CN110828319B - 集成电路封装外壳封口环制备方法 - Google Patents
集成电路封装外壳封口环制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110828319B CN110828319B CN201911256928.5A CN201911256928A CN110828319B CN 110828319 B CN110828319 B CN 110828319B CN 201911256928 A CN201911256928 A CN 201911256928A CN 110828319 B CN110828319 B CN 110828319B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sealing ring
- film
- protective film
- stamping
- processing sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 11
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 8
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical group [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCS([O-])(=O)=O DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种集成电路封装外壳封口环制备方法,所述方法包括:(1)表面覆膜:将金属透明保护膜覆盖在清洁后的加工片上;(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;(3)脱膜:将带保护膜的封口环在混合溶剂中浸泡、干燥处理后得到表面光滑平整的封口环。采用该方法时,冲压过程中产生的毛刺直接产生在覆膜封口环的保护膜外侧,在脱膜过程中也能将毛刺一并除去,使得封口环表面光滑平整,无需人工逐一打磨毛刺表面,不仅节约了人力还提高了效率。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路封装外壳技术领域,尤其涉及一种集成电路封装外壳封口环制备方法。
背景技术
在集成电路封装外壳的生产过程中,通常会用到封口环,例如,在陶瓷封装外壳的生产过程中,通常会将封口环设置于多层陶瓷片层叠而成的陶瓷外壳的容纳腔的口部,而封口环表面的平整度对集成电路的性能有很大影响,因此,需要保证封口环表面光滑平整。
相关技术中,封口环通过冲压件进行冲压后得到,由于冲压件的冲压力较大,会导致封口环的表面出现毛刺,此时,通常会采用大量的人工进行磨毛刺后处理的方式,耗时耗力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种集成电路封装外壳封口环制备方法,利用该方便能够直接制备得到表面光滑平整封口环。
为解决上述问题,本发明所采取的技术方案是:
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在混合溶剂中浸泡、干燥处理后得到表面光滑平整的封口环。
作为本发明的进一步改进,所述的集成电路封装外壳封口环制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的金属透明保护膜为PE膜。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)使用混合溶剂对带保护膜的封口环浸泡6h。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)使用风机进行干燥处理,风机干燥时间为0.7h。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)混合溶剂为95%的乙醇溶液。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)混合溶剂包括7-8体积份95%的乙醇溶液和1-2体积份的表面活性剂水溶液。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)混合溶剂包括8体积份95%的乙醇溶液和1体积份的表面活性剂水溶液。
作为本发明的进一步改进,所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠,水溶液的浓度为40-60%。
作为本发明的进一步改进,所述方法包括:
(1)表面覆膜:利用覆膜机将金属透明保护膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在8体积份95%的乙醇溶液和1体积份的表面活性剂水溶液的混合溶剂中浸泡6h、使用风机吹膜0.7h后得到表面光滑平整的封口环。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
本发明所提供的一种集成电路封装外壳封口环制备方法,依次通过表面覆膜、冲压成型和脱膜工序后,直接得到了表面光滑平整的封口环。
(1)冲压过程中产生的毛刺直接产生在覆膜封口环的保护膜外侧,在脱膜过程中也能将毛刺一并除去。
(2)直接得到了表面光滑平整的封口环,无需人工逐一打磨毛刺表面,不仅节约了人力还提高了效率。
(3)当采用风机干燥的方式时,不仅可以加快干燥过程,还可以利用风机吹出的风加快保护膜与封口环分离的过程。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合具体实施例对发明进行清楚、完整的描述。
实施例1:
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在95%的乙醇溶液中浸泡8h,干燥后利用风机吹膜0.5h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该实施例1的脱膜率为:95%。封口环的合格成品率为100%。
实施例2:
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在7体积份95%的乙醇溶液和2体积份浓度为45%的十二烷基硫酸钠水溶液中浸泡12h,干燥后利用风机吹膜0.8h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该实施例2的脱膜率为:96%。封口环的合格成品率为100%。
实施例3:
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在在8体积份95%的乙醇溶液和1体积份浓度为45%的十二烷基硫酸钠水溶液中浸泡6h,干燥后利用风机吹膜0.7h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该实施例3的脱膜率为:98%。封口环的合格成品率为100%。
对比例1
对比例1-1
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在水中浸泡8h,干燥后利用风机吹膜0.5h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该对比例1-1的脱膜率为:10%。封口环的合格成品率为100%。
对比例1-2
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在丙酮溶液中浸泡8h,干燥后利用风机吹膜0.5h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该对比例1-2的脱膜率为:30%。封口环的合格成品率为100%。
对比例1-3
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在浓度为50%的十二烷基硫酸钠水溶液中浸泡12h,干燥后利用风机吹膜0.8h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该对比例1-3的脱膜率为:50%。封口环的合格成品率为100%。
对比例1-4
一种集成电路封装外壳封口环制备方法,该方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在8%十二烷基磺酸硫酸钠水溶液中浸泡12h,干燥后利用风机吹膜0.8h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该对比例1-4的脱膜率为:12%。封口环的合格成品率为100%。
对比例2 表面活性剂水溶液不同比例,乙醇不同浓度。
对比例2-1
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在1体积份95%的乙醇溶液和4体积份浓度为45%的十二烷基磺酸硫酸钠水溶液中浸泡12h,干燥后利用风机吹膜0.8h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该对比例2-1的脱膜率为:65%。封口环的合格成品率为100%。
对比例2-2
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜PE膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在8体积份30%的乙醇溶液和1体积份浓度为45%的十二烷基磺酸硫酸钠混合溶液中浸泡6h,干燥后利用风机吹膜0.7h,得到表面光滑平整的封口环。
脱膜后,得到该对比例2-2的脱膜率为:71%。封口环的合格成品率为100%。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。
Claims (2)
1.一种集成电路封装外壳封口环制备方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)表面覆膜:将金属透明保护膜覆盖在清洁后的加工片上,所述金属透明保护膜为PE膜;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在7-8体积份95%的乙醇溶液和1-2体积份的表面活性剂水溶液的混合溶剂中浸泡6h、使用风机干燥处理0.7h后得到表面光滑平整的封口环,所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠,水溶液的浓度为40-60%。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装外壳封口环制备方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)表面覆膜:利用覆膜机将金属透明保护膜覆盖在清洁后的加工片上;
(2)冲压成型:对表面覆膜的加工片进行冲压,得到带保护膜的封口环;
(3)脱膜:将带保护膜的封口环在8体积份95%的乙醇溶液和1体积份的表面活性剂水溶液的混合溶剂中浸泡6h、使用风机吹膜0.7h后得到表面光滑平整的封口环。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911256928.5A CN110828319B (zh) | 2019-12-10 | 2019-12-10 | 集成电路封装外壳封口环制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911256928.5A CN110828319B (zh) | 2019-12-10 | 2019-12-10 | 集成电路封装外壳封口环制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110828319A CN110828319A (zh) | 2020-02-21 |
CN110828319B true CN110828319B (zh) | 2021-08-31 |
Family
ID=69544351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911256928.5A Active CN110828319B (zh) | 2019-12-10 | 2019-12-10 | 集成电路封装外壳封口环制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110828319B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101556939A (zh) * | 2009-05-19 | 2009-10-14 | 珠海粤科京华电子陶瓷有限公司 | 陶瓷封装基座及其制备方法 |
CN201904339U (zh) * | 2011-01-06 | 2011-07-20 | 浙江贝力生科技有限公司 | 有机发光显示器密封盖板蚀刻封装用电路基板 |
CN103305138A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 日东电工株式会社 | 树脂密封用压敏粘合带和树脂密封型半导体器件的生产方法 |
CN106929874A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-07-07 | 东台立讯精密电子技术有限公司 | 铝材冲压保护膜脱膜药水及脱膜方法 |
-
2019
- 2019-12-10 CN CN201911256928.5A patent/CN110828319B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101556939A (zh) * | 2009-05-19 | 2009-10-14 | 珠海粤科京华电子陶瓷有限公司 | 陶瓷封装基座及其制备方法 |
CN201904339U (zh) * | 2011-01-06 | 2011-07-20 | 浙江贝力生科技有限公司 | 有机发光显示器密封盖板蚀刻封装用电路基板 |
CN103305138A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 日东电工株式会社 | 树脂密封用压敏粘合带和树脂密封型半导体器件的生产方法 |
CN106929874A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-07-07 | 东台立讯精密电子技术有限公司 | 铝材冲压保护膜脱膜药水及脱膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110828319A (zh) | 2020-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106119977B (zh) | 单晶硅片制绒添加剂及应用 | |
CN106629738B (zh) | 一种从晶体硅太阳能板中提取银的方法 | |
US20090056740A1 (en) | Method for cleaning aluminum articles | |
CN109504157B (zh) | 一种碱性脱墨剂和治具上油墨的脱除工艺 | |
CN110828319B (zh) | 集成电路封装外壳封口环制备方法 | |
CN204892918U (zh) | 新型节能脱芯釜 | |
CN112367420A (zh) | 一种3d蚀刻手机前、后盖蚀刻的加工工艺 | |
CN102728573A (zh) | 一种晶体硅rie制绒表面损伤层的清洗工艺 | |
CN111702351A (zh) | 一种基于陶瓷型芯的涡轮叶片气膜孔一体化制造方法 | |
CN110814245B (zh) | 一种铝合金锻件的锻造方法 | |
CN108220945A (zh) | 一种铝合金工件发黑处理方法 | |
CN106011993A (zh) | 一种电解去溢料溶液及其制备方法 | |
CN105215276A (zh) | 一种陶瓷芯熔模铸造方法 | |
CN110265296B (zh) | 一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法 | |
TWI577805B (zh) | 微米與次微米級銅粉之製作方法 | |
CN111390143B (zh) | 一种航空发动机钛合金铸件内的陶瓷型芯的常压脱除方法 | |
CN108971772B (zh) | 一种激光光学玻璃切割的裂片工艺 | |
CN205436871U (zh) | 一种端子防伤落料装置 | |
KR102271746B1 (ko) | 저농도 알칼리 용액에서의 초음파 침지 세척 및 고온 건조에 의한 타이타늄 스크랩 전처리 방법 | |
CN208214499U (zh) | 一种铜带去毛刺装置 | |
CN111341997B (zh) | 石墨烯膜电极制备方法 | |
CN110071258A (zh) | 一种电池极片的高效制片工艺 | |
CN103413991A (zh) | 一种利用废极片制造锂离子电池的方法 | |
CN211330935U (zh) | 一种冲孔模具 | |
CN106541026B (zh) | 一种用于加工带内框零件的五金模具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Preparation method of sealing ring for integrated circuit packaging shell Granted publication date: 20210831 Pledgee: Bank of China Limited Shijiazhuang Branch Pledgor: Shijiazhuang Hengrong Shitong Electronic Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2024980037877 |
|
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |