CN110824333B - 嵌入式测试电路及其方法 - Google Patents

嵌入式测试电路及其方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110824333B
CN110824333B CN201910751885.1A CN201910751885A CN110824333B CN 110824333 B CN110824333 B CN 110824333B CN 201910751885 A CN201910751885 A CN 201910751885A CN 110824333 B CN110824333 B CN 110824333B
Authority
CN
China
Prior art keywords
output
circuit
path
output path
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910751885.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110824333A (zh
Inventor
斯特凡·达米安·图瑞斯
比拉玛·贡巴拉
克里斯蒂安·帕瓦奥莫雷拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP USA Inc
Original Assignee
NXP USA Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NXP USA Inc filed Critical NXP USA Inc
Publication of CN110824333A publication Critical patent/CN110824333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110824333B publication Critical patent/CN110824333B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2822—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2853—Electrical testing of internal connections or -isolation, e.g. latch-up or chip-to-lead connections
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/281—Specific types of tests or tests for a specific type of fault, e.g. thermal mapping, shorts testing
    • G01R31/2812—Checking for open circuits or shorts, e.g. solder bridges; Testing conductivity, resistivity or impedance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/54—Testing for continuity
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/09—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/426—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising circuitry for protection against overload
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/465—Power sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45374—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more discrete resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，包括：放大器，具有第一输入路径和第二输入路径以及第一输出路径和第二输出路径；第一功率检测器，耦合到第一输出路径或第二输出路径中的一个；至少一个连接，在第一输出路径和第二输出路径与外部电路之间，将输出连接到外部电路的射频合路器；至少一个停用电路，耦合到第一输出路径和第二输出路径中的至少一个或第一输入路径和第二输入路径中的至少一个，随后路径到达功率检测器；用于停用输入或输出中的一个；其中当输入路径或输出路径停用并且沿启用的输出路径输出信号时，在停用的输出路径上的功率检测器能够检测在至少一个连接中是否存在故障。

Description

嵌入式测试电路及其方法
技术领域
本发明的领域涉及电路和用于检测集成电路键合中的故障的方法，例如，集成电路装置中的球形键合。
背景技术
在例如汽车雷达的应用中，安全性是系统的关键要求。不运作的雷达可引起严重的事故。可能的故障中的一个是封装球和/或焊接点破裂。如果存在破裂，那么需要对破裂进行检测，因此可以作出是否停用总体系统的决策。故障检测能力是重要的系统的例子是汽车雷达模块用作自主紧急制动系统的一部分。这种系统检测车辆是否处于与另一车辆或行人的碰撞过程中，且发出预警给驾驶员，并且如果驾驶员并不反应，那么也可应用刹车。这是明显地安全性至关重要的系统，并且对于伪阴性和假阳性情况两者错误决策可能都具有严重的后果。
在雷达装置中，射频(RF)芯片提供在半导体裸片中，该半导体裸片经由球形键合或其它连接器连接到外部电路。雷达装置将具有收发器。
图2示出了现有技术差分收发器200，该差分收发器200由集成电路201、封装202和用于雷达装置中的印刷电路板(PCB)204组成。集成电路201配备有差分功率放大器205、第一差分输出路径(n)206和第二差分输出路径(p)207，以及第一输入路径215和第二输入路径216。差分输出路径206、207中的每一个连接到功率检测器(PDn&PDp)208、209。在收发器200的此示例实施例中，如所描述，功率检测器208、209直接连接到功率放大器205的输出路径206、207。在此例子中，可以设想可以使用任何种类的耦合技术(例如，电容式/电阻式耦合、定向耦合器等)。封装202的定义是可用于将集成电路201连接到PCB 204的任何东西。在非常高的频率下，例如，高于40GHz(例如，对于一些雷达应用)，优选的类型的封装是再分布式芯片封装(RCP)、WLCSP(晶片级芯片规模封装)(如图3中所示)、球状栅格阵列(BGA)、嵌入式晶片级球状栅格阵列(EWLB)。在较低频率下，四方扁平无引线(QFN)类型的封装是优选的。然而，可以设想在此文档中所描述的概念适用于任何类型的封装。PCB 204允许集成电路201通过封装202上的球形键合连接211连接到系统的其它部分，比如天线、功率管理、微控制器。例如平衡-不平衡转换器(balun)210的射频合路器提供在PCB 204上。
图3示出了雷达装置的标准操作模式。差分功率放大器205和封装202互连通常在高频率下使用，因为这允许来自功率放大器205的更多功率以及封装202中的更少损失。在操作中，信号在输入路径215、216上在功率放大器205处接收到，并且差分信号在输出路径206、207上从功率放大器205中提供。这些差分信号必须被转换成单个信号，该单个信号随后被发送到天线(未示出)。射频合路器210用于产生被发送到天线上的单个信号，射频合路器可以是离散组件(以在低频率下操作，通常是1MHz到5GHz)，或可替换的是，可以是微带设计(以在高频率上方操作，比方说，1GHz)。这是两种类型的实施方案都是可能的重叠。
从电路组件到印刷电路板的连接，例如，通过球形键合211，可以经受机械应力，该机械应力可以是由于电路和板材料的热膨胀系数的差异。这可以引起在多个温度循环之后的球破裂，这种球破裂在汽车环境中是相对常见的。当在连接到到外部电路的雷达芯片的输出的球形键合中存在故障时，雷达可以不再发出射频并且存在系统故障。为了符合ISO26262，此故障必须被检测到以便能够使装置处于故障保护状态中。其它相关标准包括RTCA DO-254/Eurocae ED-80。
检测射频球破裂是复杂的，因为部分破裂的球可以仍然具有正确的直流行为但是不正确的射频行为。球可以是部分破裂的，引起连接的电感的增大。随后，在低频率下(低至直流)电感是可忽略的并且连接仍然在工作。在高频率下，电感充当开路，并且信号被阻断。限定什么是高频率或低频率是复杂的，因为它取决于球大小、封装类型、可接受的损失。随后检测必须在感兴趣的频率下完成(即，用于汽车雷达的76到81GHz)。对于封装中的不同组件之间的其它连接方法此问题也可能产生，并且应相应地理解本发明。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，所述电路包括：
放大器，所述放大器具有第一输入路径和第二输入路径以及第一输出路径和第二输出路径；
第一功率检测器，所述第一功率检测器耦合到所述第一输出路径或第二输出路径中的一个；
至少一个连接，所述至少一个连接在所述第一输出路径和第二输出路径与所述外部电路之间，将所述输出连接到所述外部电路的射频合路器；
至少一个停用电路，所述至少一个停用电路耦合到所述第一输出路径和第二输出路径中的至少一个或所述第一输入路径和第二输入路径中的至少一个，在所述路径到达所述功率检测器之前，用于停用所述输入或输出中的一个；
其中当所述输入路径或输出路径停用并且沿启用的输出路径输出信号时，在所述停用的输出路径上的所述功率检测器能够检测在所述至少一个连接中是否存在故障。
在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括第二功率检测器，所述第二功率检测器耦合到所述第一输出路径或第二输出路径中没有耦合到所述第一功率检测器的另一输出路径。
在一个或多个实施例中，所述停用电路耦合到两个输入路径或两个输出路径。
在一个或多个实施例中，所述停用电路是以下各项中的至少一个：至少一个串联开关、至少一个并联开关、至少一个偏置电路，或至少一个定向耦合器。
在一个或多个实施例中，所述停用电路是连接在所述功率放大器与所述功率检测器之间的开关。
在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括至少一个可切换接地连接以将所述第一输出和第二输出中的至少一个连接到地面。
在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括在所述停用电路与所述功率检测器之间的四分之一波长发射线。
在一个或多个实施例中，所述停用电路是定向耦合器，用于将所述功率检测器耦合到所述第一输出和第二输出中的至少一个，并且每个所述功率检测器包括多个功率检测器。
在一个或多个实施例中，所述射频合路器是平衡-不平衡转换器装置或转换器。
在一个或多个实施例中，所述连接是以下各项中的一个或多个：至少球形键合连接、至少一个导线键合、至少一个焊接点，或至少一个封装连接，并且每个输出路径通过单独的连接而连接到所述射频合路器。
在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括用于所述放大器输出停用电路的控制器。
在一个或多个实施例中，所述电路用于检测所述至少一个连接中的部分故障，当所述信号是直流信号时，在所述停用的输出路径的所述功率检测器处没有检测到故障，并且当所述信号是射频信号时，在所述停用的输出路径的所述功率检测器处检测到故障。
根据本发明的第二方面，提供一种通信装置，包括本文中所公开的任何的故障测试电路。
根据本发明的第三方面，提供一种用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的方法，所述射频芯片包括放大器，所述放大器具有多个输入端和输出端，每个输出端耦合到功率检测器，以及至少一个放大器输出去能器，所述至少一个放大器输出去能器连接到所述第一输出和第二输出中的至少一个或所述第一输入和第二输入中的一个，在所述路径到达所述功率检测器之前，用于停用所述输入或输出中的一个；
至少一个连接，所述至少一个连接在所述第一输出路径和第二输出路径与所述外部电路之间，将所述输出连接到所述外部电路上的转换器；
其中所述方法包括以下步骤：
停用所述输入路径或所述输出路径中的一个，并且在未停用的所述放大器的所述输出路径上提供信号；
经由连接将来自所述输出路径的所述信号发射到所述外部电路上的转换器；
在所述停用的输入路径或输出路径的所述功率检测器处检测来自所述转换器的所述输出以确认所述连接尚未失效。
本发明的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。
附图说明
将参考图式仅借助于例子描述本发明的另外的细节、方面和实施例。在附图中，相似附图标号用于识别相似或功能上类似的元件。为简单和清晰起见而示出图中的元件，并且这些元件未必按比例绘制。
图1示出例子雷达装置的框图；
图2示出用于雷达装置中的例子现有技术发射器；
图3是图2的发射器的标准操作模式中的信号路径的例子；
图4示出具有信号路径中的一个停用的雷达装置的例子；
图5示出本发明的第一示例实施例；
图6示出本发明的第一实施例的经修改例子；
图7示出本发明的第二示例实施例；
图8示出本发明的第三示例实施例；
图9示出本发明的第四示例实施例；
图10示出本发明的第五示例实施例；
图11示出用于偏置差分放大器的例子电路；
图12示出根据本发明的一些例子用于偏置差分放大器的例子电路；
图13示出本发明的第六示例实施例；
图14是本发明的第六示例实施例的替代的图示；
图15是根据本发明的各种示例实施例与电路的操作相关联的例子流程图。
具体实施方式
因为本发明的所示出的示例实施例可大部分使用本领域的技术人员已知的电子组件和电路来实施，所以为了本发明的基础概念的理解和了解并且为了不混淆本发明的教示或从本发明的教示转移，将不以与如下文所示出的视作必需的程度相比的任何更大程度来解释细节。
本发明的关键元素是提供电路和方法以检测集成电路元件的封装、焊接点、球形键合或印刷电路板(PCB)中的故障，该集成电路元件例如差分发射器或正交发射器。本发明的一些例子提供机制以测量从功率放大器的一个输出路径通过例如射频合路器的电路元件到功率放大器的另一输出路径上的功率检测器耦合的功率。为了执行此测量，需要停用和/或断开差分功率放大器的一个输出路径，下文描述了用于停用输出路径的可能的例子实施方案中的一些：
本发明的第一示例实施例提供停用电路，该停用电路使用与功率放大器的输出路径串联的开关。开关用于停用功率放大器的一个输出路径，放大器的停用的输出路径上的功率检测器随后仅连接到射频合路器。停用的输出路径上的功率检测器可以随后测量来自另一输出路径的功率，该功率已经通过射频合路器并且通过连接返回到停用的输出路径。
本发明的替代的示例实施例使用与功率放大器输出路径和接地并联的开关，与在开关和功率检测器之间串联的拉姆达/4发射线相关联。随后可能的是停用放大器的一个输出路径同时仍然能够使用功率检测器(由于拉姆达/4线在射频频率下不会短路)。
根据另外的示例实施例，描述了用于检测集成电路键合中的故障的新方法，该方法由避免功率放大器的一个输出路径上的信号组成。根据一些示例实施例，可以设想存在可用于采纳本文中所描述的概念的许多可能的实施方案，这些可能的实施方案中的一些是：关闭输出路径上的偏置以将其停用、关闭在输出路径上的输入端处的射频信号以将其停用等。根据一些示例实施例，可以设想这些实施方案可以单独使用或与先前电路实施方案一起使用。
根据另外的示例实施例，可以设想三个先前实施例的改进可以使用定向耦合器以将功率检测器连接到输出路径。以此方式，允许区别来自另一侧的信号与停用的输出路径所反射和/或发射的信号。实际上，在非常高的频率下开关的质量(即，它的实际上打开或闭合的能力)可能并不是足够的。
图1示出了可用于汽车应用中的雷达装置100的简化的框图。雷达装置具有接收器102、发射器104、锁相环路106、控制器108、存储单元110、安全性单元112和功率监测(PM)单元114。雷达装置可以并入如下文所描述的本发明的测试电路以测试装置在正确地工作。
图4是发射器200的图示，其中差分p侧输出路径207停用，并且来自功率放大器205的信号的一部分在差分n侧输出路径206上被输出并且在功率检测器208处被检测到。信号的部分随后通过封装202到平衡-不平衡转换器210，并且随后将返回到功率检测器209。如果在封装202和/或PCB 204中和/或在平衡-不平衡转换器210中存在故障，那么经停用的差分输出路径206、207的功率检测器208、209将不检测任何信号。在正常操作模式中，发射器200工作方式如下：在沿输入路径215、216接收信号之后，功率放大器205启用并且沿差分输出路径n 206和p 207提供差分信号路径220、222。n和p之间的相位差是180°。信号路径220、222上的差分信号是连续地或通过差分功率检测器208、209分开地测量的。测量的方法(连续或不连续)对本发明没有影响。信号路径220、222上的差分信号随后经由连接210通过封装202并且在进一步发射到天线之前在射频合路器210中混合。
本发明的例子允许在堆叠电路组件或其它电路之间检测连接组件故障，其中连接的例子可以是球形键合或焊接点或其它封装连接。在本发明的例子中，通过“停用”发射器202的一个输出路径，功率放大器205的停用的输出路径上的功率检测器208、209将能够测量通过封装202、PCB 204和平衡-不平衡转换器210来自功率放大器205的另一非停用的输出路径的信号。图4示出了被停用的差分p侧输出路径207的例子。然而，可以设想本发明也覆盖了停用两个差分输出路径n 206或p 207中的任一个或可替换的是停用每个差分输出端的可能性。对于在一侧上的放大器205的差分输出路径206、207和在另一侧上的功率检测器之间的任何故障，停用的输出侧将通过在停用的输出侧上的功率检测器被检测到。在本发明的背景下，术语“停用”涵盖：停用功率放大器205的输出路径的任何机制或效应，因此停用的输出路径上的功率检测器208、209并不接收来自功率放大器205的任何信号。
在本发明的例子中，输出沿差分输出路径206(n输出)提供并且在功率检测器208处被检测到。此测量确保了功率放大器205正确地工作。信号随后在停用的差分输出路径的差分功率检测器209处得到测量以检查功率是否存在(通过平衡-不平衡转换器210来自功率放大器205的启用侧)。如果在差分功率检测器209处检测到信号，那么不存在故障。然而，如果并未检测到信号或低于检测阈值，那么存在电路的一些组件的故障。检测的阈值必须是针对每个实施方案确定的，因为它通常是应用特定的并且可以出于灵活性而进行微调，也就是说阈值的值可以根据如何执行测量而改变。阈值的值也可以存储在寄存器中。
实施例1：
图5示出了本发明的第一示例实施例，该第一示例实施例包括用于停用输出路径206、207的开关230、232。在输出路径206、207中的每一个中开关位于功率放大器205与差分功率检测器208、209之间。在装置200的正常操作中，开关230、232两者都是闭合的并且功率放大器205的差分输出端206、207连接到差分功率检测器208、209。功率放大器205包括内部控制器以控制沿输出路径206、207的功率输出。控制器280连接到功率检测器208、209，以在功率检测器处设定限定的功率水平，并且以控制功率检测器208、209的阈值水平。通过打开在输出侧上的开关以将其停用，完成了停用差分输出发射线中的一个，并且留下在输出侧上的保持启用的开关闭合。故障检测将以如上文所描述的方式进行。控制器221耦合到停用电路以控制停用电路的操作，在此实施例中，通过控制开关230和232。开关可以依序打开和闭合，或按照另一顺序以确保电路的全部组件是针对故障进行测试的。
在一些例子中，在故障检测模式中开关中的仅一者是闭合的(它可以是一个或另一个或两者依序，图7中的n侧)，而另一个(图7、图8中的p侧)是打开的。
在本发明的此例子中，信号路径220示出了信号的路径，该信号的路径从功率放大器205，沿启用的信号路径206传递，通过可以是球形键合或焊接点的连接组件210，到充当射频合路器的平衡-不平衡转换器210中，并且随后离开射频合路器210，且通过连接组件211回来以待在停用的输出路径207的功率检测器209处得到检测。当然，装置也可在另一配置中工作，在该另一配置中信号提供在输出路径207上，并且输出路径206停用。在此例子中，当信号已经通过射频合路器210时该信号将在停用的输出路径206的功率检测器208处被检测到。
如图所示，电路包括连接到输出路径206、207两者的放大器输出停用电路，但是在本发明的替代例子中，停用电路可以连接到输出路径206、207中的仅一者，如图6中所示具有在输出路径207上的开关232，但是没有在另一输出路径206上的停用电路。此电路的全部其它特征如上文关于图5所描述的操作。如图所示，停用电路仅在p输出路径207上，并且在电路的操作中信号路径220沿输出路径206通过平衡-不平衡转换器210，用于待在功率检测器209处检测的信号。在本发明的实施例中，停用电路可替代地提供在n输出路径206上，因此信号路径沿输出路径207通过平衡-不平衡转换器210，以及在n输出路径206的功率检测器208处检测到的信号。
实施例2：
图7示出了本发明的另一示例实施例，该另一示例实施例基于图5的实施例。然而，在图7的示例实施例中，停用电路包括额外开关234、236，这些额外开关234、236被配置成将停用的差分发射线系(即，“短接”)到地面以便改进来自功率放大器205的停用的输出的信号的拒绝。在一些例子中，与开关230、232相比那些开关234、236是互补控制的。在图3的实施例中，开关230、232可能具有问题，该问题是当开关处于打开状态时仍然存在跨越该开关的一些射频信号泄漏。添加开关234、236以使差分输出发射线中的一个从功率放大器205短接到地面，使得另一活跃的差分发射线能够被测量到。如同第一实施例，在本发明的此例子中停用电路可以提供在输出路径206、207中的仅一者上。
在本发明的此例子中，信号路径220示出了信号的路径，该信号的路径从功率放大器205，沿启用的信号路径206传递，通过可以是球形键合或焊接点的连接组件210，到充当射频合路器的平衡-不平衡转换器210中，并且随后离开射频合路器210，且通过连接组件211回来以待在停用的输出路径207的功率检测器209处得到检测。当然，装置也可在另一配置中工作，在该另一配置中信号提供在输出路径207上，并且输出路径206停用。在此例子中，当信号已经通过射频合路器210时该信号将在停用的输出路径206的功率检测器208处被检测到。
对于在1GHz下操作的装置，可能的是实施开关230、232、234、236，使得存在极少射频泄漏或没有射频泄漏。在此情况下，本发明的实施例1或2是优选实施例。
实施例3：
在较高频率下，例如，与1GHz相比高得多，不可能设计具有非常低损失的开关。在此情况下，使开关串联并且位于功率放大器205的差分输出路径206、207上(如在上文的图4的实施例中所描述)是实际上不可能的。为了克服此问题，如图8中所示提出另一例子电路实施方案。此示例实施例使用并联开关234、236，作为停用电路这些并联开关234、236将不影响发射器200的性能。图8示出了本发明的第三示例实施例。此示例实施例通常将以针对上文图4的实施例所描述的方式操作，也就是说，功率放大器205的输出路径207可以通过停用电路、通过将此输出路径短接到地面、经由开关236停用。差分输出路径206、207也配备有λ/4发射线240、242，位于功率放大器205与功率检测器208、209之间，在每个输出路径206、207上，所述输出路径206、207将PA 205的输出的匹配在所关注的频率下提供到功率检测器208、209的输入。
对于在77GHz下操作的装置，在输出路径中提供有效且稳固的开关的设计是困难的，因此实施例1和2是不太合适的。在此情况下，对于在此类高频率下的装置在输出路径206、207中具有λ/4发射线240、242是优选的。
在本发明的此例子中，信号路径220示出了信号的路径，该信号的路径从功率放大器205，沿启用的输出路径206传递，通过λ/4发射线240，随后通过可以是球形键合、焊线或焊接点的连接组件210，到充当射频合路器的平衡-不平衡转换器210中，并且随后离开射频合路器210，且通过连接组件211回来以待在停用的输出路径207的功率检测器209处得到检测。当然，装置也可在另一配置中工作，在该另一配置中信号提供在输出路径207上，并且输出路径206停用。在此例子中，当信号已经通过射频合路器210时该信号将在停用的输出路径206的功率检测器208处被检测到。
实施例4：
图9示出了本发明的另一示例实施例。在本发明的此示例实施例中，每个差分输出路径206、207具有连接到其上的两个功率检测器；例如，第一差分输出路径206连接到功率检测器250、252，并且第二差分输出路径207连接到功率检测器254、256。功率检测器中的每一个通过定向耦合器260、262耦合到输出路径206、207。定向耦合器260、262作为停用电路的使用，而非如在先前实施例中作为开关，使得(相对固定的)比例的发射信号能够通过功率检测器提取和测量而不受不需要的信号影响，这些不需要的信号由于比方说，开关的错配或跨越开关的射频泄漏以及交叉耦合到其它差分发射线，因为不需要的泄漏信号可能扰乱功率检测测量，方法是从停用输出侧添加不需要的功率到测量功率检测器中。
在本发明的此例子中，信号路径220示出了信号的路径，该信号的路径从功率放大器205，沿启用的信号路径206传递，通过可以是球形键合或焊接点的连接组件210，到充当射频合路器的平衡-不平衡转换器210中，并且随后离开射频合路器210，且通过连接组件211回来以待在停用的输出路径207的功率检测器256处得到检测。沿停用的输出路径207发生的任何泄漏将在功率检测器252处检测到。以此方式，停用的路径上的泄漏信号可以与来自启用的输出路径的信号区分开来。当然，装置也可在另一配置中工作，在该另一配置中信号提供在输出路径207上，并且输出路径206停用。在此例子中，当信号已经通过射频合路器210时该信号将在停用的输出路径206的功率检测器208处被检测到。
实施例5：
图10示出了来自先前五个实施例的全部由停用输出路径的不同组件、电路和方法组成的另一示例实施例。也就是说，在此示例实施例中，停用电路包括开关230、232、开关234、236，连同λ/4差分发射线240、242、定向耦合器260、262。并且，在本发明的此示例实施例中，功率放大器205的每个差分输出路径206、207具有两个功率检测器250、252、254、256，这些功率检测器通过定向耦合器260、262耦合到输出路径。
在本发明的此例子中，信号路径220示出了信号的路径，该信号的路径从功率放大器205，沿启用的输出路径206传递，通过可以是球形键合或焊接点的连接组件210，到充当射频合路器的平衡-不平衡转换器210中，并且随后离开射频合路器210，且通过连接组件211回来以待在停用的输出路径207的功率检测器254、256处得到检测，经由定向耦合器262传递到功率检测器254、246。当然，装置也可在另一配置中工作，在该另一配置中信号提供在输出路径207上，并且输出路径206停用。在此例子中，当信号已经通过射频合路器210时该信号将在停用的输出路径206的功率检测器208处被检测到。
实施例6：
在一些例子中，进一步设想本发明的示例实施例可停用功率放大器205差分输出路径206、207中的一个，方法是修改功率放大器205的偏置。可以设想存在可实现此方式的若干替代的方法，这些方法的大部分例子将取决于功率放大器205的输出级实施方案。
在图11中示出了偏置差分放大器的标准方法，其中放大器的两侧是通过相同电压偏置的。根据本发明的一些例子，为了检测集成电路键合中的故障，图11的可能的修改是分解偏置差分输出端的每一侧，如图12中所示。在此情况下，变为可能的是通过相应的偏置电源电压的选择性控制停用功率放大器205的仅一个输出端。这些偏置方法是本领域中众所周知的并且因此将不再详细地描述。图11示出了使用经典的偏置方法的差分放大器。偏置块300产生2个电压，一个用于功率放大器205的增益级310，并且另一个用于级联级320。增益级310和级联级320中的晶体管的基底连接在一起，因此n侧和p侧两者是同时偏置的。图12示出了电路的修改，该电路的修改允许功率放大器205的每一侧通过偏置块300独立地偏置，随后功率放大器205的一个输出路径可以开启，而另一输出路径关闭(通过在晶体管的基底上应用0V)。本领域的技术人员将了解此适应性偏置方法可能影响匹配，并且因此影响功率放大器205的性能。然而，这将仅在试图检测球破裂时受到影响，并且不在装置的正常操作中受到影响。
实施例7：
在本发明的又一示例实施例中，可以设想本文中所描述的停用发射器路径的差分输出端的一侧的概念可以在射频链中的任何地方(例如，在PA之前)使用先前实施例中的一个或多个。
图13和14示出了本发明的示例实施例，在该示例实施例中停用电路提供在到功率放大器205的输入路径上。在本发明的此例子中，来自电压控制器振荡器(VCO)270的输出沿输入路径215、216传递到移相器272，并且随后沿路径215、216到BUF放大器274，随后沿路径215、216传递到功率放大器205并且从功率放大器205输出，如针对先前实施例所描述。如图14中所示，可以停用用于移相器272、BUF 274和功率放大器205的p输出路径215。当这些输出路径停用时，来自功率放大器的信号将具有信号路径220，从功率放大器205，到平衡-不平衡转换器210中，待在功率检测器209处检测，在电路的停用路径207上。
图15是用于上文所述的全部实施例的方法的流程图1000。在1001，检测方法开始。方法传递到1002，在1002中电路变为正常操作模式中的“接通”。在1003，作出确定两个输出路径上的功率检测器给出用于标准操作的正确的标称值，和/或功率检测器是根据如通过控制器280确定的规定的功率阈值操作的。如果功率检测器提供正确的标称值，那么流程图前进到1004。如果检测到的值是不正确的，那么电路存在应该进行研究的问题。在1004，流程图使用上文所描述的停用电路停用输出/输入路径中的一个，在启用的路径上提供信号并且在停用的输出路径的功率检测器处测量信号。在1005，流程图确定来自启用的输出路径侧的信号的测量到的功率是否是有故障的，例如，测量到的功率低于设定的阈值。如果测量值低于阈值，在1006，那么集成电路201与pcb 204之间的接触中的破裂被检测到，并且响应于此确定可以采取适当的行动。然而，如果测量到的值高于设定的阈值，那么流程图前进到1007，在1007停用的/启用的路径颠倒以检查在此替代性配置中电路没有故障。因此，在1008，流程图测量来自功率检测器上的启用的输出路径的信号的功率用于另一停用的输出路径。在1009，如果确定测量值低于设定的阈值，那么已经检测到球破裂或其它连接问题。在此情况下，同样，已经采取适当的行动。然而，如果在1008测量值被确定为高于阈值，那么在1010电路被认为正确地工作，而不具有将防止成功的操作的破裂并且认为电路可以在普通方式中操作。
根据将使用雷达装置的技术领域，则本发明的某些实施例与其它实施例相比可以是更加适合的。举例来说，第一实施例可以更加适合于低频率射频电路。
虽然参考适合于汽车应用的雷达单元描述本发明的例子，但是可以设想本文中所描述的概念可适用于其它应用，例如，用于机器人或无人机的雷达。此外，可以设想本文中所描述的概念将适用于使用差分信令和差分发射线的任何射频电路或装置。替代地，本发明还可用于包括射频合路器的任何通信装置以用于混合来自两个或大于两个输出路径的输出。此通信装置可包括具有单独的“I”和“Q”信道的正交发射器，而不是如上文所描述的差分信号。发射器将经由例如球形键合或焊接点的连接而连接到外部电路，并且将以上文所描述的方式检测到不同电路组件之间的连接的故障。
在前述说明书中，已参考本发明实施例的具体例子描述了本发明。然而，显而易见的是，可以在不脱离如所附权利要求书中所阐明的本发明的范围的情况下在本文中作出各种修改和变化且权利要求不限于上文所描述的具体例子。如本文中所论述的连接可以是适合于从相应节点、单元或集成电路装置传递信号或将信号传递到相应节点、单元或集成电路装置的任何类型的连接。相应地，除非以其它方式暗示或陈述，否则连接可以是例如直接连接或间接连接。并且，多个连接可替换为串行或以时分复用的方式传递多个信号的单个连接。类似地，可以将携带多个信号的单个连接分成携带这些信号的子集的各种不同连接。因此，存在用于传送信号的许多选择方案。
本领域的技术人员应认识到，本文中所描绘的架构仅为示例性的，且实际上，可实施实现相同功能性的许多其它架构。实现相同功能性的组件的任何布置是有效地“相关联的”，以便实现所期望的功能性。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件都可以被视为彼此“相关联”，以便实现所期望的功能性，而不管架构或中间组件如何。类似地，如此相关联的任何两个组件还可以被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地耦合”来实现所期望的功能性。
此外，本领域的技术人员应认识到，上文所描述的操作之间的界限仅仅是说明性的。多个操作可组合成单个操作，单个操作可分散于额外的操作中，并且操作的执行可在时间上至少部分地重合。此外，替代实施例可包括特定操作的多个例子，且操作的次序可在各种其它实施例中进行更改。
在权利要求书中，放置在圆括号中的任何附图标记不应被解释为限制权利要求。词语“包括”不排除除了权利要求中所列的那些元件或步骤之外的其它元件或步骤的存在。此外，如本文中所使用，术语“一(a/an)”被限定为一个或多于一个。并且，权利要求书中对例如“至少一个”和“一个或多个”的介绍性短语的使用不应被解释为暗示由不定冠词“一”引入的另一权利要求要素将包括此类所引入的权利要求要素的任何特定权利要求限制为仅包括一个此类要素的发明，即使是在同一权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”和例如“一”的不定冠词时也如此。上述内容同样适用于定冠词的使用。除非另有陈述，否则例如“第一”和“第二”等术语用于任意地区别此类术语所描述的元件。因此，这些术语未必意图指示此些元件的时间上的优先级或其它优先级。在彼此不同的权利要求项中叙述某些措施的这一单纯事实并不指示不能使用这些措施的组合来获得优势。

Claims (10)

1.一种用于测试射频RF集成电路（201）和外部电路（204）之间的连接的故障的电路（200），其特征在于，所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路包括：
放大器（205），所述放大器（205）具有输入路径和输出路径，所述输入路径包括第一输入路径和第二输入路径（215、216），以及所述输出路径包括第一输出路径和第二输出路径（206、207）；
第一功率检测器，所述第一功率检测器耦合到所述第一输出路径或第二输出路径中的一个；
至少一个连接（211），所述至少一个连接（211）在所述第一输出路径和第二输出路径（206、207）与所述外部电路（204）之间，将所述输出连接到所述外部电路的射频合路器；
至少一个停用电路（230、232、234、236、240、242、260、262），所述至少一个停用电路（230、232、234、236、240、242、260、262）耦合到所述第一输出路径和第二输出路径（206、207）中的至少一个或所述第一输入路径和第二输入路径（215、216）中的至少一个，在所述第一输出路径或第二输出路径到达所述第一功率检测器之前，用于停用所述放大器的输入路径或输出路径中的一个；
其中当所述输入路径或输出路径（206、207）停用并且沿启用的输出路径（206、207）输出信号时，在所述停用的输出路径上的所述第一功率检测器（208、209）能够检测在所述至少一个连接（211）中是否存在故障。
2.根据权利要求1所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，其特征在于，进一步包括第二功率检测器，所述第二功率检测器耦合到所述第一输出路径或第二输出路径中没有耦合到所述第一功率检测器的另一输出路径。
3.根据权利要求1或权利要求2所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，其特征在于，所述停用电路（230、232、234、236、240、242、260、262）耦合到两个输入路径或两个输出路径。
4.根据权利要求1或2所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，其特征在于，所述停用电路是以下各项中的至少一个：至少一个串联开关、至少一个并联开关、至少一个偏置电路，或至少一个定向耦合器。
5.根据权利要求3所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，其特征在于，所述停用电路（230、232、234、236、240、242、260、262）是连接在所述功率放大器与所述第一功率检测器或所述第二功率检测器之间的开关。
6.根据权利要求1或2所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，其特征在于，进一步包括至少一个可切换接地连接（234、236）以将所述第一输出和第二输出（206、207）中的至少一个连接到地面。
7.根据权利要求1所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，其特征在于，所述停用电路是定向耦合器，用于将所述第一功率检测器耦合到所述第一输出和第二输出中的至少一个，并且每个所述第一功率检测器包括多个功率检测器（250、252、254、256）。
8.根据权利要求1或2所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路，所述用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障的电路用于检测所述至少一个连接中的部分故障，其特征在于，当所述信号是直流信号时，在所述停用的输出路径的所述功率检测器处没有检测到故障，并且当所述信号是射频信号时，在所述停用的输出路径的所述功率检测器处检测到故障。
9. 一种通信装置，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的用于测试射频RF集成电路和外部电路之间的连接的故障电路。
10.一种用于测试射频RF集成电路（201）和外部电路（204）之间的连接的方法，其特征在于
包括放大器（205），所述放大器（205）具有多个输入端和输出端，
所述多个输入端包括第一输入和第二输入；
所述输出端包括第一输出和第二输出；
每个输出端通过输出路径耦合到功率检测器，
以及至少一个停用电路，所述至少一个停用电路连接到所述第一输出和第二输出中的至少一个或所述第一输入和第二输入中的一个，在所述输出路径到达所述功率检测器之前，用于停用所述放大器的输入路径或输出路径中的一个；
至少一个连接（211），所述至少一个连接（211）在第一输出路径和第二输出路径与所述外部电路（204）之间，将所述输出端连接到所述外部电路上的转换器（210）；
其中所述方法包括以下步骤：
停用所述输入路径或所述输出路径中的一个，并且在未停用的所述放大器的所述输出路径上提供信号；
经由所述输出端连接到所述外部电路上的转换器将来自所述输出路径的所述信号发射到所述外部电路上的转换器；
在停用的所述输入路径或输出路径的所述功率检测器处检测来自所述外部电路上的转换器的所述输出以确认所述输出端连接到所述外部电路上的转换器尚未失效。
CN201910751885.1A 2018-08-14 2019-08-14 嵌入式测试电路及其方法 Active CN110824333B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18306116.7A EP3611522B1 (en) 2018-08-14 2018-08-14 Embedded test circuitry and method therefor
EP18306116.7 2018-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110824333A CN110824333A (zh) 2020-02-21
CN110824333B true CN110824333B (zh) 2024-03-15

Family

ID=63405142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910751885.1A Active CN110824333B (zh) 2018-08-14 2019-08-14 嵌入式测试电路及其方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11018635B2 (zh)
EP (1) EP3611522B1 (zh)
CN (1) CN110824333B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023121734A (ja) * 2022-02-20 2023-08-31 稜研科技股▲ふん▼有限公司 エラー検出機能を有する無線周波数回路

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1135690A (zh) * 1994-12-31 1996-11-13 现代电子产业株式会社 用低频信号调节射频输出电压电平及鉴别设备间连接电缆通路的电路及方法
US5986500A (en) * 1996-12-30 1999-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Combined linear power amplifying device and method
CN1813198A (zh) * 2003-06-24 2006-08-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 测试射频和模拟电路
US7412215B1 (en) * 2005-06-03 2008-08-12 Rf Micro Devices, Inc. System and method for transitioning from one PLL feedback source to another
JP2010249737A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Mitsubishi Electric Corp 車載電波パルスレーダ装置
US8699975B1 (en) * 2012-02-01 2014-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Directional coupler architecture for radio frequency power amplifier
CN106130576A (zh) * 2015-05-04 2016-11-16 英飞凌科技股份有限公司 具有功率传感器校准的rf前端
CN106405378A (zh) * 2016-10-25 2017-02-15 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种射频开关电路故障检测方法
US9717008B1 (en) * 2016-06-28 2017-07-25 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated circuit calibration architecture
CN108075844A (zh) * 2016-11-17 2018-05-25 中兴通讯股份有限公司 射频反射波检测装置、无线通讯系统及天线状态检测方法
CN108233977A (zh) * 2016-12-20 2018-06-29 英飞凌科技股份有限公司 具有测试能力的rf收发器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3982158A (en) * 1974-07-15 1976-09-21 Hughes Aircraft Company Power distribution control system
US4577149A (en) * 1982-07-06 1986-03-18 Sperry Corporation Detection of catastrophic failure of dielectric, improper connection, and temperature of a printed circuit assembly via one wire
JP2903946B2 (ja) * 1993-05-19 1999-06-14 日本電気株式会社 マルチチップ半導体装置
JP2001142793A (ja) * 1999-11-10 2001-05-25 Sharp Corp 情報処理装置および断線診断プログラムを記録した記録媒体
US7061251B2 (en) * 2004-01-15 2006-06-13 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method and apparatus for transmission line and waveguide testing
US7378853B2 (en) * 2004-02-27 2008-05-27 International Business Machines Corporation System and method for detecting cable faults for high-speed transmission link
DE102004051595B4 (de) * 2004-10-22 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bestimmung eines Offsetwertes einer Verstärkung eines Sendepfades, Sendepfad mit einstellbarer Verstärkung und Verwendung eines Sendepfades
JP4749132B2 (ja) * 2005-11-21 2011-08-17 富士通セミコンダクター株式会社 センサ検出装置及びセンサ
US8232807B2 (en) * 2006-10-25 2012-07-31 Textron Innovations Inc. Apparatus for detecting imbalances in a paired line
US20080144243A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Ridgetop Group, Inc. Method and circuit for low-power detection of solder-joint network failures in digital electronic packages
US7973603B2 (en) * 2009-06-26 2011-07-05 Silicon Laboratories Inc. Low-noise amplifier suitable for use in a television receiver
US10320494B2 (en) * 2011-06-13 2019-06-11 Mediatek Inc. RF testing system using integrated circuit
US9194884B1 (en) * 2012-08-28 2015-11-24 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated circuit with analog device fault detection
EP2866040B1 (en) 2013-10-22 2017-07-19 Nxp B.V. Circuit and method for detection of IC connection failure
CN103823149A (zh) 2013-12-03 2014-05-28 华为技术有限公司 芯片检测系统及检测方法
CN105987691B (zh) * 2015-03-16 2021-02-05 精工爱普生株式会社 电路装置、物理量检测装置、电子设备以及移动体
CN104698366A (zh) 2015-03-26 2015-06-10 中国人民解放军空军工程大学 Bga封装焊点连接失效故障监测方法
JP6764726B2 (ja) * 2016-08-24 2020-10-07 旭化成エレクトロニクス株式会社 電流インターフェース回路
US10320342B2 (en) * 2016-10-07 2019-06-11 Commscope, Inc. Of North Carolina Advanced RF input port against surge

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1135690A (zh) * 1994-12-31 1996-11-13 现代电子产业株式会社 用低频信号调节射频输出电压电平及鉴别设备间连接电缆通路的电路及方法
US5986500A (en) * 1996-12-30 1999-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Combined linear power amplifying device and method
CN1813198A (zh) * 2003-06-24 2006-08-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 测试射频和模拟电路
US7412215B1 (en) * 2005-06-03 2008-08-12 Rf Micro Devices, Inc. System and method for transitioning from one PLL feedback source to another
JP2010249737A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Mitsubishi Electric Corp 車載電波パルスレーダ装置
US8699975B1 (en) * 2012-02-01 2014-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Directional coupler architecture for radio frequency power amplifier
CN106130576A (zh) * 2015-05-04 2016-11-16 英飞凌科技股份有限公司 具有功率传感器校准的rf前端
US9717008B1 (en) * 2016-06-28 2017-07-25 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated circuit calibration architecture
CN106405378A (zh) * 2016-10-25 2017-02-15 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种射频开关电路故障检测方法
CN108075844A (zh) * 2016-11-17 2018-05-25 中兴通讯股份有限公司 射频反射波检测装置、无线通讯系统及天线状态检测方法
CN108233977A (zh) * 2016-12-20 2018-06-29 英飞凌科技股份有限公司 具有测试能力的rf收发器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Single-Measurement Diagnostic Test Method for Parametric Faults of I/Q Modulating RF Transceivers;Erdem Serkan Erdogan，Sule Ozev;26th IEEE VLSI Test Symposium (vts 2008);全文 *
一种射频功率检测控制系统的设计方法;王建平;;电子测量技术(08);全文 *
上海WSR-88D雷达故障诊断和分析;王勤典;郑杰;;气象科技(S1);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
US11018635B2 (en) 2021-05-25
EP3611522A1 (en) 2020-02-19
EP3611522B1 (en) 2021-05-05
CN110824333A (zh) 2020-02-21
US20200059203A1 (en) 2020-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9435842B2 (en) Circuit and method for detection of IC connection failure
US10038508B1 (en) Wireless communication unit diagnostics
CN110824333B (zh) 嵌入式测试电路及其方法
US8384447B2 (en) Semiconductor apparatus and method for controlling the same
CN210137319U (zh) 射频收发器设备和对应系统
CN108761413B (zh) 用于大功率rcs测试的射频开关保护装置及方法
US9049606B2 (en) Self-diagnosis circuit
JP2020513182A (ja) Ｖ２ｘ通信システム
US6559792B1 (en) Test circuit and test method for a pulse doppler radar sensor
US11946972B2 (en) Monitoring of interconnect lines
KR100726232B1 (ko) 시분할복신 무선통신시스템의 고주파 전단 장치
US10038477B2 (en) Combined active and passive high-power RF protection circuit
US7043236B2 (en) RF detection and switching system and method
KR102189816B1 (ko) 그라운드 쇼트 검출 스위치 회로 및 이를 포함하는 전자장치
KR102191678B1 (ko) 시스템 온 칩(SoC) 테스트 시스템
JP3667977B2 (ja) 無線装置
CN113442847B (zh) 故障安全输出电路及车载控制器
WO2012101591A1 (en) Electromagnetic wave circuit disruptor and method
US20050157710A1 (en) Data bus system
US20210021123A1 (en) Electrostatic discharge protection circuit for radio frequency circuit, electrostatic discharge protection method and associated radio frequency circuit thereof
KR101870935B1 (ko) 멀티밴드 반사신호 측정 장치
CN117388797A (zh) 毫米波雷达信号检测装置
JPH03270515A (ja) ホットスタンバイ予備方式における送信出力制御方式
JPS6068731A (ja) スイッチ装置
JPH02124478A (ja) Ｒｆスイッチ故障検知回路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant