CN115386829A - 掩模、掩模组件及显示装置的制造装置 - Google Patents

掩模、掩模组件及显示装置的制造装置 Download PDF

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CN115386829A CN202210440671.4A CN202210440671A CN115386829A CN 115386829 A CN115386829 A CN 115386829A CN 202210440671 A CN202210440671 A CN 202210440671A CN 115386829 A CN115386829 A CN 115386829A
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Abstract

本发明公开了一种掩模、掩模组件及显示装置的制造装置。所述掩模包括：沉积图案部，配备有使沉积物质通过的多个沉积孔；虚设图案部，布置在所述沉积图案部的外侧，其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。

Description

掩模、掩模组件及显示装置的制造装置
技术领域
本发明涉及一种掩模、掩模组件及显示装置的制造装置，尤其涉及一种沉积用掩模、包括该沉积用掩模的掩模组件及显示装置的制造装置。
背景技术
随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的要求正以多种形态增加。显示装置领域已迅速变化为取代体积较大的阴极射线管(Cathode Ray Tube)的薄、轻且可实现大面积的平板显示装置(Flat Panel Display Device)。平板显示装置包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display Device)、等离子体显示面板(Plasma Display Panel)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display Device)以及电泳显示装置(Electrophoretic Display Device)等。
在显示装置中，有机发光显示装置包括配备有像素电极、对向电极及发光层的有机发光二极管(OLED：Organic Light Emitting Diode)。此时，所述电极及发光层可以通过多种方法形成，其中一种方法为独立沉积方式。独立沉积方式是将精细金属掩模(FMM：FineMetal Mask)沿长度方向拉伸而紧贴于掩模框架，通过这种掩模的沉积物质沉积于被沉积表面的方式。为了精确的沉积，掩模和掩模框架需要彼此精确地对齐并紧贴。
发明内容
然而，由于掩模具有与其长度和/或宽度相比非常薄的厚度，因此当掩模被拉伸时可能根据内部应力而在掩模形成卷曲(curl)及褶皱等。形成于掩模的卷曲可能妨碍掩模与掩模框架彼此精确地对齐及贴附。并且，形成于掩模的褶皱可能妨碍掩模与掩模框架彼此紧贴。
本发明为了解决包括如上所述的问题在内的多种问题而提出，其目的在于提供一种能够减少卷曲及褶皱等形成在掩模上的情形的掩模、掩模组件及显示装置的制造装置。然而，这些问题是示例性的，本发明的范围不限于此。
根据本发明的一观点，提供一种掩模，包括：沉积图案部，配备有使沉积物质通过的多个沉积孔；虚设图案部，布置在所述沉积图案部的外侧，其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
根据本实施例，所述虚设图案部可以配备有多个虚设孔，所述多个虚设孔在平面上具有与所述沉积图案部的所述多个沉积孔不同的形状。
根据本实施例，所述沉积图案部可以包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔及第二沉积孔，所述第二沉积孔布置为与所述虚设图案部的所述多个虚设孔中的一个虚设孔邻近。
根据本实施例，所述第二沉积孔可以以使所述第二沉积孔与所述一个虚设孔之间的宽度在平面上恒定的方式配备有与所述一个虚设孔的形状对应的形状。
根据本实施例，所述虚设图案部可以在平面上包围整个所述沉积图案部。
根据本实施例，所述虚设图案部可以在平面上部分地包围所述沉积图案部。
根据本实施例，所述沉积图案部可以配备为多个，所述虚设图案部位于平面上彼此相邻的所述沉积图案部之间。
根据本实施例，所述虚设图案部可以在平面上位于所述掩模的与纵向交叉的端部与所述沉积图案部之间。
根据本发明的另一观点，提供一种掩模组件，包括：掩模框架，配备有开口；以及掩模，布置在所述掩模框架上，并且包括以与所述开口重叠的方式布置的沉积图案部以及布置在所述沉积图案部的外侧的虚设图案部，其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
根据本实施例，所述沉积图案部可以配备有多个沉积孔，所述虚设图案部配备有多个虚设孔，所述多个虚设孔在平面上具有与所述沉积图案部的所述多个沉积孔不同的形状。
根据本实施例，所述沉积图案部可以包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔及第二沉积孔，所述第二沉积孔布置为与所述虚设图案部的所述多个虚设孔中的一个虚设孔邻近。
根据本实施例，所述第二沉积孔可以以使所述第二沉积孔与所述一个虚设孔之间的宽度在平面上恒定的方式配备有与所述一个虚设孔的形状对应的形状。
根据本实施例，所述虚设图案部可以在平面上包围整个所述沉积图案部。
根据本实施例，所述虚设图案部可以在平面上部分地包围所述沉积图案部。
根据本实施例，所述沉积图案部可以配备为多个并且沿第一方向排列，所述虚设图案部位于多个所述沉积图案部中彼此相邻的两个沉积图案部之间。
根据本发明的又一观点，提供一种显示装置的制造装置，包括：腔室，在内部布置有显示基板；沉积源，布置于所述腔室的内部，向所述腔室的内部供应沉积物质；以及掩模组件，布置在所述显示基板与所述沉积源之间，使所述沉积物质通过，其中，所述掩模组件包括：掩模框架，配备有开口；以及掩模，布置在所述掩模框架上，并且包括以与所述开口重叠的方式布置的沉积图案部以及布置在所述沉积图案部的外侧的虚设图案部，其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
根据本实施例，所述沉积图案部可以包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔及第二沉积孔，所述虚设图案部配备有虚设孔，所述虚设孔具有与所述第一沉积孔及所述第二沉积孔不同的平面上的形状。
根据本实施例，所述第二沉积孔可以布置为与所述虚设孔邻近，并且以使所述第二沉积孔与所述虚设孔之间的宽度在平面上恒定的方式配备有与所述虚设孔的形状对应的形状。
根据本实施例，所述虚设图案部可以在平面上包围整个所述沉积图案部。
根据本实施例，所述沉积图案部可以配备为多个，所述虚设图案部位于彼此相邻的所述沉积图案部之间。
除了前述的记载之外的其他方面、特征、优点可从以下的具体实施方式、权利要求以及附图变得明确。
这些通常且具体的方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或某种系统、方法、计算机程序的组合来实现。
根据如上所述构成的本发明的一实施例，掩模配备包括拉胀(Auxetic)结构体的虚设图案部，从而能够减少当掩模被拉伸时卷曲及褶皱形成在掩模的情形。利用包括这样的掩模的掩模组件，可以实现能够进行精确沉积的显示装置的制造装置。当然，本发明的范围并不限于这种效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
图2是示意性地示出根据本发明的一实施例的掩模组件的立体图。
图3是示意性地示出根据本发明的一实施例的掩模的平面图。
图4是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置所配备的掩模的一部分的放大平面图。
图5是示出根据本发明一实施例的掩模所配备的虚设图案部的结构的图像。
图6a及图6b分别是示出根据本发明另一实施例的掩模所配备的虚设图案部的结构的放大平面图。
图7a及图7b是示出在向根据比较例的掩模施加拉伸力的情况下掩模的变形的图像。
图8a及图8b是示出在向根据本发明一实施例的掩模施加拉伸力的情况下掩模的变形的图像。
图9是示意性地图示根据本发明的另一实施例的显示装置的制造装置所配备的掩模的一部分的放大平面图。
图10是示意性地示出根据本发明的另一实施例的掩模的平面图。
图11是示意性地图示利用根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置而制造的显示装置的立体图。
图12是示意性地图示利用根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置而制造的显示装置的剖视图。
附图标记说明
1：显示装置的制造装置 1000：掩模组件
1100：掩模框架 1200：掩模
2：显示装置 AP：沉积图案部
AH：沉积孔 DP：虚设图案部
DH：虚设孔
具体实施方式
本发明可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，特定实施例举例示出于附图中并在具体实施方式中进行说明。参考与附图一起在后面详细描述的实施例，能够明确本发明的效果与特征以及达成所述效果与特征的方法。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。
以下，将参照附图详细说明本发明的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对它们的重复说明。
在以下实施例中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是被使用为将一个构成要素与其他构成要素进行区分的目的。
在以下的实施例中，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。
在以下的实施例中，“包括”或者“具有”等术语表示说明书上记载的特征或者构成要素的存在，并不预先排除附加一个以上的其他特征或者构成要素的可能性。
在以下的实施例中，提及膜、区域、构成要素等的部分位于另一部分上或者之上时，不仅包括在另一部分的紧邻的上方的情形，还包括其中间夹设其他膜、区域、构成要素等的情形。
为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。
在某个实施例能够以不同方式实现的情形下，特定工艺顺序可以按不同于所说明的顺序而执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按与说明的顺序相反的顺序进行。
本说明书中，“A和/或B”表示是A、是B或者是A和B的情形。并且，“A及B中的至少一个”表示是A、是B或者是A和B的情形。
在以下的实施例中，当提到膜、区域、构成要素等形成了连接时，包括膜、区域、构成要素直接连接的情形和/或在膜、区域、构成要素在中间夹设有其他膜、区域、构成要素而间接连接的情形。例如，在本说明书中，当提到膜、区域、构成要素等形成了电连接时，包括膜、区域、构成要素等直接电连接的情形和/或在其中间夹设有其他膜、区域、构成要素等而间接电连接的情形。
x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然也可以垂直，但也可以指代彼此不垂直且彼此不同的方向。
图1是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
参照图1，显示装置的制造装置1可以包括腔室11、开闭部12、沉积源13、第一支撑部14、第二支撑部15、磁力生成部16、压力调节部17、显示基板DS及掩模组件1000。
腔室11可以在内部形成有空间，并且在腔室11的内部可以布置有显示基板DS。腔室11的内部空间可以是用于沉积工艺的作业空间。此时，显示基板DS可以是在参照图11后文所述的制造显示装置2的过程中的显示装置2的一部分。
在腔室11的一侧可以布置有显示基板DS能够通过的开口部。即，显示基板DS可以通过腔室11的所述开口部插入到腔室11的内部空间或从腔室11的内部空间移出。此时，在腔室11的开口部布置有包括闸阀等的开闭部12，因此可以选择性地开闭所述开口部。
沉积源13可以布置在腔室11内部。沉积源13可以容纳沉积物质，并且可以将沉积物质供应到腔室11的内部空间。在此，沉积物质可以是在显示基板DS上形成预定的图案层(例如，有机图案层)的物质。沉积源13可以通过向沉积物质施加能量(例如，热能、光能、振动能等)来使沉积物质汽化或升华。作为一实施例，沉积源13可以在内部包括加热器，并且通过加热器的操作来加热沉积源13内部的沉积物质，从而使沉积物质汽化或升华。这种沉积源13可以是可更换的。此时，在容纳的沉积物质耗尽的情况下，沉积源13可以用新的沉积源替换。
第一支撑部14可以支撑显示基板DS。此时，第一支撑部14可以通过将显示基板DS放置在其上来支撑显示基板DS，或者通过吸附或贴附显示基板DS的一面来支撑显示基板DS。例如，第一支撑部14可以包括连接于腔室11内部的框架、杆等。作为另一示例，第一支撑部14可以包括夹持显示基板DS的夹具。作为又一示例，第一支撑部14也可以包括粘附卡盘或静电卡盘。在这种情况下，第一支撑部14可以与磁力生成部16形成为一体。第一支撑部14可以调节显示基板DS的位置。例如，第一支撑部14可以包括UVW台。
第二支撑部15可以支撑掩模组件1000。此时，第二支撑部15可以与上文所述的第一支撑部14相同或相似，因此为了便于说明，以下省略详细的说明。并且，以下，以第二支撑部15包括连接到腔室11内部的框架并且掩模组件1000安置于所述框架而被支撑的情形为中心进行详细说明。
第一支撑部14及第二支撑部15中的至少一个可以在腔室11内部上升和/或下降。在这种情况下，第一支撑部14及第二支撑部15中的至少一个可以调节显示基板DS与掩模组件1000之间的间隔。
磁力生成部16可以布置于腔室11，以使掩模组件1000紧贴于显示基板DS。此时，磁力生成部16可以包括生成磁力的电磁铁或永久磁铁等。
压力调节部17可以与腔室11连接而调节腔室11内部的压力。此时，压力调节部17可以包括与腔室11连接的配管和布置于配管的泵。
虽然未图示，但是显示装置的制造装置1可以包括视觉部(未图示)。视觉部可以布置在腔室11的内侧或外侧而拍摄掩模组件1000及显示基板DS的位置。此时，视觉部可以拍摄掩模组件1000及显示基板DS中的至少一个的对齐标记等。
掩模组件1000可以布置在显示基板DS与沉积源13之间。掩模组件1000可以包括掩模框架1100及掩模1200。掩模1200可以以沿一方向被拉伸的状态固定到掩模框架1100。掩模1200可以包括至少一个图案孔。
观察如上所述的显示装置的制造装置1的操作，在压力调节部17将腔室11内部的压力保持为与大气压相同或相似的状态下，开放开闭部12而将显示基板DS及掩模组件1000插入到腔室11内部。此时，显示基板DS及掩模组件1000中的至少一个可以通过布置在腔室11外部的单独的机械臂或者插入于腔室11或从腔室11移出的穿梭件等来移动。
在将显示基板DS和掩模组件1000分别布置在第一支撑部14及第二支撑部15上之后，可以通过视觉部(未图示)感测掩模组件1000及显示基板DS的位置，并且将它们对齐。然后，在使显示基板DS和掩模组件1000彼此靠近之后，可以通过磁力生成部16使掩模组件1000和显示基板DS彼此紧贴。
若从沉积源13释放沉积物质，则沉积物质可以通过配备在掩模组件1000的掩模1200的孔而沉积于显示基板DS。据此，可以在显示基板DS上形成预定的图案。例如，沉积在显示基板DS的沉积物质可以形成诸如后文所述的发光层222(参照图12)等的有机层。
若上述的过程完成，则可以将显示基板DS移出到腔室11外部或移动到腔室11的其他位置而在显示基板DS上形成又一层。
图2是示意性地示出根据本发明的一实施例的掩模组件的立体图，图3是示意性地示出根据本发明的一实施例的掩模的平面图。
参照图2及图3，掩模组件1000可以包括掩模框架1100以及布置在掩模框架1100上的掩模1200。
掩模框架1100可以配备有沉积物质能够通过的开口1150，并且可以包括形成开口1150的多个子框架。
作为一实施例，掩模框架1100可以包括彼此面对的第一子框架1110和第二子框架1120以及第三子框架1130和第四子框架1140。例如，第一子框架1110和第二子框架1120可以在作为掩模1200的纵向的x方向上相互隔开，并且可以在作为与掩模1200的纵向交叉的方向(即，横向)的y方向上延伸。第三子框架1130和第四子框架1140可以在y方向上相互隔开，并且可以在x方向上延伸。第一子框架1110可以与第三子框架1130及第四子框架1140连接，第二子框架1120可以与第三子框架1130及第四子框架1140连接。
这样，如图2所示，掩模框架1100在平面上可以具有四边形形状，但不限于此。例如，掩模框架1100可以具有三角形、五边形等多边形、圆形和椭圆形等多种形状。并且，作为一例，掩模框架1100的开口1150可以具有平面上的四边形形状。作为另一例，所述开口1150可以具有三角形、五边形等多边形、圆形、椭圆形等多种形状。
掩模框架1100可以具有与宽度或长度相比非常薄的厚度。如果厚度太厚，则在利用掩模组件1000的沉积工艺中，限制沉积物质通过掩模1200。相反，如果厚度太薄，则可能难以确保用于支撑掩模1200的刚性。因此，考虑到上述方面，掩模框架1100可以具有合适的厚度。
并且，掩模框架1100例如可以利用金属制成。例如，掩模框架1100可以利用焊接时变形不大的金属制成。
虽然在图2中未图示，但是在掩模框架1100可以布置有支撑杆。支撑杆可以与后文所述的掩模1200的除了沉积图案部AP(参照图3)之外的区域重叠。支撑杆例如可以在y方向上延伸而与第三子框架1130和/或第四子框架1140连接。支撑杆可以起到在一部分区域阻断沉积物质使得沉积物质仅沉积于预先设定的区域的作用。并且，支撑杆可以防止掩模1200因自重而引起的弯曲现象，并且可以起到支撑掩模框架1100的作用。
掩模框架1100可以支撑掩模1200。作为一实施例，掩模1200可以在纵向方向(即，x方向)上被拉伸的状态下固定到掩模框架1100上。
掩模1200例如可以利用不锈钢、殷钢(invar)、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金、镍钴合金等制成。由于这些材料的热膨胀系数较低，因此可以最小化在掩模组件1000的制造过程中由于热而导致的掩模框架1100的变形。
作为一实施例，掩模1200的宽度可以小于开口1150的宽度。例如，如图2中所示，掩模1200在y方向上的宽度可以小于开口1150在y方向上的宽度。这样的掩模1200可以配备为多个，并且多个掩模1200可以连续地排列在第三子框架1130与第四子框架1140之间。各个掩模1200可以焊接固定到第一子框架1110及第二子框架1120。多个掩模1200可以覆盖掩模框架1100的开口1150。
参照图3，作为一实施例，掩模1200可以包括沿掩模1200的纵向(即，±x方向)排列的第一区域AR1、第二区域AR2及第三区域AR3。第一区域AR1位于掩模1200的中央，并且可以是与掩模框架1100的开口1150重叠的区域。
第二区域AR2可以位于根据掩模1200的纵向的两侧端部EP。第二区域AR2可以是为了掩模1200的拉伸而被例如夹具夹持的区域。或者，第二区域AR2可以是为了掩模1200的拉伸而被粘附卡盘或静电卡盘固定(chucking)的区域。作为一部分实施例，掩模1200的第二区域AR2可以在掩模1200固定于掩模框架1100之后被切割而被去除。
第三区域AR3可以位于第一区域AR1与第二区域AR2之间，并且可以是掩模1200与掩模框架1100彼此连接的区域。例如，第三区域AR3可以焊接固定于掩模框架1100的第一子框架1110或第二子框架1120而连接到掩模框架1100的第一子框架1110或第二子框架1120。
根据本发明的一实施例，掩模1200可以包括布置于第一区域AR1的沉积图案部AP及虚设图案部DP。至少掩模1200的沉积图案部AP可以布置为与掩模框架1100的开口1150重叠。掩模1200的沉积图案部AP可以包括使沉积物质通过的多个沉积孔AH。因此，在沉积工艺中，沉积物质可以在通过掩模框架1100的开口1150及掩模1200的沉积孔AH之后到达显示基板DS上，据此可以仅沉积在显示基板DS的预定区域。
作为一实施例，沉积图案部AP可以配备为多个。多个沉积图案部AP可以以预定的间隔隔开而布置，例如，可以沿掩模1200的纵向(即，x方向)隔开而布置。多个沉积图案部AP可以包括第一沉积图案部AP1、第二沉积图案部AP2、...和第n沉积图案部APn。在此，n是正整数。
如图3所示，沉积图案部AP在平面上可以具有四边形形状，但不限于此。例如，沉积图案部AP可以具有三角形、五边形等多边形、圆形、椭圆形等多种形状。作为一例，沉积图案部AP可以对应于后文所述的显示装置2(参照图11)的显示区域DA(参照图11)的形状。
虚设图案部DP可以布置在沉积图案部AP的外侧。作为一实施例，虚设图案部DP可以布置为在平面上包围整个沉积图案部AP。如上文所述，在沉积图案部AP配备为多个的情况下，虚设图案部DP可以布置为包围沉积图案部AP中的每一个的整个。作为一实施例，虚设图案部DP可以在平面上与沉积图案部AP彼此接触。
在图3中，图示了虚设图案部DP的根据y方向的宽度小于沉积图案部AP的边缘与掩模1200的边缘之间的间隔，但本发明不限于此，虚设图案部DP的根据y方向的宽度可以进行多种变更。例如，虚设图案部DP的根据y方向的宽度可以等于沉积图案部AP的边缘与掩模1200的边缘之间的间隔。在这种情况下，可以理解为虚设图案部DP的边缘与掩模1200的边缘在平面上彼此一致。
虚设图案部DP可以包括拉胀(auxetic)结构体，并且可以配备有用于拉胀结构体的多个虚设孔DH。对此的详细说明，以下参照图4及图5在后文进行描述。
图4是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置所配备的掩模的一部分的放大平面图，并且可以对应于图3的掩模的IV区域。图5是示出根据本发明一实施例的掩模所配备的虚设图案部的结构的图像。图5示出在被施加根据纵向的拉力的情况下虚设图案部在横向上的位移。
参照图4，掩模1200的沉积图案部AP可以包括多个沉积孔AH。多个沉积孔AH可以是使沉积物质通过使得沉积物质仅沉积于预先定义的区域(即，沉积区域)的贯通孔。因此，各个沉积孔AH可以具有与所述沉积区域对应的形状。例如，沉积孔AH在平面上可以具有四边形形状。或者，沉积孔AH可以具有三角形、五边形等多边形、圆形和椭圆形等多种形状。
根据本发明的一实施例，掩模1200的虚设图案部DP可以包括具有负泊松比的拉胀(Auxetic)结构体。若向部件施加纵向的拉伸力，则发生根据纵向及横向的变形。此时，将纵向的变形率及横向的变形率之间的负的比率定义为泊松比(Poission's Ratio)。一般的部件由于纵向的变形率及横向的变形率各自的符号彼此不同，因此具有正泊松比。即，若施加纵向的拉伸力，则发生纵向上的伸长及横向上的收缩。
然而，在部件包括拉胀结构的情况下，与一般部件不同，纵向的变形率及横向的变形率各自的符号彼此相同。即，拉胀结构体具有负泊松比。若向包括拉胀结构体的部件施加纵向的拉伸力，则不仅可以在纵向上发生伸长，而且在横向上也会发生伸长。
参照图5，在向配备有这样的拉胀结构的虚设图案部DP施加纵向的拉伸力的情况下，发生虚设图案部DP的横向(即，±y方向)的变形。具体而言，由于被施加±x方向上的拉伸力，虚设图案部DP的左侧部分在-y方向上移位，右侧部分在+y方向上移位，从而虚设图案部DP可以整体沿±y方向伸长。这种虚设图案部DP的拉胀结构可由配备于虚设图案部DP的多个虚设孔DH引起。
作为一实施例，掩模1200的虚设图案部DP可以包括多个虚设孔DH，所述多个虚设孔DH在平面上具有与沉积图案部AP的多个沉积孔AH不同的形状。作为一例，如图4及图5所示，各个虚设孔DH可以具有沙漏形状。即，各个虚设孔DH可以大致具有等边梯形形状和倒等边梯形形状在一个边角彼此相遇而形成的形状。并且，虚设孔DH中的一部分也可以根据位置而具有倒等边梯形形状。
这样的虚设孔DH可以理解为通过彼此交叉的第一肋R1及第二肋R2形成。第一肋R1可以整体在x方向上延伸，并且以“之”字形延伸。即，第一肋R1可以包括彼此构成预定角度的第一部分和第二部分，并且第一部分和第二部分可以沿x方向交替地排列而形成。第二肋R2可以在y方向上延伸。
若向虚设图案部DP施加±x方向的拉伸力，则第一肋R1倾向于展开成一直线。即，第一肋R1的第一部分与第二部分之间的角度可以发生变化。据此，第二肋R2可以在±y方向上移位。这样的动作的结果，虚设图案部DP整体上具有拉胀结构体。
图6a及图6b分别是示出根据本发明另一实施例的掩模所配备的虚设图案部的结构的放大平面图。
参照图6a及图6b，虚设图案部DP的虚设孔DH可以通过在各种方向上延伸的肋形成。彼此交叉的肋可以具有预定角度。与图5的虚设图案部DP相似，若向虚设图案部DP施加±x方向的拉伸力，则彼此交叉的肋之间的角度变化。据此，一部分肋可以在±y方向上移位。这样的动作的结果，虚设图案部DP整体上具有拉胀结构体。
另外，图6a及图6b所示的虚设图案部DP的拉胀结构体仅为示例性的，本发明不限于此。只要是具有负泊松比的拉胀结构体，则可以采用任何结构。
图7a及图7b是示出在向根据比较例的掩模施加拉伸力的情况下掩模的变形的模拟图像。图8a及图8b是示出在向根据本发明一实施例的掩模施加拉伸力的情况下掩模的变形的模拟图像。图7a、图7b、图8a及图8b示出在相同条件下进行的模拟的结果。
首先，参照图7a及图7b，比较例的掩模1200-C不包括拉胀结构体。大体上，掩模1200-C可以具有与其长度和/或宽度相比非常薄的厚度。因此，若沿一方向(例如，±x方向)拉伸掩模1200-C，则由于内部应力，可能在所述掩模1200-C上不期望地形成卷曲(curl)和/或褶皱。所述卷曲及褶皱可以表示掩模1200-C在垂直于所述拉伸方向(即，±x方向)的厚度方向(例如，±z方向)上部分地移位。
如上文所述，在掩模1200-C形成的卷曲可能妨碍掩模1200-C与掩模框架1100(参照图2)彼此精确地对齐及贴附。并且，在掩模1200-C形成的褶皱可能妨碍掩模1200-C与掩模框架1100彼此紧贴。若利用包括这种掩模1200-C的掩模组件1000(参照图2)，则可能发生沉积不良。
参照图8a及图8b，根据本发明的一实施例的掩模1200包括上述的拉胀结构体，从而能够减少卷曲及皱纹的发生。在图7a的比较例的掩模1200-C的情况下，根据z方向的最大位移量为0.027μm，相反，图8a的掩模1200的根据z方向的最大位移量为0.014μm。即，根据本发明的一实施例，可以确认当掩模1200被拉伸时，掩模1200的根据z方向的最大位移量与比较例相比减少了约48.3％。
如上所述，通过减少在掩模1200形成卷曲及褶皱的情形，可以提供最终能够精确沉积的掩模组件1000及显示装置的制造装置1。
图9是示意性地图示根据本发明的另一实施例的显示装置的制造装置所配备的掩模的一部分的放大平面图。省略与上文参照图4描述的内容重复的内容，以下以差异为主进行说明。
参照图9，掩模1200的沉积图案部AP可以包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔AH1及第二沉积孔AH2。
作为一实施例，第二沉积孔AH2可以布置为与虚设图案部DP的多个虚设孔DH中的一个邻近。例如，第二沉积孔AH2可以布置在沉积图案部AP的最外侧。第二沉积孔AH2可以配备为多个，并且多个第二沉积孔AH2可以在沉积图案部AP的最外侧沿沉积图案部AP的边缘排列。由于沉积图案部AP与虚设图案部DP在平面上彼此相接，因此第二沉积孔AH2可以与一个虚设孔DH邻近。
作为一实施例，第二沉积孔AH2可以以使所述第二沉积孔AH2与一个虚设孔DH之间的宽度w在平面上恒定的方式配备有与所述一个虚设孔DH的形状对应的形状。即，彼此邻近的第二沉积孔AH2与虚设孔DH之间的宽度w可以恒定。
通过如上所述的第二沉积孔AH2的形状及布置，在虚设图案部DP与沉积图案部AP的边界附近，形成虚设图案部DP的虚设孔DH的肋R的厚度可以均匀地形成。据此，可以形成更均匀且良好的虚设图案部DP的拉胀结构体，因此可以最小化可能形成于掩模1200的卷曲(curl)和/或褶皱。
图10是示意性地示出根据本发明的另一实施例的掩模的平面图。省略与上文参照图3描述的内容重复的内容，以下以差异为主进行说明。
参照图10，掩模1200的虚设图案部DP可以在平面上部分地包围沉积图案部AP。作为一实施例，虚设图案部DP可以位于彼此相邻的沉积图案部AP之间。即，虚设图案部DP可以位于相邻的沉积图案部AP之间的间隔区域。据此，为了使沉积图案部AP的占用区域最大化，可以使虚设图案部DP的占用区域最小化，同时使卷曲及褶皱的发生最小化。这是考虑到越远离掩模1200的第三区域AR3或者越接近掩模1200的中央区域，越容易发生掩模1200的卷曲及皱纹。
作为一实施例，掩模1200的虚设图案部DP'可以位于掩模1200的与纵向(例如，x方向)交叉的端部EP与沉积图案部AP之间。在这种情况下，虚设图案部DP'可以具有在平面上沿与掩模1200的纵向(x方向)交叉的横向(y方向)延伸的矩形形状。作为一部分实施例，所述虚设图案部DP'可以位于第一区域AR1，并且可以与沉积图案部AP的外侧邻近地布置。例如，所述虚设图案部DP'可以与沉积图案部AP中最靠近掩模1200的两侧端部EP的第一沉积图案部AP1或第n沉积图案部APn的一侧邻近而布置。虽然图10中未图示，但是作为另一实施例，所述虚设图案部DP'也可以位于第二区域AR2和/或第三区域AR3。
图11是示意性地图示利用根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置而制造的显示装置的立体图。
参照图11，显示装置2可以包括显示区域DA以及位于显示区域DA的外侧的周边区域PA。显示装置2可以通过二维地排列在显示区域DA的多个像素PX的阵列来提供图像。
像素PX可以被定义为布置在显示区域DA的发光元件(Light emitting element)发出光的区域。各个像素PX可以发出预定颜色的光。例如，像素PX可以发出红色、绿色或蓝色的光，或者可以发出红色、绿色、蓝色或白色的光。并且，在显示区域DA可以布置有驱动所述发光元件的像素电路。
周边区域PA作为不提供图像的区域，可以整体或部分地包围显示区域DA。在周边区域PA可以布置有用于向像素电路提供电信号或电源的驱动器、布线等。在周边区域PA可以布置有电子元件、印刷电路板等可以电连接的垫部。
另外，显示装置2可以用作诸如移动电话(mobile phone)、智能电话(smartphone)、平板个人计算机(tablet personal computer)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP：portable multimedia player)、导航仪、超便携移动个人计算机(UMPC：Ultra Mobile PC)等便携式电子设备以及电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT：internet of things)装置等多种产品的显示屏幕。并且，根据一实施例的显示装置2可以用于诸如智能手表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器及头戴型显示器(HMD：head mounted display)之类的可穿戴装置(wearable device)。并且，根据一实施例的显示装置2可以用作汽车的仪表盘及汽车的中控板(center fascia)或者布置在控制板(Dash board)的中心信息显示器(CID：Center Information Display)、代替车辆的后视镜的室内镜显示器(room mirror display)、作为车辆的后座用娱乐设备而布置在前座的背面的显示屏幕。
图12是示意性地图示利用根据本发明的一实施例的显示装置的制造装置而制造的显示装置的剖视图，并且可以对应于沿图11的XII-XII'线剖切的显示装置的剖面。
参照图12，显示装置2可以包括基板100、像素电路层PCL、显示层DISL、封装层300的堆叠结构。
基板100可以为包括包含高分子树脂的基底层及无机层的多层结构。例如，基板100可以包括包含高分子树脂的基底层和无机绝缘层的阻挡层。例如，基板100可以包括依次堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103及第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可以包括聚酰亚胺(PI：polyimide)、聚醚砜(PES：polyethersulfone)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(PEI：polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN：polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(PPS：polyphenylene sulfide)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP：cellulose acetate propionate)。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘物。基板100可以具有柔性特性。
在基板100上可以布置有像素电路层PCL。像素电路层PCL可以包括像素电路PC。作为一例，图12图示了像素电路PC的一部分的剖面。像素电路PC可以包括至少一个薄膜晶体管TFT及至少一个存储电容器Cst。像素电路层PCL可以包括像素电路PC以及布置在构成像素电路PC的各个要素下方和/或上方的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114、第一平坦化绝缘层115及第二平坦化绝缘层116。
缓冲层111可以减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透，并且可以在基板100上提供平坦面。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，并且可以构成为包括上述物质的单层或多层结构。
缓冲层111上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。或者，半导体层Act可以包括非晶(amorphous)硅，或者可以包括氧化物半导体，或者可以包括有机半导体等。半导体层Act可以包括沟道区域C以及分别布置在沟道区域C两侧的漏极区域D及源极区域S。栅极电极GE可以与沟道区域C重叠。
栅极电极GE可以包括低电阻金属物质。栅极电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包含上述材料的多层或单层。
半导体层Act与栅极电极GE之间的第一栅极绝缘层112可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOX)可以是ZnO和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层113可以配备为覆盖所述栅极电极GE。与所述第一栅极绝缘层112相似，第二栅极绝缘层113可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOX)可以是ZnO和/或ZnO2。
在第二栅极绝缘层113上部可以布置有存储电容器Cst的上部电极Cst2。上部电极Cst2可以与其下方的栅极电极GE重叠。此时，将第二栅极绝缘层113置于之间而重叠的栅极电极GE及上部电极Cst2可以形成存储电容器Cst。即，栅极电极GE可以起到存储电容器Cst的下部电极Cst1的功能。
如上所述，存储电容器Cst与薄膜晶体管TFT可以重叠而形成。在一部分实施例中，存储电容器Cst也可以形成为与薄膜晶体管TFT不重叠。
上部电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是上述物质的单层或多层。
层间绝缘层114可以覆盖上部电极Cst2。层间绝缘层114可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等。锌氧化物(ZnOX)可以是ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层114可以是包含上述无机绝缘物的单层或多层。
漏极电极DE及源极电极SE可以分别位于层间绝缘层114上。漏极电极DE及源极电极SE可以分别通过形成于其下部的绝缘层的接触孔而与漏极区域D及源极区域S连接。漏极电极DE及源极电极SE可以包括导电性良好的材料。漏极电极DE及源极电极SE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。作为一实施例，漏极电极DE及源极电极SE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化绝缘层115可以覆盖漏极电极DE及源极电极SE。在第一平坦化绝缘层115上可以布置有接触金属CM。接触金属CM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包含上述材料的多层或单层。第二平坦化绝缘层116可以布置于第一平坦化绝缘层115上，并且可以覆盖接触金属CM。
第一平坦化绝缘层115及第二平坦化绝缘层116可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS：Polystyrene)之类的一般通用高分子、具有酚系基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳基醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子以及它们的混合物的有机绝缘物。
在具有上述结构的像素电路层PCL上可以布置有显示层DISL。显示层DISL可以包括有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)OLED作为发光元件。有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、中间层220及对向电极230的堆叠结构。有机发光二极管OLED例如可以发出红色、绿光或蓝色的光，或者可以发出红色、绿色、蓝色或白色的光。有机发光二极管OLED可以通过发光区域发出光，并且可以将发光区域定义为像素PX。
有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过形成于第二平坦化绝缘层116及第一平坦化绝缘层115的接触孔和布置于第一平坦化绝缘层115上的接触金属CM与薄膜晶体管TFT电连接。
像素电极210可以包括诸如铟锡氧化物(ITO：indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO：indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO：zinc oxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO：indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO：aluminum zinc oxide)之类的导电性氧化物。作为另一实施例，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为另一实施例，像素电极210可以在上述的反射膜的上方/下方还包括利用ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在像素电极210上可以布置有具有使像素电极210的中心部暴露的孔117H的像素定义膜117。像素定义膜117可以包括有机绝缘物和/或无机绝缘物。孔117H可以定义从有机发光二极管OLED发出的光的发光区域。例如，孔117H的大小/宽度可以对应于发光区域的大小/宽度。因此，像素PX的大小和/或宽度可以依赖于相应的像素定义膜117的孔117H的大小和/或宽度。
中间层220可以包括以对应于像素电极210的方式形成的发光层222。发光层222可以包括发出预定颜色的光的高分子或低分子有机物。或者，发光层222可以包括无机发光物质，或者包括量子点。
作为一实施例，中间层220可以包括分别布置在发光层222的下方和上方的第一功能层221及第二功能层223。第一功能层221例如可以包括空穴传输层(HTL：Hole TransportLayer)，或者可以包括空穴传输层及空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)。第二功能层223作为布置于发光层222上的构成要素，可以包括电子传输层(ETL：ElectronTransport Layer)和/或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)。与后文所述的对向电极230相同，第一功能层221和/或第二功能层223可以是形成为覆盖整个基板100的公共层。
对向电极230可以布置于像素电极210上，并且可以与像素电极210重叠。对向电极230可以利用功函数较低的导电性物质构成。例如，对向电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，对向电极230还可以在包括上述物质的(半)透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的层。对向电极230可以一体地形成为覆盖整个基板100。
封装层300可以布置于显示层DISL上并覆盖显示层DISL。封装层300包括至少一个无机封装层及至少一个有机封装层，作为一实施例，图12图示了封装层300包括依次堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320及第二无机封装层330。
第一无机封装层310及第二无机封装层330可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物中的一种以上无机物。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)系的物质。聚合物系的材料可以包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺及聚乙烯等。作为一实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯(acrylate)。有机封装层320可以通过固化单体或者涂覆聚合物而形成。有机封装层320可以具有透明性。
根据本发明的一实施例，可以利用图1的显示装置的制造装置1来精密地形成配备于显示装置2的规定的图案层。例如，发光层222的形成可以利用图1的显示装置的制造装置1。
虽然到目前为止对显示装置2包括有机发光二极管OLED作为发光元件的情形进行了说明，但是本发明的显示装置2只要包括包含有机物的预定的图案层就不限于此。作为另一实施例，显示装置2可以是包括无机发光二极管的发光显示装置(即，无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display))。作为又一实施例，显示装置2可以是量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)。
如上以附图中所示的实施例为参考说明了本发明，但这仅为示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的人便可以据此而理解本发明能够实现多种变形且能够实现等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所附的权利要求书的技术思想而被确定。

Claims (20)

1.一种掩模，包括：
沉积图案部，配备有使沉积物质通过的多个沉积孔；
虚设图案部，布置在所述沉积图案部的外侧，
其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
2.根据权利要求1所述的掩模，其中，
所述虚设图案部配备有多个虚设孔，所述多个虚设孔在平面上具有与所述沉积图案部的所述多个沉积孔不同的形状。
3.根据权利要求2所述的掩模，其中，
所述沉积图案部包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔及第二沉积孔，所述第二沉积孔布置为与所述虚设图案部的所述多个虚设孔中的一个虚设孔邻近。
4.根据权利要求3所述的掩模，其中，
所述第二沉积孔以使所述第二沉积孔与所述一个虚设孔之间的宽度在平面上恒定的方式配备有与所述一个虚设孔的形状对应的形状。
5.根据权利要求1所述的掩模，其中，
所述虚设图案部在平面上包围整个所述沉积图案部。
6.根据权利要求1所述的掩模，其中，
所述虚设图案部在平面上部分地包围所述沉积图案部。
7.根据权利要求6所述的掩模，其中，
所述沉积图案部配备为多个，
所述虚设图案部位于平面上彼此相邻的所述沉积图案部之间。
8.根据权利要求6所述的掩模，其中，
所述虚设图案部在平面上位于所述掩模的与纵向交叉的端部与所述沉积图案部之间。
9.一种掩模组件，包括：
掩模框架，配备有开口；以及
掩模，布置在所述掩模框架上，并且包括以与所述开口重叠的方式布置的沉积图案部以及布置在所述沉积图案部的外侧的虚设图案部，
其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
10.根据权利要求9所述的掩模组件，其中，
所述沉积图案部配备有多个沉积孔，
所述虚设图案部配备有多个虚设孔，所述多个虚设孔在平面上具有与所述沉积图案部的所述多个沉积孔不同的形状。
11.根据权利要求10所述的掩模组件，其中，
所述沉积图案部包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔及第二沉积孔，所述第二沉积孔布置为与所述虚设图案部的所述多个虚设孔中的一个虚设孔邻近。
12.根据权利要求11所述的掩模组件，其中，
所述第二沉积孔以使所述第二沉积孔与所述一个虚设孔之间的宽度在平面上恒定的方式配备有与所述一个虚设孔的形状对应的形状。
13.根据权利要求9所述的掩模组件，其中，
所述虚设图案部在平面上包围整个所述沉积图案部。
14.根据权利要求9所述的掩模组件，其中，
所述虚设图案部在平面上部分地包围所述沉积图案部。
15.根据权利要求14所述的掩模组件，其中，
所述沉积图案部配备为多个并且沿第一方向排列，
所述虚设图案部位于多个所述沉积图案部中彼此相邻的两个沉积图案部之间。
16.一种显示装置的制造装置，包括：
腔室，在内部布置有显示基板；
沉积源，布置于所述腔室的内部，向所述腔室的内部供应沉积物质；以及
掩模组件，布置在所述显示基板与所述沉积源之间，使所述沉积物质通过，
其中，所述掩模组件包括：
掩模框架，配备有开口；以及
掩模，布置在所述掩模框架上，并且包括以与所述开口重叠的方式布置的沉积图案部以及布置在所述沉积图案部的外侧的虚设图案部，
其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
17.根据权利要求16所述的显示装置的制造装置，其中，
所述沉积图案部包括具有彼此不同的平面上的形状的第一沉积孔及第二沉积孔，
所述虚设图案部配备有虚设孔，所述虚设孔具有与所述第一沉积孔及所述第二沉积孔不同的平面上的形状。
18.根据权利要求17所述的显示装置的制造装置，其中，
所述第二沉积孔布置为与所述虚设孔邻近，并且以使所述第二沉积孔与所述虚设孔之间的宽度在平面上恒定的方式配备有与所述虚设孔的形状对应的形状。
19.根据权利要求16所述的显示装置的制造装置，其中，
所述虚设图案部在平面上包围整个所述沉积图案部。
20.根据权利要求16所述的显示装置的制造装置，其中，
所述沉积图案部配备为多个，
所述虚设图案部在平面上部分地包围所述沉积图案部，并且位于彼此相邻的所述沉积图案部之间。
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