图案CIP检查。根据某些实施方式，I/O探针I/OP和VCC探针VCP的接触可以采用接触检查图案CIP检查。根据某些实施方式，I/O探针I/OP、DC探针DCP和VCC探针VCP的接触可以采用接触检查图案CIP检查。
之后，在操作P120中，可以检查AC探针ACP、VCC探针VCP和VSS探针VSP的接触。根据某些实施方式，AC探针ACP、VCC探针VCP和VSS探针VSP可以以任意顺序检查。AC探针ACP、VCC探针VCP和VSS探针VSP的检查可以以与参照图5至图9描述的方式相同的方式进行。
参照图5至图9，探针的水平位置还可以通过第一水平位置检查图案HPIP1和第二水平位置检查图案HPIP2检查。根据某些实施方式，第一水平位置检查图案HPIP1可以是配置为检查VSS探针VSP的水平位置的图案。根据某些实施方式，第二水平位置检查图案HPIP2可以是配置为检查除了VSS探针VSP之外的探针的水平位置的图案。根据某些实施方式，第二水平位置检查图案HPIP2可以是配置为检查I/O探针I/OP、VCC探针VCP、DC探针DCP和AC探针ACP的水平位置的图案。
如上所述，第一水平位置检查图案HPIP1可以包括通过在对应于图4的芯片CHP中包括的接地焊盘G的位置蚀刻导电材料获得的形状。因此，当探针被对准以与第一水平位置检查图案HPIP1接触时，VSS探针VSP可以不与第一水平位置检查图案HPIP1接触。当电信号通过探针(例如VCC探针VCP)(其与第一水平位置检查图案HPIP1接触)而施加到第一水平位置检查图案HPIP1、然后该电信号从VSS探针VSP之一读取时，可以确定VSS探针VSP的水平位置未对准。
如上所述，第二水平位置检查图案HPIP2可以包括通过在对应于图4的芯片CHP中包括的电源焊盘P、AC焊盘A、数据焊盘DQ和DC焊盘DC的位置去除导电材料而获得的图案。因此，当探针被对准以与第二水平位置检查图案HPIP2接触时，I/O探针I/OP、VCC探针VCP、DC探针DCP和AC探针ACP可以不接触第二水平位置检查图案HPIP2。当电信号通过与第二水平位置检查图案HPIP2接触的探针(例如VSS探针VSP)而施加到第二水平位置检查图案HPIP2、然后该电信号从I/O探针I/OP、VCC探针VCP、DC探针DCP和AC探针ACP之一读取时，可以确定对应探针的水平位置未对准。
参照图13，当连接到与包括在第一探针卡检查芯片PICH1中的第一DC焊盘DC1接触的DC探针DCP的开关元件SW导通、并且连接到与包括在第二探针卡检查芯片PICH2中的第一DC焊盘DC1接触的DC探针DCP(其和与包括在第一探针卡检查芯片PICH1中的第一DC焊盘DC1接触的DC探针DCP合并)的开关元件SW关闭时，可以检查与包括在第一探针卡检查芯片PICH1中的AC探针检查焊盘A'接触的AC探针ACP。在完成采用第一探针卡检查芯片PICH1的检查之后，当连接到与包括在第一探针卡检查芯片PICH1中的第一DC焊盘DC1接触的DC探针DCP的开关元件SW关闭、并且连接到与包括在第二探针卡检查芯片PICH2中的第一DC焊盘DC1接触的DC探针DCP(其和与第一探针卡检查芯片PICH1中包括的第一DC焊盘DC1接触的DC探针DCP合并)的开关元件SW导通时，可以检查与包括在第二探针卡检查芯片PICH2中的AC探针检查焊盘A'接触的AC探针ACP。根据某些实施方式，可以依次检查对应于彼此合并的多个探针的多个芯片。
甚至在检查VCC探针VCP和VSS探针VSP时，合并探针也可以以与上述AC探针ACP基本上相同的方式被依次检查。
参照图14，与参照图13描述的方法不同，在操作P110中检查DC探针DCP和I/O探针I/OP的接触之后，可以修复被确定为有缺陷的DC探针DCP和I/O探针I/OP。如上所述，当检查AC探针ACP、VSS探针VSP和VCC探针VCP时，DC探针DCP和I/O探针I/OP可以用于读取电信号。因此，当DC探针DCP和I/O探针I/OP中发生缺陷时，无法检查AC探针ACP、VSS探针VSP和VCC探针VCP的接触缺陷。因此，当DC探针DCP和I/O探针I/OP根据操作P110中的检查结果而被确定为有缺陷时，DC探针DCP和I/O探针I/OP可以在操作P115中修复，并且可以执行操作P120。相反，当DC探针DCP和I/O探针I/OP根据操作P110中的检查结果被确定为正常时，可以省略操作P115。
参照图15，在操作P210中，DC探针DCP、I/O探针I/OP和VCC探针VCP的接触可以以与图13的操作P110基本上相同的方式检查。之后，在操作P220中，AC探针ACP和VSS探针VSP的接触可以以与图13的操作P110类似的方式采用DC探针DCP、I/O探针I/OP和VCC探针VCP作为读取探针而检查。
尽管已经参照本发明构思的实施方式具体示出和描述了本发明构思，但是将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种变化，而没有脱离权利要求书的精神和范围。
本申请要求于2018年9月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0109859号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体地结合于此。

Claims (25)

1.一种探针卡检查系统，包括：
基底晶片；和
第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片，在所述基底晶片上且彼此间隔开，
其中位于所述基底晶片上的所述第一探针卡检查芯片和所述第二探针卡检查芯片的每个被分成探针垂直高度检查区域、探针水平位置检查区域和接触检查区域，
其中所述第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片的每个包括：
第一焊盘阵列，在所述探针垂直高度检查区域上，所述第一焊盘阵列配置为用于检查要被检查的探针卡的第一交流(AC)探针和第二交流(AC)探针的垂直高度；和
第二焊盘阵列，在所述探针垂直高度检查区域上，所述第二焊盘阵列配置为用于检查要被检查的所述探针卡的第一VSS探针和第二VSS探针的垂直高度。
2.如权利要求1所述的探针卡检查系统，其中所述第一探针卡检查芯片和所述第二探针卡检查芯片彼此相同。
3.如权利要求1所述的探针卡检查系统，其中所述第一AC探针和所述第二AC探针以及所述第一VSS探针和所述第二VSS探针中的每个不包括开关元件。
4.如权利要求1所述的探针卡检查系统，其中所述第一焊盘阵列包括AC探针检查焊盘和第一读取焊盘，并且第一联接线图案将所述AC探针检查焊盘与所述第一读取焊盘连接，并且
所述第二焊盘阵列包括VSS探针检查焊盘和第二读取焊盘，并且第二联接线图案将所述VSS探针检查焊盘与所述第二读取焊盘连接。
5.如权利要求4所述的探针卡检查系统，其中所述第一联接线图案和所述第二联接线图案中的每个联接线图案仅连接到所述第一读取焊盘和所述第二读取焊盘中的一个读取焊盘。
6.如权利要求4所述的探针卡检查系统，其中所述第一联接线图案中的每个联接线图案仅连接到所述AC探针检查焊盘中的一个，并且
所述第二联接线图案中的每个联接线图案仅连接到所述VSS探针检查焊盘中的一个。
7.如权利要求4所述的探针卡检查系统，其中所述第一AC探针、第一VCC探针和所述第一VSS探针配置为通过采用所述第一探针卡检查芯片来检查，
所述第二AC探针、第二VCC探针和所述第二VSS探针配置为通过采用所述第二探针卡检查芯片来检查，并且
所述第一AC探针和所述第二AC探针彼此连接，并且所述第一VSS探针和所述第二VSS探针彼此连接。
8.如权利要求4所述的探针卡检查系统，其中要被检查的所述探针卡包括读取探针，所述读取探针配置为每个电连接到所述第一读取焊盘和所述第二读取焊盘中的读取焊盘。
9.如权利要求8所述的探针卡检查系统，其中作为所述读取探针中的一些的第一读取探针没有连接到其它的读取探针。
10.如权利要求8所述的探针卡检查系统，其中所述读取探针包括连接到开关元件的第二读取探针。
11.如权利要求10所述的探针卡检查系统，其中所述第二读取探针中的至少一些彼此连接。
12.如权利要求1所述的探针卡检查系统，还包括在所述探针垂直高度检查区域上的第三焊盘阵列，所述第三焊盘阵列配置为用于检查要被检查的所述探针卡的第一VCC探针和第二VCC探针的垂直高度。
13.如权利要求12所述的探针卡检查系统，其中所述第一VCC探针和所述第二VCC探针中的每个连接到开关元件。
14.如权利要求12所述的探针卡检查系统，其中所述第一VCC探针和所述第二VCC探针彼此连接。
15.一种探针卡检查晶片，包括：
基底晶片；
多个读取焊盘，在所述基底晶片上；
多个要被检查的焊盘，在所述基底晶片上且在横向方向上与所述多个读取焊盘间隔开；以及
联接线图案，每个将所述多个读取焊盘中的一个与所述多个要被检查的焊盘中的一个连接，
其中每个所述联接线图案仅连接到所述多个要被检查的焊盘中的一个。
16.如权利要求15所述的探针卡检查晶片，其中每个所述联接线图案仅连接到所述多个读取焊盘中的一个。
17.如权利要求15所述的探针卡检查晶片，其中所述联接线图案在平行于所述基底晶片的顶表面的第一方向上延伸，并且
通过所述联接线图案彼此连接的所述读取焊盘和所述要被检查的焊盘在所述第一方向上对准。
18.一种探针卡检查晶片，包括：
基底晶片；和
第一焊盘阵列至第三焊盘阵列，在所述基底晶片上，
其中所述第一焊盘阵列包括：
多个第一数据焊盘和多个AC探针检查焊盘，在平行于所述基底晶片的顶表面的第一方向上彼此间隔开且彼此对准；以及
第一联接线图案，每个将所述多个AC探针检查焊盘中的一个与所述多个第一数据焊盘中的一个连接，
其中所述第二焊盘阵列包括：
多个第二数据焊盘和多个VCC探针检查焊盘，在所述第一方向上彼此间隔开且彼此对准；和
第二联接线图案，每个将所述多个VCC探针检查焊盘中的一个与所述多个第二数据焊盘中的一个连接，
并且其中所述第三焊盘阵列包括：
多个第三数据焊盘和多个VSS探针检查焊盘，在所述第一方向上彼此间隔开且彼此对准；和
第三联接线图案，每个将所述多个VSS探针检查焊盘中的一个与所述多个第三数据焊盘中的一个连接。
19.如权利要求18所述的探针卡检查晶片，其中所述第一联接线图案的每个仅连接到所述多个AC探针检查焊盘中的一个，
所述第二联接线图案的每个仅连接到所述多个VCC探针检查焊盘中的一个，并且
所述第三联接线图案的每个仅连接到所述多个VSS探针检查焊盘中的一个。
20.如权利要求18所述的探针卡检查晶片，其中所述第一联接线图案的每个仅连接到所述多个第一数据焊盘中的一个，
所述第二联接线图案的每个仅连接到所述多个第二数据焊盘中的一个，并且
所述第三联接线图案的每个仅连接到所述多个第三数据焊盘中的一个。
21.如权利要求18所述的探针卡检查晶片，其中所述第一联接线图案至所述第三联接线图案在所述第一方向上延伸。
22.一种探针卡检查系统，包括：
测试头，配置为向探针卡施加电信号或电势，所述测试头包括多个VSS线、多个交流(AC)线、多个输入/输出(I/O)线和多个直流(DC)线；
探针卡检查晶片；以及
吸盘，配置为支撑所述探针卡检查晶片，
其中所述探针卡检查晶片包括：
基底晶片；和
第一探针卡检查芯片和第二探针卡检查芯片，在所述基底晶片上，所述第一探针卡检查芯片和所述第二探针卡检查芯片彼此间隔开，
其中位于所述基底晶片上的所述第一探针卡检查芯片和所述第二探针卡检查芯片的每个被分成探针垂直高度检查区域、探针水平位置检查区域和接触检查区域，
其中所述第一探针卡检查芯片和所述第二探针卡检查芯片的每个包括在所述探针垂直高度检查区域上的第一焊盘阵列和第二焊盘阵列，
其中所述第一焊盘阵列包括：
多个第一读取焊盘和多个AC探针检查焊盘，在平行于所述基底晶片的顶表面的第一方向上彼此间隔开且彼此对准；和
第一联接线图案，每个将所述多个第一读取焊盘中的一个与所述多个AC探针检查焊盘中的一个连接，
并且其中所述第二焊盘阵列包括：
多个第二读取焊盘和多个VSS探针检查焊盘，在所述第一方向上彼此间隔开且彼此对准；和
第二联接线图案，每个将所述多个第二读取焊盘中的一个与所述多个VSS探针检查焊盘中的一个连接。
23.如权利要求22所述的探针卡检查系统，其中所述多个VSS线配置为通过所述探针卡电连接到所述VSS探针检查焊盘，并且
所述多个AC线配置为通过所述探针卡电连接到所述AC探针检查焊盘，
所述多个I/O线配置为通过所述探针卡电连接到所述第一读取焊盘或所述第二读取焊盘，并且
所述多个DC线配置为通过所述探针卡电连接到所述VSS探针检查焊盘。
24.如权利要求23所述的探针卡检查系统，其中所述多个VSS线中的每个配置为电连接到所述第一探针卡检查芯片中包括的所述VSS探针检查焊盘中的一个和所述第二探针卡检查芯片中包括的所述VSS探针检查焊盘中的一个，并且
所述多个AC线中的每个配置为电连接到所述第一探针卡检查芯片中包括的所述AC探针检查焊盘中的一个和所述第二探针卡检查芯片中包括的所述AC探针检查焊盘中的一个。
25.如权利要求23所述的探针卡检查系统，其中所述多个I/O线的每个配置为电连接到所述多个第一读取焊盘中的一个或所述多个第二读取焊盘中的一个。
CN201910428101.1A 2018-09-13 2019-05-22 探针卡检查晶片和探针卡检查系统 Pending CN110907788A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0109859 2018-09-13
KR1020180109859A KR102605620B1 (ko) 2018-09-13 2018-09-13 프로브 카드 검사용 웨이퍼, 프로브 카드 검사 시스템 및 프로브 카드 검사 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110907788A true CN110907788A (zh) 2020-03-24

Family

ID=69772142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910428101.1A Pending CN110907788A (zh) 2018-09-13 2019-05-22 探针卡检查晶片和探针卡检查系统

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11067658B2 (zh)
KR (1) KR102605620B1 (zh)
CN (1) CN110907788A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113640558A (zh) * 2021-08-11 2021-11-12 山东大学 一种可更换探针组及探针卡

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210143471A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 프로브 카드 검사 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201935A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Maikuronikusu:Kk プローブカード及び検査方法
CN1467810A (zh) * 2002-06-25 2004-01-14 ��ʿͨ��ʽ���� 半导体器件及其测试方法
CN1912637A (zh) * 2005-08-09 2007-02-14 三星电子株式会社 圆环形并联探针卡及使用该卡检测半导体晶片的方法
US20100213960A1 (en) * 2007-10-11 2010-08-26 Sammy Mok Probe Card Test Apparatus And Method
CN103217559A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 检查装置
US9696402B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card inspection apparatus
US20180156842A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card and test apparatus including the same
CN109073677A (zh) * 2016-04-08 2018-12-21 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 探针卡

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5351585A (en) 1976-10-21 1978-05-11 Miyagawa Kogyo Kk Multiishaft drilling machine for earthhretaining frame
JP3049446B2 (ja) 1990-12-21 2000-06-05 日置電機株式会社 回路基板検査装置における測定用ピンの接触不良検出方法
JPH0763788A (ja) 1993-08-21 1995-03-10 Hewlett Packard Co <Hp> プローブおよび電気部品／回路検査装置ならびに電気部品／回路検査方法
JP3620912B2 (ja) 1995-12-29 2005-02-16 日置電機株式会社 基板検査装置用ラインプローブの適否状態チェック方法
US6729019B2 (en) * 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
US6965244B2 (en) * 2002-05-08 2005-11-15 Formfactor, Inc. High performance probe system
JP3574444B2 (ja) 2002-08-27 2004-10-06 沖電気工業株式会社 プローブの接触抵抗測定方法及び半導体デバイスの試験方法
JP4521611B2 (ja) * 2004-04-09 2010-08-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP2006250546A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Hioki Ee Corp ショート検出装置
JP4679244B2 (ja) 2005-05-26 2011-04-27 株式会社アドバンテスト 測定用コンタクト端子、測定装置、プローブカードセット、およびウエハプローバ装置
JP5260163B2 (ja) 2008-07-02 2013-08-14 日置電機株式会社 測定装置および測定方法
JP2011085483A (ja) 2009-10-15 2011-04-28 Hioki Ee Corp インピーダンス測定装置
JP5865021B2 (ja) 2011-11-10 2016-02-17 日置電機株式会社 回路基板検査装置
JP2014235126A (ja) 2013-06-04 2014-12-15 日本電産リード株式会社 基板検査装置、基板検査方法および基板検査用治具
KR102179245B1 (ko) 2014-03-19 2020-11-16 주식회사 아도반테스토 검사용 웨이퍼 및 시험 시스템
JP6520371B2 (ja) 2015-05-13 2019-05-29 富士ゼロックス株式会社 基板検査装置、基板検査方法、及び基板検査プログラム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201935A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Maikuronikusu:Kk プローブカード及び検査方法
CN1467810A (zh) * 2002-06-25 2004-01-14 ��ʿͨ��ʽ���� 半导体器件及其测试方法
CN1912637A (zh) * 2005-08-09 2007-02-14 三星电子株式会社 圆环形并联探针卡及使用该卡检测半导体晶片的方法
US20100213960A1 (en) * 2007-10-11 2010-08-26 Sammy Mok Probe Card Test Apparatus And Method
CN103217559A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 检查装置
US9696402B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card inspection apparatus
CN109073677A (zh) * 2016-04-08 2018-12-21 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 探针卡
US20180156842A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card and test apparatus including the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
林渊等: "多元探测器芯片测试系统设计", 红外技术, no. 05, pages 43 - 48 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113640558A (zh) * 2021-08-11 2021-11-12 山东大学 一种可更换探针组及探针卡

Also Published As

Publication number Publication date
US11067658B2 (en) 2021-07-20
US20200088827A1 (en) 2020-03-19
KR20200030976A (ko) 2020-03-23
KR102605620B1 (ko) 2023-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6603324B2 (en) Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit
JP5486866B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7385412B2 (en) Systems and methods for testing microfeature devices
JP4837560B2 (ja) 検査パッド構造を有する集積回路およびその製造方法
US8310253B1 (en) Hybrid probe card
US6911834B2 (en) Multiple contact vertical probe solution enabling Kelvin connection benefits for conductive bump probing
EP3339868A1 (en) Improved probe card for testing integrated circuits
JP2005136302A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US7456640B2 (en) Structure for coupling probes of probe device to corresponding electrical contacts on product substrate
US11067658B2 (en) Probe card inspection wafer, probe card inspection system, and method of inspecting probe card
CN103887193A (zh) 用于三维集成电路测试的装置
US20070035318A1 (en) Donut-type parallel probe card and method of testing semiconductor wafer using same
US8441272B2 (en) MEMS probe for probe cards for integrated circuits
JP2003297887A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法および半導体検査装置
US7535239B1 (en) Probe card configured for interchangeable heads
KR102047665B1 (ko) 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
JP3076831B2 (ja) 素子試験装置
US11769700B2 (en) Semiconductor substrate, semiconductor package including semiconductor substrate, and test method of semiconductor substrate
JP3832945B2 (ja) 半導体装置の製造方法、半導体ウェハおよびその半導体ウェハを用いて行う半導体装置の検査方法、バーンイン装置
KR100835467B1 (ko) 프로브 카드의 공기 세정 장치
JP2000183119A (ja) 触針クリーニング機構を備えたプローバ
JPH06196537A (ja) 電気回路検査方法及び装置
KR100777584B1 (ko) 표면 저항 측정 시스템의 프로브 클리닝 장치
KR20060039316A (ko) 디씨 페일을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 방법
JPH0722478A (ja) プローブテスト装置およびプローブテスト方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination