CN110880523A - 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，其中包括基板和阵列层，所述阵列层位于所述基板的一侧；阳极层，位于所述阵列层背离所述基板的一侧，所述阳极层包括多个阳极电极；发光层，位于所述阳极层背离所述阵列层的一侧；以及阴极层，位于所述发光层背离所述阳极层的一侧，所述阴极层包括多个阴极电极单元以及多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。本发明通过改善显示面板中阴极层的均一性，提高显示亮度均一性，即降低显示面板的Mura问题，提高显示面板产品品质和良率，结构简单，应用方便。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)是电流驱动器件，当有驱动电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光。现有的AMOLED显示面板在显示时，Mura(显示亮度不均)类不良问题仍然无法很好地得到解决，不良总数高居不下，大量地影响了显示面板的良率。
显示亮度不均的种类有很多，也有多种原因。其中，由于均一性问题造成的显示亮度不均问题占比很高，如果可以改善，对显示面板的良率有较大提升。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，通过改善显示面板中阴极层的均一性，提高显示亮度均一性，提高显示面板良率。
根据本发明的一个方面，提供一种显示面板，包括：
基板和阵列层，所述阵列层位于所述基板的一侧；
阳极层，位于所述阵列层背离所述基板的一侧，所述阳极层包括多个阳极电极；
发光层，位于所述阳极层背离所述阵列层的一侧；以及
阴极层，位于所述发光层背离所述阳极层的一侧，所述阴极层包括多个阴极电极单元以及多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
可选地，所述阴极层包括多个彼此独立的阴极电极，各个所述阴极电极分别对应于一所述阴极电极单元，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极之间。
可选地，所述阴极层包括覆盖所述发光层的一阴极电极膜层，所述阴极电极膜层包括所述多个阴极电极单元，所述导电桥位于所述阴极膜层背离所述发光层的一侧。
可选地，所述导电桥采用镁银合金材料、钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合。
可选地，所述发光层包括多个与所述阳极电极一一对应的子像素，所述阴极电极在所述基板上的正投影覆盖所对应的阳极电极在所述基板上的正投影，且所述阳极电极在所述基板上的正投影覆盖所对应的子像素在所述基板上的正投影。
可选地，所述多个阴极电极单元为菱形排列，各个所述阴极电极单元分别与其左上方的阴极电极单元、右上方的阴极电极单元、左下方的阴极电极单元和右下方的阴极电极单元之间连接有一所述导电桥。
可选地，所述导电桥设置于所述显示面板的非开口区，且导电桥处的膜厚大于阴极电极单元处的膜厚。
可选地，所述导电桥的膜厚为100-20000埃米。
根据本发明另一方面，还提供一种显示装置，包括所述的显示面板。
根据本发明另一方面，还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
提供一基板和一阵列层，所述阵列层形成于所述基板的一侧；
于所述阵列层背离所述基板的一侧形成一阳极层，所述阳极层包括多个阳极电极；
于所述阳极层背离阵列层的一侧形成一发光层；
于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，所述阴极层包括与多个阴极电极单元和多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
可选地，所述于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，包括如下步骤：
于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用高精度金属掩模板形成多个独立的阴极电极，各个所述阴极电极分别对应于一所述阴极电极单元；
于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用高精度金属掩模板形成多个导电桥，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极之间。
可选地，所述于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，包括如下步骤：
于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用金属掩膜板形成一阴极电极膜层，所述阴极电极膜层包括所述阴极电极单元；
于所述阴极电极膜层背离所述发光层的一侧，采用高精度金属掩膜板行程多个导电桥，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
可选地，所述导电桥采用镁银合金材料、钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合。
可选地，所述多个阴极电极单元为菱形排列，各个所述阴极电极单元分别与其左上方的阴极电极单元、右上方的阴极电极单元、左下方的阴极电极单元和右下方的阴极电极单元之间连接有一所述导电桥。
可选地，所述导电桥设置于所述显示面板的非开口区，且导电桥处的膜厚大于阴极电极单元处的膜厚。
可选地，所述导电桥的膜厚为100-20000埃米。
与现有技术相比，本发明的显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，通过改善显示面板中阴极层的均一性，提高显示亮度均一性，即降低显示面板的Mura问题，并且可以降低显示面板的IR Drop(IR压降)，提高显示面板产品品质和良率，结构简单，应用方便。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明一实施例的显示面板的结构示意图；
图2是图1中A-A方向剖视图；
图3为本发明一实施例的阴极层的示意图；
图4和图5是本发明另一实施例的阴极层的示意图；
图6是本发明再一实施例的阴极层的示意图；
图7是本发明一实施例的显示面板的制备方法的流程图；
图8是本发明一实施例的阴极层形成的流程图；
图9是本发明另一实施例的阴极层形成的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
为了解决上述技术问题，如图1和图2所示，本发明一实施例提供了一种显示面板，包括一基板M100和依次位于所述基板M100的一侧且沿z轴方向排列的：阵列层M200、阳极层M300、发光层M400和阴极层M500。在该实施例中，阴极层M500的上方进一步设置有覆盖层，但本发明不以此为限。此外，x轴、y轴和z轴所指的方向在各个附图中均是一致的，分别表示三个固定的互相垂直的方向。
现有技术中的阴极层多采用镁银合金材料，整面镀膜，即阴极层完全覆盖发光层，为一整个膜层。阳极层多采用ITO(薄膜即铟锡氧化物)材料或银材料或两种组合，具有多个阴极电极的图案。阴极层由于透过需求，厚度受限，而较薄的厚度会具有较大的方块电阻(Sheet Resistance)，即薄膜电阻，方块电阻的阻值随膜厚的降低而增大。因此，阴极层会造成较大的面均一性问题，从而使显示面板产生Mura问题。
其中，所述阳极层M300包括多个阳极电极，所述发光层M400包括多个子像素，所述阴极层M500包括多个阴极电极单元以及多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
因此，本发明通过导电桥将阴极电极单元进行连通，可以提高阴极层的整面的面均一性，从而提高显示亮度均一性，即降低显示面板的Mura问题。
如图3所示，为本发明一实施例的阴极层的俯视图。其中，在该实施例中，所述阴极层M500包括多个彼此独立的阴极电极M511，各个所述阴极电极M511分别对应于一阴极电极单元，各个所述导电桥M512连接于两个相邻的阴极电极M511之间。
在该实施例中，所述多个阴极电极M511为菱形排列，各个所述阴极电极M511分别与其左上方的阴极电极M511、右上方的阴极电极M511、左下方的阴极电极M511和右下方的阴极电极M511一起形成一个菱形结构，且各个菱形结构的四条边上均设置有一所述导电桥M512，即各个所述阴极电极M511分别与其左上方的阴极电极M511、右上方的阴极电极M511、左下方的阴极电极M511和右下方的阴极电极M511之间分别连接有一所述导电桥M512。导电桥M512的距离越短、分布越不规则，得到的整个阴极层的面均一性越好。因此，在该实施例中，导电桥M512连接于两个阴极电极M511的最接近的两个顶点之间。
在该实施例中，所述子像素与所述阳极电极一一对应，所述子像素与所述阴极电极M511也一一对应，所述阴极电极M511在所述基板M100上的正投影覆盖所对应的阳极电极在所述基板M100上的正投影，且所述阳极电极在所述基板M100上的正投影覆盖所对应的子像素在所述基板M100上的正投影。
在该实施例中，所述导电桥M512可以采用与阴极电极M511相同的镁银合金材料，也可以另外选择为其他的金属材料，例如，所述导电桥M512可以选择钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合，此处仅为可选的材料的列举，但本发明不以此为限，采用其他的导电材料也是可以的，例如还可以选择ITO材料等等。
由于该实施例中导电桥M512设置于非开口区，不用考虑透过性的要求，不会对显示像素形成遮挡，因此导电桥M512处的膜厚可以大于阴极电极M511处的膜厚，从而降低导电桥M512的方块电阻阻值。在该实施例中，阴极电极M511处的膜厚为100-2000埃米，导电桥M512处的膜厚为100-20000埃米，但本发明不以此为限。
如图4所示，为本发明另一实施例的阴极层的俯视图。在该实施例中，所述阴极层M500包括位于所述发光层M400上方的一个整面覆盖的阴极电极膜层，所述阴极电极膜层包括所述多个阴极电极单元M521，所述导电桥M522位于所述阴极膜层背离所述发光层M400的一侧。需要注意的是，在该实施例中，阴极电极单元M521的划分只是一种形式上的划分，实际上阴极电极膜层中并不具有与阴极电极单元对应的图案。即该实施例的阴极层实际上是图5所示出的结构。
在该实施例中，所述子像素与所述阳极电极一一对应，所述子像素与所述阴极电极单元M521也一一对应，所述阴极电极单元M521在所述基板M100上的正投影覆盖所对应的阳极电极在所述基板M100上的正投影，且所述阳极电极在所述基板M100上的正投影覆盖所对应的子像素在所述基板M100上的正投影。
在该实施例中，与子像素的排布方式对应地，所述多个阴极电极单元M521为菱形排列，各个所述阴极电极单元M521分别与其左上方的阴极电极单元M521、右上方的阴极电极单元M521、左下方的阴极电极单元M521和右下方的阴极电极单元M521一起形成一个菱形结构，且各个菱形结构的四条边上均设置有一所述导电桥M522，即各个所述阴极电极单元M521分别与其左上方的阴极电极单元M521、右上方的阴极电极单元M521、左下方的阴极电极单元M521和右下方的阴极电极单元M521之间分别连接有一所述导电桥M522。导电桥M522的距离越短、分布越不规则，得到的整个阴极层的面均一性越好。因此，在该实施例中，导电桥M522连接于两个阴极电极单元M521的最接近的两个顶点之间。
在该实施例中，所述导电桥M522可以采用与阴极电极膜层相同的镁银合金材料，也可以另外选择为其他的金属材料，例如，所述导电桥M522可以选择钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合，此处仅为可选的材料的列举，但本发明不以此为限，采用其他的导电材料也是可以的，例如还可以选择ITO材料等等。
由于该实施例中导电桥M522设置于非开口区，不用考虑透过性的要求，不会对显示像素形成遮挡，因此导电桥M522处的膜厚可以大于阴极电极膜层的膜厚，从而降低导电桥M522的方块电阻阻值。在该实施例中，阴极电极膜层的膜厚为100-2000埃米，导电桥M522处的膜厚为100-20000埃米，但本发明不以此为限。
如图6所示，为本发明再一实施例的阴极层的俯视图。在该实施例中，所述阴极层M500包括多个彼此独立的阴极电极M531，各个所述阴极电极M531分别对应于一阴极电极单元，各个所述导电桥M532连接于两个相邻的阴极电极M531之间。
该实施例中，所述子像素与所述阳极电极一一对应，所述子像素与所述阴极电极M531也一一对应，所述阴极电极M531在所述基板M100上的正投影覆盖所对应的阳极电极在所述基板M100上的正投影，且所述阳极电极在所述基板M100上的正投影覆盖所对应的子像素在所述基板M100上的正投影。
在该实施例中，与前两个实施例不同的是，阴极电极M531的排布方式为线性排布。阴极电极M531与相邻的最接近的阴极电极M531之间连接有所述导电桥M532。
同样地，在该实施例中，所述导电桥M532可以采用与阴极电极M531相同的镁银合金材料，也可以另外选择为其他的金属材料，例如，所述导电桥M532可以选择钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合，此处仅为可选的材料的列举，但本发明不以此为限，采用其他的导电材料也是可以的，例如还可以选择ITO材料等等。
由于该实施例中导电桥M532设置于非开口区，不用考虑透过性的要求，因此导电桥M532处的膜厚可以大于阴极电极M531处的膜厚，从而降低导电桥M532的方块电阻阻值。在该实施例中，阴极电极M511处的膜厚为100-2000埃米，导电桥M532处的膜厚为100-20000埃米，但本发明不以此为限。
上述各个实施例中阴极电极单元的排布方式和导电桥的连接方式仅为示例，在实际应用中，阴极电极单元可以根据子像素的排布不同而调整其排布，导电桥的数量和连接方式也可以根据需要进行调整，均属于本发明的保护范围之内。
本发明还提供一种显示装置，包括所述的显示面板。显示装置可以是手机、显示屏、平板电脑、电视等等。采用本发明的技术方案，可以提高显示面板的亮度均一性和良率，从而也就提高了显示装置的亮度均一性和良率。
如图7所示，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
S100：提供一基板和一阵列层，所述阵列层形成于所述基板的一侧；
S200：于所述阵列层背离所述基板的一侧形成一阳极层，所述阳极层包括多个阳极电极；
S300：于所述阳极层背离阵列层的一侧形成一发光层；
S400：于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，所述阴极层包括与多个阴极电极单元和多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
如图8所示，为本发明一实施例的阴极层形成的流程图，即步骤S400：所述于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，包括如下步骤：
S411：于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用高精度金属掩模板(Fine MetalMask，FMM)形成多个独立的阴极电极，各个所述阴极电极分别对应于一所述阴极电极单元；
S412：于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用高精度金属掩模板形成多个导电桥，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极之间。
采用图8的方法形成的阴极层的结构可以参见图3的实施例和图6的实施例，即各个阴极电极之间是彼此独立的，而相邻两个阴极电极之间连接有所述导电桥。
如图9所示，为本发明另一实施例的阴极层形成的流程图，即步骤S400：所述于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，包括如下步骤：
S421：于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用金属掩膜板形成一阴极电极膜层，所述阴极电极膜层包括所述阴极电极单元；
S422：于所述阴极电极膜层背离所述发光层的一侧，采用高精度金属掩膜板行程多个导电桥，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
采用图9的方法形成的阴极层的结构可以参见图4和图5的实施例。即阴极层是一个整面覆盖的阴极电极膜层，并不实际具有阴极电极单元的图案，而导电桥位于阴极电极膜层的一侧。
所述导电桥可以采用镁银合金材料、钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合，但本发明不限于此，采用其他导电材料也是可以的，均属于本发明的保护范围之内。
所述多个阴极电极单元可以为菱形排列，各个所述阴极电极单元分别与其左上方的阴极电极单元、右上方的阴极电极单元、左下方的阴极电极单元和右下方的阴极电极单元之间连接有一所述导电桥。在其他实施方式中，阴极电极单元也可以采用其他的排列方式，而不以此处列举为限。所述导电桥设置于所述显示面板的非开口区，且导电桥处的膜厚可以大于阴极电极单元处的膜厚。所述导电桥的膜厚可选为100-20000埃米，但本发明不以此为限。
与现有技术相比，本发明的显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，通过改善显示面板中阴极层的均一性，提高显示亮度均一性，即降低显示面板的Mura问题，并且可以降低显示面板的IR Drop(IR压降)，提高显示面板产品品质和良率，结构简单，应用方便。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
Claims (16)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板和阵列层，所述阵列层位于所述基板的一侧；
阳极层，位于所述阵列层背离所述基板的一侧，所述阳极层包括多个阳极电极；
发光层，位于所述阳极层背离所述阵列层的一侧；以及
阴极层，位于所述发光层背离所述阳极层的一侧，所述阴极层包括多个阴极电极单元以及多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层包括多个彼此独立的阴极电极，各个所述阴极电极分别对应于一所述阴极电极单元，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层包括覆盖所述发光层的一阴极电极膜层，所述阴极电极膜层包括所述多个阴极电极单元，所述导电桥位于所述阴极膜层背离所述发光层的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电桥采用镁银合金材料、钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括多个与所述阳极电极一一对应的子像素，所述阴极电极在所述基板上的正投影覆盖所对应的阳极电极在所述基板上的正投影，且所述阳极电极在所述基板上的正投影覆盖所对应的子像素在所述基板上的正投影。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个阴极电极单元为菱形排列，各个所述阴极电极单元分别与其左上方的阴极电极单元、右上方的阴极电极单元、左下方的阴极电极单元和右下方的阴极电极单元之间连接有一所述导电桥。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述导电桥设置于所述显示面板的非开口区，且导电桥处的膜厚大于阴极电极单元处的膜厚。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述导电桥的膜厚为100-20000埃米。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板和一阵列层，所述阵列层形成于所述基板的一侧；
于所述阵列层背离所述基板的一侧形成一阳极层，所述阳极层包括多个阳极电极；
于所述阳极层背离阵列层的一侧形成一发光层；
于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，所述阴极层包括与多个阴极电极单元和多个导电桥，所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应，且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，包括如下步骤：
于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用高精度金属掩模板形成多个独立的阴极电极，各个所述阴极电极分别对应于一所述阴极电极单元；
于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用高精度金属掩模板形成多个导电桥，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极之间。
12.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述于所述发光层背离所述阳极层的一侧形成一阴极层，包括如下步骤：
于所述发光层背离所述阳极层的一侧，采用金属掩膜板形成一阴极电极膜层，所述阴极电极膜层包括所述阴极电极单元；
于所述阴极电极膜层背离所述发光层的一侧，采用高精度金属掩膜板行程多个导电桥，各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
13.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述导电桥采用镁银合金材料、钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合。
14.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述多个阴极电极单元为菱形排列，各个所述阴极电极单元分别与其左上方的阴极电极单元、右上方的阴极电极单元、左下方的阴极电极单元和右下方的阴极电极单元之间连接有一所述导电桥。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述导电桥设置于所述显示面板的非开口区，且导电桥处的膜厚大于阴极电极单元处的膜厚。
16.根据权利要求10至14中任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述导电桥的膜厚为100-20000埃米。
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