CN219526764U - 沉积源 - Google Patents

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Abstract

本实用新型一实施例公开了一种沉积源，所述沉积源包括：壳体，沉积物质容纳在所述壳体的内部；多个第一喷嘴，朝向掩模组件喷射所述沉积物质；第二喷嘴，布置在所述多个第一喷嘴中的至少一部分第一喷嘴的外侧，并且在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一喷嘴间隔开并围绕所述第一喷嘴。

Description

沉积源
技术领域
本实用新型涉及装置，更详细地，涉及沉积源。
背景技术
近来，电子设备得到了广泛的应用。正在使用诸如移动型电子设备和固定型电子设备的各种电子设备，这些电子设备包括能够向用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示装置以支持各种功能。
显示装置是可视地显示数据的装置，其通过沉积有机层、金属层等各种层而形成。可以使用沉积装置以形成显示装置的多个层。沉积装置以沉积物质从沉积源喷射并通过掩模沉积在基板上的方式使用。
前述背景技术是发明人为了导出本发明而拥有或在导出本发明的过程中所获得的技术信息，其并不能被认为是在申请本实用新型之前向一般公众公开的公知的技术。
实用新型内容
要解决的技术问题
本实用新型的实施例旨在提供能够有效地喷射沉积物质的沉积源。
然而，这些技术问题是示例性的，并且本实用新型要解决的技术问题不限于此。
解决方法
本实用新型一实施例公开了沉积源，所述沉积源包括：壳体，沉积物质容纳在所述壳体的内部；多个第一喷嘴，朝向掩模组件喷射所述沉积物质；第二喷嘴，布置在所述多个第一喷嘴中的至少一部分第一喷嘴的外侧，并且在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一喷嘴间隔开并围绕所述第一喷嘴。
在本实施例中，所述第二喷嘴可以在由所述第一方向和所述第二方向限定的平面上在所述第一喷嘴的外侧形成闭合环路(closed loop)。
在本实施例中，所述第二喷嘴可以与所述第一喷嘴的中心同心设置。
在本实施例中，所述第二喷嘴可以在由所述第一方向和所述第二方向限定的平面上具有半圆形形状以围绕所述第一喷嘴的一部分。
在本实施例中，所述第一喷嘴可以包括在作为喷射方向的第三方向上的第一高度，且所述第二喷嘴可以包括在所述第三方向上的第二高度，以及所述第一高度可以小于所述第二高度。
在本实施例中，所述第二高度可以沿着所述第二喷嘴的边缘改变。
在本实施例中，布置在所述多个第一喷嘴的多个第二喷嘴中的所述至少一部分第一喷嘴的所述第二高度可以彼此不同。
在本实施例中，所述第二高度可以从多个所述第二喷嘴中的在所述第二方向上位于中央的第二喷嘴朝向在所述第二方向上位于两个端部的第二喷嘴减小。
在本实施例中，所述第一喷嘴可以包括在作为喷射方向的第三方向上直径增大的部分。
在本实施例中，所述多个第一喷嘴可以在所述第二方向上平行布置，以及所述沉积源还可以包括：挡板，在所述第一方向上与所述多个第一喷嘴间隔开布置，并且沿着所述第二方向延伸。
在本实施例中，所述第一喷嘴可以包括在作为喷射方向的第三方向上的第一高度，所述第二喷嘴可以包括在所述第三方向上的第二高度，所述挡板可以包括在所述第三方向上的第三高度，以及所述第一高度可以小于所述第二高度，并且所述第二高度可以小于所述第三高度。
在本实施例中，所述第二喷嘴可以包括网状结构，所述网状结构布置在所述第二喷嘴的面对所述第一喷嘴的内表面上。
在本实施例中，所述沉积源还可以包括：加热部，布置在所述第二喷嘴的外侧并能够加热所述第二喷嘴。
在本实施例中，所述第二喷嘴可以设置于所述多个第一喷嘴的全部。
除了前述内容之外的其它方面、特征和优点将从以下的用于实施实用新型的具体的内容、权利要求书和附图中显而易见。
有益效果
根据本实用新型的实施例，可以提供能够有效地喷射沉积物质的沉积源及显示装置的制造方法。
此外，能够防止阴影现象，从而防止基板的沉积不良并且实现超高分辨率的显示装置。
本实用新型的效果不限于以上提及的效果，并且本领域技术人员可以通过权利要求书的记载清楚地理解未提及的其它效果。
附图说明
图1是示出根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
图2是示出根据本实用新型一实施例的沉积源的透视图。
图3是沿着图2的线III-III’截取的示出根据本实用新型一实施例的沉积源的剖视图。
图4是示意性地示出根据本实用新型一实施例的从沉积源喷射沉积物质的图。
图5是沿着图2的线V-V’截取的示出根据本实用新型一实施例的沉积源的剖视图。
图6是与图3类似的、示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的剖视图。
图7是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
图8是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
图9是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
图10是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
图11是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的剖视图。
图12是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的剖视图。
图13是示意性地示出通过根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的平面图。
图14是示意性地示出通过根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的剖视图。
附图标记的说明
1：显示装置
2：显示装置的制造装置
10：腔室
20：第一支承部
30：第二支承部
40：掩模组件
60：磁力部
70：视觉部
80：压力调节部
100：显示基板
500：沉积源
510：壳体
520：覆盖部
531：第一喷嘴
532：第二喷嘴
具体实施方式
本实用新型可以进行各种转换并且可以具有各种实施例，将在附图中例示特定的实施例并且进行详细说明。本实用新型的效果和特征以及实现效果和特征的方法将通过参照后面与附图一起详细描述的实施例而变得清楚。然而，本实用新型并不限于以下所公开的实施例，而是可以以各种形态实现。
以下，将参照附图详细说明本实用新型的实施例，在参照附图说明时，对相同或相应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，“第一”、“第二”等用语不是用于限定的意义，而是用于将一个构成要素与另一构成要素区分开的目的。
在以下的实施例中，除非在上下文中另外明确指出，否则单数的表达包括复数的表达。
在以下的实施例中，“包括”或“具有”等用于意味着存在说明书中所记载的特征或构成要素，并且不预先排除一个以上的其它特征或构成要素添加的可能性。
在以下的实施例中，当膜、区域、构成要素等部分被称为在另一部分之上或上时，不仅包括直接在另一部分之上的情况，而且还包括其它膜、区域、构成要素等介于中间的情况。
在附图中，为了便于说明，可能夸大或缩小了构成要素的大小。例如，在附图中示出的各个构成的大小和厚度是为了说明的方便而任意示出的，因此本实用新型不必限于附图所示。
在以下的实施例中，x轴、y轴和z轴不限于正交坐标系中的三个轴，且可以解释为包括其的广泛的意义。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，但是也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
在可以不同地实现某个实施例的情况下，可以按照与说明的顺序不同的顺序来执行特定的工艺顺序。例如，可以实质上同时执行连续说明的两个工艺，也可以以与说明的顺序相反的顺序执行上述两个工艺。
图1是示出根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
参照图1，根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置2可以用于制造后述的显示装置1(参照图13)。
显示装置的制造装置2可以包括腔室10、第一支承部20、第二支承部30、掩模组件40、沉积源500、磁力部60、视觉部70和压力调节部80。
腔室10的内部可以形成有空间，并且可以容纳显示基板100和掩模组件40。此时，腔室10的一部分可以形成为开口，并且腔室10的开口的部分中可以设置有闸阀11。在这种情况下，根据闸阀11的运行，腔室10的开口的部分可以敞开或关闭。
第一支承部20可以安置并支承显示基板100。此时，第一支承部20可以是固定于腔室10内部的板形态。作为另一实施例，第一支承部20也可以是供显示基板100安置并且可在腔室10内部进行线性运动的梭子形态。作为又一实施例，第一支承部20也可以包括以固定于腔室10或可在腔室10内部移动的方式布置在腔室10中的静电卡盘或粘合卡盘。
掩模组件40可以安置于第二支承部30。此时，第二支承部30可以布置在腔室10内部。第二支承部30可以对掩模组件40的位置进行微调。此时，第二支承部30可以具有单独的驱动部乃至对准单元，以使掩模组件40可在彼此不同的方向上移动。
作为另一实施例，第二支承部30也可以是梭子形态。在这种情况下，第二支承部30可以供掩模组件40安置，并且可以传送掩模组件40。例如，第二支承部30可以移动到腔室10外部，并在掩模组件40安置之后从腔室10外部进入腔室10内部。
在上述情况下，第一支承部20和第二支承部30也可以一体地形成。在这种情况下，第一支承部20和第二支承部30可以包括可移动的梭状件。此时，第一支承部20和第二支承部30可以包括使掩模组件40和显示基板100在显示基板100安置在掩模组件40上的状态下固定的结构，并且也可以使显示基板100和掩模组件40同时进行线性运动。
然而，以下为了便于说明，将以第一支承部20和第二支承部30彼此分开形成从而布置在彼此不同的位置的形态以及第一支承部20和第二支承部30布置在腔室10内部的形态为中心进行详细说明。
沉积源500可以布置成与掩模组件40相对。此时，沉积物质可以容纳在沉积源500中，并且可以对沉积物质施加热从而使沉积物质蒸发或升华。沉积源500可以布置成固定于腔室10内部，或者也可以在腔室10内部布置成可沿着一方向进行线性运动。对于沉积源500，将在后面详细说明。
掩模组件40可以选择性地布置在腔室10内部。此时，掩模组件40可以包括掩模框架41和掩模片42。
掩模框架41可以由多个框架连接而形成，并且掩模框架41的中央部分可以被贯穿而形成开口。此时，掩模框架41的内部可以形成为网格形态。
掩模片42可以以拉伸的状态设置于掩模框架41。掩模片42可以包括至少一个图案孔。图案孔可以是形成为使沉积物质能够穿过掩模片42的贯穿孔。
磁力部60可以在腔室10内部布置成与显示基板100相对。此时，磁力部60可以向掩模组件40施加磁力，从而在朝向显示基板100的方向上对掩模组件40施力。特别地，磁力部60不仅可以防止掩模片42下垂，而且可以使掩模片42邻近显示基板100。此外，磁力部60可以均匀地维持掩模片42与显示基板100之间的间隔。
视觉部70可以设置于腔室10，并且可以拍摄显示基板100和掩模组件40的位置。此时，视觉部70可以包括用于拍摄显示基板100和掩模组件40的相机。根据由视觉部70拍摄的图像，可以掌握显示基板100和掩模组件40的位置，并且根据上述图像，可以由第一支承部20微调显示基板100的位置，或者可以由第二支承部30微调掩模组件40的位置。然而，以下将以由第二支承部30微调掩模组件40的位置以对准显示基板100和掩模组件40的位置的情况为中心进行详细说明。
压力调节部80可以与腔室10连接以调节腔室10内部的压力。例如，压力调节部80可以将腔室10内部的压力调节成与大气压相同或类似。此外，压力调节部80可以将腔室10内部的压力调节成与真空状态相同或类似。
压力调节部80可以包括与腔室10连接的连接管道81和设置于连接管道81的泵82。此时，根据泵82的运行，可以通过连接管道81引入外部空气，或者可以通过连接管道81将腔室10内部的气体引导到外部。
另一方面，从如上所述的显示装置的制造装置2的运行来看，当压力调节部80使腔室10内部变成与大气压相同或类似的状态时，闸阀11可以运行从而敞开腔室10的开口的部分。
然后，可以在外部将显示基板100从腔室10外部装入到腔室10内部。此时，显示基板100可以以各种方式装入到腔室10。例如，显示基板100可以通过布置在腔室10外部的机械手臂等从腔室10外部装入到腔室10内部。作为另一实施例，在第一支承部20形成为梭子形态的情况下，也可以在第一支承部20从腔室10内部搬出到腔室10外部之后，通过布置在腔室10外部的单独的机械手臂等将显示基板100安置于第一支承部20，并将第一支承部20从腔室10外部装入到腔室10内部。以下为了便于说明，将以显示基板100通过布置在腔室10外部的机械手臂从腔室10外部装入到腔室10内部的情况为中心进行详细说明。
掩模组件40可以是如上所述地布置在腔室10内部的状态。作为另一实施例，掩模组件40也可以与显示基板100相同或类似地从腔室10外部装入到腔室10内部。然而，以下为了便于说明，将以在掩模组件40布置在腔室10内部的状态下仅有显示基板100从腔室10外部装入到腔室10内部的情况为中心进行详细说明。
在如上所述的情况下，作为另一实施例，第一支承部20和第二支承部30也可以如上所述地作为梭子形态在使显示基板100和掩模组件40固定之后，从腔室10外部装入到腔室10内部。
当显示基板100装入到腔室10的内部时，显示基板100可以安置于第一支承部20。此时，视觉部70可以拍摄显示基板100和掩模组件40的位置。特别地，视觉部70可以拍摄显示基板100的第一对准标记和掩模组件40的第二对准标记。
根据如上所述地拍摄的第一对准标记和第二对准标记，可以掌握显示基板100和掩模组件40的位置。此时，显示装置的制造装置2可以具有单独的控制部(未示出)以掌握显示基板100和掩模组件40的位置。
在掌握显示基板100和掩模组件40的位置之后，第二支承部30可以微调掩模组件40的位置。
然后，沉积源500可以运行以向掩模组件40侧供应沉积物质，且穿过掩模片42的多个图案孔的沉积物质可以沉积到显示基板100。此时，沉积源500可以相对于显示基板100和掩模组件40平行地移动，或者显示基板100和掩模组件40可以相对于沉积源500平行地移动。即，沉积源500可以相对于显示基板100和掩模组件40移动。此时，泵82可以将腔室10内部的气体吸入并排出到外部，从而使腔室10内部的压力维持在与真空相同或类似的形态。
在上述情况下，沉积物质可以穿过掩模组件40的图案孔沉积到显示基板100。此时，掩模组件40可以提供与需要沉积到显示基板100的区域对应的图案孔。因此，可以形成堆叠在后述的显示装置1上的多个层，例如有机层、金属层等。
图2是示出根据本实用新型一实施例的沉积源的透视图。图3是沿着图2的线III-III’截取的示出根据本实用新型一实施例的沉积源的剖视图。
参照图1至图3，沉积源500可以在与掩模组件40的一边平行的方向(例如，图1的x方向)上布置。此外，在一实施例中，沉积源500可以包括壳体510、覆盖部520和第一喷嘴531。
壳体510是具有内部空间的刚体，其可以在内部空间容纳沉积物质。在一实施例中，壳体510可以形成为长方体的形状，但不限于此，并且可以形成为诸如圆筒形的各种形状。以下为了便于说明，将以壳体510形成为长方体的形状的情况为中心进行说明。
壳体510可以是一面(例如，图2的+z方向的面)敞开的形状。沉积物质可以通过此开口的面容纳在壳体510的内部空间。此外，加热器(未示出)可以布置于壳体510以加热容纳在内部空间的沉积物质，从而使沉积物质蒸发或升华。
壳体510的敞开的一面上可以布置有覆盖部520。覆盖部520可以覆盖壳体510的敞开的一面从而密封壳体510。
第一喷嘴531可以布置于覆盖部520。第一喷嘴531可以以各种形态与覆盖部520连接。例如，第一喷嘴531可以与覆盖部520一体地形成。在另一实施例中，第一喷嘴531也可以与覆盖部520分开形成并与覆盖部520结合。以下为了便于说明，将以第一喷嘴531与覆盖部520分开形成并与覆盖部520结合的情况为中心进行详细说明。
第一喷嘴531可以通过覆盖部520与壳体510的内部空间连接。在一实施例中，第一喷嘴531可以插入到覆盖部520的底面甚至超出底面。或者，第一喷嘴531可以布置在设置于覆盖部520的开口的外围上。以下将以第一喷嘴531布置在设置于覆盖部520的开口的外围上的情况为中心进行说明。沉积物质可以被加热器加热从而蒸发或升华并通过第一喷嘴531喷射。
在一实施例中，第一喷嘴531可以设置为多个。多个第一喷嘴531例如可以在与掩模组件40或显示基板100的一边平行的方向(例如，图1或图2的x方向)上彼此间隔开并平行布置。在一实施例中，在与多个第一喷嘴531平行布置的方向垂直的方向上，沉积源500可以相对于显示基板100和/或掩模组件40移动。即，如上所述，沉积源500可以在第一方向(例如，图1的y方向)上相对于显示基板100和/或掩模组件40移动并喷射沉积物质。多个第一喷嘴531可以在垂直于第一方向的第二方向(例如，图1的x方向)上平行布置。沉积源500可以以这种构成向显示基板100的整个表面沉积沉积物质。
在一实施例中，多个第一喷嘴531也可以在第一方向上间隔开布置。即，多个第一喷嘴531可以在第一方向和第二方向上间隔开布置并布置成行和列。在图2中，作为一示例，示出了多个第一喷嘴531组成2行8列，但不限于此。
第二喷嘴532可以布置于多个第一喷嘴531中的至少一部分第一喷嘴531。以下将以第二喷嘴532布置于多个第一喷嘴531全部的情况为中心进行说明。
参照图2和图3，第一喷嘴531可以布置在设置于覆盖部520的开口521的外围上。在一实施例中，第一喷嘴531可以形成为各种形状。例如，第一喷嘴531可以是圆柱形态或多棱柱形态。然而，以下为了便于说明，将以第一喷嘴531是圆柱形态的情况为中心进行说明。这种第一喷嘴531可以通过设置于覆盖部520的开口521与壳体510的内部空间连接。即，在壳体510的内部空间蒸发或升华的沉积物质可以通过第一喷嘴531在第三方向(例如，图3的z方向)上朝向显示基板100喷射。
第二喷嘴532可以与第一喷嘴531间隔开布置。在一实施例中，第二喷嘴532可以布置成与第一喷嘴531的外侧表面间隔开并围绕第一喷嘴531。即，第二喷嘴532可以是直径大于第一喷嘴531的圆柱形态，并且第二喷嘴532可以在第一方向和第二方向上与第一喷嘴531间隔开布置。第二喷嘴532可以限制从第一喷嘴531喷射的沉积物质的喷射角度。
在一实施例中，当在平面上观看时(即，当在图3的-z方向上观看时)，第二喷嘴532可以形成为直径大于第一喷嘴531的圆形。
此时，第二喷嘴532的中心和第一喷嘴531的中心可以是同心的。在这种情况下，从第一喷嘴531的外侧表面到第二喷嘴532的间隔s可以从第一喷嘴531的中心在第一方向、第二方向和包括其的所有方向上相同。
然而，在另一实施例中，第一喷嘴531的中心和第二喷嘴532的中心可以不一致。在这种情况下，从第一喷嘴531的外侧表面到第二喷嘴532的间隔s可以在第一喷嘴531的一侧(例如，图3的+x方向侧)上不同于在另一侧(例如，图3的-x方向侧)上。如上所述，第二喷嘴532的中心可以根据需要、即考虑所设计的入射角而布置成不与第一喷嘴531的中心一致。然而，以下为了便于说明，将以第一喷嘴531的中心与第二喷嘴532的中心同心的情况为中心进行说明。
在一实施例中，第一喷嘴531可以包括第一高度h1，第一高度h1是在作为喷射方向的第三方向(例如，图3的z方向)上的长度，且第二喷嘴532可以包括第二高度h2，第二高度h2是在作为喷射方向的第三方向上的长度。此时，第一高度h1可以小于第二高度h2。因此，可以通过第二喷嘴532限制从第一喷嘴531喷射的沉积物质的喷射角。
图4是示意性地示出根据本实用新型一实施例的从沉积源喷射沉积物质的图。
参照图4，由于根据本实用新型一实施例的沉积源500包括第二喷嘴532，因此沉积物质的喷射角θ可以减小。
通常，沉积物质喷射并穿过掩模组件40的图案孔沉积到显示基板100。此时，在沉积物质的喷射角θ大的情况下，沉积物质可能倾斜地穿过掩模组件40的图案孔，从而可能发生沉积物质沉积到不需要沉积的区域的外部阴影。此外，可能发生沉积物质仅部分地沉积到需要沉积的区域的内部阴影。
根据本实用新型一实施例的沉积源500可以通过以围绕第一喷嘴531的方式布置的第二喷嘴532限制沉积物质的喷射角θ，从而提高直行性。具体地，从第一喷嘴531喷射的沉积物质的喷射角大于穿过第二喷嘴532的沉积物质的喷射角θ。然而，从第一喷嘴531喷射的沉积物质中的一部分撞到第二喷嘴532而喷射不出去，而是可以通过第二喷嘴532以减小的喷射角θ喷射。
因此，可以防止前述阴影，从而使沉积物质以所需的厚度沉积在显示基板100的所需位置。这可以减小显示装置的显示面板的缺陷率，尤其可以在需要超高分辨率的显示面板中实现很好的沉积。
再次参照图2，沉积源500还可以包括挡板540。挡板540可以在相对于显示基板100和/或掩模组件40移动的方向、即第一方向(图2的y方向)上与第一喷嘴531间隔开布置。挡板540可以与第一喷嘴531的第一方向上的一侧间隔开布置，并且与第一喷嘴531的所述一侧相对的另一侧间隔开布置。即，挡板540可以由在第一方向上隔着第一喷嘴531相对的多个板形成。
挡板540可以沿着垂直于第一方向的第二方向(图2的x方向)延伸。在一实施例中，挡板540可以在覆盖部520在第二方向上的两个端部之间延伸。
图5是沿着图2的线V-V’截取的示出根据本实用新型一实施例的沉积源的剖视图。
参照图5，挡板540可以包括第三方向(例如，图5的z方向)上的第三高度h3。此时，第三高度h3可以大于第二高度h2。因此，穿过第二喷嘴532的沉积物质的路径可以被挡板540限制成喷射角再次减小。因此，由于挡板540的存在，沉积物质在第一方向(图5的y方向)上的喷射角θ可以变得小于第二方向(图5的x方向)上的喷射角。因此，由于直行性提高，所以沉积物质可以更好地沉积到所需的区域，并且阴影现象可以减少。此外，由于沉积物质在第一方向(图5的y方向)上的喷射角θ减小，所以在沉积质量提高的同时，可喷射的区域可能变窄，但是，由于沉积源500在第一方向(图5的y方向)上相对于显示基板100移动，所以沉积源500可以在移动的同时喷射沉积物质，从而在显示基板100的整个表面上很好地沉积沉积物质。
如上所述，根据本实用新型一实施例的沉积源500可以限制沉积物质的喷射角，从而防止阴影现象并且实现超高分辨率的显示装置。
图6是与图3类似的、示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的剖视图。
参照图6，作为另一实施例，第一喷嘴531可以包括直径在第三方向上增大的部分。具体地，第一喷嘴531的与覆盖部520相邻的部分可以在与覆盖部520的接触面垂直的方向上延伸。此时，第一喷嘴531可以从与覆盖部520的接触面垂直延伸的部分向半径方向的外侧倾斜延伸。即，如图6所示，第一喷嘴531可以在正面形成为Y形。在这种情况下，第二喷嘴532也可以如上所述地布置成与第一喷嘴531间隔开并围绕第一喷嘴531。在第一喷嘴531如上所述地形成为Y形的情况下，沉积物质可以以适当的喷射角喷射，且此时，第二喷嘴532可以阻挡过分飞散的沉积物质从而限制喷射角。因此，可以提高沉积物质的沉积质量。
图7是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
参照图7，在另一实施例中，第二喷嘴532可以在第三方向上与覆盖部520间隔开布置。即，第二喷嘴532可以包括喷嘴主体532-1和支承杆532-2。喷嘴主体532-1可以与上述的第二喷嘴532一样形成为圆柱或多棱柱的形状。以下将以喷嘴主体532-1是圆柱形状的情况为中心进行说明。支承杆532-2可以在喷嘴主体532-1的下部沿着边缘间隔开地布置多个。例如，支承杆532-2可以沿着喷嘴主体532-1的下部边缘布置4个。作为一实施例，支承杆532-2可以形成为与销一样的形状。
支承杆532-2可以连接于覆盖部520并支承喷嘴主体532-1。喷嘴主体532-1可以与前述的第二喷嘴532一样围绕第一喷嘴531以减小沉积物质的喷射角。为此，喷嘴主体532-1的最大高度、即从覆盖部520的一表面到喷嘴主体532-1的上端的距离可以大于第一喷嘴531的高度。此时，从覆盖部520的一表面到喷嘴主体532-1的下端的距离可以小于第一喷嘴531的高度。如上所述，第二喷嘴532可以是使第一喷嘴531的下部暴露于外部的形态。此外，第二喷嘴532的下部不是由曲面形成，而是以销的形态形成，因此第二喷嘴532的重量可以减小并且可以实现轻量化。
图8是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
参照图8，在一实施例中，第二喷嘴532的第二高度h2可以沿着第二喷嘴532的边缘改变。即，如图8所示，第二喷嘴532的上部边缘可以不位于同一平面上。
在一实施例中，第二喷嘴532可以包括沿着一端部(例如，上端部)的边缘凹入的凹部532-3。凹部532-3可以按照调整沉积物质的喷射角所需的数量设置为多个。在一实施例中，凹部532-3可以在第二方向上彼此面对地设置为2个。因此，穿过凹部532-3的沉积物质可以以更大的喷射角喷射。此外，可以调整凹部532-3的深度从而根据需要调整沉积物质的喷射角。然而，不限于此，并且可以根据沉积工艺的所需特性来调整凹部532-3的数量、位置和深度。
图9是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
参照图9，在一实施例中，第二喷嘴532可以设置成围绕第一喷嘴531的一部分。例如，第二喷嘴532可以设置成在平面上具有半圆形的形状。即，第二喷嘴532可以以围绕第一喷嘴531的一部分的方式设置为半圆柱的形状。此时，第二喷嘴532的高度也可以大于第一喷嘴531的高度。因此，喷射角可以在布置有第二喷嘴532的一侧减小，并且在未布置第二喷嘴532的一侧不受限制。由于第二喷嘴532的形状如上所述地设置为半圆柱的形状，所以可以根据所需的沉积特性来调整沉积物质的喷射角。例如，对于需要沉积物质以更好的直行性沉积在显示基板100的部分，可以如图9所示地在相邻的两个第一喷嘴531之间布置半圆柱形状的第二喷嘴532。因此，在相邻的两个第一喷嘴531之间，可以通过第二喷嘴532限制喷射角而进行喷射。然而，不限于此，并且半圆柱形状的第二喷嘴532可以根据所需的沉积特性而布置在各种位置。
图10是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的透视图。
参照图10，第二喷嘴532还可以在内表面上包括网状结构532-4。即，在第二喷嘴532的面对第一喷嘴531的外表面的内表面上可以布置有网状结构532-4。网状结构532-4可以捕获住沉积物质，以防止从第一喷嘴531喷射的沉积物质撞到第二喷嘴532而一下崩塌掉落。
此外，在一实施例中，在第二喷嘴532的外侧可以布置有用于加热第二喷嘴532的加热部(未示出)。加热部例如可以是围绕第二喷嘴532的热丝(heat wire)。加热部可以加热第二喷嘴532从而使附着到第二喷嘴532的沉积物质蒸发或升华而被去除。这可以选择性地与前述的网状结构532-4协作进行。例如，当沉积物质喷射时，网状结构532-4可以捕获并维持撞到第二喷嘴532的沉积物质，且在完成沉积物质的喷射之后，加热部可以加热第二喷嘴532从而使维持在网状结构532-4的沉积物质蒸发或升华而被去除。此时，虽然在图中未示出，但是冷却部还可以布置于第二喷嘴532。在如上所述地完成沉积物质的喷射并启动加热部从而去除附着到第二喷嘴532的沉积物质之后，冷却部可以使第二喷嘴532冷却，从而将第二喷嘴532的温度降低到适当的温度，以执行下一沉积工艺。
此外，与网状结构532-4无关地，加热部可以用于使第二喷嘴532的温度上升，从而在沉积工艺时使沉积物质蒸发而不附着到第二喷嘴532。
图11是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的剖视图。
参照图11，如上所述，多个第一喷嘴531可以在第二方向上平行布置。在一实施例中，布置于多个第一喷嘴531的多个第二喷嘴532的第二高度h2可以彼此不同。具体地，例如，多个第二喷嘴532中的布置在中央的第二喷嘴532的第二高度h2可以最大。以上述第二喷嘴532为基准，第二喷嘴532的第二高度h2可以在第二方向上朝向两个端部减小。第二高度h2越小，沉积物质的喷射角越大。因此，对于显示基板100的布置多数显示元件的中央部分，可以使沉积物质以更高的直行性沉积，且对于显示基板的100的相对少地布置显示元件的周边部分，可以使沉积物质以覆盖更大区域的方式沉积。
然而，这仅是作为示例说明的，本实用新型不限于此，并且可以根据沉积工艺的所需特性来进行布置，例如，可以布置成第二喷嘴532的第二高度h2在第二方向上的两个端部最大并且在中央最小。
图12是示出根据本实用新型另一实施例的沉积源的剖视图。
参照图12，在一实施例中，第二喷嘴532可以仅布置于多个第一喷嘴531中的一部分第一喷嘴531。在一实施例中，如图12所示，多个第一喷嘴531可以在第二方向上平行布置。此时，第二喷嘴532可以不布置于在第二方向上位于两个端部的第一喷嘴531。位于未布置有第二喷嘴532的第二方向上的两个端部的第一喷嘴531与位于布置有第二喷嘴532的中央部分的第一喷嘴531相比，沉积物质的喷射角可以更大。因此，对于显示基板100的布置多数显示元件的中央部分，可以使沉积物质以更高的直行性沉积，并且对于显示基板100的相对少地布置显示元件的周边部分，可以使沉积物质以覆盖更大区域的方式沉积。
然而，不限于此，并且将理解，根据所需的沉积特性，可以改变多个第一喷嘴531中的未布置第二喷嘴532的第一喷嘴531的位置。
图13是示意性地示出通过根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的平面图。
参照图13，根据本实用新型一实施例制造的显示装置1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA的外侧的周边区域PA。显示装置1可以通过二维地排列在显示区域DA中的多个像素PX的阵列来提供图像。
周边区域PA是不提供图像的区域，并且可以完全地或部分地围绕显示区域DA。周边区域PA中可以布置有用于向与像素PX中的每个对应的像素电路提供电信号或电源的驱动器等。周边区域PA中可以布置有作为可与电子元件或印刷电路基板等电连接的区域的焊盘。
以下，对显示装置1作为发光元件(Light emitting element)包括有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)的情况进行说明，但本实用新型的显示装置1不限于此。作为另一实施例，显示装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示装置，即无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display)。无机发光二极管可以包括PN结二极管，PN结二极管包括基于无机半导体的材料。当正向电压施加到PN结二极管时，空穴和电子被注入，并且可以将由该空穴和电子的复合产生的能量转换为光能，从而发射预定颜色的光。前述的无机发光二极管可以具有几微米至几百微米的宽度，且在一些实施例中，无机发光二极管可以被称为微型LED。作为又一实施例，显示装置1可以是量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)。
同时，显示装置1不仅可以用作诸如移动电话(mobile phone)、智能电话(smartphone)、平板个人计算机(tablet personal computer)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(portable multimedia player，PMP)、导航仪、超移动个人计算机(Ultra Mobile PC，UMPC)等的便携式电子设备的显示屏幕，也可以用作电视机、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网(internet of things，IOT)装置等各种产品的显示屏幕。此外，根据一实施例的显示装置1可以用于诸如智能手表(smart watch)、手表电话(watchphone)、眼镜型显示器和头戴式显示器(head mounted display，HMD)的可穿戴装置(wearable device)。此外，根据一实施例的显示装置1可以用作车辆的仪表盘、布置于车辆的中央仪表板(center fascia)或仪表板的中央信息显示器(Center InformationDisplay，CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器(room mirror display)、以及作为车辆的后座娱乐而布置在前座的背面上的显示屏幕。
图14是示意性地示出通过根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的剖视图，并且可以对应于沿着图13的线II-II’截取的显示装置的截面。
参照图14，显示装置1可以包括显示基板100、像素电路层PCL、显示要素层DEL和封装层300的堆叠结构。
显示基板100可以是包括包含高分子树脂的基础层以及无机层的多层结构。例如，显示基板100可以包括包含高分子树脂的基础层以及由无机绝缘层形成的阻挡层。例如，显示基板100可以包括依次堆叠的第一基础层101、第一阻挡层102、第二基础层103和第二阻挡层104。第一基础层101和第二基础层103可以包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethyelenenenapthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyeleneterepthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，CAP)等。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括诸如硅氧化物、硅氮氧化物和/或硅氮化物的无机绝缘物。显示基板100可以具有柔性特性。
在显示基板100上布置有像素电路层PCL。图14示出了像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT和布置在薄膜晶体管TFT的构成要素之下和/或之上的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114、第一平坦化层115和第二平坦化层116。
缓冲层111可以减少或阻挡杂质、湿气或外部空气从显示基板100的下部渗透，并且可以在显示基板100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物的无机绝缘物，并且可以由包括前述物质的单层结构或多层结构构成。
缓冲层111上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，且半导体层Act可以包括多晶硅。或者，半导体层Act可以包括非晶(amorphous)硅、氧化物半导体或有机半导体等。半导体层Act可以包括沟道区域C以及分别布置在沟道区域C的两侧的漏极区域D和源极区域S。栅电极GE可以与沟道区域C重叠。
栅电极GE可以包括低电阻金属物质。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅极绝缘层112可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)等的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
第二栅极绝缘层113可以设置成覆盖上述栅电极GE。类似于上述第一栅极绝缘层112，第二栅极绝缘层113可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)等的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
在第二栅极绝缘层113的上部可以布置有存储电容器Cst的上部电极Cst2。上部电极Cst2可以与其下的栅电极GE重叠。此时，隔着第二栅极绝缘层113重叠的栅电极GE和上部电极Cst2可以形成存储电容器Cst。即，栅电极GE可以起到存储电容器Cst的下部电极Cst1的作用。
如上所述，存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以重叠形成。在一些实施例中，存储电容器Cst也可以形成为不与薄膜晶体管TFT重叠。
上部电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括前述物质的单层或多层。
层间绝缘层114可以覆盖上部电极Cst2。层间绝缘层114可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)等。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。层间绝缘层114可以是包括前述无机绝缘物的单层或多层。
漏电极DE和源电极SE可以分别位于层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE可以分别通过形成在其下部的绝缘层中的接触孔与漏极区域D和源极区域S连接。漏电极DE和源电极SE可以包括导电性良好的材料。漏电极DE和源电极SE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。作为一实施例，漏电极DE和源电极SE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一平坦化层115可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的混合物的有机绝缘体。
第二平坦化层116可以布置在第一平坦化层115上。第二平坦化层116可以包括与第一平坦化层115相同的物质，并且可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的混合物的有机绝缘体。
在前述结构的像素电路层PCL上可以布置有显示要素层DEL。显示要素层DEL可以包括作为显示要素(即，发光元件)的有机发光二极管OLED，且有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、中间层220和公共电极230的堆叠结构。有机发光二极管OLED例如可以发射红色、绿色或蓝色的光，或者可以发射红色、绿色、蓝色或白色的光。有机发光二极管OLED可以通过发光区域发射光，且发光区域可以被定义为像素PX。
有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过形成在第二平坦化层116和第一平坦化层115中的接触孔以及布置在第一平坦化层115上的接触金属CM与薄膜晶体管TFT电连接。
像素电极210可以包括诸如铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zinc oxide)、铟氧化物(In2O3；indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)的导电氧化物。作为另一实施例，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为另一实施例，像素电极210还可以在前述反射膜之上/之下包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在像素电极210上布置有具有暴露像素电极210的中央部的开口117OP的像素限定膜117。像素限定膜117可以包括有机绝缘体和/或无机绝缘物。开口117OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发光区域。例如，开口117OP的大小/宽度可以对应于发光区域的大小/宽度。因此，像素PX的大小和/或宽度可以取决于相应的像素限定膜117的开口117OP的大小和/或宽度。
中间层220可以包括形成为与像素电极210对应的发光层222。发光层222可以包括发射预定颜色的光的聚合物或低分子有机物。或者，发光层222可以包括无机发光物质，或者可以包括量子点。
作为一实施例，中间层220可以包括分别布置在发光层222之下和之上的第一功能层221和第二功能层223。第一功能层221例如可以包括空穴传输层(HTL：Hole TransportLayer)，或者可以包括空穴传输层和空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)。第二功能层223是布置在发光层222之上的构成要素，并且可以包括电子传输层(ETL：ElectronTransport Layer)和/或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)。第一功能层221和/或第二功能层223可以是与后述的公共电极230一样形成为整体地覆盖显示基板100的公共层。
公共电极230可以布置在像素电极210上，并且可以与像素电极210重叠。公共电极230可以由功函低的导电物质形成。例如，公共电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，公共电极230还可以在包括前述物质的(半)透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。公共电极230可以一体地形成为整体地覆盖显示基板100。
封装层300可以布置在显示要素层DEL上并且覆盖显示要素层DEL。封装层300包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，且作为一实施例，图14示出了封装层300包括依次堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物中的一种以上的无机物。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)类的材料。聚合物类的材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。作为一实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯(acrylate)。有机封装层320可以通过固化单体或涂布聚合物来形成。有机封装层320可以具有透明性。
虽然未示出，但是在封装层300上可以布置有触摸传感层，且在触摸传感层上可以布置有光学功能层。触摸传感层可以获取外部的输入，例如根据触摸事件的坐标信息。光学功能层可以减小从外部朝向显示装置入射的光(外部光)的反射率，和/或可以提高从显示装置发射的光的颜色纯度。作为一实施例，光学功能层可以包括相位延迟器(retarder)和/或偏振器(polarizer)。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括拉伸型合成树脂膜，且液晶涂覆型可以包括以预定的排列方式排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
在上述触摸传感层与光学功能层之间可以布置有粘合部件。上述粘合部件可以无限制地使用本领域已知的一般的粘合部件。上述粘合部件可以是压敏粘合剂(pressuresensitive adhesive，PSA)。
如上所述，参照附图中所示的实施例对本实用新型进行了说明，但这只是示例性的。本领域的普通技术人员将可以充分地理解，可以从实施例实现各种变形及等同的其它实施例。因此，本实用新型的真正的技术保护范围应基于所附的权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种沉积源，其特征在于，包括：
壳体，沉积物质容纳在所述壳体的内部；
多个第一喷嘴，朝向掩模组件喷射所述沉积物质；
第二喷嘴，布置在所述多个第一喷嘴中的至少一部分第一喷嘴的外侧，并且在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一喷嘴间隔开并围绕所述第一喷嘴。
2.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，
所述第二喷嘴在由所述第一方向和所述第二方向限定的平面上在所述第一喷嘴的外侧形成闭合环路。
3.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，
所述第二喷嘴在由所述第一方向和所述第二方向限定的平面上具有半圆形形状以围绕所述第一喷嘴的一部分。
4.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，
所述第一喷嘴包括在作为喷射方向的第三方向上的第一高度，且所述第二喷嘴包括在所述第三方向上的第二高度，以及
所述第一高度小于所述第二高度。
5.根据权利要求4所述的沉积源，其中，
所述第二高度沿着所述第二喷嘴的边缘改变。
6.根据权利要求4所述的沉积源，其中，
布置在所述多个第一喷嘴中的所述至少一部分第一喷嘴的外侧的多个所述第二喷嘴的所述第二高度彼此不同。
7.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，
所述第一喷嘴包括在作为喷射方向的第三方向上直径增大的部分。
8.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，
所述多个第一喷嘴在所述第二方向上平行布置，以及
所述沉积源还包括：挡板，在所述第一方向上与所述多个第一喷嘴间隔开布置，并且沿着所述第二方向延伸。
9.根据权利要求8所述的沉积源，其特征在于，
所述第一喷嘴包括在作为喷射方向的第三方向上的第一高度，所述第二喷嘴包括在所述第三方向上的第二高度，所述挡板包括在所述第三方向上的第三高度，以及
所述第一高度小于所述第二高度，并且所述第二高度小于所述第三高度。
10.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，
所述第二喷嘴包括网状结构，所述网状结构布置在所述第二喷嘴的面对所述第一喷嘴的内表面上。
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