CN110797454B - 一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
Description
技术领域
本发明属于磁性薄膜材料的技术领域，涉及一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法。
背景技术
各向异性磁电阻(AMR)坡莫合金薄膜材料(NiFe)可用来制作磁传感器等应用器件，而这些应用期间则被广泛地用于自动化技术、导航系统等领域。另外，由于AMR器件的电阻值比隧道磁电阻(TMR)器件的电阻值小得多，故而非常有利于器件的推广和使用。
为了实现先进的磁传感器的高灵敏度和低噪声等特点，要求NiFe薄膜必须做的非常薄，矫顽力非常小，而AMR值则尽可能大，磁场灵敏度也尽可能高。故而为了提高磁传感器性能，迫切需要提高NiFe材料的磁电阻值。如在文献Lei Ding，Jiao Teng,Chun Feng,YongJiang,Guang-hua Yu,Shou-guo Wang,R.C.C.Ward,Appl.Phys.Lett.96,052515(2010)中设计了另外一种新结构Ta/MgO/NiFe/MgO/Ta薄膜，在450℃退火后，Ta 5nm/MgO 4nm/NiFe10nm/MgO 3nm/Ta 3nm磁电阻变化率较Ta 5nm/NiFe 10nm/Ta 5nm的磁电阻变化率提高了295％，磁电阻值达到3.5％。然而，尽管以上已经采用了氧化物包覆NiFe，即利用界面效应对磁电阻进行提高，但是提高后的磁电阻值还是不够高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是采用氧化物包覆NiFe，利用界面效应对磁电阻的提高有重要作用，但是提高后的磁电阻值还是不够高，不能满足高磁电阻需求。
本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料，所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。
优选地，所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为
其中的M为Hf或Pt。
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
优选地，具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta薄膜，其中的M为Hf或Pt；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
优选地，S2的稳定磁场为140-160Oe的稳定磁场。
优选地，S3的本底真空为2.5×10-5-3.5×10-5Pa，氩气压为0.4-0.6Pa。
优选地，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为7×10-5-9×10-5Pa，退火温度为320-370℃，退火时间为0.4-0.6小时，退火场为750-850Oe。
优选地，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明提出了一种Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构的超高各向异性磁电阻薄膜材料，在超高真空溅射仪中制备该样品。由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例进行详细描述。
本发明所要解决的技术问题是采用氧化物包覆NiFe，利用界面效应对磁电阻的提高有重要作用，但是提高后的磁电阻值还是不够高，不能满足高磁电阻需求。
本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料，所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。
具体地，所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为
其中的M为Hf或Pt。
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta薄膜，其中的M为Hf或Pt；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为140-160Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为2.5×10-5-3.5×10-5Pa，氩气压为0.4-0.6Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为7×10-5-9×10-5Pa，退火温度为320-370℃，退火时间为0.4-0.6小时，退火场为750-850Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
具体超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法结合以下实施例进行说明：
实施例一：
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积
薄膜，其中的M为Hf；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为140Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为2.5×10-5Pa，氩气压为0.4Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为7×10-5Pa，退火温度为320℃，退火时间为0.4小时，退火场为750Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
实施例二：
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积
薄膜，其中的M为Hf；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为150Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为3.0×10-5Pa，氩气压为0.5Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为8×10-5Pa，退火温度为350℃，退火时间为0.5小时，退火场为800Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
实施例三：
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积
薄膜，其中的M为Hf；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为160Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为3.5×10-5Pa，氩气压为0.6Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为9×10-5Pa，退火温度为370℃，退火时间为0.6小时，退火场为850Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
实施例四：
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积
薄膜，其中的M为Pt；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为140Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为2.5×10-5Pa，氩气压为0.4Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为7×10-5Pa，退火温度为320℃，退火时间为0.4小时，退火场为750Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
实施例五：
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积
薄膜，其中的M为Pt；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为150Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为3.0×10-5Pa，氩气压为0.5Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为8×10-5Pa，退火温度为350℃，退火时间为0.5小时，退火场为800Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
实施例六：
一种超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积
薄膜，其中的M为Pt；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
其中，S2的稳定磁场为160Oe的稳定磁场。
其中，S3的本底真空为3.5×10-5Pa，氩气压为0.6Pa。
其中，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为9×10-5Pa，退火温度为370℃，退火时间为0.6小时，退火场为850Oe。
其中，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
综上可见，本发明提出了一种Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构的超高各向异性磁电阻薄膜材料，在超高真空溅射仪中制备该样品。由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种超高各向异性磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt；所述超高各向异性磁电阻薄膜材料的Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构中各层对应的厚度依次为
2.一种根据权利要求1所述超高各向异性磁电阻薄膜材料的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下所示：
S1、将玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水超声清洗干净，然后装入溅射室样品基座上；
S2、基座上的玻璃基片用循环水冷却，并在平行于玻璃基片的方向施加有稳定磁场；
S3、调节溅射室的本底真空，并在溅射前充入氩气(纯度为99.99％)使得溅射时的氩气压满足溅射需求；
S4、在上述稳定磁场、真空和氩气压条件下在玻璃基片上依次沉积Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta薄膜，其中的M为Hf或Pt；
S5、将薄膜材料进行真空磁场热处理,制得超高各向异性磁电阻薄膜材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，S2的稳定磁场为140-160Oe的稳定磁场。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，S3的本底真空为2.5×10-5-3.5×10- 5Pa，氩气压为0.4-0.6Pa。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，S5的真空磁场热处理为：调节退火炉本底真空度为7×10-5-9×10-5Pa，退火温度为320-370℃，退火时间为0.4-0.6小时，退火场为750-850Oe。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用常规四探针测磁电阻方法测得其电阻值不小于5.2％。
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| CN204481056U (zh) * | 2015-02-09 | 2015-07-15 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种具有双层辅助层的磁电阻元件 |
| CN107403821B (zh) * | 2017-07-12 | 2020-01-10 | 北京航空航天大学 | 一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜 |
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