CN110872686B - 掩模组件以及用于制造显示设备的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种掩模组件以及用于制造显示设备的设备和方法。所述掩模组件包括：掩模框架；掩模，位于掩模框架上，并且包括至少一个开口，沉积材料穿过所述至少一个开口；以及杆，位于掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，其中，杆包括：杆主体部分，连接到掩模框架并横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从杆主体部分朝向所述至少一个开口突出。

Description

掩模组件以及用于制造显示设备的设备和方法
于2018年8月29日在韩国知识产权局提交并且名称为“掩模组件以及用于制造包括掩模组件的显示设备的设备和方法”的第10-2018-0102175号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种掩模组件以及用于制造显示设备的设备和方法。
背景技术
显示设备的应用已经多样化。此外，由于显示设备相对小的厚度和轻的重量，显示设备的应用范围已经增加。
显示设备的显示区域所占用的面积已经增大，并且还已经添加了可以应用于显示设备或者与显示设备相关联的各种功能。
发明内容
实施例涉及一种掩模组件，所述掩模组件包括：掩模框架；掩模，位于掩模框架上，并且包括至少一个开口，沉积材料可以穿过所述至少一个开口；以及杆，位于掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，杆包括：杆主体部分，连接到掩模框架并横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从杆主体部分朝向所述至少一个开口突出。
杆主体部分和突起可以是彼此可分离的。
突起可以包括：连接部分，连接到杆主体部分；以及屏蔽部分，连接到连接部分并被构造为屏蔽沉积材料。
突起的端部可以布置为比掩模的面对源的一侧远离源，源被构造为喷射沉积材料。
杆的至少一部分和掩模可以包括彼此不同的材料。
杆的至少一部分可以是非磁性材料。
孔可以位于杆主体部分的与突起对应的部分中。
掩模框架、杆和掩模可以顺序堆叠。
实施例还涉及一种用于制造显示设备的设备，所述设备包括：腔室，容纳显示基底；掩模组件，设置为面对显示基底；以及源，面对掩模组件并被构造为向显示基底供应沉积材料。掩模组件可以包括：掩模框架；掩模，位于掩模框架上，并且包括至少一个开口，沉积材料可以穿过所述至少一个开口；以及杆，位于掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，杆可以包括：杆主体部分，连接到掩模框架并且横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从杆主体部分朝向所述至少一个开口突出。
杆主体部分和突起可以是彼此可分离的。
突起可以包括：连接部分，连接到杆主体部分；以及屏蔽部分，连接到连接部分并被构造为屏蔽沉积材料。
突起的端部可以布置为比掩模的面对源的一侧远离源，源被构造为喷射沉积材料。
杆的至少一部分和掩模可以包括彼此不同的材料。
杆的至少一部分可以是非磁性材料。
孔可以位于杆主体部分的与突起对应的部分中。
掩模框架、杆和掩模可以顺序堆叠。
实施例还涉及一种制造显示设备的方法，所述方法包括：将显示基底和掩模组件布置在腔室内；使显示基底与掩模组件对准；以及从源供应沉积材料，使沉积材料穿过掩模组件，并将沉积材料供应到显示基底。沉积材料可以在穿过掩模组件的开口时被特定区域阻挡以在显示基底中形成开口区域，并且沉积在显示基底的除开口区域之外的显示区域上。
掩模组件可以包括与开口区域对应并且朝向显示基底突出的突起。
突起可以与显示基底接触。
沉积材料可以形成以下元件中的至少一个：显示基底的中间层的至少一部分以及对电极。
实施例还涉及一种制造显示设备的方法，所述方法包括：将显示基底和掩模组件布置在腔室内；使显示基底与掩模组件对准；以及从源供应沉积材料，使沉积材料穿过掩模组件，并且将沉积材料供应到显示基底。掩模组件可以包括：掩模框架；掩模，位于掩模框架上，并且包括至少一个开口，沉积材料穿过所述至少一个开口；以及杆，位于掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，杆可以包括：杆主体部分，连接到掩模框架并且横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从杆主体部分朝向所述至少一个开口突出。
突起的端部可以布置为比掩模的面对源的一侧远离源。
杆的至少一部分和掩模可以包括不同的材料。
杆的至少一部分可以是非磁性材料。
附图说明
通过参照附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的用于制造显示设备的设备的剖视图；
图2示出了图1中所示的掩模组件的透视图；
图3示出了图2中所示的掩模和杆的剖视图；
图4示出了已经穿过图3的杆的沉积材料在显示基底上的沉积的剖视图；
图5示出了由图1的设备制造的显示设备的透视图；
图6示出了沿图5的线VI-VI截取的剖视图；
图7示出了图6中所示的有机发光二极管(OLED)的放大剖视图；
图8示出了根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备中的掩模组件的杆的剖视图；
图9示出了根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备中的掩模组件的杆的剖视图；以及
图10示出了根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备中的掩模组件的杆的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施并且不应解释为受限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施方式。在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。同样的附图标记始终表示同样元件。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开。
如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但是并不排除存在或附加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
当可以不同地实现特定实施例时，可以不同于描述的顺序来执行具体工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”或“结合到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接连接或结合到所述另一层、区域或组件，或者可以存在中间层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接到”或“电结合到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接或电结合到所述另一层、区域或组件，或者可以存在中间层、区域或组件。
图1是根据示例实施例的用于制造显示设备的设备1的剖视图。图2是图1中所示的掩模组件40的透视图。图3是示出图2中所示的掩模43和杆42的剖视图。图4是示出已经穿过图3的杆42的沉积材料在显示基底D上的沉积的剖视图。
参照图1至图4，设备1可以包括腔室10、第一支撑件20、第二支撑件30、掩模组件40、磁力发生器50、源60、压力调节器70和视觉单元80。
腔室10可以具有形成在其中的空间，并且可以在该空间中执行沉积。开口部分可以形成在腔室10中，并且闸阀11可以布置在开口部分中以关闭或打开开口部分。
第一支撑件20可以布置在腔室10中并且可以支撑显示基底D。第一支撑件20可以具有各种形状。例如，第一支撑件20可以固定到腔室10的内部，并且显示基底D可以安置在第一支撑件20上。根据另一示例实施例，第一支撑件20可包括在腔室10内线性可移动的梭。根据另一示例实施例，第一支撑件20可以具有布置在腔室10中并夹持显示基底D的钳形形状。根据另一示例实施例，第一支撑件20可以布置在腔室10中，并且可以包括例如固定显示基底D的静电吸盘或粘合吸盘。第一支撑件20可以包括支撑显示基底D的任何装置和结构。为了便于描述，现在将详细描述第一支撑件20固定到腔室10的内部并且显示基底D稳定地安置在第一支撑件20上的情况。
掩模组件40可以布置在第二支撑件30上并且可以由第二支撑件30支撑。在这种情况下，第二支撑件30可以调节掩模组件40的位置。例如，第二支撑件30可以使掩模组件40升高和降低特定距离或使掩模组件40旋转，并且还可以使掩模组件40在一个方向上线性移动。
掩模组件40可以选择性地使沉积材料通过。掩模组件40可以包括一个或多个开口43a。例如，根据示例实施例，掩模组件40可以包括使沉积材料通过的开口43a。已经穿过开口43a的沉积材料可以沉积在显示基底D的区域上，并且因此可以形成显示区域。根据另一示例实施例，掩模组件40可以包括使沉积材料通过的多个开口43a。在这种情况下，显示基底D可以被划分为多个区域，已经穿过每个开口43a的沉积材料可以沉积在显示基底D的每个区域上，并且因此可以在每个区域中形成显示区域。例如，在这种情况下，显示基底D的区域可以在沉积沉积材料之后彼此分离，因此可以制造单个显示设备。为了便于描述，现在将详细描述掩模组件40包括多个开口43a的情况。
掩模组件40可以包括掩模框架41、杆42和掩模43。掩模框架41可以在其中心区域中具有空间。掩模框架41可以具有诸如窗框架的形状。掩模框架41可以包括安置凹槽41a，杆42插入到安置凹槽41a上并安置在安置凹槽41a上。每个安置凹槽41a可以形成为从掩模框架41的外表面凹进，因此，杆42的一部分可以完全插入到安置凹槽41a上。
杆42可以布置在掩模框架41的一侧上。杆42可以包括杆主体部分42a和突起42b。
杆主体部分42a可以在掩模框架41的纵向方向(例如，图2的X轴方向(如所示)或图2的Y轴方向)上延伸。杆主体部分42a的至少一部分可以布置为与开口43a叠置。因此，杆主体部分42a可以布置为横跨开口43a延伸。杆主体部分42a的端部可以插入到掩模框架41的安置凹槽41a上并安置在掩模框架41的安置凹槽41a上。杆主体部分42a可以经由例如焊接或者通过使用螺丝、螺栓等结合到掩模框架41。杆主体部分42a可以具有形成在其中的孔42c。孔42c可以形成为与杆42的突起42b对应，将在下面描述杆42的突起42b。
突起42b可以布置在杆主体部分42a上，诸如以朝向显示基底D突出。突起42b可以插入到孔42c中并且可以连接到杆主体部分42a。突起42b可以与杆主体部分42a一体地形成，或者可以与杆主体部分42a分开形成。为了便于描述，现在将详细描述突起42b和杆主体部分42a彼此是可分开的并且彼此结合的情况。每个突起42b可以包括连接到杆主体部分42a的连接部分42b-2和连接到连接部分42b-2的屏蔽部分42b-1。连接部分42b-2可以布置为穿透杆主体部分42a的孔42c，连接部分42b-2的一部分可以弯曲并安置在杆主体部分42a的一侧上。连接部分42b-2的弯曲部分可以经由例如焊接等固定到杆主体部分42a的所述一侧。屏蔽部分42b-1可以布置为与杆主体部分42a分开。屏蔽部分42b-1可以形成为与下面将描述的第一开口区域的形状对应。例如，当将要形成的第一开口区域为圆形时，屏蔽部分42b-1可以形成为具有圆形形状。根据另一示例实施例，当将要形成的第一开口区域为多边形时，屏蔽部分42b-1可以形成为具有多边形形状。屏蔽部分42b-1可以根据第一开口区域的形状形成为与第一开口区域的形状对应。屏蔽部分42b-1的一侧(或突起42b的端部)可以布置为比杆主体部分42a的接触连接部分42b-2的弯曲部分的一侧远离源60。在这种情况下，屏蔽部分42b-1的至少一部分可以布置在开口43a内或开口43a的外部。例如，相比于掩模43突出，屏蔽部分42b-1可以布置为进一步朝向显示基底D突出。
突起42b可以具有连接到杆主体部分42a的任何形状，并且包括屏蔽沉积材料的屏蔽部分42b-1，以防止沉积材料沉积在显示基底D的显示区域的一部分上。
掩模43可以布置在掩模框架41上。掩模43可以包括布置为分别与显示基底D的区域对应的多个开口43a。每个开口43a可以具有与显示基底D的每个区域的显示区域对应的形状。已经穿过每个开口43a的沉积材料可以沉积在显示基底D的每个区域上，因此可以形成显示区域。
可以包括一个掩模43或多个掩模43。当包括多个掩模43时，多个掩模43均可以形成为具有板形状，并且可以布置在掩模框架41上以彼此相邻。为了便于描述，现在将详细描述形成一个掩模43的情况。
磁力发生器50可以布置在腔室10中，并且因此可以促使掩模组件40更朝向显示基底D靠近。在这种情况下，磁力发生器50可以包括产生磁力的磁体和电磁体中的至少一种。
源60可以储存沉积材料，并且可以使沉积材料升华或蒸发。源60可以包括加热器以加热沉积材料。源60还可以包括储存沉积材料的坩埚。源60可以在腔室10内静止不动，或者可以在腔室10内在一个方向上线性移动和往复运动。当源60移动时，腔室10可以包括驱动源60线性移动和往复运动的源驱动单元。在这种情况下，源驱动单元可以包括线性马达。为了便于描述，现在将详细描述源60固定在腔室10内的情况。
视觉单元80可以布置在腔室10内，并且可以对显示基底D和掩模组件40中的至少一个进行成像或拍摄。可以基于通过由视觉单元80进行的成像而获得的数据来布置显示基底D和掩模组件40。
压力调节器70可以连接到腔室10并且可以调节腔室10的内部压力。压力调节器70可以包括连接到腔室10的导管71，以及设置在导管71上以调节腔室10的内部压力的真空泵72。在这种情况下，根据真空泵72的操作，可以从腔室10排出气体，或者可以将特定气体供应到腔室10中。
当设备1制造显示设备时，显示基底D可以布置在腔室10内。在这种情况下，掩模组件40可以布置在腔室10内。
显示基底D可以布置在第一支撑件20上，掩模组件40可以布置在第二支撑件30上。
当如上所述布置显示基底D和掩模组件40时，显示基底D的对准标记和掩模组件40的对准标记被视觉单元80拍摄并被彼此比较，因此显示基底D和掩模组件40可以对准。在这种情况下，第二支撑件30可以精确地调节掩模组件40的位置。
磁力发生器50可以向掩模组件40施加磁力。在这种情况下，杆42的至少一部分可以由与用于形成掩模43的材料不同的材料形成。例如，杆42的至少一部分可以包括非磁性材料，掩模43可以包括磁性材料。例如，杆42的至少一部分可以包括非磁性不锈钢。例如，杆42的突起42b可以由非磁性材料形成。掩模43可以包括例如铁镍合金(因瓦合金)。为了便于描述，现在将详细描述整个杆42由不锈钢形成的情况。
当磁力发生器50如上所述施加磁力时，掩模组件40可以朝向显示基底D移动。在这种情况下，掩模框架41可以由与掩模43相同或相似的磁性材料形成。
屏蔽部分42b-1可以完全附着到显示基底D，并且因此可以接触显示基底D的一侧。掩模43的一部分也可以附着到显示基底D。
源60可以用于将沉积材料供应到腔室10中。此时，沉积材料可以穿过开口43a并且可以沉积在显示基底D上。在这种情况下，已经穿过开口43a的沉积材料可以沉积在显示基底D的显示区域上。
在上述情况下，显示基底D的一部分可以经由开口43a暴露，并且由于掩模43的其中未形成开口43a的部分和屏蔽部分42b-1，显示基底D的另一部分可以不被暴露。因此，沉积材料可以沉积在显示基底D的暴露部分上。
在沉积材料如上所述沉积时，沉积材料也可以被杆主体部分42a和连接部分42b-2阻挡。然而，因为由源60喷射的沉积材料以各种角度入射到显示基底D上，所以沉积材料的一部分可以被杆主体部分42a阻挡，但是沉积材料的不与杆主体部分42a碰撞的另一部分可以沉积在显示基底D的与杆主体部分42a相对的部分上。与杆主体部分42a相似，已经避开了连接部分42b-2的沉积材料可以沉积在显示基底D上。因此，即使当布置了杆主体部分42a和连接部分42b-2时，沉积材料也可以沉积在显示基底D的显示区域上。在这种情况下，杆主体部分42a可以布置为与显示基底D稍微分开，因此可以不干扰沉积材料在显示基底D的面对杆主体部分42a的部分上的沉积。
当如上所述沉积沉积材料时，因为屏蔽部分42b-1如上所述完全附着到显示基底D，所以沉积材料可以不沉积在显示基底D的面对屏蔽部分42b-1的部分上。因此，沉积材料可以均匀地沉积在显示基底D的显示区域的除了与屏蔽部分42b-1对应的区域之外的剩余区域上。
在进行上述操作的同时，真空泵72可以用于从腔室10排出气体。
当完成上述工艺时，可以将掩模组件40引出到腔室10的外部。此时，真空泵72可以用于将腔室10的内部压力调节为与大气压相同或相似。
此后，可以将显示基底D卸到腔室10的外部。在将新的显示基底D插入腔室10中之后，可以重复上述工艺。在已经如上所述在其上沉积了沉积材料的显示基底D中，可以通过应用激光或机械研磨来在第一开口区域中形成孔，并且因此可以形成第二开口区域。第一开口区域和第二开口区域可以彼此一体地形成，并且可以彼此连通。此外，晚于第一开口区域形成的第二开口区域可以形成为小于第一开口区域。
当完成上述工艺时，可以在其上已经沉积了沉积材料的显示基底D上形成薄膜封装层。
因此，在用于制造显示设备的设备1和制造显示设备的方法中，可以制造具有形成在其中的开口区域的显示设备。此外，在用于制造显示设备的设备1和制造显示设备的方法中，可以通过简单的结构来防止沉积材料在开口区域中的沉积，因此可以使在开口区域的形成期间外来物质的产生最小化。
图5是由图1的设备1制造的显示设备的透视图。图6是沿图5的线VI-VI截取的剖视图。图7是图6中所示的有机发光二极管(OLED)的放大剖视图。
参照图5至图7，显示设备可以包括显示面板P以及与显示面板P的开口区域RA对应的电子元件。开口区域RA可以与第二开口区域RA2相同。虽然未示出，但是诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器两者或者包括滤色器和黑矩阵两者的反射防止构件以及透明窗中的至少一种的组件可以布置在显示面板P上。在这种情况下，电子元件可以布置在下面将描述的开口OP内，或者可以布置在开口OP外部。
显示面板P可以包括基底100、设置在基底100上并且包括显示元件的显示元件层以及作为覆盖显示元件层的封装构件的薄膜封装层300。
基底100可以由包含SiO2作为主要成分的透明玻璃材料形成。显示元件层包括显示元件，诸如布置在显示区域DA中的OLED。显示元件层可以包括电连接到OLED的电路和布线。薄膜封装层300可以覆盖显示元件层，从而防止外部湿气或外部污染物质渗透到显示元件层中。薄膜封装层300可以包括例如至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
显示面板P可以包括与开口区域RA对应并且穿透显示面板P的开口OP。与基底100、显示元件层和薄膜封装层300的相应开口区域RA对应的开口可以形成显示面板P的开口OP。
开口区域RA可以是布置有电子元件的位置，因此，电子元件可以布置为与基底100、显示元件层和薄膜封装层300的相应开口对应。基底100的开口可以形成为穿透基底100的上表面和下表面，显示元件层的开口可以形成为从显示元件层的最下层穿透到显示元件层的最上层，薄膜封装层300的开口可以形成为穿透薄膜封装层300。根据另一示例实施例，薄膜封装层300的开口可以通过形成显示元件层的开口然后在显示元件层的开口的内表面上形成薄膜封装层300来形成。
电子元件可以是使用光和/或声音的电子元件。电子元件可以包括例如与红外传感器相似的接收并使用光的传感器、接收光并捕获图像的照相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯、或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。
开口区域RA可以被理解为能够传输光或/和声音的传输区域，所述光或/和声音从电子元件输出到外部或者从外部朝向电子元件行进。例如，当完全去除显示面板P的与开口区域RA对应的部分时，例如，当开口OP穿透显示面板P时，可以更有效地使用由电子元件输出或接收的光或声音。
在示例实施例中，显示元件层和薄膜封装层300可以分别包括与开口区域RA对应的开口，并且基底100可以不包括开口。在这种情况下，虽然基底100不包括开口，但是显示元件层和薄膜封装层300可以分别包括开口，因此，可以确保电子元件使用的光和/或声音的透过率。
根据示例实施例，显示面板P的开口区域RA中的光透过率可以是大约50％或更大、70％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大或者90％或更大。
根据另一示例实施例，显示面板P的基底100可以包括聚合物树脂。在这种情况下，基底100可以确保比由玻璃材料形成的基底大的柔性。例如，基底100可以包括顺序堆叠在其上的第一基体层、第一无机层、第二基体层和第二无机层。
第一基体层和第二基体层可以包括透明聚合物树脂。透明聚合物树脂可以是例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亚胺(PI)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
第一无机层和第二无机层中的每个可以是防止外部外来物质的渗透的阻挡层，并且因此可以是包括诸如SiNx和/或SiOx的无机材料的单层或多层。
包括聚合物树脂的基底100可以包括与开口区域RA对应的开口，或者可以不包括开口。然而，如上所述，显示元件层和薄膜封装层300可以分别包括开口。
显示面板P包括布置在显示区域DA中的多个像素。每个像素可以包括例如OLED。每个像素可以经由OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
显示面板P可以包括其中未设置像素的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1围绕开口区域RA。第一非显示区域NDA1可以是未布置诸如发射光的OLED的显示元件的区域。在第二非显示区域NDA2中，可以布置向每个像素提供扫描信号的扫描驱动器、向每个像素提供数据信号的数据驱动器以及用于提供第一电源电压和第二电源电压的主电源线。
用于防止杂质渗透到薄膜晶体管(TFT)的半导体层中的缓冲层201可以布置在基底100上。缓冲层201可以包括例如无机绝缘材料(诸如氮化硅或氧化硅)，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。根据一些实施例，第二无机层可以理解为具有多层结构的缓冲层201的一部分。
包括TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以布置在缓冲层201上。TFT可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。TFT可以是驱动TFT。根据本示例实施例，TFT是其中栅电极GE布置在半导体层ACT上并且栅极绝缘层203位于栅电极GE与半导体层ACT之间的顶栅型。根据另一示例实施例，TFT可以是底栅型。
半导体层ACT可以包括例如多晶硅。在另一示例实施例中，半导体层ACT可以包括例如非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括例如低电阻金属材料。栅电极GE可以包括例如包括以钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)为例的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。
栅极绝缘层203可以置于半导体层ACT与栅电极GE之间，并且可以包括例如无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。
源电极SE和漏电极DE可以包括例如高导电材料。源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括例如包括Mo、Al、Cu和/或Ti的导电材料，并且可以是包括上述材料的多层或单层。根据示例实施例，源电极SE和漏电极DE中的每个可以形成为Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括下电极CE1和上电极CE2，并且第一层间绝缘层205位于下电极CE1与上电极CE2之间。下电极CE1和上电极CE2彼此叠置。存储电容器Cst可以与TFT叠置。图6示出了TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1的情况，但是本公开不限于此。根据另一示例实施例，存储电容器Cst可以不与TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括例如无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。
包括TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被第一绝缘层209覆盖。第一绝缘层209可以用作平坦化绝缘层，并且可以包括例如有机绝缘材料，诸如聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、其共混物等。根据示例实施例，第一绝缘层209可以包括聚酰亚胺。根据示例实施例，第一绝缘层209可以具有大约1.7μm至大约2.4μm的厚度。
OLED可以设置在第一绝缘层209上。OLED的像素电极221可以布置在第一绝缘层209上，并且可以经由第一绝缘层209的接触孔连接到像素电路PC。
像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据另一示例实施例，像素电极221可以包括例如反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或这些材料的混合物。根据另一示例实施例，像素电极221还可以包括例如位于反射层上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
第二绝缘层211包括像素电极221的上表面经由其而被暴露的开口，并且覆盖像素电极221的边缘。第二绝缘层211可以包括例如无机绝缘材料。例如，第二绝缘层211可以包括氧化硅和/或氮化硅，并且可以是单层或多层。第二绝缘层211的厚度可以小于第一绝缘层209的厚度。
中间层222可以包括发射层。发射层可以包括例如发射特定颜色的光的低分子量或高分子量有机材料。根据示例实施例，如图7中所示，中间层222还可以包括布置在发射层222B下方的第一功能层222A和/或布置在发射层222B上方的第二功能层222C。
第一功能层222A可以是单层或多层。例如，当第一功能层222A由高分子量材料形成时，第一功能层222A是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以由聚-(3,4)-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。另一方面，当第一功能层222A由低分子量材料形成时，第一功能层222A可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
当第一功能层222A和发射层222B由高分子量材料形成时，可以形成第二功能层222C以改善OLED的特性。第二功能层222C可以是单层或多层。第二功能层222C可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
构成中间层222的多个层中的一些(例如，第一功能层222A和第二功能层222C)不仅可以布置在显示区域DA中，而且可以布置在第一非显示区域NDA1中。
对电极223可以布置为面对像素电极221，并且中间层222位于对电极223与像素电极221之间。对电极223可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或这些材料的合金。在另一示例实施例中，对电极223还可以包括位于包括任何上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223不仅可以布置在显示区域DA中，而且可以布置在第一非显示区域NDA1中。根据另一示例实施例，对电极223可以仅布置在显示区域DA中。为了便于描述，现在将详细描述对电极223仅布置在显示区域DA中的情况。
OLED可以被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。虽然在图6中如所示的薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320，但是可以改变第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320的堆叠顺序以及无机封装层和有机封装层的数量。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种的无机绝缘材料，并且可以经由化学气相沉积(CVD)等形成。有机封装层320可以包括例如聚合物类材料。聚合物类材料的示例包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
数据线DL可以彼此交替，并且绝缘层位于数据线DL之间。相邻的数据线DL可以分别布置在绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)下方和上方。
可以通过使用上面参照图1至图4描述的设备1和制造显示设备的方法来制造如上所述的显示设备。
例如，当使用用于制造显示设备的设备制造第一功能层222A和第二功能层222C以及对电极223中的至少一个时，可以使用上述掩模组件(图1的40)。
当形成第一功能层222A和第二功能层222C时，如上所述，沉积材料可以经由掩模组件40沉积在显示基底D上。在这种情况下，显示基底D可以包括基底100、缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205、TFT、第二层间绝缘层207、第一绝缘层209、第二绝缘层211和像素电极221。根据另一示例实施例，除了上述层之外，显示基底D还可以包括第一功能层222A和发射层222B。在这种情况下，第一功能层222A和第二功能层222C中的至少一个可以经由上述设备1进行沉积。为了便于描述，现在将详细描述在显示基底D上形成第二功能层222C的情况。
当形成第二功能层222C时，如上所述可以通过使用掩模组件40将沉积材料沉积在显示基底D上。
在这种情况下，第二功能层222C可以被屏蔽部分42b-1阻挡，因此可以不形成在开口区域RA中。根据另一示例实施例，由于屏蔽部分42b-1，第二功能层222C甚至不会形成在围绕开口区域RA的第一非显示区域NDA1中。
在上述情况下，已经穿过掩模的开口的沉积材料可以沉积在除了屏蔽部分42b-1之外的显示区域DA中，因此，可以形成第二功能层222C。
在如上所述形成第二功能层222C之后，可以在第二功能层222C上形成对电极223。可以类似于形成第二功能层222C来形成对电极223。在这种情况下，不包括第一功能层222A、第二功能层222C和对电极223的第一开口区域RA1可以形成在开口区域RA中。
此后，可以在对电极223上形成薄膜封装层300，从而制造显示面板P。在这种情况下，薄膜封装层300的至少一部分可以布置在第一开口区域RA1的内表面上，因此可以屏蔽第一开口区域RA1的至少一部分。
此后，可以通过向第一开口区域RA1照射激光或对第一开口区域RA1进行机械研磨来形成第二开口区域RA2。以这种方式，可以完成开口区域RA。在这种情况下，第二开口区域RA2可以形成为穿透基底100和其他层。
根据另一示例实施例，在形成薄膜封装层300之前，可以通过向第一开口区域RA1照射激光或对第一开口区域RA1进行机械研磨来形成第二开口区域RA2。接下来，可以形成薄膜封装层300。在这种情况下，薄膜封装层300的至少一部分可以形成在开口OP的内表面上，因此，可以防止外部湿气或氧渗透到显示面板P的每层中。
因此，显示设备可以使由于在形成第二开口区域RA2期间使用激光等而产生的气体或外来物质最小化，并且可以防止第一功能层222A和第二功能层222C由于对其施加热而产生的热变形。
图8是根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备中的掩模组件的杆的剖视图。
参照图8，用于制造显示设备的设备的描述可以与图1至图4的设备1的描述相似。掩模组件的描述与图1至图4的掩模组件40的描述相似。
杆42'可以形成为具有各种形状。杆42'可以包括杆主体部分42a'和突起42b'。杆主体部分42a'和突起42b'可以彼此一体地形成。在这种情况下，在可以以直线形成杆主体部分42a'和突起42b'之后，可以使该直线弯曲以形成突起42b'。杆主体部分42a'和突起42b'可以形成为与参照图1至图4给出的描述相同或相似。
图9是根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备中的掩模组件的杆的剖视图。
参照图9，用于制造显示设备的设备的描述可以与图1至图4的设备1的描述相似。掩模组件的描述可以与图1至图4的掩模组件40的描述相似。
杆42”可以包括杆主体部分42a”和突起42b”。杆主体部分42a”和突起42b”可以形成为彼此分离。突起42b”可以布置在杆主体部分42a”的面对显示基底D的一侧上。在这种情况下，突起42b”可以从杆主体部分42a”朝向显示基底D突出。例如，突起42b”的连接部分42b”-2的宽度可以小于突起42b”的屏蔽部分42b”-1的宽度。杆主体部分42a”的宽度也可以小于屏蔽部分42b”-1的宽度。杆主体部分42a”的宽度和连接部分42b”-2的宽度可以彼此相等。连接部分42b”-2的宽度可以在图9的Y轴方向上测量，杆主体部分42a”的宽度可以在图9的Y轴方向上测量，屏蔽部分42b”-1的宽度可以在图9的X轴或Y轴方向上测量。杆主体部分42a”和突起42b”可以与上面参照图1至图4所描述的相似。
图10是根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备中的掩模组件的杆的剖视图。
参照图10，用于制造显示设备的设备的描述可以与图1至图4的设备1的描述相似。掩模组件的描述可以与图1至图4的掩模组件40的描述相似。
杆42”'可以包括杆主体部分42a”'和突起42b”'。杆主体部分42a”'和突起42b”'可以彼此分离或者可以彼此一体地形成。当杆主体部分42a”'和突起42b”'彼此一体地形成时，杆主体部分42a”'和突起42b”'可以经由例如蚀刻等对基体构件进行处理来制造。根据另一示例实施例，当杆主体部分42a”'和突起42b”'形成为彼此分离时，杆主体部分42a”'和突起42b”'可以独立地制造，并且可以经由例如焊接等彼此连接。
突起42b”'可以包括连接部分42b”'-2和屏蔽部分42b”'-1。突起42b”'可以形成为具有H形状。在这种情况下，连接部分42b”'-2可以连接到屏蔽部分42b”'-1的中心，从而将屏蔽部分42b”'-1连接到杆主体部分42a”'。屏蔽部分42b”'-1可以形成为具有各种形状。在这种情况下，如上所述，屏蔽部分42b”'-1可以根据要形成的开口区域的形状而具有各种形状。
通过总结和回顾的方式，为了增大显示区域所占据的区域并且还添加各种功能，显示设备可以形成为在显示区域中具有开口。在包括开口的显示设备中，当使用激光或机械研磨来在形成每个层之后形成开口时，在去除一些层期间会产生气体或外来物质。例如，在孔的形成期间，会产生外来物质或会使用过量的能量。因此，位于孔周围的有机发光器件会被损坏。如上所述，实施例可以提供用于形成包括开口同时使气体或外来物质的产生最小化的显示设备。
根据实施例，可以通过包括开口来布置各种电子元件。
根据实施例，可以使在形成开口期间气体或外来物质的产生最小化。
根据实施例，可以经由简单的结构形成开口。
这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是它们仅以一般的和描述性的意义被使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如自提交本申请之时起对本领域的普通技术人员将明显的是，除非此外明确指出，否则结合具体的实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (24)

1.一种掩模组件，所述掩模组件包括：
掩模框架；
掩模，位于所述掩模框架上，并且包括至少一个开口，沉积材料穿过所述至少一个开口；以及
杆，位于所述掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，所述杆包括：杆主体部分，连接到所述掩模框架并横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从所述杆主体部分朝向所述至少一个开口突出，所述突起的端部被构造为延伸穿过所述掩模的所述至少一个开口。
2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述杆主体部分和所述突起是彼此可分离的。
3.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述突起包括：
连接部分，连接到所述杆主体部分；以及
屏蔽部分，连接到所述连接部分并被构造为屏蔽所述沉积材料。
4.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述突起的所述端部布置为比所述掩模的面对源的一侧远离所述源，所述源被构造为喷射所述沉积材料。
5.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述杆的至少一部分和所述掩模包括彼此不同的材料。
6.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述杆的至少一部分是非磁性材料。
7.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，孔位于所述杆主体部分的与所述突起对应的部分中。
8.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述掩模框架、所述杆和所述掩模顺序堆叠。
9.一种用于制造显示设备的设备，所述设备包括：
腔室，容纳显示基底；
掩模组件，设置为面对所述显示基底；以及
源，面对所述掩模组件并被构造为向所述显示基底供应沉积材料，其中：
所述掩模组件包括：掩模框架；掩模，位于所述掩模框架上，并且包括至少一个开口，所述沉积材料穿过所述至少一个开口；以及杆，位于所述掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，并且
所述杆包括：杆主体部分，连接到所述掩模框架并且横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从所述杆主体部分朝向所述至少一个开口突出，所述突起的端部被构造为延伸穿过所述掩模的所述至少一个开口。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述杆主体部分和所述突起是彼此可分离的。
11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述突起包括：
连接部分，连接到所述杆主体部分；以及
屏蔽部分，连接到所述连接部分并被构造为屏蔽所述沉积材料。
12.根据权利要求9所述的设备，其中，所述突起的所述端部布置为比所述掩模的面对所述源的一侧远离所述源，所述源被构造为喷射所述沉积材料。
13.根据权利要求9所述的设备，其中，所述杆的至少一部分和所述掩模包括彼此不同的材料。
14.根据权利要求9所述的设备，其中，所述杆的至少一部分是非磁性材料。
15.根据权利要求9所述的设备，其中，孔位于所述杆主体部分的与所述突起对应的部分中。
16.根据权利要求9所述的设备，其中，所述掩模框架、所述杆和所述掩模顺序堆叠。
17.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
将显示基底和掩模组件布置在腔室内；
使所述显示基底与所述掩模组件对准；以及
从源供应沉积材料，使所述沉积材料穿过所述掩模组件，并将所述沉积材料供应到所述显示基底，
其中，所述沉积材料在穿过所述掩模组件的开口时被特定区域阻挡以在所述显示基底中形成开口区域，并且沉积在所述显示基底的除了所述开口区域之外的显示区域上，并且
其中，所述掩模组件包括：掩模框架；掩模，位于所述掩模框架上并且具有所述开口；以及杆，位于所述掩模框架上并横跨所述开口延伸，所述杆包括杆主体部分和突起，所述杆主体部分连接到所述掩模框架并横跨所述开口延伸，所述突起从所述杆主体部分朝向所述开口突出，并且所述突起的端部被构造为延伸穿过所述开口。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述突起与所述开口区域对应并且朝向所述显示基底突出。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述突起与所述显示基底接触。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述沉积材料形成以下元件中的至少一个：
所述显示基底的中间层的至少一部分；以及
对电极。
21.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
将显示基底和掩模组件布置在腔室内；
使所述显示基底与所述掩模组件对准；以及
从源供应沉积材料，使所述沉积材料穿过所述掩模组件，并且将所述沉积材料供应到所述显示基底，其中：
所述掩模组件包括：掩模框架；掩模，位于所述掩模框架上，并且包括至少一个开口，所述沉积材料穿过所述至少一个开口；以及杆，位于所述掩模框架上并横跨所述至少一个开口延伸，并且
所述杆包括：杆主体部分，连接到所述掩模框架并且横跨所述至少一个开口延伸；以及突起，从所述杆主体部分朝向所述至少一个开口突出，所述突起的端部被构造为延伸穿过所述掩模的所述至少一个开口。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述突起的所述端部布置为比所述掩模的面对所述源的一侧远离所述源。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述杆的至少一部分和所述掩模包括不同的材料。
24.根据权利要求21所述的方法，其中，所述杆的至少一部分是非磁性材料。
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