CN110869331B - 用于对预组装和后组装的绝缘玻璃单元中的涂层进行激光烧蚀/划线的技术和/或相关方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的某些示例性实施方案涉及用于对预层压或后层压组件、预组装或后组装绝缘玻璃单元和/或其他产品中的玻璃或其他基底上的涂层(例如，低辐射率、镜或其他涂层)的周边边缘进行激光烧蚀/划线，以便减缓或防止涂层的腐蚀的技术。例如，1064nm或其他波长的激光可用于将线刻划到低辐射率的金属和/或类金属层中，或设置在已经层压或已经组装的绝缘玻璃单元或其他产品中的其他涂层中，例如围绕其周边。划线降低了从涂层的中心到环境的电子移动性，并且从而减缓并且有时甚至防止电化学腐蚀的发生。本文还设想了与其相关的相关产品、方法和套件。

Description

用于对预组装和后组装的绝缘玻璃单元中的涂层进行激光烧 蚀/划线的技术和/或相关方法
技术领域
本发明的某些示例性实施方案涉及对预层压和后层压的组件、预组装和后组装的绝缘玻璃单元、和/或其他产品中的涂层进行激光烧蚀/划线的技术，以及相关方法。更具体地讲，本发明的某些示例性实施方案涉及用于对预层压或后层压的组件、预组装或后组装的绝缘玻璃单元和/或其他产品中的玻璃或其他基底上的涂层(例如，低辐射率、镜面或其他涂层)的周边边缘进行激光烧蚀/划线，以便减缓或防止涂层和/或相关产品的腐蚀的技术。
背景技术和发明内容
层压产品已用于多种应用中，包括例如低辐射率(低E)、镜和其他应用。图1为示例性层压产品100的剖视图。图1示例性层压产品100包括与层压材料104层压在一起的基本上平行的间隔开的第一基底102a和第二基底102b(例如玻璃基底)，其有时也被称为夹层。典型的层压材料包括，例如，PVB、EVA、PET、PU等。取决于应用，层压材料104可以为光学“透明的”，即，其可具有高可见光透射率。一个或多个涂层可形成于第一基底102a和/或第二基底102一个或多个主表面上。例如，在层压产品的第二表面或第三表面上包括低E、镜、抗反射(AR)或其他涂层并不少见。在一些情况下，可对第二表面和第三表面中的每一个设置涂层。为便于理解，图1包括表面3上的示例性涂层106。可围绕制品100的周边设置任选的附加边缘密封件108，并且边缘密封件108可旨在保护制品100的侧边缘、层压材料104、涂层106等免受机械、环境和/或其他类型的损坏。
层压产品的一个问题在于层压的含金属层薄膜和层压的含类金属层薄膜(诸如通常用于镜和低E涂层中的那些)一般可从装置的边缘到中心逐渐腐蚀，例如，当暴露于温度、湿度等的梯度时，腐蚀在存在或侵入电离水分时发生。层压过程中的边缘缺陷和缺乏边缘去除也可触发腐蚀。尽管边缘密封剂可用于减少腐蚀前沿前进的可能性，但此类技术可能是不实用的，因为这些密封剂也可随时间的推移而产生裂纹。
边缘去除通常涉及移除围绕下面基底的周边边缘的涂层的一部分，并且边缘去除桌是已知的。参见，例如美国专利4,716,686；5,713,986；5,934,982；6,971,948；6,988,938；7,125,462；7,140,953；和8,449,348，所述专利中的每一个均据此全文以引用方式并入本文。一般来讲，在此类桌子中，提供给桌子的一系列脚轮允许玻璃在桌子的整个表面上平滑移动。各种宽度的磨削轮可与护罩结合使用以有助于减少碎片的溅射并用于安全目的。使玻璃基本上一致地通过去除头下方可有效地从玻璃“去除”涂层，从而可将其例如与上述和/或其他制品结合使用。可使用更宽或更窄的磨削轮以从玻璃表面去除更多或更少的涂层。
尽管边缘去除桌可用于多种应用中，但遗憾的是它们具有它们的局限性，尤其是当其进行腐蚀预防时。例如，边缘去除桌通常较大并且在加工生产线中需要附加的机器。增加工艺步骤可增加加工时间和成本。边缘去除桌由于其性质也可形成需要相应处理的碎屑。因此，尽管边缘去除有时可去除边缘缺陷，但其也可由于产生附加碎屑而导致所述边缘缺陷。
此外，尽管边缘去除桌通常适用于边缘去除，但顾名思义，它们通常在去除内部区域的涂层的能力方面受到限制。随着待去除的区域变得越来越小，这可能变得越来越成问题，因为对于磨削轮等可能的尺寸减小存在实际的限制。并且因为边缘去除桌在暴露表面上起作用，所以它们不能做任何事情来“修理”已经组装的产品，并且必须在加工生产线中在早期和潜在不利的时间内使用。
某些示例性实施方案解决这些和/或其他问题。例如，某些示例性实施方案涉及用于停止或至少减慢腐蚀或分层边缘前沿相对于层压产品中的涂层前进的技术。
某些示例性实施方案基于由对软低E涂层的研究的认识，即由应力和电离水分侵入驱动的电化学腐蚀是这种现象背后的主要热力学力。基于这种认识，某些示例性实施方案试图将涂层与边缘电隔离，同时使层分流并对叠堆体进行去应力。就这一点而言，某些示例性实施方案包括对外覆层压体上的含金属层涂层或含类金属层涂层的边缘进行激光划线。作为一个示例，可以使用在1064nm下操作的二极管光纤激光器将涂层激光划线穿过所述层压体。通过优化或至少调整划线相对于玻璃边缘的宽度和位置，可停止或延迟膜腐蚀。激光划线技术的可行性与以下事实有关：玻璃基底和许多层压材料(包括非常常用的PVB)对于1064nm激光照射是透明的，因此不能直接蚀刻(或至少不能容易地由某些激光，包括例如1064nm激光直接蚀刻)。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备层压产品的方法。中间产品包括与层压材料层压在一起的基本上平行的第一玻璃基底和第二玻璃基底，其中所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，并且其中所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。在制备层压产品时，通过将中间产品暴露于激光源而在涂层中激光划出线，其中所述线形成其相对侧之间的电子传输的阻挡件。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备层压产品的方法。多层薄膜涂层形成于第一玻璃基底上，其中涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。使用层压材料将第一玻璃基底层压到第二玻璃基底，使得所述涂层在所述第一基底和所述第二基底之间取向，并且使得所述第一基底和所述第二基底彼此基本上平行。在层压之后，并且在制备层压产品时，围绕所述涂层的周边激光划线边界线。激光划线至少部分地溶解邻近所述边界线的所述涂层，并且通过电隔离所述边界线内部的所述涂层而增加所述边界线内部的所述涂层的耐电化学腐蚀性。借助于所述激光划线，来自所述涂层的溶解的材料(a)掺入到所述第一基底、层压材料和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)烧蚀和/或汽化以便以非导电方式重新形成。
在某些示例性实施方案中，提供了层压产品。第一玻璃基底支撑多层薄膜涂层。所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。使用层压材料将第二玻璃基底层压到第一玻璃基底，使得涂层在所述第一基底和所述第二基底之间取向，并且使得所述第一基底和所述第二基底彼此基本上平行。在所述第一基底和所述第二基底已层压在一起之后，形成围绕所述涂层的周边的激光划出的边界。至少邻近所述边界的所述涂层的所述至少一个含金属层借助于所述激光划线来溶解。借助于所述激光划线，来自所述涂层的溶解的材料(a)掺入到所述第一基底、层压材料和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)烧蚀和/或汽化以便以非导电方式重新形成。边界具有足以将所述边界内部的区域与所述边界外部的区域电隔离至足以至少延迟所述边界内部的所述区域中的电化学腐蚀的程度的宽度和深度。
在某些示例性实施方案中，提供了一种用于制备层压产品的套件。所述套件包括激光源和中间产品，所述中间产品包括与层压材料层压在一起的基本上平行的第一玻璃基底和第二玻璃基底，其中所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，并且其中所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。激光源是可控的，以通过在制备所述层压产品时使所述中间产品暴露于激光源而在所述涂层中激光划出线，其中所述线形成其相对侧之间的电子传输的阻隔件。
在某些示例性实施方案中，一种制备层压产品的方法包括：取得中间产品，所述中间产品包括与层压材料层压在一起的基本上平行的第一玻璃基底和第二玻璃基底，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层；并且通过将所述中间产品暴露于来自激光源的激光而将能量耦合到所述涂层中，所述激光源在所述第二玻璃基底和所述层压材料在制备所述层压制品时是基本上透射的波长下操作，所述能量耦合到所述涂层中并且所述激光源被控制以便选择性地导致所述涂层的至少一部分以期望的图案(a)溶解于所述第一基底、所述层压材料和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)汽化和以不导电的方式重新形成，所述期望的图案限定至少第一区域和第二区域，并且被成形为足以将所述第一区域和所述第二区域彼此电隔离的宽度和深度，所述电隔离处于足以至少基本上延迟所述第一基底中的电化学腐蚀的程度。
在类似的方面，某些示例性实施方案涉及以相同或相似的方式制成的IG单元。例如，在某些示例性实施方案中，提供了一种制备IG单元的方法。中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的基本上平行间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底。在所述第一基底和所述第二基底之间限定间隙。第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层。所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。通过在制备IG单元时使中间产品暴露于激光源而在涂层中激光划出线，其中所述线形成在其相对侧之间的电子传输的阻隔件。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备IG单元的方法。在第一玻璃基底上，形成多层薄膜涂层，其中所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。将第一玻璃基底连接到第二玻璃基底，所述第二玻璃基底与周边边缘垫片连接，使得所述涂层在所述第一基底和所述第二基底之间取向，并且使得所述第一基底和所述第二基底彼此基本上平行并且间隔开。在连接之后，在制备IG单元时，围绕所述涂层的周边激光划出边界线。激光划线至少部分地溶解邻近所述边界线的所述涂层，并且通过电隔离所述边界线内部的所述涂层而增加所述边界线内部的所述涂层的耐电化学腐蚀性。借助于所述激光划线来至少溶解所述至少一个含金属层，使得相关的烧蚀材料(a)以非导电方式重新形成，和/或(b)溶解和/或扩散到所述第一基底和/或所述多层薄膜涂层的至少一个其他层中。
在某些示例性实施方案中，提供了IG单元。第一玻璃基底支撑多层薄膜涂层，其中所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。第二玻璃基底基本上平行于所述第一玻璃基底并且与所述第一玻璃基底间隔开，其中所述涂层在所述第一基底和所述第二基底之间取向。包括边缘密封件。在所述第一基底和所述第二基底已连接在一起之后，形成围绕涂层周边的激光划出的边界。至少邻近所述边界的所述涂层的所述至少一个含金属层借助于所述激光划线来溶解。借助于激光划线，来自涂层的溶解的材料(a)掺入到所述第一基底和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)烧蚀和/或汽化以便以非导电方式重新形成。边界具有足以将所述边界内部的区域与所述边界外部的区域电隔离至足以至少延迟所述边界内部的所述区域中的电化学腐蚀的程度的宽度和深度。
在某些示例性实施方案中，提供了一种用于制备IG单元的套件。该套件包括激光源和中间产品。所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的基本上平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一基底和所述第二基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。激光源是可控的，以通过在制备IG单元时使中间产品暴露于激光源而在所述涂层中激光划出线，其中所述线形成其相对侧之间的电子传输的阻隔件。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备IG单元的方法，其中所述方法包括：取得中间产品，所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的和基本上平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一基底和所述第二基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层；并且通过在制备所述IG单元时使所述中间产品暴露于来自激光源的激光而将能量耦合到所述涂层中，所述激光源在所述第二玻璃基底是基本上透射的波长下操作，所述能量耦合到所述涂层中并且所述激光源被控制以便选择性地导致所述涂层的至少一部分以期望的图案(a)溶解于所述第一基底和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)汽化和以不导电的方式重新形成，所述期望的图案限定至少第一区域和第二区域，并且被成形为足以将所述第一区域和所述第二区域彼此电隔离的宽度和深度，所述电隔离处于足以至少基本上延迟所述第一区域中的电化学腐蚀的程度。
在类似的方面，某些示例性实施方案涉及包括支撑多层薄膜涂层的基底的涂覆制品和/或其制备方法。将薄膜涂层激光划线以便形成至少第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域借助于所述激光划线彼此电隔离。激光划线可在涂覆制品的涂层相对于带涂层制品和/或其可能被构建于其中的任何物体处于闭合或打开的几何形状时进行。
本文所述的特征结构、方面、优点和示例性实施方案可组合以实现另一实施方案。
附图说明
通过参考以下结合附图的示例性说明性实施方案的详细描述，可以更好和更完全地理解这些和其他特征和优点，其中：
图1是示例性层压产品的剖视图；
图2示意性地示出了一个示例性腐蚀机制；
图3为有时遇到腐蚀问题的示例性低辐射率涂层的示意性剖视图；
图4为可与某些示例性实施方案结合使用的激光划线装置的示意图；
图5示出了用1064nm纳秒脉冲激光获得的划线，其可结合某些示例性实施方案使用；
图6为示出可如何根据某些示例性实施方案对层压制品激光划线的第一示例性装置；
图7为示出可如何根据某些示例性实施方案对层压制品激光划线的第二示例性装置；
图8为示出用于根据某些示例性实施方案对层压制品激光划线的示例性方法的流程图；
图9为可具有根据某些示例性实施方案激光烧蚀的涂层的示例性绝缘玻璃单元(IG单元或IGU)的剖视图；以及
图10为示出用于根据某些示例性实施方案对IG单元激光划线的示例性方法的流程图。
具体实施方式
某些示例性实施方案涉及用于对预层压或后层压的组件、绝缘玻璃单元(IG单元或IGU)或其他产品中的玻璃或其他基底上的含金属层或含类金属层的涂层(例如，低辐射率、镜、或其他涂层)的周边边缘进行激光烧蚀/划线，以便减缓或防止涂层和/或相关产品的腐蚀的技术。某些示例性实施方案可与具有已经开始侵蚀的涂层的产品结合使用，例如，甚至在此类产品已被安装之后(例如，在建筑物、车辆等中)。
腐蚀可被认为是材料通过化学过程劣化。一个子集是金属的电化学腐蚀，其中氧化过程M→M++e-通过合适的电子受体的存在而促进。在电子受体位点处，形成了被称为极化电阻的串联电阻。该电阻的量值影响腐蚀速率。大多数腐蚀过程的一个特征在于氧化和还原步骤在金属上的独立位置处发生。这是可能的，因为金属是导电的，因此电子可从阳极流过金属到阴极区域。水的存在有助于将离子输送至金属和从金属中输送离子，但吸附水分的薄膜可足以实现腐蚀。
因此，应当理解，腐蚀体系可被认为是短路电化学电池，其包括遵循一般模式的阳极和阴极步骤。例如，阳极过程可类似于以下内容：
M(s)→Mx+(aq)+xe-
阴极过程可为以下中任一种：
O2+2H2O+4e-→4OH-
H++e-→1/2H2(g)
M1x++xe-→M1(s)
其中M1为另一种金属。
许多目前可用的低E涂层包括包含Ag的层，所述层在包含ZnO的层正上方并接触该层，并且在包含Ni的层(例如，包含NiCr、NiTi或其氧化物的层)正下方或接触该层。在此类体系中，从简单的热力学建模角度来看，电化学势低于Ag的电化学势的层将“优先”腐蚀。例如，包含Ni的层将相对于包含Ag的层开始非常快速地腐蚀，并且在此类体系中，两者间的整个界面可受到损害。另一方面，当考虑包含ZnO的层和包含Ag的层时，情况相反，因为包含Ag的层将更快地腐蚀(在具有和不具有光的情况下)。包含NiO的层也将“优于”包含Ag的层。当然，该模型假定电路的完整并且H2O的作用是在存在电解质(例如盐)的情况下提供H+离子。
下表给出了相对于标准氢电极的若干标准电极电位，以伏特为单位：
Figure BDA0002362812910000081
其他常用的低-E涂层涉及包含Ag的层，其被夹在包含NiCr的层中间并且直接接触所述包含NiCr的层。(这种类型的具体示例性涂层将在下文中更详细地讨论)。基于电化学势，在此类涂层中，存在于围绕Ag的含NiCr阻挡层中的金属Ni的腐蚀将导致银的“粘合剂释放”和随后的附聚，这是电化学腐蚀的特征之一。包含与两种金属电接触的水的电解质将加剧Ni的“优先”腐蚀，并且最终导致Ag的腐蚀。
图2示意性地示出了这种腐蚀机制。如图2所示，包含Ag 202的层被夹在包含NiCr204a和204b的第一层和第二层之间。电解质206(在水中)与这些层接触。电子将迁移到包含Ag 202的层中，同时从包含NiCr 204a/204b的一层或两层中优先浸出Ni2+到电解质206中。总体机制导致(腐蚀的)Ni的“优先”溶解和再沉积，连同Ag的团聚或“凝结”。
其他常用的低E涂层涉及包含氧化锌的层(例如，包含氧化锌的层，其可包括铝、锡等)，形成于包含氧化锌的层上(任选地在其正上方或与其直接物理接触)的包含Ag的层，以及形成于包含Ag的层(任选地在其正上方或与其直接物理接触)的包含Ni、Cr和/或Ti、或它们的氧化物(例如，NiCr、NiCrOx、NiTi、NiTiOx等)的层。在包含ZnOx/Ag/NiCrOx的层叠堆体中，相对较小和氧化的Ni存在表明Ag腐蚀的不同机制，其在名义上不具有界面释放，如由测试和分析所证实的那样，这在视觉上具有显著较少的不理想性。
当置于电解质(例如，盐加H2O)中时，分开的Ag层堆叠体(例如，在使用相同的金属结构材料但在空间上与电活性的电介质分开)可由于双轴应力变为界面应力而产生电势差；金属颗粒组合物；缺陷、刮痕、螺纹等；电介质、层压的PVB或其他材料等中的电解质梯度；等等。
在所谓的双银低E产品中，两个银层中的一个可相对于另一个优先开始腐蚀，这由用作极化层的电活性电介质中的电解质梯度介导。这与电池由于化学势不平衡而建立电压差类似。Ag层中的一者相对于叠堆体的其余部分变为阳极，并且另一层Ag将优先腐蚀。然而，在此，这种行为在电介质完整性受损并且水蒸气可进入层中的情况下发生。因此，水蒸气传输速率(WVTR)可成为重要参数。电化学模型预测，如果不具有电离水分侵入，则腐蚀前沿应当不移动。
在相关方面，腐蚀的电化学模型作出可用于未来设计的一些其他预测，即Ag与NiCr的厚度比也影响腐蚀倾向。令人惊讶的是，建模还预测玻璃的离子电导率/极化可有助于减少腐蚀。因此，较薄的垫层或离子垫层应有助于减少腐蚀。
为了帮助评估模型，考虑图3，其为示例性低E层堆叠体布置的剖视图。如图3所示，基底300支撑第一含硅层302a(例如，包含硅及其氧化物和/或氮化物的层)；包含Ni、Cr和/或Ti的第一层304a(其可以或可以不被氧化)；包含银的层306；包含Ni、Cr和/或Ti的第二层304b(其可以或可以不被氧化)；以及第二含硅层302b(例如，包含硅及其氧化物和/或氮化物的层)。以下三个示例性层厚度对应于具有不同视觉外观和/或低-E以及其他性能的层：
实施例1
层 优选的厚度(nm) 更优选的厚度(nm) 示例性厚度(nm)
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>(302b) 385–525 405–505 455
NiCr(304b) 20-30 22-28 25
Ag(306) 95-135 100-130 115
NiCr(304a) 30-50 35-45 40
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>(302a) 110-150 115-145 130
玻璃(300) N/A N/A N/A
实施例2
层 优选的厚度(nm) 更优选的厚度(nm) 示例性厚度(nm)
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>(302b) 435–595 460–570 515
NiCr(304b) 25-35 27-33 30
Ag(306) 105-145 110-140 125
NiCr(304a) 20-30 22-28 25
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>(302a) 235-325 250-310 280
玻璃(300) N/A N/A N/A
实施例3
层 优选的厚度(nm) 更优选的厚度(nm) 示例性厚度(nm)
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>(302b) 360-490 380-470 425
NiCr(304b) 30-50 35-45 40
Ag(306) 55-75 58-72 65
NiCr(304a) 35-55 40-50 45
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>(302a) 260-360 280-340 310
玻璃(300) N/A N/A N/A
考虑到上述三个实施例，实施例3具有厚度内涂层(例如，包含Si3N4的层302a)，并且其似乎具有最大的腐蚀倾向。实施例1具有最薄的内涂层(例如，包含Si3N4的层302a)，并且其似乎具有最小的腐蚀倾向。然而，关于为什么遇到这些现象，还存在附加的或另选的假设。首先，实施例3中的内涂层(例如，包含Si3N4的层302a)可能可以比其他涂层中的对应层更粗糙，这潜在地由其更大的厚度所导致，并且潜在地导致更差的界面粘附性，并且继而导致更容易腐蚀。其次，实施例3内涂层(例如，包含Si3N4的层302a)中可具有更大的拉伸强度。TEM成像和/或其他测试可有助于评估前者，并且实现相同总厚度的应力改性层沉积可有助于评估后者。然而，如上文所提出的，这些假设可能可单独或共同地起作用，以说明腐蚀的相对容易性。在任何情况下，不考虑起作用的精确腐蚀促进机制，本文所示的示例技术对减慢并潜在地消除腐蚀的发生起作用。
就这一点而言，因为必须进行阴极和阳极步骤才能发生腐蚀，因此防止任一者都应当阻止腐蚀。可能可通过用防潮层或其他保护性涂层涂覆物体来阻止这两个过程。然而，即使这样做，也可能存在阻隔件破裂或不透过的位置，尤其是在结构中存在孔时。更复杂的方法是对金属施加轻微的负电荷，从而使M→M2++2e-反应更难以发生。如果膜被封装成使得自膜的周边和中心存在湿度和氧的梯度，则更巧妙的方法涉及引入有助于建立极大的极化电阻的等电位划线。在本发明的不同示例性实施方案中，这些方法可以任何合适的组合使用。
就这后者而言，结合1064nm的二极管光纤激光器并且在各种玻璃厚度内进行激光划线实验。X-Y扫描仪在基底上帮助引导激光，从而产生局部分离的点或其中使用重叠点的连续线。使用与预定间隙垫片耦合的激光头中的光学器件来调节聚焦平面和光束直径(例如，涂层深度处的光束尺寸)。在这些经验中，假定基底在1064nm下是透明的或至少基本上透明的(例如，至少85％透射，更优选地至少90％透射，并且还更优选地至少95％或更大的透射或)，并且激光的耦合靶向涂层。
图4为可与某些示例性实施方案结合使用的激光划线装置的示意图。该装置包括位于平台404和柱406顶部的激光器402。平台可经由X0Y移动台408a在X-Y方向上移动，并且经由Z移动台408b在Z方向上移动。X-Y移动台408a和Z移动台408b两者均可为计算机可控的，例如以将从激光器402发出的光相对于开槽样品台410和其上的基底412聚焦。来自激光器402的输出沿固定长度的管朝向第一光学器件416a引导，所述光学器件使输出沿第二管414b重新定向。聚焦和/或其他光学器件416b将来自激光器402的输出通过喷嘴414c并朝向开槽样品台410和其上的基底412聚集。提供冷却剂射流418以帮助冷却基底412和/或其组件(例如，其中或其上的涂层、层压材料等)。
可通过调节扫描速度、脉冲频率/占空比和/或二极管输出功率来控制激光器。也可考虑到聚焦深度。可使用上述结构(例如，光学器件、台等)来调节这些和/或其他参数。扫描速度可在250-2000mm/s，更优选地500-1000mm/s的范围内。在某些示例性实施方案中，离散的“低”和“高”扫描速度可分别在例如500mm/s和100mm/s下操作。脉冲频率可在10-240kHz，更优选地为20-160kHz，并且还更优选地为40-80kHz的范围内。可与某些示例性实施方案结合使用的离散的“低”、“中”和“高”脉冲频率分别为40kHz、60kHz和80kHz。对于3-4mm的顶部玻璃基底厚度(例如，最靠近激光源的玻璃基底)，可使用50-250uJ，更优选地75-200uJ，并且还更优选地75-150uJ的二极管激光功率。此外，可使用20-500μm，更优选地20-250μm，并且还更优选地50-150μm的光束直径或主距离。例如，光束半径可经由激光输出上的光学器件进行调节，以具有这些和/或其他特性。在某些示例性实施方案中，递送为或正好约100uJ(例如，100-115uJ)的激光功率脉冲的约100um的光束直径对于4mm玻璃而言可以是特别有利的。为了优化或改善具体涂层的划线工艺，可调节激光功率和脉冲频率以提供这些值作为近似中心点。1-24英寸，有时甚至更短或更长的划线长度是可能的，其中12英寸的划线长度是已被发现与某些示例性实施方案一起使用的一个示例。作为一个示例，已经发现在1064nm激光器的80W电源的5-15％下操作足以用于某些示例实施方案。
在不同的示例性实施方案中，聚焦的深度可改变以靶向涂层的顶部、涂层的底部或涂层的金属层。
在某些示例性实施方案中，脉冲能量和移动可用于产生划线点重叠。就这一点而言，图5示出了用1064nm纳秒脉冲激光器获得的划线，其可结合某些示例性实施方案使用。在图5中，使用20-80kHz频率下的100uJ脉冲，其中激光器光束直径为约100um。从左到右移动的线示出增加的点重叠的效果。可以看出，电导率随进一步重叠而减小。在某些示例性实施方案中，可使用多遍划线(例如，用两条或更多条线在彼此的顶部划线)。在某些示例性实施方案中，划线宽度优选地将为至少100-300μm，但500-800μm划线宽度将是更优选的。在某些示例性实施方案中，一条、两条、三条或更多条大致彼此平行的划线线可有利地用于形成连续的电子传输阻隔区域。在某些示例性实施例方案，可使用一种或多种线、点或其他激光类型来形成划线。在某些示例性实施方案中，例如基于它们直接靶向线的能力，线型激光器可以是特别有利的。应当理解，在不同示例性实施方案中，重叠可与线、点和/或其他激光类型一起使用。
图6为示出如何根据某些示例性实施方案对层压制品进行激光划线的第一示例性设置，图7为示出如何根据某些示例性实施方案对层压制品进行激光划线的第二示例性设置。图6和7包括类似于图1所示并且结合图1所述的层压产品。即，在图6和图7中，第一基底602a和第二基底602b使用层压材料/夹层604(其可以为PVB、EVA、PET、PU等)层压在一起。第一基底602a承载涂层606(例如，来自图3实施例的涂层，另一涂层如本文所述，或一些其他的具有金属层或类金属层并且易于腐蚀的涂层)。
如图6所示，来自激光源的能量610聚焦于涂层606上并耦合到其中的金属和/或类金属层中。如图7所示，来自激光源的能量710a被重新定向并且借助于附加光学器件712聚焦于涂层606上。重性定向和聚焦的能量710b耦合到图7实施例中的金属层和/或类金属层中。与图6相比，除了图7中存在附加的光学期间712之外，图6和图7在它们相对于激光源(未示出)的取向方面彼此不同。即，涂层606比图6中的层压层604更靠近激光源，然而涂层606比图7中的层压层604更远离激光源。应当注意，某些示例性实施方案可以使用附加光学器件，不管涂层和层压材料相对于激光源的位置。
某些示例性实施方案可实施在烧蚀方法，其在深度方面是选择性的和“自调节”的，例如，由于堆叠体中涉及的基底和层的吸收、热力学特性的差异等。自调节方法的一个示例将涉及使用(例如)在不被下面层和覆盖层(其在图3实施例中为包含氮化硅的层)吸收并且不被基底吸收的波长下操作的二极管激光器，从图3示例性涂层中移除包含Ag和NiCr的层以及夹层。
然而，一个挑战涉及目标产品具有闭合几何形状的事实，即，存在关于烧蚀材料将去向何处的问题。可以用若干方式中的一种或多种来解决这个问题。例如，可将烧蚀材料汽化，但然后以不导电的方式重新形成(例如，重新沉积)。另选地或除此之外，可允许来自涂层的烧蚀材料溶解到基底自身中，溶解到基底上的一个或多个薄膜层中(例如，图3实施例中包含氮化硅的层302a)等。另选地，或作为另外一种选择，以类似的方式，将烧蚀的材料转移到熔融的或至少软化的层压材料(例如PVB)中，例如通过扩散或溶解于其中。
然而，应当理解，在一些情况下，基底的潜在损坏或甚至烧蚀可能是有问题的，因为其可引起基底与涂层中的金属或类金属层(例如，含硅垫层、底部电介质层等)之间的绝缘层或阻挡层的损坏。因此，某些示例性实施方案可在足以产生热和/或以其他方式使层压材料至少部分地软化的功率水平和占空比操作，使得烧蚀材料具有去处，优选地不对涂层下面的基底造成损坏，并且还优选地不导致涂层中的金属或类金属层与下面的基底之间的阻挡层的移除。就这一点而言，图7取向可相对更容易使用，因为烧蚀层压材料的底部表面导致能量耦合到涂层中并且优先靶向其中的金属或类金属层可以是“更安全的”，例如，从减少或消除阻挡层的暴露和背部接触激光辐射的角度。在某些示例性实施方案中，尽管如此，仍可能期望切穿整个涂层。
如果激光划线的轮廓太尖锐或太参差不齐(即，激光划线轮廓的局部半径曲率太尖锐)，则PVB或层压材料中的切口可能不够宽。这继而将影响极化电阻和串联电阻。可优选不具有尖锐弯曲的直线。在某些示例性实施方案中，拐角因此可使用重叠的直线来处理(例如，在拐角处产生“加号”或“十字”样布置，其使用渐变曲线(例如，其可“转变”多次以确保形成适当的沟槽)等。
已发现，划线和基底边缘之间的距离可对电化学腐蚀是否减慢和/或停止以及多大程度地减慢和停止具有影响。例如，如果基底边缘和划线之间的距离较小，则电化学腐蚀可被减慢但不停止。当其不仅减慢腐蚀，而且还增加腐蚀停止的可能性时，至少3mm，更优选地至少5mm，并且还更优选地至少10mm的距离是有利的。
图8为示出了用于根据某些示例性实施方案，对层压制品进行激光划线的示例性方法的流程图。在步骤S802中，在基底上形成涂层，其中涂层为(例如)包括至少一个金属或类金属层的多层薄膜涂层。在步骤S804中，使用层压材料将其上具有涂层的基底层压到另一基底上。将层压制品暴露于激光源，使得涂层在步骤S806中烧蚀。在步骤S808中提供任选的外密封件，以便进一步保护层压制品。
这样，可以穿过玻璃和层压材料或夹层(诸如PVB等)对涂层进行激光划线/烧蚀，作为模拟边缘去除的一种方式，并且还可形成区域，所述区域用作涂层的边缘和涂层的中心之间的电子传输的阻隔件。通过选择诸如划线宽度、激光功率、占空比、激光波长等的参数，可控制涂层在玻璃、PVB和/或一个或多个其他薄膜涂层的层中的烧蚀和扩散。这样做，可减慢或停止电化学腐蚀。即，涂层可与外部环境电隔离，以减少并有时完全消除有助于涂层的最终电化学腐蚀的杂散泄漏电流。某些示例性实施方案足以提供亚微微A电隔离(例如，小于10微微A，更优选地小于1微微A的电隔离)。即，通过相应地增加串联电阻(Rs)和极化电阻(Rp)，并降低分流电阻，可以使腐蚀速率降低几个数量级。应当注意，本文所述的示例性技术可用于电解耦区域，使得它们之间的DC电阻高于常规电表测量装置的30千欧姆极限，并且因此在某些意义上可视为是无限的。
如上所述，高质量边缘密封剂可用于提供附加的保护，但激光划线至少在一些方面可对风化元件提供更好的不敏感性，例如通过减少并且有时完全消除用于水分可沿其进入并且渗漏电流可存在的环境的界面电流承载元件。即使在存在层压体的情况下，这种改善也是可能的，否则其趋于由于层压体中的水分而使漏电电流增加几个数量级(例如，因为与EVA相比，PVB传输该水分)，并且导致与电化学腐蚀相关的宽范围的寿命限制降解效应。某些示例性实施方案有利地降低了涂层叠堆体的内聚失效的可能性，例如，与阳极金属化溶解和阴极金属化通常主导的潜在差异相关的电化学腐蚀相关。
激光划线有利地将电化学腐蚀路径对环境的内阻升高几个数量级。据估计，在一些情况下，可能实现超过六个数量级的泄漏电流的减小。此外，划线越深和越宽，电阻就可能越高。电隔离还使系统与地面解耦并改变标准电势。某些示例性实施方案的激光划线还有利地影响极化电阻。该值越高，则腐蚀动力学将越慢。另外，某些示例性实施方案的激光划线还可有利地涉及将两个金属化层分流，使得它们的费米能级处于相同的电势。
已结合1064nm激光描述了某些示例性实施方案。已发现1064nm激光是有利的，因为透明玻璃和PVB(以及其他层压材料)对于此类波长基本上是透明的。相比之下，一些较低波长和一些较高波长的激光源可将玻璃加热至过大的程度，这可导致玻璃的裂纹和/或其他损坏。然而，应当注意，在所有应用中并不总是使用透明玻璃。例如，绿色和其他有色玻璃用于美国和世界各地的许多不同产品中，例如，以获得期望的美观影响。在此类情况下，1064nm波长的光可由涂层吸收或以其他方式无效地耦合到涂层，因此，可期望选择不同波长的激光源。例如，对于绿玻璃而言，可能期望540nm或420nm波长的激光。
在某些示例性实施方案中，划线可设置在产品的周边处。因此，安装结构、装饰性细节等可用于遮蔽可能产生的划线的可见伪影。在使用多个划线的示例性实施方案中，较厚划线可更靠近制品的周边使用，然而较薄划线可更靠近制品的中心使用。这样做可有助于确保覆盖美学上更令人不悦的或至少明显的区域。
在某些示例性实施方案中，本文所述的示例性技术可用于在含金属和类金属层的涂层中产生图案，所述图案可通向玻璃外部的连接器。
应当理解，某些示例性实施方案的技术可与手持式或便携式激光源结合使用。手持式或便携式激光源可用于对已安装的、分布的或不适用于在线或制造区域调节的其他产品进行划线，以赋予耐电化学腐蚀特性。手持式或便携式激光源可安装到台或其他阻挡件以有利于在两个方向上的受控移动。可提供测距光学器件，使得源可定位在距产品适当的距离处，以有利于聚焦到待处理的表面或邻近所述待处理的表面。
在这种情况下，以及在其他场景中，某些示例性实施方案还可与一些已经腐蚀的区域结合工作。如将从上文所述理解的，在常见情况下(例如，包括透明玻璃基底、PVB层压材料等)，当在1064nm的波长下操作时，激光的功率将首先被金属和/或类金属层吸收。然后通过声子耦合将该能量传递到PVB或其他层压材料和玻璃。因此，如果在已经腐蚀的区域中进行激光划线，则激光的吸收可能不足够高(因为金属已经腐蚀)以在PVB或其他层压材料(即，电化学腐蚀路径中的电阻)中形成隔离通道。因此，可需要附加的功率。然而，可注意确保实施足够的主动或被动冷却，例如以降低对基底和/或PVB或其他层压材料的相邻区域的不期望的损坏的可能性。
另外，在腐蚀区域中激光划线可不提供等电势区域。换句话讲，在激光划线的腐蚀区域中仍可存在电压差，但这可能不足以进一步驱动腐蚀前沿。在一些情况下，可进一步驱动腐蚀前沿，尽管速率非常慢。
因此，应当理解，在至少一些情况下，在已经腐蚀的区域中进行划线是可能的。然而，这样做的功效可以有所不同。
尽管已将某些示例实施方案描述为与已经组装的层压制品有关，但应当理解，本文所公开的划线技术可以与预层压组件结合使用，并且此外，还可与可结合到除层压产品之外的产品中的涂覆制品结合使用。例如，本文所公开的划线技术可与以下物质结合使用：涂覆制品，与边缘密封件结合的绝缘玻璃单元(IG单元)，其中基本上平行的间隔开的第一基底和第二基底分隔开，所述边缘密封件在两者间限定间隙(所述间隙可填充有空气和/或惰性气体诸如Ar、Kr、Xe等)，与边缘密封件和多个垫片结合的真空绝缘玻璃(VIG单元)，其中基本上平行的间隔开的第一基底和第二基底分隔开，所述边缘密封件和多个垫片具有为抽真空中小于大气压的间隙等。
就这一点而言，图9为可具有根据某些示例性实施方案激光烧蚀的涂层的示例性IG单元900的剖视图，并且图10为示出用于根据某些示例性实施方案的对IG单元进行激光划线的示例性方法的流程图。图9与图1和6-7类似，并且图10与图8类似，不同的是图9-10涉及用于IG单元的技术，然而图1、6-7和9涉及用于层压产品的技术。在任何情况下，更具体地参见图9-10，为IG单元900提供了第一基底902a和第二基底902b。多层薄膜涂层906(其可包括一个或多个含金属层(例如，与低E或其他涂层结合)形成于第一基底902a上(图10中的步骤S1002)。第一基底902a和第二基底902b使用周边边缘垫片910连接在一起(图10中的步骤S1004)并且至少部分地形成间隙904。将IG单元900暴露于激光源，使得涂层906被烧蚀(图10中的步骤S1006)。激光源可第二基底902b上方取向，例如，以便减小损坏第一基底902a的表面的可能性。提供任选的外密封件908(图10中的步骤S1008)，以便进一步保护IG单元900。
应当注意，某些示例性实施方案本质上可有助于“加强”涂层和/或产品，从而使其不易受腐蚀影响，但不完全划线。例如，如果以使得划线不发生而是将激光功率耦合到涂层中的方式控制激光功率，则可改变含金属层，使得薄层电阻下降。这种类型的薄层电阻减小可不产生完全电隔离的区域，但含金属层和/或涂层整体的薄层电阻减小可延迟腐蚀前沿的推进等。
如本文所用，除非明确说明，否则术语“在……上”、“由……支撑”等不应解释为意指两个元件彼此直接邻近。换句话讲，即使在它们之间存在一个或多个层，也可以说第一层在“第二层”上或“由第二层支撑”。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备IG单元的方法。中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的基本上平行间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底。在所述第一基底和所述第二基底之间限定间隙。第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层。所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。通过在制备IG单元时使中间产品暴露于激光源而在涂层中激光划出线，其中所述线形成在其相对侧之间的电子传输的阻隔件。
除了前述段落的特征之外，在某些示例性实施方案中，激光源可以为1064nm激光源。
除了前述两个段落中任一个的特征之外，在某些示例性实施方案中，激光源可在第二基底为至少90％透射的波长下操作。
除了前述三个段落中任一个的特征之外，在某些示例性实施方案中，涂层可以为低辐射率涂层，包括包含Ag的层。例如，可形成涂层：(a)以便包括至少一个包含Ni、Cr和/或Ti的层，所述至少一个包含Ni、Cr和/或Ti的层形成于包含Ag的层上并且与所述包含Ag的层物理接触；(b)使得包含Ag的层被夹在包含Ni、Cr和/或Ti的所述第一层和所述第二层之间并且与包含Ni、Cr和/或Ti的第一层和第二层直接物理接触；和/或(c)使得所述包含Ag的层形成于包含氧化锌的层上并且与所述包含氧化锌的层直接物理接触。
除了前述四个段落中任一个的特征之外，在某些示例性实施方案中，可执行激光划线(a)以完全溶解邻近所述线的涂层；(b)以溶解邻近所述线的仅一部分涂层；或(c)以溶解邻近所述线的至少一部分涂层，将来自涂层的溶解部分的材料重新沉积，使得其不导电。
除了前述五个段落中任一个的特征之外，在某些示例性实施方案中，所述涂层可包括在第一玻璃基底正上方的底部电介质层，并且可执行激光划线以溶解涂层的包括至少一个含金属层但不包括底部电介质层的部分。例如，在某些示例性实施方案中，涂层的溶解部分可至少部分地溶解到底部电介质层中。
除了前述六个段落中任一个的特征之外，在某些示例性实施方案中，可控制由激光划线产生的热，以避免损坏在其上形成所述涂层的基底的表面。例如，在某些示例性实施方案中，激光划线可中断，并且中间产品可在中断期间冷却和/或允许冷却，以便有助于控制所产生的热；除此之外或另选地，例如，在某些示例性实施方案中，可控制激光源的占空比和/或操作功率以便有助于控制所产生的热。
除了前述七个段落中任一个所述的特征之外，在某些示例性实施方案中，所述线可具有至少100um至800um的宽度。
除了前述八个段落中任一个所述的特征之外，在某些示例性实施方案中，所述线可围绕所述中间制品的周边形成，例如，其中所述阻隔件围绕所述中间制品的周边限定。
除了前述九个段落中任一个所述的特征之外，在某些示例性实施方案中，激光划线可与激光源的多次重叠扫描结合实施。
除了前述10个段落中任一个所述的特征之外，在某些示例性实施方案中，可执行激光划线以产生亚10微微A的电隔离阻隔件。
除了前述11个段落中任一个所述的特征之外，在某些示例性实施方案中，第二基底可在激光划线期间比第一基底更靠近激光源取向。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备IG单元的方法。在第一玻璃基底上，形成多层薄膜涂层，其中所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。将第一玻璃基底连接到第二玻璃基底，所述第二玻璃基底与周边边缘垫片连接，使得所述涂层在所述第一基底和所述第二基底之间取向，并且使得所述第一基底和所述第二基底彼此基本上平行并且间隔开。在连接之后，在制备IG单元时，围绕所述涂层的周边激光划出边界线。激光划线至少部分地溶解邻近所述边界线的所述涂层，并且通过电隔离所述边界线内部的所述涂层而增加所述边界线内部的所述涂层的耐电化学腐蚀性。借助于所述激光划线来至少溶解所述至少一个含金属层，使得相关的烧蚀材料(a)以非导电方式重新形成，和/或(b)溶解和/或扩散到所述第一基底和/或所述多层薄膜涂层的至少一个其他层中。
在某些示例性实施方案中，提供了IG单元。第一玻璃基底支撑多层薄膜涂层，其中所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。第二玻璃基底基本上平行于所述第一玻璃基底并且与所述第一玻璃基底间隔开，其中所述涂层在所述第一基底和所述第二基底之间取向。包括边缘密封件。在所述第一基底和所述第二基底已连接在一起之后，形成围绕涂层周边的激光划出的边界。至少邻近所述边界的所述涂层的所述至少一个含金属层借助于所述激光划线来溶解。借助于激光划线，来自涂层的溶解的材料(a)掺入到所述第一基底和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)烧蚀和/或汽化以便以非导电方式重新形成。边界具有足以将所述边界内部的区域与所述边界外部的区域电隔离至足以至少延迟所述边界内部的所述区域中的电化学腐蚀的程度的宽度和深度。
除了前述段落的特征之外，在某些示例性实施方案中，所述玻璃基底可以为透明玻璃基底，和/或所述涂层可以为低E涂层，例如包括至少一个包含Ag的层。
在某些示例性实施方案中，提供了一种用于制备IG单元的套件。该套件包括激光源和中间产品。所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的基本上平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一基底和所述第二基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀。激光源是可控的，以通过在制备IG单元时使中间产品暴露于激光源而在所述涂层中激光划出线，其中所述线形成其相对侧之间的电子传输的阻隔件。
除前述段落所述的特征之外，在某些示例性实施方案中，激光源可以为便携式的。
在某些示例性实施方案中，提供了一种制备IG单元的方法，其中所述方法包括：取得中间产品，所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的和基本上平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一基底和所述第二基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层；并且通过在制备所述IG单元时使所述中间产品暴露于来自激光源的激光而将能量耦合到所述涂层中，所述激光源在所述第二玻璃基底是基本上透射的波长下操作，所述能量耦合到所述涂层中并且所述激光源被控制以便选择性地导致所述涂层的至少一部分以期望的图案(a)溶解于所述第一基底和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)汽化和以不导电的方式重新形成，所述期望的图案限定至少第一区域和第二区域，并且被成形为足以将所述第一区域和所述第二区域彼此电隔离的宽度和深度，所述电隔离处于足以至少基本上延迟所述第一区域中的电化学腐蚀的程度。
虽然已经结合目前被认为是最实用和优选的实施方案描述了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的实施方案，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求的实质和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (24)

1.一种制备绝缘玻璃单元的方法，所述方法包括：
取得中间产品，所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀，所述涂层还包括在所述第一玻璃基底正上方的底部电介质层；以及
通过在制备所述绝缘玻璃单元时使所述中间产品暴露于激光源而在所述涂层中激光刻划线，所述线形成其相对侧之间的电子传输的阻隔件，
其中所述激光刻划溶解所述涂层的包括所述至少一个含金属层但不包括所述底部电介质层的部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光源为1064nm激光源。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述第二玻璃基底为至少90％透射的波长下操作所述激光源。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层为包括包含Ag的层的低辐射率涂层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述涂层包括至少一个包含Ni、Cr和/或Ti的层，所述至少一个包含Ni、Cr和/或Ti的层形成于所述包含Ag的层上并且与所述包含Ag的层物理接触。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述包含Ag的层被夹在包含Ni、Cr和/或Ti的第一层和第二层之间并且与包含Ni、Cr和/或Ti的第一层和第二层直接物理接触。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述包含Ag的层形成于包含氧化锌的层上并且与包含氧化锌的层直接物理接触。
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括执行所述激光刻划以溶解邻近所述线的仅一部分所述涂层。
9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括执行所述激光刻划以溶解邻近所述线的至少一部分所述涂层，将来自所述涂层的溶解部分的材料重新沉积，使得其不导电。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层的溶解部分至少部分地溶解于所述底部电介质层中。
11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括控制由激光刻划产生的热，以避免损坏在其上形成所述涂层的玻璃基底的表面。
12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括中断所述激光刻划和冷却所述中间产品和/或使所述中间产品在所述中断期间冷却，以便有助于控制所产生的热。
13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括控制所述激光源的占空比和/或操作功率以便有助于控制所产生的热。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述线具有至少100um至800um的宽度。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述线围绕中间制品的周边形成，所述阻隔件围绕所述中间制品的周边限定。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光刻划结合所述激光源的多次重叠扫描来实施。
17.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述激光刻划以产生亚10微微A的电隔离阻隔件。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中在所述激光刻划期间，所述第二玻璃基底比第一玻璃基底更靠近激光源取向。
19.一种制备绝缘玻璃单元的方法，所述方法包括：
在第一玻璃基底上形成多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀，所述涂层还包括在所述第一玻璃基底正上方的底部电介质层；
将所述第一玻璃基底连接到第二玻璃基底，所述第二玻璃基底与周边边缘垫片连接，使得所述涂层在所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底之间取向，并且使得所述第一基底和所述第二基底彼此平行并且间隔开；以及
在所述连接之后，在制备所述绝缘玻璃单元时，激光刻划围绕所述涂层的周边的边界线，所述激光刻划至少部分地溶解邻近所述边界线的所述涂层，并且通过电隔离所述边界线内部的所述涂层而增加所述边界线内部的所述涂层的耐电化学腐蚀性，
其中借助于所述激光刻划来至少溶解所述至少一个含金属层，但不包括所述底部电介质层，使得相关的烧蚀材料(a)以非导电方式重新形成，和/或(b)溶解和/或扩散到所述第一玻璃基底和/或所述多层薄膜涂层的至少一个其他层中。
20.一种绝缘玻璃单元，所述绝缘玻璃单元包括：
第一玻璃基底，所述第一玻璃基底支撑多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀，所述涂层还包括在所述第一玻璃基底正上方的底部电介质层；
第二玻璃基底，所述第二玻璃基底平行于所述第一玻璃基底并且与所述第一玻璃基底间隔开，所述涂层在所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底之间取向；
封边；以及
在所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底已连接在一起之后形成的围绕所述涂层的周边的激光刻划的边界，
其中至少邻近所述边界的所述涂层的所述至少一个含金属层，但不包括所述底部电介质层，借助于所述激光刻划而溶解，
其中借助于所述激光刻划，来自所述涂层的溶解的材料(a)掺入到所述第一玻璃基底和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)烧蚀和/或汽化以便以非导电方式重新形成，并且
其中所述边界具有足以将所述边界内部的区域与所述边界外部的区域电隔离至足以至少延迟所述边界内部的区域中的电化学腐蚀的程度的宽度和深度。
21.根据权利要求20所述的绝缘玻璃单元，其中：
所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底为透明玻璃基底，并且
所述涂层为包括至少一个包含Ag的层的低E涂层。
22.一种用于制备绝缘玻璃单元的套件，所述套件包括：
激光源；以及
中间产品，所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层并且易于腐蚀，所述涂层还包括在所述第一玻璃基底正上方的底部电介质层；
其中所述激光源是可控的，以通过在制备所述绝缘玻璃单元时使所述中间产品暴露于激光源而在所述涂层中激光刻划线，所述线形成其相对侧之间的电子传输的阻隔件，并且
其中所述激光刻划溶解所述涂层的包括所述至少一个含金属层但不包括所述底部电介质层的部分。
23.根据权利要求22所述的套件，其中所述激光源是便携式的。
24.一种制备绝缘玻璃单元的方法，所述方法包括：
取得中间产品，所述中间产品包括与周边边缘垫片连接在一起的平行的间隔开的第一玻璃基底和第二玻璃基底，在所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底之间限定间隙，所述第一玻璃基底具有形成于其上的多层薄膜涂层，所述涂层包括至少一个含金属层，所述涂层还包括在所述第一玻璃基底正上方的底部电介质层；以及
通过在制备所述绝缘玻璃单元时使所述中间产品暴露于来自激光源的激光而将能量耦合到所述涂层中，所述激光源在所述第二玻璃基底是透射的波长下操作，所述能量耦合到所述涂层中并且所述激光源被控制以便选择性地导致所述涂层的至少一部分以期望的图案(a)溶解于所述第一玻璃基底和/或所述涂层的垫层中，和/或(b)汽化和以不导电的方式重新形成，所述期望的图案限定至少第一区域和第二区域，并且被成形为足以将所述第一区域和所述第二区域彼此电隔离的宽度和深度，所述电隔离处于足以延迟所述第一区域中的电化学腐蚀的程度，其中所述激光刻划溶解所述涂层的包括所述至少一个含金属层但不包括所述底部电介质层的部分。
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