CN117245221A - 制造掩模组件的方法 - Google Patents

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CN117245221A CN202310706284.5A CN202310706284A CN117245221A CN 117245221 A CN117245221 A CN 117245221A CN 202310706284 A CN202310706284 A CN 202310706284A CN 117245221 A CN117245221 A CN 117245221A
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Abstract

本发明提供了制造掩模组件的方法。该方法包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将掩模片张紧并且将掩模片固定到所述掩模框架；以及在掩模片的第二区域中形成第二组的开口。第二区域围绕第一区域。

Description

制造掩模组件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年6月17日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2022-0074334号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种能够提高沉积材料的沉积质量的掩模组件、制造掩模组件的方法以及制造显示装置的方法。
背景技术
电子装置被广泛使用。电子装置被以各种方式用作移动电子装置和固定电子装置。为了支持各种功能，电子装置包括可以向用户提供诸如图像的视觉信息的显示装置。
显示装置是被配置成可视地显示数据的装置并且可以通过沉积诸如有机层和金属层等的各种层而形成。沉积材料可以被沉积以形成显示装置的多个层。例如，来自沉积源的沉积材料可以通过掩模组件被喷射并沉积在基板上。在出现掩模片的变形的情况下，沉积材料可能不被沉积在基板的所需位置上，并且因此，沉积质量被劣化。
应当理解，在某种程度上，该背景技术部分旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，该背景技术部分也可以包括不属于相关领域技术人员在本文中公开的主题的对应有效申请日期之前已知或理解的内容的想法、构思或认识。
发明内容
一个或多个实施例包括能够通过防止掩模片的开口的形状变形来提高沉积材料的沉积质量的掩模组件、制造掩模组件的方法以及制造显示装置的方法。
然而，这样的技术方面仅是示例，并且本公开不限于此。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且将部分地根据描述显而易见，或者可以通过实践本公开的实施例而获知。
根据一个或多个实施例，制造掩模组件的方法可以包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将掩模片张紧并且将掩模片固定到掩模框架；以及在掩模片的第二区域中形成第二组的开口。第二区域可以围绕第一区域。
第一组的开口的形成可以包括湿法蚀刻第一区域。
第二组的开口的形成可以包括激光蚀刻第二区域。
第二组的开口的形成可以包括加工第二组的开口使得第二组的开口围绕第一区域。
第二组的开口的形成可以包括围绕位于掩模片的中心的参考点在顺时针方向或逆时针方向上顺序地执行激光蚀刻。
第二组的开口的形成可以包括：执行激光蚀刻以形成第一开口；以及执行激光蚀刻以形成相对于位于掩模片的中心的参考点与第一开口对称的第二开口。
第二区域的激光蚀刻可以包括：以比第二组的开口的尺寸小的尺寸激光蚀刻第二区域；以及通过使用被施加到掩模片的张力来将激光蚀刻后的部分延伸至第二组的开口的尺寸。
掩模片的张紧和掩模片到掩模框架的固定可以包括将掩模片的第三区域焊接到掩模框架。第三区域可以围绕掩模片的第二区域。
第二组的开口的形成可以包括：执行湿法蚀刻以形成具有比第二组的开口的尺寸小的尺寸的临时开口；以及沿临时开口的周边执行激光蚀刻。
临时开口可以在湿法蚀刻的操作中被形成，并且湿法蚀刻的操作可以与形成第一组的开口的湿法蚀刻的操作是相同的操作。
临时开口的形状与通过以相同的比例偏移第二组的开口的形状而缩小的形状相同。
第二组的开口的形成可以包括：半蚀刻第二区域以与掩模片的第一表面中的第二组的开口的尺寸相对应；以及在掩模片的与第一表面相反的第二表面中激光蚀刻第二区域。
第二区域的半蚀刻可以包括通过使用湿法蚀刻来半蚀刻第二区域。
第一组的开口的形成可以包括：半蚀刻第一区域以与第一表面中的第一组的开口的尺寸相对应；以及在第二表面中半蚀刻第一区域。
第二区域的在第一表面中的半蚀刻可以以与在第一表面中半蚀刻第一区域的工艺相同的工艺执行。
根据一个或多个实施例，制造显示装置的方法可以包括：准备掩模组件；布置显示基板以面对掩模组件；以及使沉积材料穿过掩模组件并且将沉积材料沉积在显示基板上，沉积材料从沉积源被供应。掩模组件的准备可以包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将掩模片张紧并且将掩模片固定到掩模框架；以及在掩模片的第二区域中形成第二组的开口。第二区域可以围绕第一区域。
第一组的开口的形成可以包括湿法蚀刻第一区域。
第二组的开口的形成可以包括激光蚀刻第二区域。
根据一个或多个实施例，掩模组件可以包括：掩模框架，包括开口区域；以及掩模片，布置在开口区域内。掩模片可以包括：在中心的第一区域，具有第一组的开口；以及第二区域，具有第二组的开口并且围绕第一区域。第一区域在第一组的开口的周边处可以具有在厚度方向上的第一倾斜表面。第二区域在第二组的开口的周边处可以具有在厚度方向上的第二倾斜表面。第一倾斜表面的倾斜角可以不同于第二倾斜表面的倾斜角。
第一倾斜表面可以是弯曲的表面，并且第二倾斜表面可以是平坦的表面。
根据对实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
根据以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上述及其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施例的用于制造显示装置的装置的示意性截面图；
图2是根据实施例的掩模组件的示意性透视图；
图3至图6B是示出根据实施例的制造掩模组件的方法的示意性平面图；
图7是示出加工第二组的开口的方法的平面示意图；
图8是示出加工第二组的开口的另一方法的平面示意图；
图9是沿图6A的线IX-IX’截取的根据制造掩模组件的方法制造的掩模组件的示意性截面图；
图10是用于比较图9的掩模组件的一部分的示意图；
图11至图13是示出根据另一实施例的制造掩模组件的方法的示意平面图；
图14A至图18是示出根据另一实施例的制造掩模组件的方法的示意图；
图19是由根据实施例的制造显示装置的装置制造的显示装置的示意性平面图；以及
图20是沿图19的XX-XX’线截取的由根据实施例的制造显示装置的装置制造的显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中被示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。相应地，下面通过参考附图仅描述实施例以解释描述的方面。
如在本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”和“或”可以以连词或转折连词的含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。
尽管诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种部件，但是这样的部件不一定受限于以上术语。以上术语用于将一个部件与另一部件区分开。
当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”以及它们的变型指明所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或增加。
将进一步理解，当层、区或部件被称为“在”另一层、区或部件“上”时，该层、区或部件可以直接或间接在该另一层、区或部件上。例如，可以存在居间层、区或部件。
为了便于解释，附图中的元件的尺寸可以被夸大或缩小。作为示例，为了便于描述，附图中示出的每一个元件的尺寸(例如，厚度)被任意地表示，并且因此，本公开不一定限于此。
x方向、y方向和z方向不限于与直角坐标系的三个轴对应的方向，并且可以以较宽泛意义解释。例如，x方向、y方向和z方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
在可以不同地实现某个实施例的情况下，特定的工艺顺序可以以与描述的顺序不同的顺序被执行。作为示例，连续描述的两个工艺可以基本上同时被执行或者可以以相反的顺序被执行。
术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接与第二元件相对。在第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值并且意指在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另外限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中限定的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否则这些术语将不以理想化或过于形式的意义进行解释。
图1是根据实施例的用于制造显示装置(未示出)的装置2的示意性截面图。
用于制造显示装置的装置2可以包括腔室10、第一支撑件20、第二支撑件30、掩模组件400、沉积源50、磁力部分60、视觉部分70和压力调节器80.
空间可以被形成在腔室10内部。显示基板DS和掩模组件400可以被接收在空间中。腔室10的一部分可以被形成为开放。闸阀11可以被安装在腔室10的开口部分中。腔室10的开口部分可以根据闸阀11的操作而被打开或关闭。
显示基板DS可以标识其中有机层、无机层和金属层中的至少一个在制造显示装置时被沉积在下面描述的基板100上的显示基板DS。在其它实施例中，显示基板DS可以是有机层、无机层和金属层中的任一个尚未被沉积在其上的基板100。
第一支撑件20可以被配置成支撑显示基板DS。第一支撑件20可以是固定在腔室10内部的板形式。在另一实施例中，第一支撑件20可以是其中安置有显示基板DS并且其在腔室10内部可线性地移动的梭形式。在另一实施例中，第一支撑件20可以包括设置在腔室10中的静电吸盘或粘性吸盘以被固定在腔室10内部或在腔室10内可移动。
第二支撑件30可以被配置成支撑掩模组件400。第二支撑件30可以设置在腔室10内部。第二支撑件30可以微调掩模组件400的位置。第二支撑件30可以单独地包括驱动器或对准单元等以在不同方向上移动掩模组件400。
在另一实施例中，第二支撑件30可以是梭形式。掩模组件400可以被安置在第二支撑件30上。第二支撑件30可以被配置成传送掩模组件400。作为示例，第二支撑件30可以移动到腔室10的外部，并且在掩模组件400被安置在第二支撑件30上之后，第二支撑件30可以从腔室10的外部进入腔室10。
第一支撑件20和第二支撑件30可以彼此一体地形成。第一支撑件20和第二支撑件30可以包括可移动的梭。第一支撑件20和第二支撑件30可以包括被配置成在显示基板DS被安置在掩模组件400上的情况下将掩模组件400固定到显示基板DS的结构，并且可以被配置成同时线性地移动显示基板DS和掩模组件400。
在下文中，为了便于描述，详细地描述其中第一支撑件20和第二支撑件30被形成为彼此区分并且布置在不同的位置的形式以及其中第一支撑件20和第二支撑件30设置在腔室10内部的形式。
沉积源50可以被设置成面对掩模组件400。沉积材料可以被接收在沉积源50中。沉积材料可以通过将热施加到沉积材料而被蒸发或升华。沉积源50可以被设置成固定在腔室10内部，或者可以设置在腔室10内部以在一方向上线性地移动。
掩模组件400可以设置在腔室10内部。掩模组件400可以包括掩模框架410和掩模片420。这在下面详细地描述。沉积材料可以穿过掩模组件400，并且可以被沉积在显示基板DS上。
磁力部分60可以设置在腔室10内部以面对显示基板DS和/或掩模组件400。磁力部分60可以将磁力施加到掩模组件400，并且可以将掩模组件400压向显示基板DS。特别地，磁力部分60不仅可以防止掩模片420的下垂，而且可以允许掩模片420与显示基板DS相邻。磁力部分60可以维持掩模片420与显示基板DS之间的均匀的间隔。
视觉部分70可以设置在腔室10中，并且可以拍摄显示基板DS和掩模组件400的位置。视觉部分70可以包括被配置成拍摄显示基板DS和掩模组件400的相机。显示基板DS和掩模组件400的位置可以基于由视觉部分70拍摄的图像而被确定，并且掩模组件400的变形可以被确定。第一支撑件20可以被配置成基于所拍摄的图像来微调显示基板DS的位置，或者第二支撑件30可以被配置成基于所拍摄的图像来微调掩模组件400的位置。在下文中，详细地描述第二支撑件30被配置成微调掩模组件400的位置并且对准显示基板DS和掩模组件400的位置的情况。
压力调节器80可以连接到腔室10，并且可以被配置成调节腔室10的内部压力。作为示例，压力调节器80可以被配置成将腔室10的内部压力调节成与大气压力相同或相近。压力调节器80可以被配置成将腔室10的内部压力调节成与真空状态的压力相同或相近。
压力调节器80可以包括连接管81和泵82，其中连接管81连接到腔室10并且泵82安装到连接管81。根据泵82的操作，外部空气可以通过连接管81被引入，或者腔室10内部的气体可以通过连接管81被引导到外部。
描述通过使用用于制造显示装置(未示出)的装置2来制造显示装置的方法。首先，显示基板DS可以被准备。
压力调节器80可以将腔室10的内部维持在其压力与大气压力相同或相近的状态。闸阀11可以操作以打开腔室10的开口部分。
显示基板DS可以从外部被装载到腔室10的内部。显示基板DS可以以各种方法被装载到腔室10的内部。作为示例，显示基板DS可以通过布置在腔室10外部的机械臂从腔室10的外部被装载到腔室10的内部。在另一实施例中，在第一支撑件20被形成为梭形式的情况下，第一支撑件20可以从腔室10的内部被运送到腔室10的外部，显示基板DS可以通过布置在腔室10外部的机械臂(例如，单独的机械臂)被安置在第一支撑件20上，并且第一支撑件20可以从腔室10的外部被装载到腔室10的内部。
如上所述，掩模组件400可以布置在腔室10内部。在另一实施例中，以与显示基板DS的方式相同或相似的方式，掩模组件400可以从腔室10的外部被装载到腔室10的内部。
在显示基板DS被装载到腔室10的内部的情况下，显示基板DS可以被安置在第一支撑件20上。视觉部分70可以被配置成拍摄显示基板DS和掩模组件400的位置。显示基板DS和掩模组件400的位置可以基于由视觉部分70拍摄的图像而被确定。用于制造显示装置的装置2可以包括单独的控制器(未示出)以确定显示基板DS和掩模组件400的位置。
在显示基板DS和掩模组件400的位置的确定被完成的情况下，第二支撑件30可以微调掩模组件400的位置。
沉积源50可以操作以朝向掩模组件400供应沉积材料，并且穿过掩模片420的开口的沉积材料可以被沉积在显示基板DS上。沉积源50可以平行于显示基板DS和掩模组件400移动，或者显示基板DS和掩模组件400可以平行于沉积源50移动。例如，沉积源50可以相对于显示基板DS和掩模组件400相对地移动。泵82可以通过将气体吸入腔室10内部并将气体排放到外部来将腔室10的内部维持在与真空状态相同或相近的状态。
如上所述，从沉积源50供应的沉积材料可以穿过掩模组件400，可以被沉积在显示基板DS上，并且因此可以形成堆叠在下面描述的显示装置中的多个层(例如，有机层、无机层和金属层)中的至少一个。
图2是根据实施例的掩模组件400的示意性透视图，并且示出了可以在用于制造显示装置的装置中使用的掩模组件400。
参考图2，掩模组件400可以包括掩模框架410和掩模片420。
掩模框架410可以包括彼此连接的边，并且可以包括由边限定的开口区域OA。例如，开口区域OA可以被边包围，并且可以穿过掩模框架410的中心。
在实施例中，支撑杆(未示出)可以被布置成跨掩模框架410的开口区域OA。支撑杆可以通过将掩模片420支撑在开口区域OA中来防止掩模片420的下垂。
在实施例中，掩模框架410可以是四边形框架。然而，掩模框架410的形状不限于此，而且可以是各种多边形形状。在下文中，为了便于描述，描述掩模框架410是四边形框架的情况。
在掩模框架410是四边形框架的情况下，边可以包括在第一方向(例如，图2中的x方向)上延伸的第一边S1以及在与第一方向交叉(相交)的第二方向(例如，图2中的y方向)上延伸的第二边S2。因为第一边S1被提供为彼此面对的一对并且第二边S2被提供为彼此面对的一对，所以第一边S1可以连接到第二边S2。在实施例中，第一边S1可以是短边，并且第二边S2可以是长边。然而，实施例不限于此，而且第一边S1可以是长边并且第二边S2可以是短边，或者第一边S1的长度可以等于第二边S2的长度。在下文中，为了便于描述，描述第一边S1是短边并且第二边S2是长边的情况。
掩模片420可以张紧，并且可以安装到掩模框架410。在掩模框架410的中心的开口区域OA可以被掩模片420覆盖。在实施例中，掩模片420可以具有比开口区域OA的尺寸大的尺寸，并且可以设置在掩模框架410上同时完全覆盖开口区域OA。例如，掩模片420的周边可以通过焊接固定到掩模框架410。
在实施例中，开口500可以被提供在掩模片420中。开口500可以是被形成使得沉积材料穿过掩模片420的通孔。在实施例中，开口500的尺寸可以是与下面描述的包括显示装置1的显示区域DA和外围区域PA的平面(参见图19)相对应的尺寸。虽然作为示例在图2中示出了开口500的形状是四边形的，但是实施例不限于此，而且可以理解，开口500的形状可以根据显示装置的平面形状被形成为圆形形状或多边形形状。
开口500可以彼此隔开，并且可以被布置成行和列。作为示例，虽然如图2中所示开口500可以被配置成10行和5列，但是实施例不限于此，而且可以理解，由于掩模片420具有大的面积，因此开口500可以被配置成更多的行和列。
穿过掩模片420(具体地，开口500)的沉积材料可以被沉积在显示基板DS(参见图1)上。
图3至图6B是示出根据实施例的制造掩模组件的方法的示意性平面图。
参考图3，掩模片420可以被准备。在实施例中，掩模片420可以包括因瓦合金(例如，约64％的铁(Fe)和约36％的镍(Ni)的合金)、超级因瓦合金(例如，具有添加到因瓦合金的钴(Co)的合金)、镍及镍和钴的合金中的至少一种。相应地，掩模片420可以通过具有低热系数来防止由于温度变化而引起的变形的误差。
在平面图中，掩模片420可以包括第一区域A1以及围绕第一区域A1的第二区域A2，其中第一区域A1位于中心。在实施例中，如下所述，第二区域A2可以是与开口500当中的在与掩模片420的周边相邻布置的最外部分上的一列中的开口500相对应的区。换句话说，在第二区域A2中，第二组的开口520可以以一列中的封闭的环布置。第一区域A1可以是除了第二区域A2之外的区，并且可以是在被第二区域A2围绕的中心的区。第一组的开口510可以布置在第一区域A1中。这在下面详细地描述。
参考图4A和图4B，开口500(参见图6A)可以被形成在掩模片420中。具体地，第一组的开口510可以被形成在第一区域A1中。第一组的开口510可以在第一方向(例如，图4A中的x方向)上以及在与第一方向交叉的第二方向(例如，图4A中的y方向)上并排彼此隔开。虽然在图4A中示出了第一区域A1的轮廓以及由布置在第一区域A1中的第一组的开口510形成的外部部分的轮廓是矩形的，但是实施例不限于此。如在图4B中所示，第一区域A1的轮廓以及由布置在第一区域A1中的第一组的开口510形成的外部部分的轮廓可以是十字(+)形状，或者虽然在附图中未示出，但是第一区域A1的轮廓以及由布置在第一区域A1中的第一组的开口510形成的外部部分的轮廓可以是由第二区域A2围绕的各种形状。在下文中，为了便于描述，如在图4A中所示，描述第一区域A1的轮廓是矩形的情况。
在实施例中，布置在第一区域A1中的第一组的开口510可以通过湿法蚀刻而被形成。例如，第一组的开口510可以通过对掩模片420的暴露的表面涂敷光刻胶、执行曝光、显影并进行湿法蚀刻而被形成。不排除第一组的开口510通过其它蚀刻方法(例如，干法蚀刻或激光蚀刻)而被形成。在下文中，为了便于描述，描述第一组的开口510通过湿法蚀刻而被形成的情况。
参考图5，掩模片420可以随后被固定到掩模框架410。掩模片420可以进一步包括在外部围绕第二区域A2的第三区域A3。掩模片420可以在第三区域A3中被固定到掩模框架410。在实施例中，掩模片420可以通过点焊被固定到掩模框架410。
掩模片420可以在被张紧的同时被固定到掩模框架410。掩模片420可以在其在第一方向(例如，图5中的x方向)上的两个相反端以及在其在第二方向(例如，图5中的y方向)上的两个相反端被夹持，并且可以在第一方向和第二方向上被张紧的同时被固定到掩模框架410。这可以补足(例如，减少)掩模片420(特别地，大尺寸的掩模片420)的下垂，并且可以提高沉积质量。
参考图6A，在掩模片420被张紧并被固定到掩模框架410的情况下，第二组的开口520可以被形成在第二区域A2中。第二组的开口520可以被布置成围绕第一组的开口510。第二组的开口520可以具有与第一组的开口510的尺寸基本上相同的尺寸以及与第一组的开口510的形状基本上相同的形状。
在实施例中，第二组的开口520可以是在与掩模片420的周边相邻布置的最外部分上的一列中的开口500。然而，这是示例，并且如在图6A中所示，可以理解，第二组的开口520不仅可以被布置成一列，而且可以被布置成两列。第二组的开口520可以是与掩模片420的周边相邻布置的开口500，并且可以是布置在与掩模片420的张紧相对应的相对大的张力所作用到的区中的开口500。
第二组的开口520可以利用与第一组的开口510的间隔相同的间隔被对准。例如，第二组的开口520当中的两个相邻的开口520的中心之间的在第一方向上的间隔g3可以等于第一组的开口510当中的两个相邻的开口510的中心之间的在第一方向上的间隔g1。同样，第二组的开口520当中的两个相邻的开口520的中心之间的在第二方向上的间隔g4可以等于第一组的开口510当中的两个相邻的开口510的中心之间的在第二方向上的间隔g2。
在实施例中，布置在第二区域A2中的第二组的开口520可以通过激光蚀刻而被形成。例如，第二组的开口520可以通过使用激光束加工掩模片420而被形成。在实施例中，用于该加工的激光束可以包括在约400nm至约600nm之间的波长范围。第二组的开口520可以通过激光蚀刻而被更精确地加工。
图6B是图6A中的区VI的放大图。参考图6B，因为在实施例中第二组的开口520是在掩模片420被张紧的情况下加工的，所以第二组的开口520可以以比完成的第二组的开口520的尺寸小的尺寸激光蚀刻。例如，通过激光蚀刻形成的通孔中的每一个可以通过被施加到掩模片420的张力而延伸，并且作为第二组的开口520中的每一个被完成。
如上所述，因为布置在第一区域A1中的第一组的开口510被形成，掩模片420被张紧并被固定到掩模框架410，并且布置在第二区域A2中的第二组的开口520被形成，所以制造掩模片420的精度可以提高，并且沉积质量可以提高。
具体地，在布置在第一区域A1中的第一组的开口510以及布置在第二区域A2中的第二组的开口520全部被形成并且掩模片420被张紧并被固定到掩模框架410的情况下，开口500在张紧加工期间可能由于张力而变形。开口500的变形可能使沉积质量劣化。
在掩模片420被张紧并被固定到掩模框架410并且第一组的开口510和第二组的开口520被形成的情况下，激光蚀刻可以被使用，这可能增大用于加工的成本以及用于加工开口500的时间。
根据实施例，第一组的开口510可以被预先形成于在中心的受张力的影响相对小的第一区域A1中，并且第二组的开口520可以被形成于在周边的被张紧并且受张力的影响相对大的第二区域A2中。相应地，可以减少由于张力而引起的变形。
因为第二组的开口520被激光蚀刻，所以更精确的加工可以被执行，这可以提高受由于张力而引起的变形的影响相对大的第二组的开口520的精度。
在实施例中，因为第一组的开口510通过湿法蚀刻而被形成，所以第一组的开口510可以被相对快地加工。因为第二组的开口520通过激光蚀刻而被形成，所以第二组的开口520可以被更精确地加工。虽然与开口通过激光蚀刻而被形成的情况相比，第一区域A1中的受张力的影响相对小的第一组的开口510的加工精度降低，但是沉积质量可以不受太多影响。相应地，因为第一组的开口510可以通过湿法蚀刻被快速地加工并且第二组的开口520在掩模片420被张紧之后通过激光蚀刻被加工，所以可以减少变形。相应地，可以通过权衡来优化掩模组件400的加工精度和加工效率。
图7是示出加工第二组的开口520的方法的平面示意图。
参考图7，第二组的开口520可以基于在平面图中位于掩模片420的中心的参考点RP而在顺时针方向上被顺序地加工。在第二组的开口520中的布置在图7中的拐角处的一个开口520被限定为第一开口521的情况下，第二组的开口520可以使用第一开口521作为开始点在顺时针方向上被顺序地加工。
在其它实施例中，虽然未示出，但是第二组的开口520可以从多个开始点被加工。例如，在实施例中，在相对于第一开口521位于对角方向上的第二组的开口520被限定为第二开口522(参见图8)，第二组的开口520可以分别使用第一开口521和第二开口522作为开始点在顺时针方向上被加工。在其它实施例中，可以理解，存在两个或更多个开始点。
虽然在图7中示出了第二组的开口520基于参考点RP而在顺时针方向上被顺序地加工，但是可以理解，第二组的开口520可以基于参考点RP而在逆时针方向上被顺序地加工。
图8是示出加工第二组的开口520的另一方法的平面示意图。
参考图8，在第二组的开口520中，第一开口521可以被加工。第二开口522可以被加工，其中第二开口522位于在平面图中相对于位于掩模片420的中心的参考点RP与第一开口521点对称的位置处。例如，第三开口523可以被加工，并且第四开口524可以被加工，其中第三开口523位于掩模片420的另一拐角处，并且第四开口524位于相对于参考点RP与第三开口523点对称的位置处。第二组的开口520中的全部可以以这种方法被加工。这可以减少掩模片420内部的由于张力而引起的应力不均匀和变形不均匀。通过这样，可以减少在形成第二组的开口520时由于不均匀而引起的加工精度的降低，并且可以获得第二组的开口520的更准确的位置和形状。
图9是沿图6A的线IX-IX’截取的根据制造掩模组件的方法制造的掩模组件的示意性截面图。图10是用于比较图9的掩模组件的一部分的示意图。
参考图9，第一组的开口510中的每一个被限定在其中的第一区域A1在第一组的开口510中的每一个的周边处可以具有在厚度方向(例如，图9中的z方向)上的第一倾斜表面IS1。第二组的开口520中的每一个被限定在其中的第二区域A2在第二组的开口520中的每一个的周边处可以具有在厚度方向(例如，图9中的z方向)上的第二倾斜表面IS2。
第一倾斜表面IS1和第二倾斜表面IS2的倾斜方向可以是其中开口500从掩模片420的与显示基板DS(参见图1)相邻布置的第一表面SF1(例如，图9中的在+z方向上的表面)到掩模片420的与沉积源50(参见图1)相邻布置的第二表面SF2(例如，图9中的在-z方向上的表面)逐渐变宽的方向。换句话说，第一倾斜表面IS1可以具有倾斜度，使得第一表面SF1中的第一组的开口510的尺寸小于第二表面SF2中的第一组的开口510的尺寸。第二倾斜表面IS2可以具有倾斜度，使得第一表面SF1中的第二组的开口520的尺寸小于第二表面SF2中的第二组的开口520的尺寸。
图10是根据实施例的掩模组件的截面图。比较并示出第二表面SF2中的开口500的尺寸可以等于第一表面SF1中的开口500的尺寸的情况(右侧)的沉积材料的沉积程度。参考图10，因为第一区域A1和第二区域A2分别包括第一倾斜表面IS1和第二倾斜表面IS2，所以可以防止阴影现象。具体地，如在图10的左侧中所示，可以减少其中沉积材料被第二表面SF2中的开口500的周边阻挡并且不被沉积的阴影出现区。显示装置的质量可以被提高。
再次参考图9，在实施例中，第一倾斜表面IS1的倾斜角θ1可以不同于第二倾斜表面IS2的倾斜角θ2。作为示例，第一倾斜表面IS1的倾斜角θ1可以小于第二倾斜表面IS2的倾斜角θ2。这是因为第一倾斜表面IS1可以通过湿法蚀刻被加工并且因此被各向同性地蚀刻，并且第二倾斜表面IS2可以通过激光蚀刻被加工并且因此被各向异性地蚀刻。在实施例中，第一倾斜表面IS1的倾斜角θ1和第二倾斜表面IS2的倾斜角θ2可以各自具有约30°至约50°之间的值。
出于同样的原因，在实施例中，第一倾斜表面IS1可以包括弯曲的表面，并且第二倾斜表面IS2可以包括平坦的表面。
图11至图13是示出根据另一实施例的制造掩模组件的方法的示意平面图。在实施例中，因为制造掩模组件的方法可以类似于先前描述的制造掩模组件的方法，所以为了便于描述，仅描述不同之处。
参考图11，当第一组的开口510在掩模片420中被加工时，用于第二组的开口520的临时开口526可以一起被加工。在实施例中，在第一组的开口510通过湿法蚀刻被加工的情况下，用于第二组的开口520的临时开口526可以通过相同的湿法蚀刻被加工。
多个临时开口526可以被提供，并且可以在第二区域A2中在第一方向(例如，图11中的x方向)和第二方向(例如，图11中的y方向)上彼此隔开。类似于第二组的开口520，临时开口526可以被布置成围绕第一组的开口510，并且可以被布置成与掩模片420的周边相邻。
在实施例中，临时开口526可以利用与第一组的开口510的间隔相同的间隔被对准。例如，临时开口526当中的两个相邻的临时开口526的中心之间的在第一方向上的间隔g5可以等于第一组的开口510当中的两个相邻的开口510的中心之间的在第一方向上的间隔g1。同样，临时开口526当中的两个相邻的临时开口526的中心之间在第二方向上的间隔g6可以等于第一组的开口510当中的两个相邻的开口510的中心之间的在第二方向上的间隔g2。
在实施例中，临时开口526可以以比第二组的开口520的尺寸小的尺寸加工。临时开口526可以在具有与第二组的开口520的形状相同的形状的同时具有通过偏移第二组的开口520而缩小的形状。作为示例，如在图11中所示，临时开口526可以具有矩形形状，并且第二组的开口520可以具有如下所述通过偏移临时开口526而放大的矩形形状。然而，实施例不限于此。虽然在附图中未示出，但是临时开口526可以具有正方形形状、圆形形状或十字形(+)形状，并且第二组的开口520可以具有如下所述的矩形形状。在下文中，为了便于描述，描述临时开口526具有矩形形状并且具有通过偏移第二组的开口520而缩小的形状的情况。
参考图12，掩模片420可以随后被固定到掩模框架410。掩模片420可以进一步包括在外部围绕第二区域A2的第三区域A3。掩模片420可以在第三区域A3中被固定到掩模框架410。在实施例中，掩模片420可以通过点焊被固定到掩模框架410。
掩模片420可以在被张紧的同时被固定到掩模框架410。掩模片420可以在其在第一方向(例如，图12中的x方向)上的两个相反端以及在其在第二方向(例如，图12中的y方向)上的两个相反端被夹持，并且可以在第一方向和第二方向上被张紧的同时被固定到掩模框架410。这可以补足(例如，减少)掩模片420(特别地，大尺寸的掩模片420)的下垂，并且可以提高沉积质量。
参考图13，在掩模片420被张紧并被固定到掩模框架410的情况下，第二组的开口520可以被形成在第二区域A2中。第二组的开口520可以基于临时开口526而被加工。具体地，第二组的开口520中的每一个可以通过激光蚀刻临时开口526中的每一个的周边被加工。换句话说，第二组的开口520可以通过使用激光加工来加宽临时开口526被加工。如上所述，第二组的开口520可以具有与第一组的开口510的尺寸基本上相同的尺寸以及与第一组的开口510的形状基本上相同的形状。
类似于参考图7所描述的内容，第二组的开口520可以基于在平面图中位于掩模片420的中心的参考点RP而在顺时针方向或逆时针方向上被顺序地加工。将理解，第二组的开口520可以从多个开始点在顺时针方向或逆时针方向上被顺序地加工。
在其它实施例中，类似于参考图8所描述的内容，将理解，第二组的开口520可以以第一开口521被加工并且第二开口522被加工的方式被加工，其中第二开口522位于在平面图中相对于位于掩模片420的中心的参考点RP与第一开口521点对称的位置处。
如上所述，因为临时开口526预先通过湿法蚀刻被加工，掩模片420被张紧并被固定并且第二组的开口520被加工，所以可以减少制造掩模组件的工艺所花费的时间。通过使用激光加工来分别加工第二组的开口520中的全部可能需要多个激光装置或者更多的加工时间。相反，根据实施例，因为仅不包括临时开口526的尺寸的区需要被激光加工，所以可以不需要多个激光装置或者更多的加工时间。
图14A至图18是示出根据另一实施例的制造掩模组件的方法的示意图。在实施例中，因为制造掩模组件的方法可以类似于先前描述的制造掩模组件的方法，所以为了便于描述，仅描述不同之处。
图14A是掩模片420的平面图，并且图14B是沿图14A的线XIV-XIV’截取的掩模片420的截面图。
参考图14A和图14B，如上所述，掩模片420可以包括第一表面SF1(参见图9)和第二表面SF2(参见图9)，其中第一表面SF1被布置成与显示基板DS(参见图1)相邻，并且第二表面SF2被布置成与沉积源50(参见图1)相邻。
在实施例中，掩模片420可以被湿法蚀刻，并且第一表面SF1可以被半蚀刻。具体地，为了形成掩模片420的第一组的开口510和第二组的开口520，第一表面SF1可以被半蚀刻。例如，第一表面SF1可以以与第一组的开口510和第二组的开口520的尺寸相对应的尺寸、在第一方向(例如，图14A和图14B中的x方向)和第二方向(例如，图14A和图14B中的y方向)上彼此隔开的位置处被半蚀刻。相应地，多个第一半开口560可以被形成，其中第一半开口560从第一表面SF1在厚度方向(例如，图14A和图14B中的z方向)上被近似半蚀刻。第一半开口560可以在第一方向和第二方向上彼此隔开。第一半开口560可以被形成在第一区域A1和第二区域A2中。在第一半开口560的尺寸与第一组的开口510和第二组的开口520的尺寸相对应的情况下，这可以意指第一半开口560的尺寸可以与开口510、520的尺寸相同或者可以小于开口510、520的尺寸。
图15A是掩模片420的后视图，并且图15B是沿图15A的线XV-XV’截取的掩模片420的截面图。
参考图15A和图15B，掩模片420可以被湿法蚀刻，并且第二表面SF2可以被半蚀刻。具体地，为了形成掩模片420的第一组的开口510，第二表面SF2可以被半蚀刻。例如，如在图14B中所示，第二表面SF2可以以与在被半蚀刻的第一半开口560的相反侧的第一组的开口510的尺寸相对应的尺寸被半蚀刻。相应地，多个第二半开口可以被形成，其中第二半开口从第二表面SF2在厚度方向(例如，图15A和图15B中的z方向)上被近似半蚀刻。第二半开口可以被形成在第一区域A1中，并且可以不被形成在第二区域A2中。换句话说，第二半开口可以被形成于在第一区域A1中形成的第一半开口560的相反侧，并且可以不被形成于在第二区域A2中形成的第一半开口560的相反侧。
相应地，如在图15A和图15B中所示，第一组的开口510可以被加工。第一组的开口510可以由于在第一表面SF1中加工的第一半开口560和在第二表面SF2中加工的第二半开口而完全穿过掩模片420。因为在第二表面SF2被半蚀刻时，用于第二组的开口520的第二半开口不在第二区域A2中被加工，所以将理解，第二组的开口520仍然没有被完成。
参考图16，掩模片420可以被固定到掩模框架410。掩模片420可以被张紧并被固定到掩模框架410。在实施例中，为了固定，掩模片420可以通过点焊被固定到掩模框架410。这可以类似于上述加工，并且因此，其详细描述被省略。
图17是沿图16的线XVII-XVII’截取的掩模片420的截面图。
参考图17，在掩模片420被张紧并被固定到掩模框架410的情况下，第二组的开口520可以被形成在第二区域A2中。第二组的开口520可以基于在第二区域A2中加工的第一半开口560而被加工。具体地，第二组的开口520可以通过激光蚀刻第二区域A2中的第一半开口560的相反侧而被形成。例如，第二组的开口520可以通过将激光束照射到与第一半开口560布置在其中的第一表面SF1相反的第二表面SF2而被形成。因为掩模片420由于第一半开口560而在厚度方向(例如，图17中的z方向)上被蚀刻约一半，所以第二组的开口520的加工可以被更迅速地完成。
参考图18，类似于参考图7和图13所描述的内容，第二组的开口520可以基于在平面图中位于掩模片420的中心的参考点RP而在顺时针方向或逆时针方向上被顺序地加工。例如，第二组的开口520可以通过基于参考点RP在顺时针方向或逆时针方向上将激光束照射到第二区域A2中的第二表面SF2并蚀刻第一半开口560的相反侧而被顺序地加工。将理解，第二组的开口520可以从多个开始点在顺时针方向或逆时针方向上被顺序地加工。
在其它实施例中，类似于参考图8所描述的内容，将理解，第二组的开口520可以以第一开口521被加工并且第二开口522被加工的方式被加工，其中第二开口522位于在平面图中相对于位于掩模片420的中心的参考点RP与第一开口521点对称的位置处。
如以上所述，因为第一半开口560预先通过湿法蚀刻被加工，掩模片420被张紧并被固定并且仅第二组的开口520的厚度的一半通过照射激光束而被加工，所以可以减少制造掩模组件的工艺所花费的时间。
图19是由根据实施例的制造显示装置1的装置制造的显示装置1的示意性平面图。
参考图19，根据实施例制造的显示装置1可以包括显示区域DA以及在显示区域DA外部的外围区域PA。显示装置1可以被配置成通过在显示区域DA中二维地布置的像素PX的阵列来显示图像。
外围区域PA可以是不显示图像的区，并且可以完整地或部分地围绕显示区域DA。被配置成将电信号或电力提供到分别与像素PX相对应的像素电路的驱动器(未示出)等可以布置在外围区域PA中。焊盘(未示出)可以布置在外围区域PA中，其中焊盘是电子元件(未示出)或印刷电路板(未示出)可以电连接到的区。
在下文中，尽管显示装置1包括作为显示元件(也就是，发光元件)的有机发光二极管OLED(参见图20)，但是根据实施例的显示装置1不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示装置(也就是，无机发光显示装置)。无机发光二极管可以包括包含基于无机半导体的材料的PN结二极管。在正向电压被施加到PN结二极管的情况下，空穴和电子被注入并且通过空穴和电子的复合而产生的能量被转换为光能，并且因此，可以发射预设颜色的光。无机发光二极管可以具有在几微米至几百微米的范围内的宽度。在实施例中，无机发光二极管可以被标识为微型发光二极管。在另一实施例中，显示装置1可以是量子点发光显示装置。
显示装置1可以在包括电视、笔记本计算机、显示器、广告牌、物联网(IoT)装置以及便携式电子装置(包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超便携个人计算机(UMPC))的各种产品中被用作显示屏。根据实施例的显示装置1可以被用在包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备中。在实施例中，显示装置1被用作汽车的指示板中的显示屏、汽车的中心仪表盘、布置在仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的车内镜显示器以及布置在前排座椅的背面作为用于汽车的后排座椅的娱乐的显示器。
图20是沿图19的XX-XX’线截取的由根据实施例的制造显示装置1的装置制造的显示装置1的示意性截面图。
参考图20，显示装置1可以包括基板100、像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300的堆叠结构。显示基板DS(参见图1)可以是其中例如像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300中的至少一个在制造显示装置1的工艺期间被堆叠在基板100上的结构。
基板100可以具有包括无机层和包含聚合物树脂的基底层的多层结构。作为示例，基板100可以包括包含聚合物树脂的基底层和包含无机绝缘层的阻挡层。作为示例，基板100可以包括顺序地堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP)。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以各自包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料。基板100可以是柔性的。
像素电路层PCL可以设置在基板100上。在图20中示出了像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT以及在薄膜晶体管TFT的元件之下和/或上的缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113、层间绝缘层114、第一平坦化绝缘层115和第二平坦化绝缘层116。
缓冲层111可以减少或阻挡来自基板100下方的异物、湿气或外部空气的渗透，并且在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述材料的单层结构或多层结构。
在缓冲层111上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。在其它实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体和/或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区C以及分别布置在沟道区C的两个相反侧的漏区D和源区S。栅电极GE可以与沟道区C重叠。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
在半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅绝缘层112可以包括包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOx)的无机绝缘材料。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极GE。类似于第一栅绝缘层112，第二栅绝缘层113可以包括包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOx)的无机绝缘材料。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以布置在第二栅绝缘层113上。上电极Cst2可以与其下方的栅电极GE重叠。彼此重叠的栅电极GE和上电极Cst2(其中第二栅绝缘层113位于栅电极GE和上电极Cst2之间)可以构成存储电容器Cst。例如，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极Cst1。
如上所述，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。在实施例中，存储电容器Cst可以被形成为不与薄膜晶体管TFT重叠。
上电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
层间绝缘层114可以覆盖上电极Cst2。层间绝缘层114可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOx)。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。层间绝缘层114可以包括包含上述材料的单层或多层。
漏电极DE和源电极SE可以各自布置在层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE可以通过其下方的绝缘层(例如，层间绝缘层114、第二栅绝缘层113和第一栅绝缘层112)的接触孔分别连接到漏区D和源区S。漏电极DE和源电极SE可以各自包括具有高导电率的材料。漏电极DE和源电极SE可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，漏电极DE和源电极SE可以各自具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化绝缘层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一平坦化绝缘层115可以包括包含诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物的有机绝缘材料。
第二平坦化绝缘层116可以设置在第一平坦化绝缘层115上。第二平坦化绝缘层116可以包括与第一平坦化绝缘层115的材料相同的材料，并且可以包括包含诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物的有机绝缘材料。
显示元件层DEL可以设置在具有上述结构的像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括作为显示元件(也就是，发光元件)的有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以具有像素电极210、中间层220和公共电极230的堆叠结构。有机发光二极管OLED可以被配置成发射例如红光、绿光或蓝光或者发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管OLED可以被配置成通过发射区域而发光。发射区域可以被限定为像素PX。
有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过在第二平坦化绝缘层116和第一平坦化绝缘层115中形成的接触孔以及设置在第一平坦化绝缘层115上的接触金属CM电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极210可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的化合物的反射层。在另一实施例中，像素电极210可以进一步包括在反射层上/之下的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。
像素限定层117可以设置在像素电极210上，像素限定层117包括暴露像素电极210的中心部分的开口117OP。像素限定层117可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口117OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。作为示例，开口117OP的尺寸(例如，宽度)可以与发射区域的尺寸(例如，宽度)相对应。相应地，像素PX的尺寸(例如，宽度)可以取决于像素限定层117的开口117OP的尺寸(例如，宽度)。
中间层220可以包括被形成为与像素电极210相对应的发射层222。发射层222可以包括发射具有预设颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在其它实施例中，发射层222可以包括无机发射材料或量子点。
在实施例中，中间层220可以包括分别设置在发射层222之下和上的第一功能层221和第二功能层223。第一功能层221可以包括例如空穴传输层(HTL)或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层223可以是设置在发射层222上的元件，并且可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。与下面描述的公共电极230一样，第一功能层221和/或第二功能层223可以是完整地覆盖基板100的公共层。
公共电极230可以设置在像素电极210上，并且可以与像素电极210重叠。公共电极230可以包括具有低功函数的导电材料。作为示例，公共电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的合金的(半)透明层。在其它实施例中，公共电极230可以进一步包括在(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。公共电极230可以被形成为一体以完整地覆盖基板100。
封装层300可以设置在显示元件层DEL上，并且可以覆盖显示元件层DEL。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，在图20中示出了封装层300包括顺序地堆叠在彼此上的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅当中的至少一种无机材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。有机封装层320可以通过硬化单体或涂覆聚合物而被形成。有机封装层320可以是透明的。
尽管未示出，但是触摸感测器层可以设置在封装层300上。光学功能层可以设置在触摸感测器层上。触摸感测器层可以获得与外部输入(例如，触摸事件)相对应的坐标信息。光学功能层可以降低从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率和/或提高从显示装置1发射的光的色纯度。在实施例中，光学功能层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶型偏振器可以包括以排列方式布置的液晶。延迟器和偏振器中的每一个可以进一步包括保护膜。
粘合构件可以设置在触摸感测器层与光学功能层之间。对于粘合构件，可以采用通用粘合构件。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。
根据实施例，可以防止掩模片的开口的变形，并且因此，可以提高沉积材料的沉积质量并且可以减少阴影现象。
沉积质量可以利用制造掩模片所消耗的时间的减少来提高。
本公开的效果不限于上述效果，并且本领域普通技术人员可以根据权利要求清楚地理解未提及的其它效果。
应当理解，在本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，并且不是出于限制的目的。每一个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离本公开的精神和范围。

Claims (10)

1.一种制造掩模组件的方法，所述方法包括：
准备包括开口区域的掩模框架；
在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；
将所述掩模片张紧并且将所述掩模片固定到所述掩模框架；以及
在所述掩模片的第二区域中形成第二组的开口，
其中，所述第二区域围绕所述第一区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一组的所述开口的所述形成包括湿法蚀刻所述第一区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括激光蚀刻所述第二区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括加工所述第二组的所述开口使得所述第二组的所述开口围绕所述第一区域。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括围绕位于所述掩模片的所述中心的参考点在顺时针方向或逆时针方向上顺序地执行所述激光蚀刻。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括：
执行所述激光蚀刻以形成第一开口；以及
执行所述激光蚀刻以形成相对于位于所述掩模片的所述中心的参考点与所述第一开口对称的第二开口。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二区域的所述激光蚀刻包括：
以比所述第二组的所述开口的尺寸小的尺寸激光蚀刻所述第二区域；以及
通过使用被施加到所述掩模片的张力来将激光蚀刻后的部分延伸至所述第二组的所述开口的所述尺寸。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中
所述掩模片的所述张紧和所述掩模片到所述掩模框架的所述固定包括将所述掩模片的第三区域焊接到所述掩模框架，并且
所述第三区域围绕所述掩模片的所述第二区域。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括：
执行湿法蚀刻以形成具有比所述第二组的所述开口的尺寸小的尺寸的临时开口；以及
沿所述临时开口的周边执行激光蚀刻。
10.根据权利要求9所述的方法，其中
所述临时开口在所述湿法蚀刻的操作中被形成，并且
湿法蚀刻的所述操作与形成所述第一组的所述开口的湿法蚀刻的操作是相同的操作。
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